JPH0845022A

JPH0845022A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0845022A
Application number: JP18256194A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Hirano; 均平野; Keiichi Kuramoto; 慶一蔵本; Yoichi Domoto; 洋一堂本; Seiichi Kiyama; 精一木山
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1994-08-03
Filing date: 1994-08-03
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気ディスク装置等において用いられる薄膜
磁気ヘッドの出力、特に高線密度領域での出力を高める
ことができ、高密度化に対応することができる薄膜磁気
ヘッドを得る。【構成】薄膜磁気ヘッド１のスライダー面１ａを、膜
厚２００Å以下の炭素被膜３によって被覆し、炭素被膜
３と薄膜磁気ヘッド１のスライダー面１ａとの間に中間
層２を形成することを特徴としている。また薄膜磁気ヘ
ッド１のスライダー面１ａ及び該スライダー面１ａの端
縁近傍の側面部分１ｂ，１ｃを炭素被膜３によって被覆
することを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
用いられる薄膜磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、周波数特性に優れて
おり、トラック幅並びビット長を微細化することによ
り、高い密度記録が可能であるため、磁気ディスク装置
等の磁気ヘッドとして用いられている。

【０００３】このような薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒
体が起動し回転している際、磁気記録媒体から僅かに浮
き上がっており、薄膜磁気ヘッドのスライダー面と磁気
記録媒体との間には潤滑空気膜が形成されている。しか
しながら、磁気記録媒体の起動を停止すると、薄膜磁気
ヘッドのスライダー面が磁気記録媒体と直接に接する状
態となる。従って、薄膜磁気ヘッドのスライダー面に
は、耐摩耗性が要求される。また、磁気抵抗効果素子等
から構成される薄膜トランスデューサの部分は腐食しや
すいため、この部分を保護する必要が生じる。

【０００４】特公平６−１８０５４号公報には、薄膜磁
気ヘッドの対向面すなわちスライダー面の上に二硫化モ
リブデンなどの被膜等を形成する方法が提案されてい
る。ここでは、薄膜磁気ヘッドのスライダー面の上にス
パッタリング法により膜厚２００〜８００Åの二硫化モ
リブデン、炭素などの被膜を形成する方法が開示されて
いる。このような保護膜の形成により、耐摩耗性及び耐
食性等の向上を図ることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな保護膜を形成した従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、出力低下、特に高線密度領域での出力低下が大きい
という問題があった。

【０００６】また磁気ディスク等を用いる磁気記録にお
いては、さらに高密度化が要望されており、このような
高密度化に対応することができる薄膜磁気ヘッドが要望
されている。

【０００７】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、出力、特に高線密度領域での出力を高めるこ
とができ、高密度化に対応することができる薄膜磁気ヘ
ッドを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
う薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体上を相対的に移動し
て情報を書き込み及び／または読み出す薄膜磁気ヘッド
であり、磁気記録媒体と対向する薄膜磁気ヘッドのスラ
イダー面が膜厚２００Å以下の炭素被膜によって被覆さ
れており、該炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面
との間の少なくとも一部の領域に中間層が形成されてい
ることを特徴としている。

【０００９】本発明の第２の局面に従う薄膜磁気ヘッド
は、磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込み
及び／または読み出す薄膜磁気ヘッドであり、磁気記録
媒体と対向する薄膜磁気ヘッドのスライダー面及び該ス
ライダー面の端縁近傍の側面部分が炭素被膜によって被
覆されていることを特徴としている。炭素被膜の膜厚は
第１の局面と同様に２００Å以下であることが好まし
い。

【００１０】また本発明の第１の局面及び第２の局面に
おける炭素被膜の膜厚は、１０Å以上であることが好ま
しい。膜厚がこれより薄くなると、耐摩耗性や耐食性等
において不十分となる場合がある。

【００１１】本発明の第２の局面において、炭素被膜と
薄膜磁気ヘッドのスライダー面との間には、中間層が形
成されていてもよい。このような中間層は、炭素被膜と
薄膜磁気ヘッドのスライダー面との間の少なくとも一部
の領域に形成される。

