JPH0817021A - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法Info
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- JPH0817021A JPH0817021A JP16887294A JP16887294A JPH0817021A JP H0817021 A JPH0817021 A JP H0817021A JP 16887294 A JP16887294 A JP 16887294A JP 16887294 A JP16887294 A JP 16887294A JP H0817021 A JPH0817021 A JP H0817021A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子が大気に晒されない状態
で、磁気抵抗効果素子の両端部にのみ反強磁性体層を設
けることにより、十分な磁気交換結合が得られ、磁気抵
抗効果素子の単磁区化を図ることによって、バルクハウ
ゼンノイズが低減されるような磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法を提供する。 【構成】 記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子に
よって読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法におい
て、基板上の略トラック幅を隔てた２箇所に、所定形状
の強磁性体層４と前記強磁性体層を単磁区化するための
反強磁性体層５を、真空中でこの順序で連続して形成す
る工程と、前記強磁性体層及び反強磁性体の積層膜の間
に挟まれた部分のみに磁気抵抗効果素子７を形成する工
程とを有して構成した。
で、磁気抵抗効果素子の両端部にのみ反強磁性体層を設
けることにより、十分な磁気交換結合が得られ、磁気抵
抗効果素子の単磁区化を図ることによって、バルクハウ
ゼンノイズが低減されるような磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法を提供する。 【構成】 記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子に
よって読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法におい
て、基板上の略トラック幅を隔てた２箇所に、所定形状
の強磁性体層４と前記強磁性体層を単磁区化するための
反強磁性体層５を、真空中でこの順序で連続して形成す
る工程と、前記強磁性体層及び反強磁性体の積層膜の間
に挟まれた部分のみに磁気抵抗効果素子７を形成する工
程とを有して構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置、或
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとし
て用いられる磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ-
ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法に関するも
のである。
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとし
て用いられる磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ-
ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
について以下に、図面と共に、順次説明する。図６は、
従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体摺動面から見た断面
構造である。１４はＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果を有する
膜から成る磁気抵抗効果素子であり、１６はこの磁気抵
抗効果素子１４に一定のセンス電流を流すための、引き
出し導体層である。
について以下に、図面と共に、順次説明する。図６は、
従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体摺動面から見た断面
構造である。１４はＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果を有する
膜から成る磁気抵抗効果素子であり、１６はこの磁気抵
抗効果素子１４に一定のセンス電流を流すための、引き
出し導体層である。
【０００３】しかし、このような構造の従来の磁気抵抗
効果型ヘッドでは、バルクハウゼンノイズが発生すると
いう問題があった。そこで、このバルクハウゼンノイズ
の発生を防止するために、図７の磁気抵抗効果型ヘッド
を媒体摺動面から見た断面構造に示すように、磁気抵抗
効果素子１４の上に、例えば、ＦｅＭｎ等の反強磁性体
層１５を積層することにより、磁気交換結合作用を及ぼ
して、この磁気抵抗効果素子１４を単磁区化することが
提案されている。１６はこの磁気抵抗効果素子１４に一
定のセンス電流を流すための、引き出し導体層である。
効果型ヘッドでは、バルクハウゼンノイズが発生すると
いう問題があった。そこで、このバルクハウゼンノイズ
