JPH0845028A - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法Info
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- JPH0845028A JPH0845028A JP19496994A JP19496994A JPH0845028A JP H0845028 A JPH0845028 A JP H0845028A JP 19496994 A JP19496994 A JP 19496994A JP 19496994 A JP19496994 A JP 19496994A JP H0845028 A JPH0845028 A JP H0845028A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子を両反強磁性体層で挟み込
んだ構造として、十分な磁気交換結合が得られ、磁気抵
抗効果素子の単磁区化を図ることによって、バルクハウ
ゼンノイズが低減されるような磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法を提供する。 【構成】 磁気記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果を
有する磁気抵抗効果素子によってその抵抗変化として読
み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、基板
上に所定形状の第１の反強磁性体層４、磁気抵抗効果素
子５、第２の反強磁性体層７をこの順序で連続して形成
し、前記磁気抵抗効果素子５を前記両反強磁性体層４，
７で挟み込むようにした。
んだ構造として、十分な磁気交換結合が得られ、磁気抵
抗効果素子の単磁区化を図ることによって、バルクハウ
ゼンノイズが低減されるような磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法を提供する。 【構成】 磁気記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果を
有する磁気抵抗効果素子によってその抵抗変化として読
み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、基板
上に所定形状の第１の反強磁性体層４、磁気抵抗効果素
子５、第２の反強磁性体層７をこの順序で連続して形成
し、前記磁気抵抗効果素子５を前記両反強磁性体層４，
７で挟み込むようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置、或
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとし
て用いられる磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ-
ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法に関するも
のである。
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとし
て用いられる磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ-
ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
について以下に、図面と共に、順次説明する。図３は、
従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体摺動面から見た断面
構造である。
について以下に、図面と共に、順次説明する。図３は、
従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体摺動面から見た断面
構造である。
【０００３】１４はＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果を有する
膜から成る磁気抵抗効果素子であり、１６はこの磁気抵
抗効果素子１４に一定のセンス電流を流すための、引き
出し導体層である。しかし、このような構造の従来の磁
気抵抗効果型ヘッドでは、バルクハウゼンノイズが発生
するという問題があった。
膜から成る磁気抵抗効果素子であり、１６はこの磁気抵
抗効果素子１４に一定のセンス電流を流すための、引き
出し導体層である。しかし、このような構造の従来の磁
気抵抗効果型ヘッドでは、バルクハウゼンノイズが発生
するという問題があった。
【０００４】そこで、このバルクハウゼンノイズの発生
を防止するために、図４の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体
摺動面から見た断面構造に示すように、磁気抵抗効果素
子１４の上に、例えば、ＦｅＭｎ等の反強磁性体層１５
を積層することにより、磁気交換結合作用を及ぼして、
この磁気抵抗効果素子１４を単磁区化することが提案さ
れている。
を防止するために、図４の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体
摺動面から見た断面構造に示すように、磁気抵抗効果素
子１４の上に、例えば、ＦｅＭｎ等の反強磁性体層１５
を積層することにより、磁気交換結合作用を及ぼして、
この磁気抵抗効果素子１４を単磁区化することが提案さ
