JPH0845667A - 電界発光素子およびその製造方法 - Google Patents
電界発光素子およびその製造方法Info
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- JPH0845667A JPH0845667A JP6196055A JP19605594A JPH0845667A JP H0845667 A JPH0845667 A JP H0845667A JP 6196055 A JP6196055 A JP 6196055A JP 19605594 A JP19605594 A JP 19605594A JP H0845667 A JPH0845667 A JP H0845667A
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Abstract
いて、単層としても欠陥の発生率が低く、安定性の高い
発光層を形成する。 【構成】 電界発光素子は、基本的に透明基板1と、透
明基板1上の透明電極2と、透明電極2上の発光層5
と、発光層5上の背面電極4とからなるものである。そ
して、本発明においては、発光層5を、母材6となる高
分子化合物と、該母材6中に含まれる発光材料(導電性
高分子化合物)7とからなるものとした。また、上記発
光材料7は、重合液中に母材6からなる薄膜を浸漬し
て、重合液を母材の薄膜中に浸透させた状態で電解重合
により生成するものとした。すなわち、母材6中におい
て重合反応を行わせて、母材6中に発光材料7を取り込
むものとした。また、母材6には、必要に応じて蛍光色
素等の発光補助材料8を含ませるものとした。
Description
電荷注入型の電界発光素子およびこの電界発光素子を得
るための製造方法に関する。
への利用が期待され一部に実施されている電界発光素子
として、エレクトロルミッネセンス素子(EL素子)が
ある。従来、このようなEL素子としては、特に有機薄
膜材料(導電性高分子化合物)を用いたものとして例え
ば図6に示す素子断面構造のものが知られている。
該透明基板1上に形成された透明電極2と、さらに、該
透明電極2上に形成された有機薄膜材料からなる発光層
3と、該発光層3上に形成された背面電極4とからなる
ものである。また、性能向上を図るために前記発光層3
を電荷移送層、電界制御層、実質的発光層(キャリアが
再結合して発光する層)等に機能分離し、発光層3を多
層にしているものもある。
ポリNビニルカルバゾール(PVCz)を用いたものが
知られている。前記PVCzかなる発光材料単層は、塗
布や蒸着等によって形成することができる。
は、蒸着、塗布、その他の成膜方法等で作成することが
可能であるが、非常に薄く、均質で平滑な膜を形成する
必要があることから、特に単層発光層素子では、欠陥の
無い発光層を作ることが困難であるという欠点があっ
た。また、前記のような膜性(超薄膜、均質、平滑等)
を求められることから、材料、作製条件に大きな制限が
加えられるとうい欠点もあった。
トロール等の目的の為、別の蛍光色素等の発光補助材料
を膜中に取り込む等の手法を用いる場合もあるが、これ
ら発光補助材料(添加物)の濃度および均一性をコント
ロールすることが困難であり、これらの添加物の性能が
充分に生かされないなどの問題がある。加えて、有機発
光材料には不安定な材料が多く、酸化や再結晶等の問題
で、長い寿命が得られない等の欠点があった。
たものであり、その目的とするところは、単層でも欠陥
発生が少なく、複数の発光材料および発光補助材料を容
易に混合でき、安定性の高い発光層を持つ電界発光素子
およびその製造方法を提供することである。
電界発光素子は、透明基板と、該透明基板上に形成され
た透明電極と、該透明電極上に設けられた発光層と、該
発光層上に設けられた背面電極とを具備してなり、前記
発光層は、高分子化合物からなる母材と、該母材中に含
まれる導電性高分子化合物との混合層となっていること
を前記課題の解決手段とした。
前記発光層が、前記透明電極上に層状に形成された母材
と、該層状の母材中に電気化学的に生成された導電性高
分子化合物との混合層となっていることを前記課題の解
決手段とした。
前記母材層に、蛍光色素等の発光補助材料が含まれてい
ることを前記課題の解決手段とした。
前記透明基板と前記背面電極とが、互いに略直交するス
トライプ状に形成され、マトリックス電極を構成してい
ることを前記課題の解決手段とした。