の発生を防止するために、図７の磁気抵抗効果型ヘッド
を媒体摺動面から見た断面構造に示すように、磁気抵抗
効果素子１４の上に、例えば、ＦｅＭｎ等の反強磁性体
層１５を積層することにより、磁気交換結合作用を及ぼ
して、この磁気抵抗効果素子１４を単磁区化することが
提案されている。１６はこの磁気抵抗効果素子１４に一
定のセンス電流を流すための、引き出し導体層である。
【０００４】しかし、反強磁性体層１５を磁気抵抗効果
素子１４の上に全面形成した構造は、再生出力の低下、
及び波形半値幅の増大（即ち、周波数特性の劣化）を来
たすことが分っている。この反強磁性体層１５は、磁気
抵抗効果素子１４上全面に形成するよりも、図８に示す
ように、磁気抵抗効果素子１４の両端部にのみ形成する
方が、良好な再生特性が得られる。
素子１４の上に全面形成した構造は、再生出力の低下、
及び波形半値幅の増大（即ち、周波数特性の劣化）を来
たすことが分っている。この反強磁性体層１５は、磁気
抵抗効果素子１４上全面に形成するよりも、図８に示す
ように、磁気抵抗効果素子１４の両端部にのみ形成する
方が、良好な再生特性が得られる。
【０００５】このような磁気抵抗効果素子１４の両端部
に反強磁性体層１５を設けた構造を得るためには、図９
（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４の両端部を
除く全面をフォトレジスト等のマスク２０で覆った後
に、反強磁性体層１５を形成する。
に反強磁性体層１５を設けた構造を得るためには、図９
（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４の両端部を
除く全面をフォトレジスト等のマスク２０で覆った後
に、反強磁性体層１５を形成する。
【０００６】その後、そのマスク２０を除去することに
より、図９（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４
の両端部にのみ反強磁性体層１５を残すことが出来る。
以上の方法は、一般にリフトオフ法と呼ばれている。
より、図９（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１４
の両端部にのみ反強磁性体層１５を残すことが出来る。
以上の方法は、一般にリフトオフ法と呼ばれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のリフトオフ法で
は、磁気抵抗効果素子１４の両端部に反強磁性体層１５
を設けた場合には、フォトレジスト等の塗布工程を必
ず、経なければ成らず、磁気抵抗効果素子１４は、大気
に晒されてしまう。
は、磁気抵抗効果素子１４の両端部に反強磁性体層１５
を設けた場合には、フォトレジスト等の塗布工程を必
ず、経なければ成らず、磁気抵抗効果素子１４は、大気
に晒されてしまう。
【０００８】よって、磁気抵抗効果素子１４の表面に、
酸化層がどうしても形成されてしまい、磁気抵抗効果素
子１４の両端部の上に反強磁性体層１５を積層しても、
形成される酸化層のために磁気交換結合が得られず、そ
の結果、磁気抵抗効果素子１４の単磁区化が行われない
ので、バルクハウゼンノイズが低減されないという問題
があった。
酸化層がどうしても形成されてしまい、磁気抵抗効果素
子１４の両端部の上に反強磁性体層１５を積層しても、
形成される酸化層のために磁気交換結合が得られず、そ
の結果、磁気抵抗効果素子１４の単磁区化が行われない
ので、バルクハウゼンノイズが低減されないという問題
があった。
【０００９】本発明は、かかる問題点を考慮して、磁気
抵抗効果素子が大気に晒されない状態で、磁気抵抗効果
素子の両端部にのみ反強磁性体層を設けることにより、
十分な磁気交換結合が得られ、磁気抵抗効果素子の単磁
区化を図ることによって、バルクハウゼンノイズが低減
されるような磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とする。
抵抗効果素子が大気に晒されない状態で、磁気抵抗効果
素子の両端部にのみ反強磁性体層を設けることにより、
十分な磁気交換結合が得られ、磁気抵抗効果素子の単磁
区化を図ることによって、バルクハウゼンノイズが低減
されるような磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法は、上記目的を達成するために、記録
媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子によって読み取る
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、基板上の略
トラック幅を隔てた２箇所に、所定形状の強磁性体層と
前記強磁性体層を単磁区化するための反強磁性体層を、
真空中でこの順序で連続して形成する工程と、前記強磁
性体層及び反強磁性体の積層膜の間に挟まれた部分のみ
に磁気抵抗効果素子を形成する工程とを有するように
し、或いは、記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子
によって読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法にお
いて、基板上の略トラック幅を隔てた２箇所に、所定形
状の反強磁性体層と強磁性体層を、真空中でこの順序で
連続して形成する工程と、前記の工程に連続して所定形
