JPH0844628A - 不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法 - Google Patents

不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法

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JPH0844628A
JPH0844628A JP18223094A JP18223094A JPH0844628A JP H0844628 A JPH0844628 A JP H0844628A JP 18223094 A JP18223094 A JP 18223094A JP 18223094 A JP18223094 A JP 18223094A JP H0844628 A JPH0844628 A JP H0844628A
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Manabu Inoue
学 井上
Chikao Ookubo
京夫 大久保
Shigeru Kadowaki
茂 門脇
Satoru Nakanishi
悟 中西
Masamichi Kishi
正道 岸
Shigeru Suzuki
鈴木　　茂
Yasuro Kubota
康郎 窪田
Hironori Iwasaki
浩典 岩崎
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ライトプロテクト機能のない不揮発性メモリ
を使用したメモリカードならびに情報処理装置におい
て、不揮発性のソフトウェアライトプロテクトが可能な
不揮発性メモリおよびそれを用いたシステム技術を提供
する。 【構成】 不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機
能のない書き換え可能な不揮発性メモリを用いたＦｌａ
ｓｈメモリカード１であって、一括電気的消去および書
き込み可能なＦｌａｓｈメモリ２と、電源投入時のパワ
ーオンリセット信号を発生するリセットＩＣ３と、これ
らのデバイス間のコントロールとメモリカードインタフ
ェースとの間の制御を行うカードコントローラ４とから
構成され、Ｆｌａｓｈメモリ２には、ライトプロテクト
を行いたいエリアのアドレスをライトするライトプロテ
クト保存レジスタ５がアトリビュート領域で設定され、
システムからプロテクト範囲が設定されるようになって
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性メモリおよび
それを用いたシステム技術に関し、特に不揮発性のソフ
トウェアライトプロテクト機能のない書き換え可能な不
揮発性メモリを使用したシステム、たとえば情報処理装
置全般およびメモリカード全般、さらに不揮発性メモリ
デバイスにおいて、不揮発性のソフトウェアライトプロ
テクトを可能とする不揮発性メモリ、およびそれを用い
たメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモ
リのソフトウェアライトプロテクト制御方法に適用して
有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、不揮発性メモリとしてのＦｌ
ａｓｈメモリ（フラッシュＥＥＰＲＯＭ）を用い、不揮
発性のソフトウェアライトプロテクト機能を有するＦｌ
ａｓｈメモリカードとしては、Ｉｎｔｅｌ社のＳｅｒｉ
ｅｓ ２＋が製品化されている。これは、Ｉｎｔｅｌ社
のＦｌａｓｈメモリを使用しており、消去ブロック単位
でのライトプロテクト機能をＦｌａｓｈメモリ自体が有
している。
【０００３】なお、このソフトウェアライトプロテクト
機能とは、書き込み禁止スイッチなどによるハードウェ
アライトプロテクト機能に対する言葉で、ユーザ（シス
テム）側がＦｌａｓｈメモリ領域内の書き込み禁止領域
を任意に設定できるという意味でのソフトウェアであ
り、このソフトウェアによってライトプロテクトを行う
ことをソフトウェアライトプロテクトと定義することが
できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
なＦｌａｓｈメモリカードにおいては、ライトプロテク
ト機能をＦｌａｓｈメモリ自体が有しているために、ソ
フトウェアライトプロテクトが可能であるが、たとえば
任意のエリアでのライトプロテクト機能のないＦｌａｓ
ｈメモリを用いたメモリカードにおいては、ライトプロ
テクトエリアの書き換え可能な不揮発性のソフトウェア
ライトプロテクトが不可能となっている。
【０００５】そこで、本発明の目的は、ライトプロテク
ト機能のないＦｌａｓｈメモリなどの不揮発性メモリを
使用したメモリカードならびに情報処理装置において、
不揮発性メモリ内へのライトプロテクト保存レジスタの
設定によって不揮発性のソフトウェアライトプロテクト
を行うことができる不揮発性メモリ、およびそれを用い
たメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモ
リのソフトウェアライトプロテクト制御方法を提供する
ことにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００８】すなわち、本発明の不揮発性メモリは、不
揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き
換え可能な不揮発性メモリに適用され、不揮発性のソフ
トウェアライトプロテクト制御を可能とするために、不
揮発性メモリ内に所定の消去単位に任意のライトプロテ