れている。
【０００５】１６はこの磁気抵抗効果素子１４に一定の
センス電流を流すための、引き出し導体層である。しか
し、反強磁性体層１５を磁気抵抗効果素子１４の上に全
面形成した構造は、再生出力の低下、及び波形半値幅の
増大（即ち、周波数特性の劣化）を来たすことが分って
いる。
センス電流を流すための、引き出し導体層である。しか
し、反強磁性体層１５を磁気抵抗効果素子１４の上に全
面形成した構造は、再生出力の低下、及び波形半値幅の
増大（即ち、周波数特性の劣化）を来たすことが分って
いる。
【０００６】この反強磁性体層１５は、磁気抵抗効果素
子１４上全面に形成するよりも、図５の両端部のみに反
強磁性体層を設けた従来の磁気抵抗効果型ヘッドの構造
断面図に示されるように、磁気抵抗効果素子１４の両端
部にのみ形成する方が、良好な再生特性が得られる。
子１４上全面に形成するよりも、図５の両端部のみに反
強磁性体層を設けた従来の磁気抵抗効果型ヘッドの構造
断面図に示されるように、磁気抵抗効果素子１４の両端
部にのみ形成する方が、良好な再生特性が得られる。
【０００７】このような磁気抵抗効果素子１４の両端部
に反強磁性体層１５を設けた構造を得るためには、図６
（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４の両端部を
除く全面をフォトレジスト２０等のマスクで覆った後
に、反強磁性体層１５を形成する。
に反強磁性体層１５を設けた構造を得るためには、図６
（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４の両端部を
除く全面をフォトレジスト２０等のマスクで覆った後
に、反強磁性体層１５を形成する。
【０００８】その後、そのフォトレジスト２０を除去す
ることにより、図６（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果
素子１４の両端部にのみ反強磁性体層１５を残すことが
出来る。以上の方法は、一般にリフトオフ法と呼ばれて
いる。
ることにより、図６（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果
素子１４の両端部にのみ反強磁性体層１５を残すことが
出来る。以上の方法は、一般にリフトオフ法と呼ばれて
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記のリフトオフ法で
は、磁気抵抗効果素子１４の両端部に反強磁性体層１５
を設けた場合には、フォトレジスト等の塗布工程を必
ず、経なければ成らず、磁気抵抗効果素子１４は、大気
に晒されてしまうことになる。
は、磁気抵抗効果素子１４の両端部に反強磁性体層１５
を設けた場合には、フォトレジスト等の塗布工程を必
ず、経なければ成らず、磁気抵抗効果素子１４は、大気
に晒されてしまうことになる。
【００１０】よって、磁気抵抗効果素子１４の表面に、
酸化層が必ず形成されてしまい、磁気抵抗効果素子１４
の両端部の上に反強磁性体層１５を積層しても、形成さ
れる酸化層のために磁気交換結合が得られず、その結
果、磁気抵抗効果素子１４の単磁区化が行われないの
で、バルクハウゼンノイズが低減されないという問題が
あった。
酸化層が必ず形成されてしまい、磁気抵抗効果素子１４
の両端部の上に反強磁性体層１５を積層しても、形成さ
れる酸化層のために磁気交換結合が得られず、その結
果、磁気抵抗効果素子１４の単磁区化が行われないの
で、バルクハウゼンノイズが低減されないという問題が
あった。
【００１１】そこで従来、反強磁性体層を成膜する前に
酸化層を除去するためにスパッタエッチング等の方法が
採用されているが、磁気抵抗効果素子と反強磁性体層と
の磁気交換結合は、下地となる磁気抵抗効果素子の結晶
性に非常に敏感であるため、スパッタエッチングにより
磁気抵抗効果素子の結晶性に乱れが生じると、交換結合
磁界が減少したり、再現性が得られなくなったりする等
の問題が発生することがあった。
酸化層を除去するためにスパッタエッチング等の方法が
採用されているが、磁気抵抗効果素子と反強磁性体層と
の磁気交換結合は、下地となる磁気抵抗効果素子の結晶
性に非常に敏感であるため、スパッタエッチングにより
磁気抵抗効果素子の結晶性に乱れが生じると、交換結合
磁界が減少したり、再現性が得られなくなったりする等
の問題が発生することがあった。
【００１２】本発明は、かかる問題点を考慮して、磁気
抵抗効果素子を両反強磁性体層で挟み込んだ構造とする
ことにより、十分で安定した磁気交換結合が得られ、従
って、バルクハウゼンノイズが低減されるような磁気抵
抗効果型ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
抵抗効果素子を両反強磁性体層で挟み込んだ構造とする
ことにより、十分で安定した磁気交換結合が得られ、従
って、バルクハウゼンノイズが低減されるような磁気抵
抗効果型ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法は、上記目的を達成するために、磁気
記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果を有する磁気抵抗
効果素子によってその抵抗変化として読み取る磁気抵抗
効果型ヘッドの製造方法であって、基板上に所定形状の
第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果素子、第２の反強磁