前記発光層が、少なくとも電子移送層または正孔移送層
を有する複数層構造とされ、前記複数層構造の発光層を
形成する少なくとも一つの層が、前記母材と、該母材中
に含まれる導電性高分子化合物との混合層となっている
ことを特徴とする電界発光素子。
造方法は、少なくとも透明基板と、該透明基板上に設け
られた透明電極と、該透明電極上に設けられた発光層
と、該発光層上に設けられた背面電極とを具備してなる
電界発光素子を製造するためのものであり、前記透明電
極上に発光層を形成するに際し、前記透明電極上に高分
子化合物からなる母材層を形成し、次いで、前記母材層
を導電性高分子化合物の原料の溶液中に浸漬するととも
に前記母材層に前記溶液が浸透した状態で、電気化学的
に母材層中に導電性高分化合物子を形成することにより
前記母材層を発光層とすることを前記課題の解決手段と
した。
造方法は、前記母材層に、導電性高分子化合物とは別に
蛍光色素等の発光補助材料を分散して取り込ませること
を前記課題の解決手段とした。
製造方法を詳しく説明する。図1は、本発明の電界発光
素子の一例を示すものであり、本発明の電界発光素子の
基本的な素子断面を示したものである。その構造は、透
明基板1と、該透明基板1上に形成された透明電極2
と、該透明電極2上に形成された発光層5と、該発光層
5上に形成された背面電極4とを基本構成とするもので
ある。
あり、例えば、ガラスや合成樹脂等(フィルム状の合成
樹脂も含む)からなるものである。
えばITO(Indium Tin Oxide)などの金属酸化物から
なるものである。前記背面電極4は、周知のものであ
り、例えば、In、Mg、Al、Ca、Li、Ag等の
金属からなるものである。
子化合物からなる母材6と、該母材6中に分散して含ま
れる電荷移送兼発光材料7と、必要に応じて別途添加さ
れた蛍光色素等の発光補助材料8との混合層として構成
されている。前記母材6は、ニトロブタジエンゴム、ポ
リ塩化ビニル、ポリビニルアルコール等の高分子化合
物、またはそれらを成分として含む複合材料からなるも
のである。また、前記母材6としては、上述のような絶
縁性の高分子化合物や、例えばPVCz等の如く電荷移
送性を有する材料を用いることもできる。
物であれば、安定性に優れ、絶縁耐圧等も高いという長
所があり、母材6としては、導電性の高分子化合物では
なく絶縁性の高分子化合物を用いることが好ましい。ま
た、前記母材6は、電荷移送兼発光材料7を含むことに
より発光層となるものであり、薄膜化が容易な高分子化
合物であることが好ましく、また、母材6は、後述する
製造方法により電荷移送兼発光材料7や発光補助材料8
を容易に取り込むことができる高分子化合物が好まし
い。
光材料7としては、導電性高分子材料が用いられ、例え
ば、チオフェン、アルキルチオフェンをはじめとするチ
オフェン誘導体のポリマー、ベンゼン、フェニレン、フ
ェニレンビニレン、チエニレンビニレン、アリーレンビ
ニレン、ピロール、フラン、セレン、アニリン、フルオ
レン、カルバゾールおよびその誘導体もしくは前駆体の
ポリマを用いることができ、また、前記ポリマの一種も
しくは複数種を用いることができる。
物からなる母材6中に高分子化合物からなる電荷移送兼
発光材料7が含まれることになり、従来の単に導電性高
分子化合物(電荷移送兼発光材料)からなる(蛍光色素
やドーパントを含む場合もある)発光層に比較して、電
界発光素子の寿命が安定するとともに、正孔の注入性の
向上を図ることができる。
物でも、母材6となる高分化合物に覆われた状態とする
ことにより安定性を向上することができ、電界発光素子
の寿命の延長を図ることができるとともに今まで安定性
の問題で使用を断念していた導電性高分子化合物を電界
発光素子の発光層5に用いることができる。
分子化合物からなる電荷移送兼発光材料7が含まれる構
成とすることにより、電荷移送兼発光材料7自体が、均
質で平滑な極めて薄い膜を形成することが困難な物質も
しくは、前述のような膜を形成するのに作製条件が極め
て限られてしまうような物質であっても、電荷移送兼発
光材料7を薄膜化する必要がなく、薄膜化が容易な母材
6を薄膜化し、該母材6の薄膜中に電界移送兼発光材料
7を取り込ませるようにすれば良いので、発光層5の製
造を容易なものとすることができるとともに、欠陥の発
生が多い等の理由により薄膜化の段階で使用を断念して
いた導電性高分子なども電界発光素子に利用することが
できる。
系、ペリレン系、オキサジアゾール系、オキサジン系、