【００１２】本発明の第１の局面及び第２の局面におい
て、中間層は炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面
との間の少なくとも一部の領域に形成される。従って、
中間層は、炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面と
の間の全面または一部の領域の面に形成される。従っ
て、本発明の第１の局面及び第２の局面において、中間
層は連続した膜状として形成されていなくともよく、例
えば島状に分散して形成されたものであってもよい。

【００１３】本発明の第１の局面及び第２の局面におい
て設けられる中間層は、炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのス
ライダー面との密着性を高めるため設けられるものであ
り、その熱膨張係数は炭素被膜の熱膨張係数に近似して
いることが好ましい。炭素被膜の熱膨張係数は１．０〜
６．１×１０^-6／℃であるので、中間層の熱膨張係数と
しては、１．０〜１０．０×１０^-6／℃であることが好
ましい。

【００１４】本発明の第１の局面及び第２の局面におい
て、中間層として用いられる具体的な材料としては、Ｓ
ｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、及びＧｅ並びにこれらの酸化
物、窒化物、及び炭化物などを挙げることができる。

【００１５】これらの材料の主なものについてその熱膨
張係数を以下に示す。Ｓｉ：２．６〜７．３×１０^-6／℃ Ｚｒ：５．４〜５．９×１０^-6／℃ Ｔｉ：８．４〜８．６×１０^-6／℃ Ｒｕ：９．１×１０^-6／℃ Ｇｅ：５．７〜６．０×１０^-6／℃ ＳｉＯ₂：０．４〜７．８×１０^-6／℃

【００１６】これらの中間層の厚みとしては、５〜１５
０Åが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０Åであ
る。中間層の厚みが薄すぎると、密着性が不充分とな
り、また中間層の厚みが厚すぎても密着性向上における
効果において変化がなく、出力低下の要因となり好まし
くない。

【００１７】また、本発明の第１の局面及び第２の局面
において、中間層は全体に均質である必要はなく、例え
ば、中間層が炭化物から形成される場合、薄膜磁気ヘッ
ドのスライダー面から炭素被膜に向かって炭素含有量が
高くなるような傾斜構造を有する中間層であってもよ
い。

【００１８】本発明において形成する炭素被膜として
は、結晶質のダイヤモンド及び非晶質のダイヤモンド状
被膜が含まれるが、滑性の面からは、非晶質のダイヤモ
ンド状被膜が好ましい。

【００１９】

【作用】本発明の第１の局面に従う薄膜磁気ヘッドで
は、薄膜磁気ヘッドのスライダー面を膜厚２００Å以下
の炭素被膜により被覆している。炭素被膜からなる保護
膜の膜厚が２００Å以下と非常に薄いため、薄膜トラン
スデューサの部分を磁気記録媒体により近づけることが
でき、出力、特に高線密度領域での出力を高めることが
できる。また記録再生における高密度化を図ることがで
きる。

【００２０】本発明の第１の局面では、炭素被膜と薄膜
磁気ヘッドのスライダー面との間の少なくとも一部の領
域に中間層が形成されている。このような中間層の形成
により、薄膜磁気ヘッドのスライダー面と炭素被膜との
間の密着性を高めることができる。

【００２１】本発明の第２の局面では、薄膜磁気ヘッド
のスライダー面及び該スライダー面の端縁近傍の側面部
分が炭素被膜によって被覆されている。上述のように、
磁気記録媒体が起動し回転しているときには、薄膜磁気
ヘッドは磁気記録媒体の表面から僅かに浮いた状態であ
るが、起動が停止すると薄膜磁気ヘッドは磁気記録媒体
と接する状態となる。このとき、薄膜磁気ヘッドは磁気
記録媒体に対しやや傾斜した状態であるため、薄膜磁気
ヘッドのスライダー面の一方の端縁のエッジ部分が磁気
記録媒体と接触する。本発明の第２の局面では、このよ
うな端縁近傍の側面部分を炭素被膜によって被覆してい
るため、磁気記録媒体の起動の開始及び停止の際の激し
い接触に対しても薄膜磁気ヘッドを有効に保護すること
ができ、耐摩耗性を向上させることができる。また、出
力向上及び高密度化を目的として、薄膜磁気ヘッドをよ
り磁気記録媒体に近づけた状態で用いると、スライダー
面の端縁のエッジ部分が記録媒体に接し易くなる。本発
明の第２の局面に従う薄膜磁気ヘッドでは、端縁近傍の
側面部分にも炭素被膜が形成されているので、記録媒体
に磁気ヘッドをさらに近づけることができ、出力の向上
及び高密度化を図ることができる。