状の磁気抵抗効果素子を形成する工程とを有するように
したものである。
ヘッドの製造方法は、上記目的を達成するために、記録
媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子によって読み取る
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、基板上の略
トラック幅を隔てた２箇所に、所定形状の強磁性体層と
前記強磁性体層を単磁区化するための反強磁性体層を、
真空中でこの順序で連続して形成する工程と、前記強磁
性体層及び反強磁性体の積層膜の間に挟まれた部分のみ
に磁気抵抗効果素子を形成する工程とを有するように
し、或いは、記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子
によって読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法にお
いて、基板上の略トラック幅を隔てた２箇所に、所定形
状の反強磁性体層と強磁性体層を、真空中でこの順序で
連続して形成する工程と、前記の工程に連続して所定形
状の磁気抵抗効果素子を形成する工程とを有するように
したものである。
【００１１】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法は、
磁気抵抗効果素子と反強磁性体層を同一真空中において
形成するので、酸化層の発生もなく、十分な磁気交換結
合が得られ、強磁性体層（第１の磁気抵抗効果素子）と
（第２の）磁気抵抗効果素子は、静磁気的に結合すれば
よいので、磁気交換結合よりも酸化層等の影響を受け難
く、十分な結合が得られる。
磁気抵抗効果素子と反強磁性体層を同一真空中において
形成するので、酸化層の発生もなく、十分な磁気交換結
合が得られ、強磁性体層（第１の磁気抵抗効果素子）と
（第２の）磁気抵抗効果素子は、静磁気的に結合すれば
よいので、磁気交換結合よりも酸化層等の影響を受け難
く、十分な結合が得られる。
【００１２】更に、所望の形状にパターニングが可能で
あることから、磁気抵抗効果素子の両端部にのみ反強磁
性体層を設けることが出来るため、再生出力の低下及び
周波数特性の劣化を招くことなく、バルクハウゼンノイ
ズの低減を図ることが出来る。
あることから、磁気抵抗効果素子の両端部にのみ反強磁
性体層を設けることが出来るため、再生出力の低下及び
周波数特性の劣化を招くことなく、バルクハウゼンノイ
ズの低減を図ることが出来る。
【００１３】
【実施例】本発明の磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅ
ｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法の各
実施例について以下に、図面と共に、順次説明する。ま
ず、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第１の
実施例について、図１及び図２と共に、順次説明する。
シールドタイプのシャントバイアスヘッドの場合につい
て説明する。基板としては、図示はしていないが、Ａｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いる。
ｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）の製造方法の各
実施例について以下に、図面と共に、順次説明する。ま
ず、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第１の
実施例について、図１及び図２と共に、順次説明する。
シールドタイプのシャントバイアスヘッドの場合につい
て説明する。基板としては、図示はしていないが、Ａｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いる。
【００１４】１は下シールドであり、厚さ略１μｍのＣ
ｏ系非晶質合金膜を使用する。次に、下シールド１の上
全面に、ギャップに相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ
膜、或いはＳｉＯＮ膜２を、プラズマＣＶＤで略２００
０オングストローム成膜する。
ｏ系非晶質合金膜を使用する。次に、下シールド１の上
全面に、ギャップに相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ
膜、或いはＳｉＯＮ膜２を、プラズマＣＶＤで略２００
０オングストローム成膜する。
【００１５】この第１の絶縁膜２の上に、強磁性体層で
ある第１の磁気抵抗効果素子４を成膜し、更にその上
に、反強磁性体膜５を真空中で連続して成膜し、レジス
トを塗布パターニング後、イオンミリングで、図１
（ａ）に示すように形成する。
ある第１の磁気抵抗効果素子４を成膜し、更にその上
に、反強磁性体膜５を真空中で連続して成膜し、レジス
トを塗布パターニング後、イオンミリングで、図１
（ａ）に示すように形成する。
【００１６】ここでは、第１の磁気抵抗効果素子４とし
て厚さ略５００オングストロームのパーマロイ膜を、反
強磁性体層５として略２００オングストロームのＦｅＭ
ｎを用いたが、必ずしも、これらの材料に限定されるも
のではない。
て厚さ略５００オングストロームのパーマロイ膜を、反
強磁性体層５として略２００オングストロームのＦｅＭ
ｎを用いたが、必ずしも、これらの材料に限定されるも