クトエリアのアドレスを書き込むライトプロテクト保存
レジスタを設定するものである。
【０００９】この場合に、ライトプロテクトエリアの設
定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任
意まで、または任意から任意までの消去単位で変更可能
にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単位またはデ
バイスのブロック単位で変更可能とし、たとえばＦｌａ
ｓｈメモリに適用するようにしたものである。
【００１０】また、本発明のメモリカードは、前記不揮
発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリ
と、少なくとも不揮発性メモリとメモリカードインタフ
ェースとの間の制御を行うカードコントローラとから構
成するものである。
【００１１】さらに、本発明の情報処理装置は、前記不
揮発性メモリを用いるものであり、この不揮発性メモリ
と、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置とから
構成するものである。
【００１２】また、本発明の不揮発性メモリのソフトウ
ェアライトプロテクト制御方法は、不揮発性メモリ内の
ライトプロテクト保存レジスタに任意のライトプロテク
トエリアのアドレスを書き込み、そのアドレスを用いて
ユーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテク
トエリア内か否かを判定し、不揮発性のソフトウェアラ
イトプロテクト制御を行うものである。
【００１３】
【作用】前記した不揮発性メモリ、およびそれを用いた
メモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリ
のソフトウェアライトプロテクト制御方法によれば、た
とえば一括電気的消去および書き込み可能なＦｌａｓｈ
メモリの最終アドレスをライトプロテクト保存レジスタ
としてアトリビュート領域で設定し、このライトプロテ
クト保存レジスタにライトプロテクトを行いたいエリア
のアドレスをライトする。
【００１４】この場合に、このライトプロテクトエリア
は、Ｆｌａｓｈメモリの機能仕様などに対応して、Ｆｌ
ａｓｈメモリの先頭セクタ、最終セクタまたは任意のセ
クタからの１セクタ刻み、２セクタ刻みなどのデータ単
位の５１２ｂｙｔｅ（４０９６ｂｉｔ）で定義されるセ
クタ単位、または数セクタのデータの集まりを表すデバ
イスのブロック単位による先頭ブロック、最終ブロック
または任意のブロックから任意のブロックまでのブロッ
ク単位で領域可変プロテクト方式により設定することが
できる。
【００１５】さらに、ライトプロテクト保存レジスタに
ライトしたライトデータを、システム側からの入力によ
るハードウェアリセット、システム側からのレジスタラ
イトによるソフトウェアリセット、あるいは電源投入時
によるパワーオンリセットをカードコントローラに入れ
ることによって、カードコントローラ内のライトプロテ
クトレジスタに転送する。
【００１６】そして、それ以降、ユーザ側からアクセス
されたアドレスがライトプロテクトエリア内か否かをカ
ードコントローラで判定し、この結果ライトプロテクト
エリア内の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ラ
イトプロテクトエリア外の場合はライトプロテクトを不
可能として、消去単位でのソフトウェアライトプロテク
ト制御を行うことができる。
【００１７】これにより、ライトプロテクト情報が不揮
発性であり、かつ任意の領域でのライトプロテクトが可
能となり、ソフトウェアライトプロテクト機能のないＦ
ｌａｓｈメモリなどの書き換え可能な不揮発性メモリを
使用したメモリカードならびに情報処理装置などのシス
テムにおいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテク
ト領域内のデータの保守性を向上させることができる。
【００１８】また、任意の領域でのライトプロテクトが
可能なため、メモリのソフトウェアライトプロテクトに
より書き込みが禁止されている領域のプロテクトエリア
と、この領域以外の書き込みが禁止されていない領域の
ワークエリアをシステムに合わせて設定することがで
き、不揮発性メモリの有効利用を可能とすることができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【００２０】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成図、
図２は本実施例におけるソフトウェアライトプロテクト
設定のフローチャート、図３はライトプロテクト情報転
送のタイムチャート、図４はライトプロテクト情報転送
を説明するブロック図、図５はメモリカードのアドレス
マップを示す説明図、図６はライトプロテクト制御のフ
ローチャート、図７はライトプロテクト判定回路を示す
構成図、図８はライトプロテクト制御のタイムチャー
ト、図９はライトプロテクト制御を説明するブロック
図、図１０は本実施例のメモリカードを用いたシステム
構成図である。
【００２１】まず、図１により本実施例の不揮発性メモ
リを用いたメモリカードの構成を説明する。
【００２２】本実施例のメモリカードは、たとえば不揮
発性のソフトウェアライトプロテクト機能のない書き換
え可能な不揮発性メモリを用いたＦｌａｓｈメモリカー
ド１とされ、一括電気的消去および書き込み可能なＦｌ
ａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）２と、電源投入時のパ