【００２２】

【実施例】図１〜図３は、本発明に従う一実施例の薄膜
磁気ヘッドを示している。図３は斜視図であり、図１は
図３に示すＡ−Ａ線に沿う断面図、図２は図３に示すＢ
−Ｂ線に沿う断面図である。図１及び図２を参照して、
薄膜磁気ヘッド１の磁気記録媒体と対向するスライダー
面１ａの上には、中間層が形成されており、この中間層
２の上に炭素被膜３が形成されている。薄膜磁気ヘッド
１の両端縁部分には、レール部１０及び１１が形成され
ている。本実施例は、本発明の第１の局面に従うととも
に、第２の局面にも従う実施例である。従って、炭素被
膜３は、スライダー面１ａのみならず、スライダー面１
ａの端縁近傍の側面部分１ｂ〜１ｅの部分をも覆うよう
に形成されている。

【００２３】図４は、本発明に従う第２の局面を説明す
るための部分断面図である。図４には、薄膜磁気ヘッド
１のスライダー面１ａの端縁近傍部分が示されている。
本発明の第１の局面に従えば、炭素被膜３は、スライダ
ー面１ａ及びスライダー面１ａの端縁１ｆ近傍の側面部
分１ｃを覆うように形成される。側面部分１ｃを覆う炭
素被膜３の端縁１ｆからの長さＸは、薄膜磁気ヘッドの
形状や大きさ等により適宜選択されるものであるが、一
般には、５μｍ〜１５０μｍ程度の範囲となるように形
成されることが好ましい。側面部分１ｃを覆う炭素被膜
３の膜厚は、スライダー面１ａを覆う炭素被膜３と同等
あるいはそれ以下の厚みで通常形成される。一般には２
００Å以下が好ましい。

【００２４】図４に示す実施例では、薄膜磁気ヘッド１
のスライダー面１ａの上に直接炭素被膜３を形成してい
るが、炭素被膜３とスライダー面１ａとの間に、本発明
の第１の局面と同様に、中間層２を形成してもよい。図
５は、中間層２を形成した実施例を示している。図５に
示す実施例では、中間層２は側面部分１ｃ上には形成さ
れていない。図６は、他の実施例を示しており、中間層
２が側面部分１ｃの上にも形成されている。

【００２５】本発明の第１の局面及び第２の局面におけ
る中間層は、炭素被膜とスライダー面との間の少なくと
も一部の領域に形成されるものである。従って、必ずし
も全面に形成される必要はない。図７は、中間層２がス
ライダー面１ａの上に島状に分散して形成される実施例
を示している。ここでは、中間層２は不連続な膜として
形成される。このような不連続な膜は、一般に中間層２
の厚みを薄くした場合に、形成される。膜厚としては、
１００Å以下が好ましく、より好ましくは５〜５０Å程
度である。

【００２６】図８は、中間層２が連続した膜として形成
される実施例を示している。このような連続した膜とす
るためには、一般に膜厚を厚くする必要があり、膜厚と
しては一般に１００〜１５０Å程度が好ましい。

【００２７】図９は、本発明に従う実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの上に中間層及び炭素被膜を形成するための装置の
一例を示す概略断面図である。図９を参照して、真空チ
ャンバ２８には、プラズマ発生室２４が設けられてい
る。プラズマ発生室２４には、導波管２２の一端が取り
付けられている。導波管２２の他方端には、マイクロ波
供給手段２１が設けられている。マイクロ波供給手段２
１で発生したマイクロ波は、導波管２２及びマイクロ波
導入窓２３を通ってプラズマ発生室２４に導かれる。プ
ラズマ発生室２４には、プラズマ発生室２４内にアルゴ
ン（Ａｒ）ガスなどの放電ガスを導入させるための放電
ガス導入管２５が設けられている。プラズマ発生室２４
の周囲には、プラズマ磁界発生装置２６が設けられてい
る。マイクロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生
装置２６からの磁界を作用させることにより、プラズマ
発生室２４内に高密度のプラズマが形成される。