性体層を、この順序で連続して形成し、前記磁気抵抗効
果素子を前記両反強磁性体層で挟み込むようにし、前記
第２の反強磁性体層が磁気抵抗効果素子の再生トラック
となるべき部分を除いた両端部にのみ設けられるように
形成した。
ヘッドの製造方法は、上記目的を達成するために、磁気
記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果を有する磁気抵抗
効果素子によってその抵抗変化として読み取る磁気抵抗
効果型ヘッドの製造方法であって、基板上に所定形状の
第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果素子、第２の反強磁
性体層を、この順序で連続して形成し、前記磁気抵抗効
果素子を前記両反強磁性体層で挟み込むようにし、前記
第２の反強磁性体層が磁気抵抗効果素子の再生トラック
となるべき部分を除いた両端部にのみ設けられるように
形成した。
【００１４】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法は、
基板上に所定形状の第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果
素子、第２の反強磁性体層をこの順序で連続して形成
（成膜）すると、磁気抵抗効果素子は第１の反強磁性体
層にエピタキシャルに成長することによって良好な面心
立方構造に、第２の反強磁性体層は磁気抵抗効果素子に
エピタキシャルに成長することによって、やはり良好な
面心立方構造になり、結果として、磁気抵抗効果素子と
第２の磁気抵抗効果素子との間で交換結合が得られる。
基板上に所定形状の第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果
素子、第２の反強磁性体層をこの順序で連続して形成
（成膜）すると、磁気抵抗効果素子は第１の反強磁性体
層にエピタキシャルに成長することによって良好な面心
立方構造に、第２の反強磁性体層は磁気抵抗効果素子に
エピタキシャルに成長することによって、やはり良好な
面心立方構造になり、結果として、磁気抵抗効果素子と
第２の磁気抵抗効果素子との間で交換結合が得られる。
【００１５】なお、第１の反強磁性体層と磁気抵抗効果
素子との間には、交換結合は生じないので、第１の反強
磁性体層は磁気抵抗効果素子の結晶構造を整えるための
下地としてのみ機能する。
素子との間には、交換結合は生じないので、第１の反強
磁性体層は磁気抵抗効果素子の結晶構造を整えるための
下地としてのみ機能する。
【００１６】本発明においては、以上に述べたように、
良好な結晶配向性が得られるため、大気中に晒したり、
スパッタエッチング等の物理的ダメージを与えるプロセ
スを経ても十分な磁気交換結合を設けた構造において
も、磁気抵抗効果素子を単磁区化出来るため、バルクハ
ウゼンノイズの低減を図ることが出来る。
良好な結晶配向性が得られるため、大気中に晒したり、
スパッタエッチング等の物理的ダメージを与えるプロセ
スを経ても十分な磁気交換結合を設けた構造において
も、磁気抵抗効果素子を単磁区化出来るため、バルクハ
ウゼンノイズの低減を図ることが出来る。
【００１７】
【実施例】本発明の磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅ
ｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法の一
実施例について以下に、図面と共に、順次説明する。ま
ず、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の一実施
例について、図１及び図２の工程図と共に説明する。
ｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法の一
実施例について以下に、図面と共に、順次説明する。ま
ず、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の一実施
例について、図１及び図２の工程図と共に説明する。
【００１８】本実施例の製造方法では、シールドタイプ
のシャントバイアスヘッドの場合について説明する。基
板としては、図示はしていないが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ
を用いる。図１（ａ）の工程図に示される１は下シール
ドであり、厚さ略１μｍのＣｏ系非晶質合金膜を使用す
る。
のシャントバイアスヘッドの場合について説明する。基
板としては、図示はしていないが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ
を用いる。図１（ａ）の工程図に示される１は下シール
ドであり、厚さ略１μｍのＣｏ系非晶質合金膜を使用す
る。
【００１９】次に、下シールド１の上全面に、ギャップ
に相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ膜、或いはＳｉＯ
Ｎ膜２を、プラズマＣＶＤで略２０００オングストロー
ム成膜する。
に相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ膜、或いはＳｉＯ
Ｎ膜２を、プラズマＣＶＤで略２０００オングストロー
ム成膜する。
【００２０】この第１の絶縁膜２の上に、シャントバイ