のではない。
【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように、第２の磁
気抵抗効果素子７を、第１の磁気抵抗効果素子４と同程
度の厚さに略５００オングストローム成膜する。更に、
フォトレジスト１０をトラック幅となるべき場所に、図
１（ｂ）に示すように塗布する。また更に、イオンミリ
ングで不要な部分の第２の磁気抵抗効果素子７を除去
し、図１（ｃ）に示すような構造のものを得る。
気抵抗効果素子７を、第１の磁気抵抗効果素子４と同程
度の厚さに略５００オングストローム成膜する。更に、
フォトレジスト１０をトラック幅となるべき場所に、図
１（ｂ）に示すように塗布する。また更に、イオンミリ
ングで不要な部分の第２の磁気抵抗効果素子７を除去
し、図１（ｃ）に示すような構造のものを得る。
【００１８】また、この上に、シャントバイアス膜３と
して、略２００〜５００オングストローム程度のニオビ
ウム（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）
等を成膜して、図２（ｄ）に示すように、フォトレジス
ト１０を塗布し、同様にして、イオンミリングで不要な
部分を除去する。
して、略２００〜５００オングストローム程度のニオビ
ウム（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）
等を成膜して、図２（ｄ）に示すように、フォトレジス
ト１０を塗布し、同様にして、イオンミリングで不要な
部分を除去する。
【００１９】これに更に、引き出し電極６、第２の絶縁
膜８、上シールド９を加えて完成したものを、図２
（ｅ）に示したが、これは、本発明の製造方法の第１の
実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの断面図である。
膜８、上シールド９を加えて完成したものを、図２
（ｅ）に示したが、これは、本発明の製造方法の第１の
実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの断面図である。
【００２０】引き出し電極６はリフトオフ法で形成し、
材料としては、Ｃｒを下地とした厚さ略１０００オング
ストロームのＣｕを用いている。第２の絶縁層８、上シ
ールド９は、夫々第１の絶縁層２及び下シールド１と同
様のものを用いている。
材料としては、Ｃｒを下地とした厚さ略１０００オング
ストロームのＣｕを用いている。第２の絶縁層８、上シ
ールド９は、夫々第１の絶縁層２及び下シールド１と同
様のものを用いている。
【００２１】次に、本発明の磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍ
ａｇｎｅｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅＨｅａｄ）の製造方
法の第２の実施例について、図３乃至図５と共に、順次
説明する。シールドタイプのシャントバイアスヘッドの
場合について説明する。基板としては、図示はしていな
いが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いる。
ａｇｎｅｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅＨｅａｄ）の製造方
法の第２の実施例について、図３乃至図５と共に、順次
説明する。シールドタイプのシャントバイアスヘッドの
場合について説明する。基板としては、図示はしていな
いが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いる。
【００２２】１は下シールドであり、厚さ略１μｍのＣ
ｏ系非晶質合金膜を用いた。次に、下シールド１の上全
面に、ギャップに相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ
膜、或いはＳｉＯＮ膜２をプラズマＣＶＤで略２０００
オングストローム成膜する。更に、この絶縁膜２の上に
シャントバイアス膜３を所定の形状に、図３（ａ）に示
すように成膜する。
ｏ系非晶質合金膜を用いた。次に、下シールド１の上全
面に、ギャップに相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ
膜、或いはＳｉＯＮ膜２をプラズマＣＶＤで略２０００
オングストローム成膜する。更に、この絶縁膜２の上に
シャントバイアス膜３を所定の形状に、図３（ａ）に示
すように成膜する。
【００２３】続いて、フォトレジスト１０をパターニン
グした後、第１の実施例と同様に、強磁性体層である第
１の磁気抵抗効果素子４を略５００オングストローム、
反強磁性体層５を略２００オングストロームの厚さにこ
の順に、真空中で、連続して成膜する。図３（ｂ）は、
このときのフォトレジスト１０の塗布の様子を上から見
た図であり、左右の５の部分は夫々反強磁性体層であ
る。
グした後、第１の実施例と同様に、強磁性体層である第
１の磁気抵抗効果素子４を略５００オングストローム、
反強磁性体層５を略２００オングストロームの厚さにこ
の順に、真空中で、連続して成膜する。図３（ｂ）は、
このときのフォトレジスト１０の塗布の様子を上から見
た図であり、左右の５の部分は夫々反強磁性体層であ
る。
【００２４】次に、フォトレジスト１０をアセトン等の
有機溶剤で除去すれば、リフトオフ法により、図３