ナフタレン系、キノロン系等の有機蛍光色素およびその
誘導体、その他のイオン系の色素、ある種のオリゴマ、
無機蛍光材料を用いることができる。また、前述の発光
補助材料8は、一種もしくは複数種を用いることができ
る。
いて説明する。まず、透明基板1および透明基板1上の
透明電極2は周知の方法により製造される。次に、前記
透明基板1の透明電極2が形成された側の面に、発光層
5を形成することになる。
ず、前記母材6からなる薄膜5’(図2に図示)を形成
する。前記母材6による薄膜5’の形成方法としては、
スピンコート、ロールコート、引き上げコード、印刷等
の周知の手法を用いることができる。なお、母材6によ
る薄膜5’の形成に当たっては、透明電極2の一端部が
母材6の薄膜5’から露出するようにする。また、露出
された透明電極2の一端部を以後、電極取り出し部9
(図2に図示)と称する。
移送兼発光材料7を生成して取り込む。この際には、例
えば、前記図2に示すような構成の電解重合装置10を
用いて行う。すなわち、前記母材6の薄膜5’を重合液
11に浸漬し、母材6の薄膜5’中に重合液11を浸透
させた状態で、電解重合反応等の電気化学的方法によ
り、母材6の薄膜5’中に電荷移送兼発光材料7を生成
し、母材6の薄膜5’中に電荷移送兼発光材料7を取り
込むようになっている。
2には、電荷移送兼発光材料7の元となるモノマ、溶
媒、支持電解質とからなる前記重合液11が入れられて
いる。前記モノマは、前記電荷移送兼発光材料7となる
ポリマの前記原料であり、上述のようにチオフェン、ア
ルキルチオフェンをはじめとするチオフェン誘導体、ベ
ンゼン、フェニレン、フェニレンビニレン、チエニレン
ビニレン、アリーレンビニレン、ピロール、フラン、セ
レン、アニリン、フルオレン、カルバゾール等の導電性
高分子材料およびその誘導体、前駆体を用いることがで
き、また、前記モノマの一種もしくは複数種を用いるこ
とができる。
解可能なものを用いることができ、例えば、水、アセト
ニトリル、プロピレンカーボネート、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ニ
トロメタン、スルホラン等の単一溶媒もしくは混合溶媒
が用いられる。前記支持電解質としては、前記溶媒に可
溶なナトリウムパークロレート、テトラブチルアンモニ
ウムパークロレート等の塩、酸、塩基等が用いられる。
明電極2、および、母材6からなる薄膜5’を形成した
透明基板1を浸漬する。なお、この際には、透明電極2
の前記電極取り出し部9を重合液11から露出させた状
態とし、電極取り出し部9を電源13に接続する。
液11に浸漬し、それぞれ電源13に接続する。この状
態で、透明基板1を重合液11中に所定時間放置するこ
とにより、母材6からなる薄膜5’に重合液11が含浸
もしくは膨潤する。
5’中に浸透した状態で、電源13をオンとし、対極1
4と、作用極15として機能する透明基板1上の透明電
極2との間に所定の電圧を印加することにより、透明電
極2上、および母材6からなる薄膜5’中に前記モノマ
を原料とする電解重合物もしくは電解合成物が生成され
る。
もしくは電解合成物としての電荷移送兼発光材料7が母
材6中に形成され、前記母材6からなる薄膜5’が、電
荷移送兼発光材料7を含む発光層5となる。なお、図2
に示される参照電極15は、対極14の電位を基準とし
て、作用極である透明電極2の電位をモニタし、印加電
圧等の制御を行うためのものであり、必ずしも必要とさ
れるものではない。
に関しては、前記電荷移送兼発光材料7と同様な電気化
学的手法を用いて、前記電荷移送兼発光材料7の形成と
同時または別途(前後に)添加することができる。ま
た、母材6の薄膜5’形成時に、母材6の溶液もしくは
溶融液中に発光補助材料8を溶解し、母材6からなる薄
膜5’形成と同時に発光補助材料8を母材6からなる薄
膜5’に取り込むことができる。
送兼発光材料7を取り込んだ後もしくは取り込む前に、
発光補助材料8の溶液もしくは溶融液を母材6からなる
薄膜5’に含浸することにより、薄膜5’中に発光補助
材料8を取り込むことができる。なお、前記例において
は、透明電極2および背面電極4の形状については、特
に触れなかったが、電界発光素子を面光源としては使用
する場合には図1に示すように透明電極2および背面電
極3の形状は面状で良い。
示部とする際には、例えば、前記図3に示すように、透
明電極2aおよび背面電極4aを互いに直交するストラ
イプ状としたマトリックス電極を用いる必要がある。前