アス膜３として、略２００〜５００オングストローム程
度のニオビウム（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングス
テン（Ｗ）等を成膜する。
アス膜３として、略２００〜５００オングストローム程
度のニオビウム（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングス
テン（Ｗ）等を成膜する。
【００２１】更に、このシャントバイアス膜３の上に、
所定形状の第１の反強磁性体層４、磁気抵抗効果素子５
の順序で真空中で連続して形成（成膜）し、大気中に取
り出し、レジストを塗布パターニング後、イオンミリン
グで、図１（ａ）の工程図に示されるように形成する。
所定形状の第１の反強磁性体層４、磁気抵抗効果素子５
の順序で真空中で連続して形成（成膜）し、大気中に取
り出し、レジストを塗布パターニング後、イオンミリン
グで、図１（ａ）の工程図に示されるように形成する。
【００２２】ここでは、第１の反強磁性体層４として略
２００オングストロームのＦｅＭｎ膜を、磁気抵抗効果
素子５として厚さ略２００オングストロームのパーマロ
イ膜を、夫々使用したが、必ずしも、これらの材料に限
定されるものではない。
２００オングストロームのＦｅＭｎ膜を、磁気抵抗効果
素子５として厚さ略２００オングストロームのパーマロ
イ膜を、夫々使用したが、必ずしも、これらの材料に限
定されるものではない。
【００２３】次にフォトレジスト１１を、図１（ｂ）の
工程図に示すように塗布した後、再び真空中で、軟磁性
体層６、第２の反強磁性体層７を連続して成膜し、図１
（ｃ）の工程図に示す状態にする。
工程図に示すように塗布した後、再び真空中で、軟磁性
体層６、第２の反強磁性体層７を連続して成膜し、図１
（ｃ）の工程図に示す状態にする。
【００２４】尚、軟磁性体層６、第２の反強磁性体層７
は、夫々磁気抵抗効果素子５、第１の反強磁性体層４と
同様の材料、略同一の厚さで形成したが、これらに限定
されるものではない。
は、夫々磁気抵抗効果素子５、第１の反強磁性体層４と
同様の材料、略同一の厚さで形成したが、これらに限定
されるものではない。
【００２５】また、図１（ｃ）の工程図に示される軟磁
性体層６を成膜する前に、５０オングストローム程度の
スパッタエッチングを行ない、磁気抵抗効果素子５の表
面を清浄化しておく方が望ましい。
性体層６を成膜する前に、５０オングストローム程度の
スパッタエッチングを行ない、磁気抵抗効果素子５の表
面を清浄化しておく方が望ましい。
【００２６】その後，図２（ｄ）の工程図に示されるよ
うに、フォトレジスト１１を除去することにより、磁気
抵抗効果素子５の両端部にのみ、軟磁性体層６を介して
第２の反強磁性体層７を存在させるようにすることが出
来る。
うに、フォトレジスト１１を除去することにより、磁気
抵抗効果素子５の両端部にのみ、軟磁性体層６を介して
第２の反強磁性体層７を存在させるようにすることが出
来る。
【００２７】これによって、軟磁性体層６と第２の反強
磁性体層７との間で交換結合し、更に、軟磁性体層６と
磁気抵抗効果素子５は静磁気的に結合する。よって、結
果として、軟磁性体層６を通じて磁気抵抗効果素子５が
単磁区化される。
磁性体層７との間で交換結合し、更に、軟磁性体層６と
磁気抵抗効果素子５は静磁気的に結合する。よって、結
果として、軟磁性体層６を通じて磁気抵抗効果素子５が
単磁区化される。
【００２８】この後、引き出し電極８、第２の絶縁膜
９、上シールド１０の順序で形成し、図２（ｅ）の工程
図に示される本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの構造
を得ることが出来る。
９、上シールド１０の順序で形成し、図２（ｅ）の工程
図に示される本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの構造
を得ることが出来る。
【００２９】ここで、引き出し電極８として１０００オ
ングストローム程度のＣｕ膜を用い、第２の絶縁膜９及
び上シールド１０は夫々第１の絶縁膜２及び下シールド
１と同様のものを使用している。
ングストローム程度のＣｕ膜を用い、第２の絶縁膜９及
び上シールド１０は夫々第１の絶縁膜２及び下シールド
１と同様のものを使用している。
【００３０】以上の説明は、シールドタイプのシャント
バイアスヘッドの実施例について示したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、例えば、ソフトフィルム
バイアス型であってもよい。
バイアスヘッドの実施例について示したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、例えば、ソフトフィルム
バイアス型であってもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法は、所定形状の第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果素
子、第２の反強磁性体層をこの順序で連続して形成し、
磁気抵抗効果素子を前記両反強磁性体層で挟み込むよう
にしたので、下地としての第１の反強磁性体層を設ける
ことによって、その後に成膜する磁気抵抗効果素子がエ
ピタキシャルに成長することから、磁気抵抗効果素子の
配向性が改善され、その結晶構造が良好な面心立方（ｆ
ｃｃ）構造となるため、第２の反強磁性体層と交換結合