（ｃ）に示すような強磁性体層である第１の磁気抵抗効
果素子４と反強磁性体層５の積層膜のパターンが得られ
る。
有機溶剤で除去すれば、リフトオフ法により、図３
（ｃ）に示すような強磁性体層である第１の磁気抵抗効
果素子４と反強磁性体層５の積層膜のパターンが得られ
る。
【００２５】更にこの上に、図４（ｄ），図４（ｅ）に
示すように、フォトレジスト１０をパターニングした
後、第２の磁気抵抗効果素子７を第１の磁気抵抗効果素
子４と同程度の厚さに成膜し、リフトオフ法によりトラ
ックとなる部分以外の不必要な膜を除去することによ
り、図５（ｆ）に示すような断面構造を得る。
示すように、フォトレジスト１０をパターニングした
後、第２の磁気抵抗効果素子７を第１の磁気抵抗効果素
子４と同程度の厚さに成膜し、リフトオフ法によりトラ
ックとなる部分以外の不必要な膜を除去することによ
り、図５（ｆ）に示すような断面構造を得る。
【００２６】尚、第２の磁気抵抗効果素子７を成膜する
前に若干のスパッタエッチングを行ない、第１の磁気抵
抗効果素子４の表面を清浄な状態にしてから、第２の磁
気抵抗効果素子７を成膜した方が、磁気的な連結を取る
上でより望ましい。
前に若干のスパッタエッチングを行ない、第１の磁気抵
抗効果素子４の表面を清浄な状態にしてから、第２の磁
気抵抗効果素子７を成膜した方が、磁気的な連結を取る
上でより望ましい。
【００２７】図５（ｇ）は、本発明の製造方法の第２の
実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの断面図であり、引
き出し電極６、第２の絶縁膜８、更に上シールド９を加
えた最終的な形態を示している。
実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの断面図であり、引
き出し電極６、第２の絶縁膜８、更に上シールド９を加
えた最終的な形態を示している。
【００２８】引き出し電極６は、リフトオフ法で形成
し、材料としては、Ｃｒを下地とした厚さ略１０００オ
ングストロームのＣｕを用いている。第２の絶縁層８、
上シールド９は、夫々第１の絶縁層２及び下シールド１
と同様のものを用いている。以上の説明は、シールドタ
イプのシャントバイアスヘッドの実施例について示した
が、本発明はこれに限定されるものではない。
し、材料としては、Ｃｒを下地とした厚さ略１０００オ
ングストロームのＣｕを用いている。第２の絶縁層８、
上シールド９は、夫々第１の絶縁層２及び下シールド１
と同様のものを用いている。以上の説明は、シールドタ
イプのシャントバイアスヘッドの実施例について示した
が、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】更に、本発明の磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍ
ａｇｎｅｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅＨｅａｄ）の製造方
法の第３の実施例について、図１０及び図１１と共に、
順次説明する。シールドタイプのシャントバイアスヘッ
ドの場合について説明する。基板としては、図示はして
いないが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いる。
ａｇｎｅｔｏ- ｒｅｓｉｓｔｉｖｅＨｅａｄ）の製造方
法の第３の実施例について、図１０及び図１１と共に、
順次説明する。シールドタイプのシャントバイアスヘッ
ドの場合について説明する。基板としては、図示はして
いないが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣを用いる。
【００３０】１は下シールドであり、厚さ略１μｍのＣ
ｏ系非晶質合金膜を使用する。次に、下シールド１の上
全面に、ギャップに相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ
膜、或いはＳｉＯＮ膜２を、プラズマＣＶＤで略２００
０オングストローム成膜する。
ｏ系非晶質合金膜を使用する。次に、下シールド１の上
全面に、ギャップに相当する第１の絶縁膜であるＳｉＮ
膜、或いはＳｉＯＮ膜２を、プラズマＣＶＤで略２００
０オングストローム成膜する。
【００３１】この第１の絶縁膜２の上に、反強磁性体膜
５Ａを成膜し、更にその上に、強磁性体層である第１の
磁気抵抗効果素子４Ａを真空中で連続して成膜し、レジ
ストを塗布パターニング後、イオンミリングで、図１０
（ａ）に示すように形成する。
５Ａを成膜し、更にその上に、強磁性体層である第１の
磁気抵抗効果素子４Ａを真空中で連続して成膜し、レジ
ストを塗布パターニング後、イオンミリングで、図１０
（ａ）に示すように形成する。
【００３２】ここでは、反強磁性体層５Ａとして厚さ略
２００オングストロームのＦｅＭｎ膜を、強磁性体層で
ある第１の磁気抵抗効果素子４Ａとして略１００オング
ストロームのパーマロイ膜を用いたが、必ずしも、これ
らの材料に限定されるものではない。
２００オングストロームのＦｅＭｎ膜を、強磁性体層で
ある第１の磁気抵抗効果素子４Ａとして略１００オング
ストロームのパーマロイ膜を用いたが、必ずしも、これ
らの材料に限定されるものではない。
【００３３】尚、良好な交換結合を得るためには、反強
磁性体層５Ａの結晶配向性を向上させる必要がある。そ
のために下地層として、例えば、チタン（Ｔｉ），ジル
コニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）等を略１００〜
２００オングストロームの厚さで設けると結晶配向性が
格段に良好となる。具体的には、例えば反強磁性体層５
ＡとしてＦｅＭｎを用いた場合、γ相ＦｅＭｎが生成さ
れ、ｆｃｃ（１１１）面配向が強くなる。
磁性体層５Ａの結晶配向性を向上させる必要がある。そ
のために下地層として、例えば、チタン（Ｔｉ），ジル
コニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）等を略１００〜
２００オングストロームの厚さで設けると結晶配向性が
格段に良好となる。具体的には、例えば反強磁性体層５
ＡとしてＦｅＭｎを用いた場合、γ相ＦｅＭｎが生成さ
れ、ｆｃｃ（１１１）面配向が強くなる。
【００３４】次に、図１０（ｂ）に示すように、フォト
レジスト１０を塗布した後、第２の磁気抵抗効果素子７
Ａを略２００オングストロームの厚さで図１０（ｃ）に
示すように成膜する。その後、フォトレジスト１０及び
フォトレジスト１０の上部の部分の第２の磁気抵抗効果
素子７Ａを夫々除去して、図１１（ｄ）に示される構造
とする。
レジスト１０を塗布した後、第２の磁気抵抗効果素子７
Ａを略２００オングストロームの厚さで図１０（ｃ）に
示すように成膜する。その後、フォトレジスト１０及び
フォトレジスト１０の上部の部分の第２の磁気抵抗効果
素子７Ａを夫々除去して、図１１（ｄ）に示される構造
とする。
【００３５】尚、第２の磁気抵抗効果素子７Ａを成膜す
る前に、スパッタエッチング等を若干施すことにより、
第１の磁気抵抗効果素子４Ａの表面を清浄にしておく方
が、静磁気的な結合を得る上でより望ましい。
る前に、スパッタエッチング等を若干施すことにより、
第１の磁気抵抗効果素子４Ａの表面を清浄にしておく方
が、静磁気的な結合を得る上でより望ましい。
【００３６】前記フォトレジスト１０を除去した後に、
更に、シャントバイアス膜３，引き出し電極６，第２の
絶縁膜８，上シールド９をこの順序に形成し、最終的に
図１１（ｅ）に示される構造を得る。
更に、シャントバイアス膜３，引き出し電極６，第２の
絶縁膜８，上シールド９をこの順序に形成し、最終的に
図１１（ｅ）に示される構造を得る。
【００３７】ここでは、シャントバイアス膜３として、
略２００〜５００オングストローム程度のニオビウム
（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）等を
使用する。
略２００〜５００オングストローム程度のニオビウム
（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）等を
使用する。
【００３８】シャントバイアス膜３は、図１０（ｂ）に
示したフォトレジスト１０と同様な箇所にフォトレジス
トを塗布した後、シャントバイアス膜３を成膜し、その
後、図１０（ｂ）と同様にフォトレジストを除去するこ
とにより形成した。引き出し電極６としては、Ｃｒを下
地とした１０００オングストローム程度のＣｕ膜を用
い、リフトオフ法で形成した。
示したフォトレジスト１０と同様な箇所にフォトレジス
トを塗布した後、シャントバイアス膜３を成膜し、その
後、図１０（ｂ）と同様にフォトレジストを除去するこ
とにより形成した。引き出し電極６としては、Ｃｒを下
地とした１０００オングストローム程度のＣｕ膜を用
い、リフトオフ法で形成した。
【００３９】また、第２の絶縁膜８及び上シールド９
は、夫々第１の絶縁膜２及び下シールド１と同様のもの
を用いた。以上の説明は、シールドタイプのシャントバ
イアスヘッドの実施例について示したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
は、夫々第１の絶縁膜２及び下シールド１と同様のもの
を用いた。以上の説明は、シールドタイプのシャントバ
イアスヘッドの実施例について示したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
【００４０】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法は、磁気抵抗効果素子と反強磁性体層を同一真空中に
おいて形成するので、酸化層の発生はなく、十分な磁気
交換結合が得られる。強磁性体層（第１の磁気抵抗効果
素子）と（第２の）磁気抵抗効果素子は静磁気的に結合
すればよいので、磁気交換結合よりも酸化層等の影響を
受け難く、十分な結合が得られる。更に、所望の形状に
パターニングが可能であることから、磁気抵抗効果素子
の両端部にのみ反強磁性体層を設けることが出来るた
め、再生出力の低下及び周波数特性の劣化を招くことな
く、バルクハウゼンノイズの低減を図ることが出来る。
法は、磁気抵抗効果素子と反強磁性体層を同一真空中に
おいて形成するので、酸化層の発生はなく、十分な磁気
交換結合が得られる。強磁性体層（第１の磁気抵抗効果
素子）と（第２の）磁気抵抗効果素子は静磁気的に結合
すればよいので、磁気交換結合よりも酸化層等の影響を
受け難く、十分な結合が得られる。更に、所望の形状に
パターニングが可能であることから、磁気抵抗効果素子
の両端部にのみ反強磁性体層を設けることが出来るた
め、再生出力の低下及び周波数特性の劣化を招くことな
く、バルクハウゼンノイズの低減を図ることが出来る。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