【００２８】真空チャンバ２８内には筒状の基板ホルダ
ー３２が設けられている。この基板ホルダー３２は、真
空チャンバ２８の壁面に対し垂直に設けられた軸（図示
せず）の周りに回転自在に設けられている。基板ホルダ
ー３２の周面には、複数の薄膜磁気ヘッド３３が等しい
間隔で装着されている。基板ホルダー３２には、高周波
電源３０が接続されている。

【００２９】基板ホルダー３２の周囲には、金属製の筒
状のシールドカバー３４が所定の距離隔てて設けられて
いる。このシールドカバー３４は、接地電極に接続され
ている。このシールドカバー３４は、被膜を形成すると
きに、基板ホルダー３２に印加されるＲＦ電圧によって
被膜形成箇所以外の基板ホルダー３２と真空チャンバ２
８との間で放電が発生するのを防止するため設けられて
いる。基板ホルダー３２とシールドカバー３４との間の
間隙は、気体分子の平均自由工程以下の距離となるよう
に配置されており、本実施例では気体分子の平均自由工
程の１／１０以下である約５ｍｍの距離となるように配
置されている。

【００３０】シールドカバー３４には、第１の開口部３
５が形成されている。この第１の開口部３５を通って、
プラズマ発生室２４から引き出されたプラズマが基板ホ
ルダー３２に装着された薄膜磁気ヘッド３３に放射され
る。真空チャンバ２８内には、反応ガス導入管３６が設
けられている。この反応ガス導入管３６の先端は、第１
の開口部３５の上の方に位置する。

【００３１】図１０は、この反応ガス導入管３６の先端
部分近傍を示す平面図である。図１０を参照して、反応
ガス導入管３６は、外部から真空チャンバ内にＣＨ₄ガ
スなどの原料ガスを導入するためのガス導入部３６ａ
と、このガス導入部３６ａと垂直に接続されたガス放出
部３６ｂとから構成されている。ガス放出部３６ｂは、
基板ホルダー３２の回転方向Ａに対して垂直方向に配置
され、第１の開口部３５の上方の回転方向の上流側に位
置するように設けられている。ガス放出部３６ｂには、
下方に向けて約４５度の方向に複数の孔４１が形成され
ている。本実施例では、８個の孔４１が形成されてい
る。

【００３２】図９を再び参照して、第１の開口部３５の
反対側には、第２の開口部４３が形成されている。第２
の開口部４３の下方には、中間層を構成する材料原子か
らなるターゲット４６が設けられている。ターゲット４
６の近傍には、ターゲット４６をスパッタするため、不
活性ガスのイオンをターゲット４６に放射するイオンガ
ン４７が設けられている。本実施例では、不活性ガスと
してＡｒガスを用いている。ターゲット４６及びイオン
ガン４７により、第２の開口部４３を通り、薄膜磁気ヘ
ッド３３の上に中間層を構成する材料原子を放射するこ
とができる。

【００３３】実施例１及び２図９に示す装置を用いて、薄膜磁気ヘッド上に中間層と
してのＳｉＯ₂層と炭素被膜を形成した。

【００３４】まず、真空チャンバ２８内を１０^-5〜１０
^-7Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダー３２を約１０ｒｐ
ｍの速度で回転させる。次に、真空チャンバ２８内に酸
素を導入し、イオンガン４７にＡｒガスを供給して、Ａ
ｒイオンを取り出し、これをＳｉからなるターゲット４
６の表面に放射する。このときのＡｒイオンの加速電圧
は９００ｅＶ、イオン電流密度は０．４ｍＡ／ｃｍ²に
設定した。また酸素分圧は１×１０^-4Ｔｏｒｒとした。