する上で非常に望ましい状態を実現出来る。その結果、
磁気抵抗効果素子の両端部にのみ反強磁性体層を設けた
構造を得るために、レジスト塗布や、パターニングとい
った大気中でのプロセスを経て、更にスパッタエッチン
グ等の物理的ダメージを与えるプロセスを経ても、何等
支障なく交換結合バイアスを得ることができ、よって、
磁気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズを抑制するこ
とが出来る。第２の反強磁性体層が磁気抵抗効果素子の
再生トラックとなるべき部分を除いた両端部にのみ設け
られるように形成したので、再生出力の低下及び半値幅
の増大（即ち、周波数特性の劣化）を来すことはない。
法は、所定形状の第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果素
子、第２の反強磁性体層をこの順序で連続して形成し、
磁気抵抗効果素子を前記両反強磁性体層で挟み込むよう
にしたので、下地としての第１の反強磁性体層を設ける
ことによって、その後に成膜する磁気抵抗効果素子がエ
ピタキシャルに成長することから、磁気抵抗効果素子の
配向性が改善され、その結晶構造が良好な面心立方（ｆ
ｃｃ）構造となるため、第２の反強磁性体層と交換結合
する上で非常に望ましい状態を実現出来る。その結果、
磁気抵抗効果素子の両端部にのみ反強磁性体層を設けた
構造を得るために、レジスト塗布や、パターニングとい
った大気中でのプロセスを経て、更にスパッタエッチン
グ等の物理的ダメージを与えるプロセスを経ても、何等
支障なく交換結合バイアスを得ることができ、よって、
磁気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズを抑制するこ
とが出来る。第２の反強磁性体層が磁気抵抗効果素子の
再生トラックとなるべき部分を除いた両端部にのみ設け
られるように形成したので、再生出力の低下及び半値幅
の増大（即ち、周波数特性の劣化）を来すことはない。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の一
実施例の各工程を示す工程図である。
実施例の各工程を示す工程図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の一
実施例の各工程を示す工程図である。
実施例の各工程を示す工程図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す構造
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す構造
断面図である。
断面図である。
【図５】両端部のみに反強磁性体層を設けた従来の磁気
抵抗効果型ヘッドの構造断面図である。
抵抗効果型ヘッドの構造断面図である。
【図６】図５の磁気抵抗効果型ヘッドの構造を得るため
のリフトオフ法による従来法の断面図である。
のリフトオフ法による従来法の断面図である。
１ 下シールド ２ 第１の絶縁膜 ３ シャントバイアス膜 ４ 第１の反強磁性体層 ５，１４ 磁気抵抗効果素子 ６ 軟磁性体層 ７ 第２の反強磁性体層 ８ 引き出し電極 ９ 第２の絶縁膜 １０ 上シールド １１，２０ フォトレジスト １５ 反強磁性体層 １６ 引き出し導体層
Claims (2)
- 【請求項１】磁気記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果
を有する磁気抵抗効果素子によってその抵抗変化として
読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、基
板上に所定形状の第１の反強磁性体層、磁気抵抗効果素
子、第２の反強磁性体層をこの順序で連続して形成し、
前記磁気抵抗効果素子を前記両反強磁性体層で挟み込む
ようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２】前記第２の反強磁性体層が磁気抵抗効果素
子の再生トラックとなるべき部分を除いた両端部にのみ
設けられるように形成した特許請求の範囲第１項記載の
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496994A JPH0845028A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19496994A JPH0845028A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845028A true JPH0845028A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16333360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19496994A Pending JPH0845028A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845028A (ja) |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP19496994A patent/JPH0845028A/ja active Pending
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