記マトリックス電極を有する電界発光素子も、発光層5
部分は前記電界発光素子と同様の構成で形成することが
でき、上述の電界発光素子と同様の製造方法で製造する
ことができる。
りストライプ状にパターン形成し、その上に上述と同様
に母材6からなる薄膜5’を形成し、該薄膜5’中に上
述のように電荷移送兼発光材料7を取り込み、必要に応
じて上述のように母材6からなる薄膜5’中に発光補助
材料8を取り込んで発光層5を形成し、周知の方法で発
光層5上にストライプ状の透明電極2aに直交するスト
ライプ状の背面電極4aを形成することにより、マトリ
ックス電極を有する電界発光素子を形成することができ
る。
は、発光層5を上述のうように電荷移送(電子移送およ
び正孔移送)と発光とを兼ねた単層で形成する場合と、
図4に示すように発光層5を正孔移送層16と電子移送
層17との二層とし、正孔移送層16もしくは電子移送
層17のどちらか一方を実質的発光層とするシングルヘ
テロ構造が知られている。
に発光層5を前記正孔移送層16と電子移送層17とこ
れら二つの層に挟まれる両性移送層18との三層とし、
前記両性移送層18を実質的発光層とするダブルヘテロ
構造が知られている。
ングルヘテロ構造およびダブルヘテロ構造にも応用する
ことができる。
する正孔移送層16と電子移送層17と両性移送層18
とのどれか一つもしくは複数を前記母材6と該母材6中
に含まれる電荷移送材料(導電性高分子化合物)とから
なるものとすることができる。
上に、前記各層を形成するに際し、上述のように母材6
となる高分子化合物の薄膜を形成した後に、上述のよう
に母材6を導電性高分子のモノマを含む重合液中に浸漬
し、電界重合等の電気化学的手法により、電荷移送材料
となる導電性高分子化合物を前記薄膜中に生成して取り
込むことにより、一層目(正孔移送層16)を形成する
ことができる。
る薄膜を形成し、該薄膜中に上述のように導電性高分子
化合物を生成することにより、二層目(両性移送層18
もしくは電子移送層17)を形成することができる。ま
た、三層目(両性移送層18)がある場合には、二層目
と同様に三層目を形成することができる。
6、電子移送層17、両性移送層18のうちの実質的発
光層となる部分に添加する際には、上述の方法と同様の
方法で行うことができる。なお、前記シングルヘテロ構
造においては、電子移送層17もしくは正孔移送層16
のどちか一方の電荷移送材料(導電性高分子化合物)が
発光材料を兼ねることになる。また、前記ダブルヘテロ
構造においては、両性移送層の電荷移送材料が発光材料
を兼ねることになる。
構造およびダブルヘテロ構造の電界発光素子に応用する
ことができる。
高分子母材中に発光材料となる導電性高分子が取り込ま
れた形状となり、比較的不安定な導電性高分子を安定し
た状態で保持することができ、単に、導電性高分子から
構成される導電性有機薄膜に比較して安定した状態であ
り、導電性高分子化合物からなる電界発光素子の寿命を
安定させることができる。
合物が、母材に覆われた状態となっており、保護層とし
ての機能を有する母材が、導電性高分子化合物を水、酸
素等の外部環境から保護し、電界発光素子の安定性の向
上と寿命の延長を図ることができる。
成しずらいもの、特に欠陥の無い薄膜を形成するのが困
難な物質であっても、母材となる高分子が薄膜を形成し
やすいものならば、前記母材により薄膜を形成した後
に、該母材中に導電性高分子を拡散させるようにするこ
とで、電界発光素子の発光層となる薄膜を形成すること
ができる。
せることとしたので、容易に複数種の導電性高分子化合
物を含む発光層を形成することができる。
となる高分子化合物を絶縁性のものとすれば、さらに安
定性を向上することができるとともに、絶縁耐圧性も高
いという利点がある。
化合物からなる母材中には、電気化学的に生成された導
電性高分子化合物が含まれる構成となっている。すなわ
ち、母材中に電気化学的に導電性高分子を生成すること
により前記請求項1記載の構成を作成することができ、
請求項1記載の構成と同様の作用を得ることができる。
層には、蛍光色素等の発光補助材料が含まることによ
り、導電性有機薄膜に蛍光色素等の発光補助材料を添加
した場合と同様に発光効率の向上、発光色のコントロー
ルを行えるとともに、導電性有機薄膜ではなく、高分子
化合物からなる母材中に発光補助材料を含ませることに
なり、前記発光材料となる導電性高分子化合物中に均一
に分散させることが困難な発光補助材料であっても、前