ワーオンリセット信号を発生するリセットＩＣ３と、こ
れらのデバイス間のコントロールとメモリカードインタ
フェースとの間の制御を行うカードコントローラ４とか
ら構成されている。
【００２３】本実施例において、Ｆｌａｓｈメモリカー
ド１に搭載されるＦｌａｓｈメモリ２には、たとえばこ
のＦｌａｓｈメモリ２のメモリ空間を意味するコモンＦ
ｌａｓｈエリアの最終チップ、データ単位（５１２ｂｙ
ｔｅ）である最終セクタ内に、ライトプロテクトを行い
たいエリアのアドレスをライトするライトプロテクト保
存レジスタ（ＷＰ保存Ｒｅｇ）５がアトリビュート領域
で設定され、システムからプロテクト範囲（プロテクト
エンドセクタ）の設定が可能となっている。
【００２４】このアトリビュート領域とは、Ｆｌａｓｈ
メモリカード１の識別情報と、ハードウェアの構成やＦ
ｌａｓｈメモリカード１をシステムのアドレス空間のど
こに割り当てるかなどを示すコンフィギュレーション情
報を記憶するメモリ領域を表すものである。
【００２５】そして、このライトプロテクト保存レジス
タ５によるライトプロテクト範囲が、たとえばコモンＦ
ｌａｓｈエリアの先頭（０）セクタから（最終−１）セ
クタまでの任意のセクタまでとして可変プロテクト方式
で設定され、これはＦｌａｓｈメモリ２の消去単位がセ
クタ単位（５１２ｂｙｔｅ）であることによるものであ
る。この消去単位は、Ｆｌａｓｈメモリ２の機能仕様に
対応して設定される。
【００２６】カードコントローラ４には、電源投入時に
行われるリセットのパワーオンリセット、Ｆｌａｓｈメ
モリカード１を使用するシステム側からのリセット信号
によるハードウェアリセット、このカードコントローラ
４に設定されるソフトリセットレジスタにシステム側が
書き込むことにより行われるソフトウェアリセットを行
うことによって、Ｆｌａｓｈメモリ２のライトプロテク
ト保存レジスタ５から転送されるライトデータを格納す
るライトプロテクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６が設定さ
れている。
【００２７】次に、本実施例の作用について、始めにラ
イトプロテクト設定の手順を図２に基づいて図１を参照
しながら説明する。なお、このライトプロテクト設定の
制御、さらに後述するライトプロテクト情報の転送制
御、ライトプロテクト制御などの各制御は、カードコン
トローラ４を構成する論理素子による論理回路により行
われている。
【００２８】まず、Ｆｌａｓｈメモリカード１に搭載さ
れたＦｌａｓｈメモリ２の最終チップ、最終セクタをラ
イトプロテクト保存レジスタ５として設定する。このレ
ジスタ５はアトリビュート領域に属し、このレジスタ５
にライトプロテクトエンドアドレスをライトしてライト
プロテクト範囲を設定する（ステップ２０１）。
【００２９】このＦｌａｓｈメモリ２の最終チップ、最
終セクタのライトプロテクト保存レジスタ５は、Ｆｌａ
ｓｈメモリ２内にあるために、この情報を書き換える
か、またはＦｌａｓｈメモリ２が破壊される以外は不揮
発性の情報として保持することができる。
【００３０】さらに、ライトプロテクト保存レジスタ５
にライトされた情報を転送するために、電源投入時によ
るパワーオンリセット、システム側からの入力によるハ
ードウェアリセット、あるいはシステム側からのレジス
タライトによるソフトウェアリセットを入れる（ステッ
プ２０２〜２０４）。
【００３１】これによって、ライトされた情報を、カー
ドコントローラ４内に設定されたライトプロテクトレジ
スタ６に転送し、ソフトウェアライトプロテクト設定を
完了することができる（ステップ２０５，２０６）。
【００３２】そして、ライトプロテクトレジスタ６にラ
イトプロテクト情報が転送された後、システム側からア
クセスされたアドレスとライトプロテクトレジスタ６に
書き込まれたライトプロテクトエンドアドレスとを比較
し、この比較結果に応じてライトプロテクト制御を行う
ことができる。
【００３３】続いて、ライトプロテクト情報の転送につ
いて、図３のタイムチャートに基づいて図４を参照しな
がら説明する。
【００３４】始めに、図４に示すように、カードコント
ローラ４には、ライトプロテクトレジスタ６の他に、ラ
イトプロテクト情報転送機能として、パワーオンリセッ
ト、ハードウェアリセット、ソフトウェアリセットによ
るリセットパルスを用いて転送用の信号を発生させるリ
セット部７、Ｆｌａｓｈメモリ２への書き込み、読み出
しを行う際にアドレスを発生させるアドレス制御部８、
チップイネーブル信号、アウトプットイネーブル信号を
発生させるＦｌａｓｈメモリコントロール信号発生部
９、カードコントローラ４内に設定するレジスタの初期
化や、ソフトウェアリセットによるリセットパルスを発
生させるソフトウェアリセットレジスタ１０、およびレ
ジスタの制御を行うレジスタコントロール部１１が設け
られている。
【００３５】そして、まずＦｌａｓｈメモリ２内のライ
トプロテクト保存レジスタ５にライトプロテクトエンド
アドレスをライトした後、たとえばハードウェアリセッ
ト時には、システム側からのリセット部７に入力される
リセットパルスを用いて、カードコントローラ４内にお
いて以下のような転送用の信号を発生させる。
【００３６】すなわち、カードコントローラ４内におい
て、アドレス制御部８ではリセット部７からの信号をも
とにライトプロテクト保存レジスタ５のアドレス信号
（Ａｄｒ）を発生させる。また、Ｆｌａｓｈメモリコン
トロール信号発生部９においては、リセット部７からの
信号をもとに、チップイネーブル信号（／ＣＥ）、アウ
トプットイネーブル信号（／ＯＥ）を発生（ロウレベ
ル）させる。
【００３７】そして、これらの発生されたライトプロテ
クト保存レジスタのアドレス信号、チップイネーブル信