【００３５】以上の工程を約１分間行い、薄膜磁気ヘッ
ド３３の表面に膜厚２０ÅのＳｉＯ ₂からなる中間層を
形成した。

【００３６】次に、真空チャンバ２８への酸素ガスの供
給及びイオンガン４７からのＡｒイオンの放射を止めた
のち、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導入管２５か
らＡｒガスを５．７×１０^-4Ｔｏｒｒで供給するととも
に、マイクロ波供給手段２１から２．４５ＧＨｚ、１０
０Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室２４内に
Ａｒプラズマを形成し、形成されたＡｒプラズマを第１
の開口部３５を通して薄膜磁気ヘッド３３の表面に放射
する。これと同時に、薄膜磁気ヘッド３３に発生する自
己バイアスが−５０Ｖとなるように高周波電源３０から
１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダー３２に印加
し、反応ガス導入管３６からＣＨ₄ガスを１．３×１０
^-3Ｔｏｒｒで供給する。

【００３７】以上の工程を約１．７分間行い中間層上に
膜厚１００Åの炭素被膜を形成したもの（実施例１）
と、以上の工程を約３．１分間行い中間層の上に膜厚１
８０Åの炭素被膜を形成したもの（実施例２）と、以上
の工程を約６．５分間行い中間層の上に膜厚３８０Åの
炭素被膜を形成したもの（比較例１）を作製した。

【００３８】以上のようにして得られた実施例１及び２
並びに比較例１の薄膜磁気ヘッドを用いて、周波数とヘ
ッド出力との関係を測定した。測定結果を図１１に示
す。図１１に示されるように、中間層と炭素被膜の合計
膜厚が２００Å以下とした実施例１及び２は、高いヘッ
ド出力を示しており、特に線密度５０ｋｆｃＩ以上にお
いて高い出力を示している。

【００３９】表１には、実施例１及び２と同一の条件で
薄膜磁気ヘッド母材上に中間層並びに炭素被膜を形成し
たサンプルを用いた摩耗試験結果を示している。なお、
試験は一定の荷重（１００ｇｆ）を加えたアルミナ球
（φ１０ｍｍ）でサンプル表面を摩擦することで行っ
た。表１では比較のため中間層及び炭素被膜を形成して
いない母材の摩耗量を１としている。

【００４０】

【表１】

【００４１】表１より、実施例１及び２の場合に耐摩耗
性が向上していることがわかる。

【００４２】実施例３及び４実施例１と同様にして、中間層及び炭素被膜を薄膜磁気
ヘッドの上に形成した。実施例３では、中間層としてＳ
ｉＯ₂を用い、その膜厚を２０Åとし、炭素被膜として
１００Åの膜厚のものを形成した。実施例４では、中間
層としてＳｉからなる中間層を形成した。この中間層の
膜厚は９Åとなるようにして形成した。なおＳｉからな
る中間層は、Ｓｉからなるターゲット４６を用い、真空
チャンバ内に酸素を導入しないことにより、Ｓｉからな
る中間層を形成した。炭素被膜は１１１Åの膜厚のもの
を形成した。

【００４３】比較例２では、薄膜磁気ヘッドのスライダ
ー面の上に中間層及び炭素被膜を形成していないものを
作製した。比較例３では、中間層を形成せずに、薄膜磁
気ヘッドの上に直接膜厚１２０Åの炭素被膜を形成し
た。

【００４４】以上のようにして得られた実施例３及び４
並びに比較例２及び３の薄膜磁気ヘッドについて耐食性
試験を行った。所定時間腐食溶液に薄膜磁気ヘッドを暴
露した後、ヘッド抵抗値を測定し、ヘッド抵抗値と暴露
時間との関係を測定した。この結果を図１２に示す。な
お、耐食性試験は、腐食溶液として適当に希釈した塩化
鉄水溶液を用い、その中に浸漬暴露することで行った。

【００４５】図１２から明らかなように、炭素被膜を設
けていない比較例２のものは、ヘッド抵抗が急激に増加
している。本発明の従い中間層を形成した後炭素被膜を
形成した実施例３及び４は、中間層を形成していない比
較例３に比べ、より優れた耐食性を示した。

【００４６】実施例５〜８次に、ターゲット４６として、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｇｅ
を用い、中間層として、ＺｒＯ₂（実施例５）、ＴｉＯ
₂（実施例６）、ＲｕＯ₂（実施例７）、ＧｅＯ₂（実
施例８）を、それぞれ膜厚２０Åとなるように形成し、
この中間層の上に炭素被膜を膜厚１００Åで形成した薄
膜磁気ヘッドをそれぞれ作製した。