記母材を選択する際に、発光補助材料を均一に分散可能
な母材を選択することにより、容易に発光効率の向上や
発光色のコントロールを行うことができる。
基板と背面電極とをマトリックス電極とすることによ
り、マトリックス電極を有する電界発光素子においても
請求項1記載の構成と同様の作用を得ることができる。
ストライプ状とすることにより透明基板上に段差が生じ
るが、前記母材として薄膜化が容易な高分子化合物を用
いれば、段差において欠陥が生じる可能性を低減するこ
とができる。
層を複数層に機能分離した電界発光素子においても、発
光層を形成する複数層のうちの少なくもと一つを前記母
材と前記母材中に含まれる導電性化合物とすることで、
前記請求項1記載の構成と同様の作用を得ることができ
る。
材層を形成するに際し、母材として薄膜化が容易な高分
子化合物を選択し、該母材中に発光材料となる導電性高
分子化合物を電気化学的に形成することにより、極めて
薄く、均質で、平滑な発光層を形成することができ、薄
膜化が困難な導電性高分子化合物でも電界発光素子の発
光層として用いることができる。言い換えれば、母材と
して薄膜の形成が容易な高分子化合物を用いることによ
り、発光層となる薄膜に欠陥が生じる可能性を低減する
ことができる。
母材層に蛍光色素等の発光補助材料を、前記発光材料と
なる導電性高分子化合物とは、別に分散して取り込ませ
る方法としているので、前記導電性高分子化合物の物性
とは関係なしに、母材となる高分子の物性と発光補助材
料との物性とに最適な方法で、母材中に発光補助材料を
分散せることができる。
発光補助材料を分散させておき、発光補助材料を含む母
材の薄膜を形成する方法や、導電性高分子を母材中に取
り込んだように薄膜化した母材層に電気化学的に発光補
助材料を取り込む方法や、薄膜化した母材層に発光補助
材料の溶液もしくは溶融液を含浸させて母材層に発光補
助材料を取り込む方法などから、最適な方法を選択して
発光補助材料による発光効率の向上や、発光色のコント
ロールを良好な状態で図ることができる。
明する。まず、透明電極が設けられた透明基板として、
シート抵抗60Ω□のITOから成る透明電極膜が設け
られたガラス基板(寸法:15mm×75mm、厚さ
0.7mm:ジオマテック社製)を用意した。
トリソグラフィー法により、ストライプ状にパターン形
成し、透明電極を図3に示すようなストライプ状の透明
電極2aとした。
チルケトンを溶媒として溶解し、2wt%ニトロブタジエ
ンゴム溶液を作成し、該ニトロブタジエンゴム溶液を容
器中に用意した。
るガラス基板を、純粋中で15分間、イソプロパノール
と水との容量比1:1の混合液中で15分間、アセトン
中で15分間順次超音波洗浄した。
シケータ中で真空乾燥し、乾燥された前記ガラス基板を
透明電極の一端部が露出するように、前記ニトロブタジ
エンゴム溶液中に浸漬し、所定の時間後に10cm/m
inの速度で引き上げて、前記ガラス基板のストライプ
状の透明電極および透明電極から露出したガラス基板表
面上にニトロブタジエンゴムの膜を形成した。
−ヘキシルチオフェンを0.1mol/dm3、支持電
解質として過塩素酸ナトリウムを0.1mol/dm3
となるようにそれぞれ定量溶解したアセトニトリル溶液
20mlを重合液として用意し、この重合液をガラス容
器に用意した。
金電極を挿入するとともに、参照極としてAg/Ag+
(アセトニトリル溶媒)参照極を入れ、ガラス性容器を
電解重合用セルとした。
ムを成膜した前記ガラス基板を、該ガラス基板の透明電
極のニトロブタジエンゴムから露出した部分(電極取り
出し部)が液面上に出るように重合液に浸漬し、ニトロ
ブタジエンゴム膜中に充分重合液が浸透するように、1
0分間この状態を維持した。
をポテンショスタット/ガルバノスタット(制御電源:
北斗電工社製HA−501G)に接続し、電流密度80
μA/cm2の定電流モードにて前記透明電極を有する
ガラス基板の透明電極に電圧印加し、450秒間通電
し、36mC/cm2の電気量の電流を流す事により、
ニトロブタジエンゴム中にポリ(3−n−ヘキシルチオ
フェン)を発光材料として形成した。
ラス基板の透明電極に対し、Ag/Ag+参照極基準
で、−0.3Vの電圧を15分間印加することにより、
前記ポリ(3−n−ヘキシルチオフェン)中のアニオン
の脱ドープを行った。そして、前記ガラス基板を重合液
中から取り出して、アセトニトリル中で充分洗浄を行っ
た後、デシケータ中で真空乾燥を行った。
装置の基板ホルダーに重合物を形成した面を下向きに取
り付けた。そして、前記ガラス基板の重合物を形成した
面上に透明電極と直交するストライプ蒸の蒸着物の膜が
形成できるように、ステンレス製のメタルマスクを取り
付けた。
ボートに、インジウム(In)を3g入れて、これを真
空蒸着装置の基板取り付け位置の300mm下方に取り
付けた。
orrまで減圧し、前記加熱ボートに通電して、インジ
ウムを蒸発させ、ガラス基板のニトロブタジエンゴムお
よび(3−n−ヘキシルチオフェン)の混合層上にスト
ライプ状のインジウム膜を形成して、背面電極(対向電
極)とした。
正極、インジウムから成る背面電極を負極として、直流
30Vを印加したところ、電流密度3.5mA/cm2
の電流が流れ、600nm付近になだらかなピークを持
つスペクトルの発光が認められた。
光素子による発光が確認された。なお、前記実施例は、
本発明の適用例の一つであり、本発明がこの実施例に限
定されるものではない。
ば、発光層は、高分子母材中に発光材料となる導電性高
分子が取り込まれた形状となり、比較的不安定な導電性
高分子を安定した状態で保持することができるので、導
電性高分子化合物からなる電界発光素子の寿命を安定さ
せることができる。
い薄膜を形成するのが困難な物質であっても、前記母材
により薄膜を形成した後に、該母材中に導電性高分子を
分散させるようにすることで、電界発光素子の発光層と
なる薄膜を形成することができる。
せることとしたので、容易に複数種の導電性高分子化合
物を含む発光層を形成することができる。
ば、前記発光材料となる導電性高分子化合物中に均一に
分散させることが困難な発光補助材料であっても、前記
母材を選択する際に、発光補助材料を均一に分散可能な
母材を選択することにより、容易に発光効率の向上や発
光色のコントロールを行うことができる。
ば、透明基板と背面電極とをマトリックス電極とするこ
とにより、マトリックス電極を有する電界発光素子にお
いても請求項1記載の構成と同様の優れた効果を奏する
ことができる。
ストライプ状とすることにより透明基板上に段差が生じ
るが、前記母材として薄膜化が容易な高分子化合物を用
いれば、段差において欠陥が生じる可能性を低減するこ
とができる。
れば、発光層を複数層に機能分離した電界発光素子にお
いても、発光層を形成する複数層のうちの少なくもと一
つを前記母材と前記母材中に含まれる導電性化合物とす
ることで、前記請求項1記載の構成と同様の優れた効果
を奏することができる。
ば、母材として薄膜の形成が容易な高分子化合物を用い
ることにより、薄膜に欠陥が生じる可能性を低減するこ
とができる。
来のように発光層となる導電性高分子化合物の薄膜中に
発光補助材料を分散する場合に比較して、母材の選択も
含めて母材への発光補助材料の分散方法として様々な方
法を採用することができるので、発光の高効率化、多色
化等の改善を行い易くなるとういう利点がある。
造を示す斜視断面図である。
重合槽の一例を示す概略図である。
する電界発光素子に応用した例を示す斜視断面図であ
る。
電界発光素子に応用した例を示す斜視断面図である。
界発光素子に応用した例を示す斜視断面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 透明基板と、該透明基板上に形成された
透明電極と、該透明電極上に設けられた発光層と、該発
光層上に設けられた背面電極とを具備してなり、 前記発光層は、高分子化合物からなる母材と、該母材中
に含まれる導電性高分子化合物との混合層となっている
ことを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項2】 前記発光層は、前記透明電極上に層状に
形成された母材と、該層状の母材中に電気化学的に生成
された導電性高分子化合物との混合層となっていること
を特徴とする請求項1記載の電界発光素子。 - 【請求項3】 前記母材層には、蛍光色素等の発光補助
材料が含まれていることを特徴とする請求項1または2
記載の電界発光素子。 - 【請求項4】 前記透明基板と前記背面電極とは、互い
に略直交するストライプ状に形成され、マトリックス電
極を構成していることを特徴とする請求項1ないし請求
項3のいずれかに記載の電界発光素子。 - 【請求項5】 前記発光層は、少なくとも電子移送層ま
たは正孔移送層を有する複数層構造とされ、前記複数層
構造の発光層を形成する少なくとも一つの層が、前記母