１の実施例の各工程を示す工程図である。
１の実施例の各工程を示す工程図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
１の実施例の各工程を示す工程図である。
１の実施例の各工程を示す工程図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
２の実施例の各工程を示す工程図である。
２の実施例の各工程を示す工程図である。
【図４】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
２の実施例の各工程を示す工程図である。
２の実施例の各工程を示す工程図である。
【図５】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
２の実施例の各工程を示す工程図である。
２の実施例の各工程を示す工程図である。
【図６】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す構造
断面図である。
断面図である。
【図７】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す構造
断面図である。
断面図である。
【図８】両端部のみに反強磁性体層を設けた従来の磁気
抵抗効果型ヘッドの構造断面図である。
抵抗効果型ヘッドの構造断面図である。
【図９】図８の磁気抵抗効果型ヘッドの構造を得るため
のリフトオフ法による従来法の断面図である。
のリフトオフ法による従来法の断面図である。
【図１０】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の
第３の実施例の各工程を示す工程図である。
第３の実施例の各工程を示す工程図である。
【図１１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の
第３の実施例の各工程を示す工程図である。
第３の実施例の各工程を示す工程図である。
１，１１…下シールド ２，１２…第１の絶縁膜 ３，１３…シャントバイアス膜 ４，４Ａ，１４…強磁性体層（第１の磁気抵抗効果素
子） ５，５Ａ，１５…反強磁性体層 ６，１６…引き出し電極 ７，７Ａ，１７…第２の磁気抵抗効果素子 ８，１８…第２の絶縁膜 ９，１９…上シールド １０，２０…フォトレジスト
子） ５，５Ａ，１５…反強磁性体層 ６，１６…引き出し電極 ７，７Ａ，１７…第２の磁気抵抗効果素子 ８，１８…第２の絶縁膜 ９，１９…上シールド １０，２０…フォトレジスト
Claims (2)
- 【請求項１】記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子
によって読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法にお
いて、基板上の略トラック幅を隔てた２箇所に、所定形
状の強磁性体層と前記強磁性体層を単磁区化するための
反強磁性体層を、真空中でこの順序で連続して形成する
工程と、前記強磁性体層及び反強磁性体の積層膜の間に
挟まれた部分のみに磁気抵抗効果素子を形成する工程と
よりなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法。 - 【請求項２】記録媒体上の磁化情報を磁気抵抗効果素子
によって読み取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法にお
いて、基板上の略トラック幅を隔てた２箇所に、所定形
状の反強磁性体層と強磁性体層を、真空中でこの順序で
連続して形成する工程と、前記の工程に連続して所定形
状の磁気抵抗効果素子を形成する工程とよりなることを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16887294A JPH0817021A (ja) | 1994-04-27 | 1994-06-28 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216594 | 1994-04-27 | ||
| JP6-112165 | 1994-04-27 | ||
| JP16887294A JPH0817021A (ja) | 1994-04-27 | 1994-06-28 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817021A true JPH0817021A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=26451394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16887294A Pending JPH0817021A (ja) | 1994-04-27 | 1994-06-28 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817021A (ja) |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP16887294A patent/JPH0817021A/ja active Pending
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