【００４７】このようにして得られた薄膜磁気ヘッドに
ついて、上記実施例３及び４と同様にして耐食性試験を
行った。この結果を図１３に示す。図１３から明らかな
ように、これらの材料を中間層として形成した場合にも
優れた耐食性が得られている。また、線密度５０ｋｆｃ
Ｉにおいて実施例１と同様に高いヘッド出力が得られる
ことが確かめられた。

【００４８】実施例９次に、中間層として、Ｓｉの炭化物を形成する実施例に
ついて説明する。このような中間層は、図９に示すよう
な装置を用い、ホルダー３２を回転させながら、第１の
開口部３５の部分で炭素を堆積させ、第２の開口部４３
の部分でＳｉを堆積させることにより、Ｓｉと炭素とを
混合して形成することができる。真空チャンバ２８内を
１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒに排気し、基板ホルダー４２を
約１０ｒｐｍの速度で回転させる。

【００４９】次に、ＥＣＲの発生装置の放電ガス導入管
２５からＡｒガスを５．７×１０^-4Ｔｏｒｒで供給する
とともに、マイクロ波供給手段２１から２．４５ＧＨ
ｚ、１００Ｗマイクロ波を供給して、プラズマ発生室４
内に形成されたＡｒプラズマを第１の開口部３５を通し
て薄膜磁気ヘッド３３の表面に放射する。これと同時
に、薄膜磁気ヘッドに発生する自己バイアスがマイナス
５０Ｖとなるように、高周波電源３０から１３．５６Ｍ
ＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダー３２に印加し、反応ガス
導入管３６からＣＨ₄ガスを供給する。このときのＣＨ
₄ガス供給量を１００ＳＣＣＭすなわち１．３×１０^-3
Ｔｏｒｒとする。

【００５０】上記ＥＣＲプラズマ発生装置による薄膜形
成処理と同時に、Ｓｉからなるターゲット４６の表面に
イオンガン４７からのＡｒイオンを放射する。このとき
のＡｒイオンの加速電圧を９００ｅＶ、イオン電流密度
０．４ｍＡに設定する。

【００５１】以上の工程を約１分間行うことにより、膜
厚２０ÅのＳｉとＣの混合層を形成した。このＳｉとＣ
からなる中間層の上に、膜厚１００Åの炭素被膜を形成
した。

【００５２】得られた薄膜磁気ヘッドについて、上記実
施例と同様にしてヘッド出力及び耐食性を測定したとこ
ろ、上記各実施例と同様の高い出力特性及び優れた耐食
性を示した。

【００５３】実施例１０実施例９におけるＣＨ₄ガス供給量を図１４に示すよう
に、時間経過とともに漸次増加させ、１分経過後に１０
０ｓｃｃｍ、すなわち１．３×１０^-3Ｔｏｒｒとなるよ
うに設定した。またＡｒイオンのイオン電流密度は、図
１５に示すように、時間経過とともに漸次減少させ、１
分経過後に０ｍＡ／ｍ²となるように設定した。

【００５４】以上のようにして炭素の堆積速度を時間経
過とともに徐々に高め、Ｓｉの堆積速度を時間経過とと
もに徐々に減少させることにより、薄膜磁気ヘッドの基
板面から遠ざかるにつれて、徐々に炭素含有量が多くな
る傾斜構造を有したＳｉとＣからなる中間層を形成し
た。この中間層の上に、膜厚１００Åの炭素被膜を形成
した。

【００５５】以上のようにして得られた薄膜磁気ヘッド
について、上記各実施例と同様にしてヘッド出力及び耐
食性を試験した。この結果、本実施例の薄膜磁気ヘッド
は、高線密度領域において優れた出力向上を示し、また
耐食性においても優れていた。

【００５６】実施例１１実施例１と同様にして、中間層として膜厚２０ÅのＳｉ
Ｏ₂を形成し、この上に膜厚１００Åの炭素被膜を形成
した。図９に示すような装置を用いた場合、図１〜図３
に示すように、炭素被膜はスライダー面部分のみなら
ず、側面部分の上方にもまわり込み、端縁エッジ部分を
被覆することができる。本実施例の場合、図４に示すＸ
の値で１００μｍとなった。また側面部分での炭素被膜
の厚みは５０Åであった。