材と、該母材中に含まれる導電性高分子化合物との混合
層となっていることを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項6】 少なくとも透明基板と、該透明基板上に
設けられた透明電極と、該透明電極上に設けられた発光
層と、該発光層上に設けられた背面電極とを具備してな
る電界発光素子を製造するための電界発光素子の製造方
法であって、 前記透明電極上に発光層を形成するに際し、前記透明電
極上に高分子化合物からなる母材層を形成し、次いで、
前記母材層を導電性高分子の原料の溶液中に浸漬すると
ともに前記母材層に前記溶液が浸透した状態で、電気化
学的に母材層中に導電性高分化合物子を形成することに
より前記母材層を発光層とすることを特徴とする電界発
光素子の製造方法。 - 【請求項7】 前記母材層に、導電性高分子化合物とは
別に蛍光色素等の発光補助材料を分散して取り込ませる
ことを特徴とする請求項6記載の電界発光素子の製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP19605594A JP3616850B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19605594A JP3616850B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 電界発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845667A true JPH0845667A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3616850B2 JP3616850B2 (ja) | 2005-02-02 |
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ID=16351453
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19605594A Expired - Fee Related JP3616850B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 電界発光素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3616850B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126865A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Fuji Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
| US7179147B2 (en) * | 2003-04-24 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of electroluminescent device |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP19605594A patent/JP3616850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126865A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Fuji Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
| US7179147B2 (en) * | 2003-04-24 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of electroluminescent device |
| US7416465B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of electroluminescent device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3616850B2 (ja) | 2005-02-02 |
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