号、アウトプットイネーブル信号により、読み出された
ライトプロテクト情報をカードコントローラ４内のライ
トプロテクトレジスタ６にラッチするためのラッチ信号
を発生させる。
【００３８】これによって、ハードウェアリセット時に
おいて、Ｆｌａｓｈメモリ２のライトプロテクト保存レ
ジスタ５から読み出されたライトプロテクト情報を、カ
ードコントローラ４内のライトプロテクトレジスタ６に
転送してラッチすることができる。
【００３９】また、ソフトウェアリセット時には、シス
テム側からのレジスタライトにおけるアドレスコントロ
ール信号を用いて、カードコントローラ４内のレジスタ
コントロール部１１から発生されるライト信号をソフト
ウェアリセットレジスタ１０に入力して、“１”をライ
トした後に“０”のライトを行ってソフトウェアリセッ
トパルスを発生させる。
【００４０】そして、そのソフトウェアリセットパルス
をリセット部７に入力し、カードコントローラ４内にお
いて、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の信
号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ５から
ライトプロテクトレジスタ６にライトプロテクト情報を
転送することができる。
【００４１】さらに、パワーオンリセット時には、Ｆｌ
ａｓｈメモリカード１の電源が投入されると、リセット
ＩＣ３によりパワーオンリセットパルスを発生させ、そ
れをリセット部７に入力し、カードコントローラ４内に
おいて、ハードウェアリセット時と同様にして転送用の
信号を発生させて、ライトプロテクト保存レジスタ５か
らライトプロテクトレジスタ６へのライトプロテクト情
報の転送を可能とすることができる。
【００４２】続いて、ライトプロテクト制御について、
図６のフローに基づいて、図５、図７〜図９を参照しな
がら説明する。
【００４３】始めに、Ｆｌａｓｈメモリカード１は、図
５に示すようなアドレスマッピングになっており、ライ
トプロテクト保存レジスタ５はコモンＦｌａｓｈ領域の
最終チップ、最終セクタ内に設定されているため、その
セクタはアトリビュート領域に属し、よってコモンＦｌ
ａｓｈ領域としてはアクセス不可能となっている。
【００４４】また、カードコントローラ４には、ライト
プロテクト制御機能として、図９に示すように、システ
ム側がＦｌａｓｈメモリカード１にアクセスしたアドレ
スがライトプロテクト領域内か否かを判定するライトプ
ロテクト領域判定部１２、およびＦｌａｓｈメモリ２へ
の書き込みデータの制御を行うデータ制御部１３が設け
られ、このライトプロテクト領域判定部１２において、
セクタアドレスとプロテクトエンドセクタアドレスとが
比較され、データ制御部１３にライトプロテクト制御を
行うプロテクト信号が転送されるようになっている。
【００４５】すなわち、ライトプロテクト領域判定部１
２には、図７に示すように、セクタアドレスと、セクタ
アドレスの上位８ｂｉｔを格納するライトプロテクトア
ッパーレジスタ（ＷＰＵＲｅｇ）、および下位８ｂｉｔ
を格納するライトプロテクトローレジスタ（ＷＰＬＲｅ
ｇ）のライトプロテクトレジスタ６に格納されたプロテ
クトエンドセクタアドレスとを比較する大小判別回路１
４が設けられ、プロテクト信号が発生される。
【００４６】そして、まずソフトウェアライトプロテク
トの設定後、システム側からコモンＦｌａｓｈ領域への
ライトアクセス（／ＣＥ，／ＷＥ）がＦｌａｓｈメモリ
カード１に対して発生されると、カードコントローラ４
内のライトプロテクト領域判定部１２において、ライト
プロテクトレジスタ６のプロテクトエンドアドレスとシ
ステム側からアクセスされたセクタアドレスとを比較す
る（ステップ６０１，６０２）。
【００４７】その結果、たとえば（Ｆｌａｓｈメモリ２
のライト時のセクタアドレス）≦（ライトプロテクトレ
ジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれ
ば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライトプロテク
ト領域判定部１２よりライトプロテクト信号を発生さ
せ、それをデータ制御部１３に入力し、データ制御部１
３において、Ｆｌａｓｈメモリ２へのライトデータをリ
セットコマンドもしくは無効コマンドにし、Ｆｌａｓｈ
メモリ２へライトする（ステップ６０３，６０４）。
【００４８】このリセットコマンドは、書き込みセット
アップ状態をリセットするコマンドであり、また無効コ
マンドは、予め設定されているコマンド以外のコマンド
を表し、これらのコマンドはライトプロテクトのときに
用いられる。
【００４９】一方、（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時の
セクタアドレス）＞（ライトプロテクトレジスタ６のプ
ロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロ
テクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータ
をそのままＦｌａｓｈメモリ２にライトする（ステップ
６０３，６０５）。
【００５０】これにより、ライト時にアクセスしたアド
レスに対してライトプロテクト範囲内か否かを判定し、
ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクトを可
能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合は、ライト
プロテクトを不可能として正常ライトを可能とすること
ができる。
【００５１】以上のように構成されるＦｌａｓｈメモリ
カード１は、たとえば図１０に示すような情報処理装置
などのシステムに適用され、Ｆｌａｓｈメモリ２を搭載
したＦｌａｓｈメモリカード１の他に、このメモリカー
ド１とのカードインタフェース１５を介して接続される
ＣＰＵ１６、ＲＡＭ１７、ＲＯＭ１８、プリンタ１９、
ハードディスク２０、フロッピーディスク２１などから
構成されている。
【００５２】このシステムにおいては、ＲＡＭ１７、Ｒ
ＯＭ１８およびＦｌａｓｈメモリカード１はメモリ領域
に属し、またプリンタ１９、ハードディスク２０および
フロッピーディスク２１はＩ／Ｏ領域に属し、よってメ
モリカード１へのアクセスに対して、アドレスがライト
プロテクト範囲内か否かを判定することによって、シス
テムとしてのソフトウェアライトプロテクト制御を行う
ことができる。
【００５３】従って、本実施例のＦｌａｓｈメモリカー
ド１によれば、Ｆｌａｓｈメモリ２にライトプロテクト
保存レジスタ５が設定され、このライトプロテクト保存
レジスタ５にライトプロテクト範囲のエンドセクタアド
レスが格納されることにより、ユーザ側からアクセスさ
れたアドレスがライトプロテクト範囲内か否かを判定
し、ライトプロテクト範囲内の場合はライトプロテクト
を可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライ
トプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアラ
イトプロテクト制御を任意の領域で行うことができる。
【００５４】特に、ソフトウェアライトプロテクト機能
のないＦｌａｓｈメモリ２を使用したＦｌａｓｈメモリ
カード１ならびに情報処理装置などのシステムに良好に
適用可能となり、ライトプロテクト情報、ライトプロテ
クト領域内のデータの保守性を高めることができ、さら
にライトプロテクト範囲を任意の領域に設定し、Ｆｌａ
ｓｈメモリ２の有効利用のために書き込み禁止領域のプ
ロテクトエリアとそれ以外の領域のワークエリアをシス
テムに合わせて設定することができる。
【００５５】（実施例２）図１１は本発明の他の実施例
である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示す構成
図である。
【００５６】本実施例のメモリカードは、実施例１と同
様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能のな
い書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ）
２ａを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ａとされ、実施
例１との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ａのライトプロ
テクト範囲を（最終−１）セクタから規定する点であ
る。
【００５７】すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ａのライト
プロテクト保存レジスタ５ａに設定されるライトプロテ
クト範囲（プロテクトスタートセクタ）を、コモンＦｌ
ａｓｈエリアの（最終−１）セクタから任意のセクタま
でとして設定することができる。
【００５８】従って、本実施例においても、ライトプロ
テクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ａが設定されるカード
コントローラ４ａの制御によって、ソフトウェアライト
プロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ａを使用した
Ｆｌａｓｈメモリカード１ａの不揮発性のソフトウェア
ライトプロテクト制御を（最終−１）セクタからの任意
の領域で可能とすることができる。
【００５９】（実施例３）図１２は本発明のさらに他の
実施例である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示
す構成図である。
【００６０】本実施例のメモリカードは、実施例１およ
び２と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト
機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性
メモリ）２ｂを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｂとさ
れ、実施例１および２との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ
２ｂのライトプロテクト範囲をスタートアドレスとエン
ドアドレスによる可変方式で規定する点である。
【００６１】すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｂのライト
プロテクト保存レジスタ５ｂに設定されるライトプロテ
クト範囲（プロテクトスタートとエンドセクタ）を、コ
モンＦｌａｓｈエリアの任意のセクタから任意のセクタ
までとして設定することができる。
【００６２】従って、本実施例においても、ライトプロ
テクトスタートレジスタ（ＷＰＳＲｅｇ）およびライト
プロテクトエンドレジスタ（ＷＰＥＲｅｇ）のライトプ
ロテクトレジスタ６ｂが設定されるカードコントローラ
４ｂの制御によって、ソフトウェアライトプロテクト機
能のないＦｌａｓｈメモリ２ｂを使用したＦｌａｓｈメ
モリカード１ｂの不揮発性のソフトウェアライトプロテ
クト制御を任意から任意の領域で可能とすることができ
る。
【００６３】（実施例４）図１３は本発明のさらに他の
実施例である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示
す構成図である。
【００６４】本実施例のメモリカードは、実施例１〜３
と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能
のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモ
リ）２ｃを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｃとされ、
実施例１〜３との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｃのラ
イトプロテクト単位を２セクタ単位とする点である。
【００６５】すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｃの（最終
−１）、最終セクタに設定されるライトプロテクト保存
レジスタ５ｃのライトプロテクト範囲（プロテクトエン
ドセクタ）を、コモンＦｌａｓｈエリアに２セクタ単位
で設定することができる。
【００６６】従って、本実施例においても、ライトプロ
テクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ｃが設定されるカード
コントローラ４ｃの制御によって、ソフトウェアライト
プロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｃを使用した
Ｆｌａｓｈメモリカード１ｃの不揮発性のソフトウェア
ライトプロテクト制御を２セクタ単位の領域で可能とす
ることができる。
【００６７】（実施例５）図１４は本発明のさらに他の
実施例である不揮発性メモリを用いたメモリカードを示
す構成図である。
【００６８】本実施例のメモリカードは、実施例１〜４
と同様に不揮発性のソフトウェアライトプロテクト機能
のない書き換え可能なＦｌａｓｈメモリ（不揮発性メモ
リ）２ｄを用いたＦｌａｓｈメモリカード１ｄとされ、
実施例１〜４との相違点は、Ｆｌａｓｈメモリ２ｄのラ
イトプロテクト単位をセクタ単位に限らず、デバイスの
消去単位を数セクタなどの複数のデータの集まりを表す
ブロック単位とする点である。
【００６９】すなわち、Ｆｌａｓｈメモリ２ｄの最終ブ
ロックに設定されるライトプロテクト保存レジスタ５ｄ
のライトプロテクト範囲（プロテクトエンドブロック）
を、コモンＦｌａｓｈエリアにデバイスのブロック単位
で設定することができる。
【００７０】従って、本実施例においても、ライトプロ
テクトレジスタ（ＷＰＲｅｇ）６ｄが設定されるカード
コントローラ４ｄの制御によって、ソフトウェアライト
プロテクト機能のないＦｌａｓｈメモリ２ｄを使用した
Ｆｌａｓｈメモリカード１ｄの不揮発性のソフトウェア
ライトプロテクト制御をデバイスのブロック単位の領域
で可能とすることができる。
【００７１】（実施例６）図１５は本発明のさらに他の
実施例である不揮発性メモリを用いたメモリカードにお
けるライトプロテクト制御のフローチャート、図１６は
ライトプロテクト制御のタイムチャートである。
【００７２】本実施例のメモリカードは、実施例１（２
〜５）と同様に構成されて、不揮発性のソフトウェアラ
イトプロテクト機能のない書き換え可能なＦｌａｓｈメ
モリ（不揮発性メモリ）２を用いたＦｌａｓｈメモリカ
ード１とされ、実施例１〜５との相違点は、ライトプロ
テクト制御をライトデータではなく、Ｆｌａｓｈメモリ
２へのコントロール信号で行う点である。
【００７３】すなわち、本実施例においては、まずソフ
トウェアライトプロテクトの設定後、システム側からコ
モンＦｌａｓｈ領域へのライトアクセスがＦｌａｓｈメ
モリカード１に対して発生されると、ライトプロテクト
レジスタ６のプロテクトエンドアドレスとシステム側か
らアクセスされたセクタアドレスとを比較する（ステッ
プ１５０１，１５０２）。
【００７４】その結果、たとえば（Ｆｌａｓｈメモリ２
のライト時のセクタアドレス）≦（ライトプロテクトレ
ジスタ６のプロテクトエンドセクタアドレス）であれ
ば、ライトプロテクト範囲内と判断し、ライト用のライ
トイネーブル信号（／ＷＥ）もしくはチップイネーブル
信号（／ＣＥ）のコントロール信号をネゲート（ハイレ
ベル）したままにしてライトプロテクトする（ステップ
１５０３，１５０４）。
【００７５】一方、（Ｆｌａｓｈメモリ２のライト時の
セクタアドレス）＞（ライトプロテクトレジスタ６のプ
ロテクトエンドセクタアドレス）であれば、ライトプロ
テクト範囲外と判断し、正常ライトとしてライトデータ
をそのままＦｌａｓｈメモリ２にライトする（ステップ
１５０３，１５０５）。
【００７６】従って、本実施例においても、ユーザ側か
らアクセスされたアドレスがライトプロテクト範囲内か
否かを判定し、ライトプロテクト範囲内の場合はライト
用のコントロール信号をネゲートしてライトプロテクト
を可能とし、一方ライトプロテクト範囲外の場合はライ
トプロテクトを不可能とし、不揮発性のソフトウェアラ
イトプロテクト制御を任意の領域で可能とすることがで
きる。
【００７７】（実施例７）図１７は本発明のさらに他の
実施例である不揮発性メモリを用いた半導体メモリを示
す構成図である。
【００７８】本実施例は実施例１〜６と異なり、不揮発
性メモリ２２自体にライトプロテクトレジスタ２３を持
ち、さらにシステム側がアクセスしたアドレスがライト
プロテクト領域内か否かを判定するライトプロテクト領
域判定部２４、および不揮発性メモリ２２への書き込み
信号および書き込みデータの制御を行うライト制御部２
５が設けられる半導体メモリ２６とされ、ライトプロテ
クト領域判定部２４からのプロテクト信号を用いて、ラ
イトデータもしくはライト信号が制御され、不揮発性メ
モリ２２のライトプロテクト制御が可能となっている。
【００７９】すなわち、本実施例においては、たとえば
Ｆｌａｓｈメモリなどの半導体メモリ２６単体としてラ
イトプロテクト機能を実現し、ライトプロテクト領域判
定部２４の結果、ライトプロテクト領域内であれば、ラ
イトプロテクト領域判定部２４よりライトプロテクト信
号を発生させ、それをライト制御部２５に入力し、不揮
発性メモリ２２への書き込み信号（／ＣＥ，／ＷＥ）を
ハイレベルにするか、または書き込みデータをリセット
コマンドか無効コマンドにする。
【００８０】従って、本実施例においては、不揮発性メ
モリ２２のライトプロテクトレジスタ２３に設定された
プロテクトアドレスと、不揮発性メモリ２２に対するア
クセスのアドレスとを比較し、ライトプロテクト範囲内
の場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロ
テクト範囲外の場合はライトプロテクトを不可能とし
て、ライトプロテクトレジスタ２３を不揮発性メモリ２
２自体に持つ場合における不揮発性のソフトウェアライ
トプロテクト制御を可能とすることができる。
【００８１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１〜７に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８２】たとえば、前記実施例におけるＦｌａｓｈ
メモリについては、コモンＦｌａｓｈエリアの最終チッ
プ、最終セクタ内にライトプロテクト保存レジスタが設
定される場合について説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、コモンＦｌａｓｈエリアの
先頭チップ、先頭セクタ内に設定する場合についても適
用可能である。
【００８３】さらに、このライトプロテクト保存レジス
タの設定とともに、ライトプロテクト範囲、消去単位は
Ｆｌａｓｈメモリの機能仕様に対応して、適宜設定され
ることはいうまでもない。
【００８４】また、本実施例における不揮発性メモリ
は、Ｆｌａｓｈメモリの他に、ビット毎に電気的消去お
よび書き込み可能なＥＥＰＲＯＭなどの他の不揮発性メ
モリについても適用でき、さらにこの不揮発性メモリを
使用したシステム、たとえば情報処理装置全般およびメ
モリカード全般、さらに不揮発性メモリデバイスなどに
おいても広く適用可能である。
【００８５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００８６】(1).不揮発性メモリ内に所定の消去単位に
任意のライトプロテクトエリアのアドレスを書き込むラ
イトプロテクト保存レジスタを設定することにより、ユ
ーザ側からアクセスされたアドレスがライトプロテクト
エリア内か否かを判定し、ライトプロテクトエリア内の
場合はライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテ
クトエリア外の場合はライトプロテクトを不可能とする
ことができるので、消去単位でのソフトウェアライトプ
ロテクト制御が可能となる。
【００８７】(2).前記(1) において、ライトプロテクト
エリアの設定を、不揮発性メモリの先頭から任意まで、
最終から任意まで、または任意から任意までの消去単位
で変更可能にしたり、また消去単位の設定を、セクタ単
位またはデバイスのブロック単位で変更可能とすること
により、不揮発性メモリの機能仕様に対応した良好なソ
フトウェアライトプロテクト制御が可能となる。
【００８８】(3).前記(1) において、Ｆｌａｓｈメモリ
に適用することにより、特に一括電気的消去および書き
込みが可能となる。
【００８９】(4).前記(1) 〜(3) により、ライトプロテ
クト情報を不揮発性とし、かつ任意の領域でのライトプ
ロテクトが可能となるので、ソフトウェアライトプロテ
クト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリを使用し
たメモリカードならびに情報処理装置などのシステムに
おいて、ライトプロテクト情報、ライトプロテクト領域
内データの保守性の向上が可能となる。
【００９０】(5).前記(1) 〜(3) により、任意の領域で
のライトプロテクトが可能となり、不揮発性メモリのプ
ロテクトエリアとワークエリアをシステムに合わせて設
定することができるので、不揮発性メモリの有効利用が
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１である不揮発性メモリを用い
たメモリカードを示す構成図である。
【図２】実施例１におけるソフトウェアライトプロテク
ト設定のフローチャートである。
【図３】実施例１におけるライトプロテクト情報転送の
タイムチャートである。
【図４】実施例１におけるライトプロテクト情報転送を
説明するブロック図である。
【図５】実施例１におけるメモリカードのアドレスマッ
プを示す説明図である。
【図６】実施例１におけるライトプロテクト制御のフロ
ーチャートである。
【図７】実施例１におけるライトプロテクト判定回路を
示す構成図である。
【図８】実施例１におけるライトプロテクト制御のタイ
ムチャートである。
【図９】実施例１におけるライトプロテクト制御を説明
するブロック図である。
【図１０】実施例１におけるメモリカードを用いたシス
テム構成図である。
【図１１】本発明の実施例２である不揮発性メモリを用
いたメモリカードを示す構成図である。
【図１２】本発明の実施例３である不揮発性メモリを用
いたメモリカードを示す構成図である。
【図１３】本発明の実施例４である不揮発性メモリを用
いたメモリカードを示す構成図である。
【図１４】本発明の実施例５である不揮発性メモリを用
いたメモリカードを示す構成図である。
【図１５】本発明の実施例６である不揮発性メモリを用
いたメモリカードにおけるライトプロテクト制御のフロ
ーチャートである。
【図１６】実施例６におけるライトプロテクト制御のタ
イムチャートである。
【図１７】本発明の実施例７である不揮発性メモリを用
いた半導体メモリを示す構成図である。
【符号の説明】
１，１ａ〜１ｄ Ｆｌａｓｈメモリカード ２，２ａ〜２ｄ Ｆｌａｓｈメモリ（不揮発性メモリ） ３ リセットＩＣ ４，４ａ〜４ｄ カードコントローラ ５，５ａ〜５ｄ ライトプロテクト保存レジスタ ６，６ａ〜６ｄ ライトプロテクトレジスタ ７ リセット部 ８ アドレス制御部 ９ Ｆｌａｓｈメモリコントロール信号発生部 １０ ソフトウェアリセットレジスタ １１ レジスタコントロール部 １２ ライトプロテクト領域判定部 １３ データ制御部 １４ 大小判別回路 １５ カードインタフェース １６ ＣＰＵ １７ ＲＡＭ １８ ＲＯＭ １９ プリンタ ２０ ハードディスク ２１ フロッピーディスク ２２ 不揮発性メモリ ２３ ライトプロテクトレジスタ ２４ ライトプロテクト領域判定部 ２５ ライト制御部 ２６ 半導体メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 学 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 大久保 京夫 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 門脇 茂 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 中西 悟 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 岸 正道 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 鈴木 茂 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 窪田 康郎 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 岩崎 浩典 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 不揮発性のソフトウェアライトプロテク
    ト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリであって、
    前記不揮発性メモリ内に、ユーザ側からアクセスされた
    アドレスに対する不揮発性のソフトウェアライトプロテ
    クト制御を行うために、所定の消去単位に任意のライト
    プロテクトエリアのアドレスを書き込むライトプロテク
    ト保存レジスタが設定されていることを特徴とする不揮
    発性メモリ。
  2. 【請求項２】 前記ライトプロテクトエリアが、前記不
    揮発性メモリの先頭から任意まで、最終から任意まで、
    または任意から任意までの消去単位で変更可能に設定さ
    れることを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ。
  3. 【請求項３】 前記消去単位が、セクタ単位またはデバ
    イスのブロック単位で変更可能に設定されることを特徴
    とする請求項１または２記載の不揮発性メモリ。
  4. 【請求項４】 前記不揮発性メモリが、Ｆｌａｓｈメモ
    リとされることを特徴とする請求項１、２または３記載
    の不揮発性メモリ。
  5. 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の不揮発
    性メモリを用いたメモリカードであって、前記不揮発性
    メモリと、少なくともこの不揮発性メモリとメモリカー
    ドインタフェースとの間の制御を行うカードコントロー
    ラとから構成されていることを特徴とするメモリカー
    ド。
  6. 【請求項６】 請求項１、２、３または４記載の不揮発
    性メモリを用いた情報処理装置であって、前記不揮発性
    メモリと、少なくとも中央処理装置およびその周辺装置
    とから構成されていることを特徴とする情報処理装置。
  7. 【請求項７】 不揮発性のソフトウェアライトプロテク
    ト機能のない書き換え可能な不揮発性メモリのソフトウ
    ェアライトプロテクト制御方法であって、前記不揮発性
    メモリにライトプロテクト保存レジスタを設定し、この
    ライトプロテクト保存レジスタにプロテクトエリアをラ
    イトし、リセットあるいはパワーオンリセットを行って
    このライトデータをカードコントローラ内のライトプロ
    テクトレジスタに転送し、それ以降のユーザがアクセス
    したアドレスに対してライトプロテクトエリア内か否か
    を判定し、この結果ライトプロテクトエリア内の場合は
    ライトプロテクトを可能とし、一方ライトプロテクトエ
    リア外の場合はライトプロテクトを不可能として、所定
    の消去単位でのソフトウェアライトプロテクト制御を行
    うことを特徴とする不揮発性メモリのソフトウェアライ
    トプロテクト制御方法。
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