【００５７】比較として、スパッタリング法を用いて、
同様の厚みの中間層及び炭素被膜を有する薄膜磁気ヘッ
ドを作製した。側面部分に中間層及び炭素被膜がほとん
ど形成されていない薄膜磁気ヘッドを得た。この比較例
の薄膜磁気ヘッドと本実施例の薄膜磁気ヘッドについ
て、その寿命を摩耗量の測定などから算出したところ、
本実施例は比較例の約１．２倍の寿命を示した。

【００５８】

【発明の効果】本発明の第１の局面に従う薄膜磁気ヘッ
ドは、薄膜磁気ヘッドのスライダー面が膜厚２００Å以
下の炭素被膜によって被覆されている。従って、優れた
耐摩耗性を有するとともに、薄膜トランスデューサの部
分をより磁気記録媒体に近づけることができ、出力、特
に高線密度領域での出力を高めることができる。また、
より近接して配置できるので、高密度化に対応すること
ができる。

【００５９】本発明の第２の局面に従う薄膜磁気ヘッド
は、薄膜磁気ヘッドのスライダー面及びスライダー面の
端縁近傍の側面部分が炭素被膜によって被覆されてい
る。従って、ディスク等の起動を停止した際などにディ
スクと接触するときに生じるヘッドの損傷を少なくする
ことができる。また、この結果として、ディスク等の磁
気記録媒体により近接して配置することができるので、
出力の向上を図ることができるとともに、高密度化にも
対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図３のＡ−Ａ線に沿う断面図。

【図２】図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【図３】本発明に従う一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す
斜視図。

【図４】本発明の第２の局面に従う一実施例を示す断面
図。

【図５】本発明の第２の局面に従う他の実施例を示す断
面図。

【図６】本発明の第２の局面に従うさらに他の実施例を
示す断面図。

【図７】本発明における中間層の形態の一例を示す断面
図。

【図８】本発明における中間層の形態の他の例を示す断
面図。

【図９】本発明の実施例において中間層及び炭素被膜を
形成する装置の一例を示す概略断面図。

【図１０】図９に示す装置の第１の開口部近傍を示す平
面図。

【図１１】本発明に従う実施例のヘッド出力を示す図。

【図１２】本発明に従う実施例の耐食性を示す図。

【図１３】本発明に従う実施例の耐食性を示す図。

【図１４】本発明に従う実施例におけるＣＨ₄流量の変
化を示す図。

【図１５】本発明に従う実施例におけるイオン電流密度
の変化を示す図。

【符号の説明】

１…薄膜磁気ヘッド１ａ…薄膜磁気ヘッドのスライダー面１ｂ〜１ｅ…薄膜磁気ヘッドの側面部分２…中間層３…炭素被膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木山精一大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体上を相対的に移動して情報
を書き込み及び／または読み出す薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスラ
イダー面が膜厚２００Å以下の炭素被膜によって被覆さ
れており、該炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面
との間の少なくとも一部の領域に中間層が形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】磁気記録媒体上を相対的に移動して情報
を書き込み及び／または読み出す薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスラ
イダー面及び該スライダー面の端縁近傍の側面部分が炭
素被膜によって被覆されていることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
【請求項３】前記炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライ
ダー面との間の少なくとも一部の領域に中間層が形成さ
れている請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記中間層が熱膨張係数１．０〜１０×
１０^-6／℃の材料から形成されている請求項１または３
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記中間層が、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｒｕ
及びＧｅ並びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化物か
らなるグループより選ばれる少なくとも１種の材料から
形成されている請求項１または３に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項６】前記中間層が薄膜磁気ヘッドのスライダ
ー面上に島状に分散して形成されている請求項１または
３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記中間層がＳｉから形成されており、
前記中間層が薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に島状に
分散して形成されている請求項１または３に記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項８】前記中間層が炭化物から形成されてお
り、該中間層が薄膜磁気ヘッドのスライダー面から炭素
被膜に向かって炭素含有量が高くなる傾斜構造を有する
請求項１または請求項３〜７のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッド。