JPH0845809A - 露光方法及びその露光装置 - Google Patents
露光方法及びその露光装置Info
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- JPH0845809A JPH0845809A JP6197384A JP19738494A JPH0845809A JP H0845809 A JPH0845809 A JP H0845809A JP 6197384 A JP6197384 A JP 6197384A JP 19738494 A JP19738494 A JP 19738494A JP H0845809 A JPH0845809 A JP H0845809A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 断線のない半導体デバイスパターンの形成が
可能な露光方法及びその装置を提供する。 【構成】 隣接し合う露光フィールドの境界部分で分断
され、この分断された部分を互いに接続させて２つの露
光フィールドにまたがって形成されるパターンを半導体
基板上に形成する露光方法であって、前記２つの露光フ
ィールド内にそれぞれ設けられるパターンの終端が前記
露光フィールドの境界部分で互いにオーバーラップする
ようにして前記パターンを露光するようにした。
可能な露光方法及びその装置を提供する。 【構成】 隣接し合う露光フィールドの境界部分で分断
され、この分断された部分を互いに接続させて２つの露
光フィールドにまたがって形成されるパターンを半導体
基板上に形成する露光方法であって、前記２つの露光フ
ィールド内にそれぞれ設けられるパターンの終端が前記
露光フィールドの境界部分で互いにオーバーラップする
ようにして前記パターンを露光するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
いて半導体基板上に製作するマスクパターンを電子ビー
ム等で露光して作るための露光方法及びその露光装置に
関するものである。
いて半導体基板上に製作するマスクパターンを電子ビー
ム等で露光して作るための露光方法及びその露光装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、半導体の製造工程においてウ
エハ上に製作するマスクパターンを電子ビーム装置を用
いて露光して作るプロセスの一例を示す図である。図１
２に示すプロセスでは、まずパターン設計が行われ、こ
こで半導体デバイスパターンを作成する。次に、この半
導体デバイスパターンのデータを電子ビーム露光装置が
認識して露光できる書式に変換することによって露光デ
ータを作成し、これを電子ビーム露光装置を用いて半導
体基板上に露光することによて所望のパターンを形成す
るという手順で行われる。また、露光データの作成にお
いては、図１３に示すように、半導体パターン１が露光
フィールド２の単位で分割され、露光装置はこの露光フ
ィールド２の単位で順に露光を繰り返すことによって半
導体デバイスパターン１の全体を半導体基板上に形成す
る。
エハ上に製作するマスクパターンを電子ビーム装置を用
いて露光して作るプロセスの一例を示す図である。図１
２に示すプロセスでは、まずパターン設計が行われ、こ
こで半導体デバイスパターンを作成する。次に、この半
導体デバイスパターンのデータを電子ビーム露光装置が
認識して露光できる書式に変換することによって露光デ
ータを作成し、これを電子ビーム露光装置を用いて半導
体基板上に露光することによて所望のパターンを形成す
るという手順で行われる。また、露光データの作成にお
いては、図１３に示すように、半導体パターン１が露光
フィールド２の単位で分割され、露光装置はこの露光フ
ィールド２の単位で順に露光を繰り返すことによって半
導体デバイスパターン１の全体を半導体基板上に形成す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の露光装置においては、露光フィールド２の単位で順に
露光を繰り返して、半導体デバイスパターン１の全体を
半導体基板上に形成しているが、この場合における各露
光フィールド２の位置決め精度並びにその安定性は、半
導体デバイスパターン１を半導体基板上に形成する上で
非常に重要なことである。これについて、図１４及び図
１５を用いてさらに説明する。
の露光装置においては、露光フィールド２の単位で順に
露光を繰り返して、半導体デバイスパターン１の全体を
半導体基板上に形成しているが、この場合における各露
光フィールド２の位置決め精度並びにその安定性は、半
導体デバイスパターン１を半導体基板上に形成する上で
非常に重要なことである。これについて、図１４及び図
１５を用いてさらに説明する。
【０００４】すなわち、図１４は露光フィールド２の一
部を拡大したものであり、図中、符号Ａの点と符号Ｂの
点を結ぶＡ−Ｂ線、並びに符号Ｃの点と符号Ｄの点とを
結ぶＣ−Ｄ線は、露光フィールド２，２間の境界を示し
ており、図１５は半導体基板上のＢ点の周囲に形成され
た半導体デバイスパターンの一部を拡大して示してい
る。そして、従来における半導体デバイスパターンで
は、ビーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光
ステージの振動、半導体基板の平面歪み等によって各々
発生する露光フィールド２の位置決め誤差並びにその変
動等により、図１５中にパターンＰ1 ，Ｐ2 で示すよう
に境界部Ａ−Ｂ，Ｂ−Ｃの部分が離れて断線が起こり易
く、半導体デバイスを作動させる上で致命的な欠陥が生
じる虞があった。
部を拡大したものであり、図中、符号Ａの点と符号Ｂの
点を結ぶＡ−Ｂ線、並びに符号Ｃの点と符号Ｄの点とを
結ぶＣ−Ｄ線は、露光フィールド２，２間の境界を示し
ており、図１５は半導体基板上のＢ点の周囲に形成され
た半導体デバイスパターンの一部を拡大して示してい
る。そして、従来における半導体デバイスパターンで
は、ビーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光
ステージの振動、半導体基板の平面歪み等によって各々
発生する露光フィールド２の位置決め誤差並びにその変
動等により、図１５中にパターンＰ1 ，Ｐ2 で示すよう
に境界部Ａ−Ｂ，Ｂ−Ｃの部分が離れて断線が起こり易
く、半導体デバイスを作動させる上で致命的な欠陥が生
じる虞があった。
【０００５】そこで、この境界部分は位置決め精度が最
も要求されるところであるが、この位置決め精度には限
界があり、今後益々微細化が進む傾向にある半導体デバ
イスの製造に対して十分に対応することができない虞が
あり、問題となっている。
も要求されるところであるが、この位置決め精度には限
界があり、今後益々微細化が進む傾向にある半導体デバ
イスの製造に対して十分に対応することができない虞が
あり、問題となっている。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は断線のない半導体デバイスパター
ンの形成が可能な露光方法及びその装置を提供すること
にある。
のであり、その目的は断線のない半導体デバイスパター
ンの形成が可能な露光方法及びその装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明の方
法にあっては、隣接し合う露光フィールドの境界部分で
分断され、この分断された部分を互いに接続させて２つ
の露光フィールドにまたがって設けられるパターンを半
導体基板上に形成する露光方法において、前記２つの露
光フィールド内にそれぞれ設けられるパターンの終端が
前記露光フィールドの境界部分で互いにオーバーラップ
するようにして前記パターンを露光するようにして達成
される。
法にあっては、隣接し合う露光フィールドの境界部分で
分断され、この分断された部分を互いに接続させて２つ
の露光フィールドにまたがって設けられるパターンを半
導体基板上に形成する露光方法において、前記２つの露
光フィールド内にそれぞれ設けられるパターンの終端が
前記露光フィールドの境界部分で互いにオーバーラップ
するようにして前記パターンを露光するようにして達成
される。
【０００８】また、この目的は、本発明の装置にあって
は、隣接し合う露光フィールドの境界部分で分断され、
この分断された部分を互いに接続させて２つの露光フィ
ールドにまたがって形成されるパターンを半導体基板上
に形成する露光装置において、前記パターンを隣接し合
う露光フィールド境界部分で分断し、この分断された部
分の各パターンの各々の終端を前記露光フィールドの境
界部分で互いにオーバーラップするように処理するため
の境界処理回路を設けた構成とすることによって達成さ
れる。
は、隣接し合う露光フィールドの境界部分で分断され、
この分断された部分を互いに接続させて２つの露光フィ
ールドにまたがって形成されるパターンを半導体基板上
に形成する露光装置において、前記パターンを隣接し合
う露光フィールド境界部分で分断し、この分断された部
分の各パターンの各々の終端を前記露光フィールドの境
界部分で互いにオーバーラップするように処理するため
の境界処理回路を設けた構成とすることによって達成さ
れる。
【０００９】
【作用】これによれば、露光フィールド間でオーバーラ
ップして露光されているパターンを有しているので、ビ
ーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光ステー
ジの振動、半導体基板の平面歪み等によって各々発生す
る露光フィールドの位置決め誤差並びにその変動等が生
じても断線等が生じることもなくなる。
ップして露光されているパターンを有しているので、ビ
ーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光ステー
ジの振動、半導体基板の平面歪み等によって各々発生す
る露光フィールドの位置決め誤差並びにその変動等が生
じても断線等が生じることもなくなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１乃至図４は本発明の第１の実施例
を示し、図１はこの露光手順を用いて半導体基板上に作
られたデバイスパターンの一部を拡大して示しており、
図２乃至図４は図１に示すデバイスパターンが作られる
までの手順を示している図である。次に、図１に示すデ
バイスパターンを作る手順を図２乃至図４と共に説明す
る。
詳細に説明する。図１乃至図４は本発明の第１の実施例
を示し、図１はこの露光手順を用いて半導体基板上に作
られたデバイスパターンの一部を拡大して示しており、
図２乃至図４は図１に示すデバイスパターンが作られる
までの手順を示している図である。次に、図１に示すデ
バイスパターンを作る手順を図２乃至図４と共に説明す
る。
【００１１】まず、半導体基板上に形成されるデバイス
パターンの中、図２に示すように境界部Ｂ−Ｃを横切っ
て２つの露光フィールド２ａ，２ｂにまたがって形成さ
れるパターンｐが存在する場合は、パターンｐを境界部
Ｂ−Ｃで露光フィールド２ａ側と露光フィールド２ｂ側
とに分断し、露光フィールド２ａ側に存在するパターン
をｐa （図３参照）、露光フィールド２ｂ側に存在する
パターンをｐb （図４参照）とする。
パターンの中、図２に示すように境界部Ｂ−Ｃを横切っ
て２つの露光フィールド２ａ，２ｂにまたがって形成さ
れるパターンｐが存在する場合は、パターンｐを境界部
Ｂ−Ｃで露光フィールド２ａ側と露光フィールド２ｂ側
とに分断し、露光フィールド２ａ側に存在するパターン
をｐa （図３参照）、露光フィールド２ｂ側に存在する
パターンをｐb （図４参照）とする。
【００１２】次に、互いに隣接し合うパターンｐa ，ｐ
b の終端を、それぞれｄ＝0.15μｍだけ信号データ上で
延長処理を行った後（図３及び図４参照）、露光装置の
書式で出力して露光データを作成する。また、この露光
データを露光装置に入力した後、各露光フィールド２a
，２b の終端におけるサイズをそれぞれｄ＝0.15μｍ
拡張して半導体基板上に露光する。すると、図１に示す
デバイスパターンが形成される。すなわち、この図１に
示すデバイスパターンでは、図１に示すように露光フィ
ールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオーバーラップ
して露光され、この二重露光された領域（２ｄ）を半導
体基板上に有することになる。
b の終端を、それぞれｄ＝0.15μｍだけ信号データ上で
延長処理を行った後（図３及び図４参照）、露光装置の
書式で出力して露光データを作成する。また、この露光
データを露光装置に入力した後、各露光フィールド２a
，２b の終端におけるサイズをそれぞれｄ＝0.15μｍ
拡張して半導体基板上に露光する。すると、図１に示す
デバイスパターンが形成される。すなわち、この図１に
示すデバイスパターンでは、図１に示すように露光フィ
ールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオーバーラップ
して露光され、この二重露光された領域（２ｄ）を半導
体基板上に有することになる。
【００１３】したがって、この第１の実施例では、露光
フィールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオーバーラ
ップして露光されているパターンを有しているので、ビ
ーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光ステー
ジの振動、半導体基板の平面歪み等によって発生する露
光フィールド２の位置決め誤差並びにその変動等が生じ
ても断線等が生じることもなくなる。また、今後微細化
が進んでも、十分に対応することが可能になる。
フィールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオーバーラ
ップして露光されているパターンを有しているので、ビ
ーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光ステー
ジの振動、半導体基板の平面歪み等によって発生する露
光フィールド２の位置決め誤差並びにその変動等が生じ
ても断線等が生じることもなくなる。また、今後微細化
が進んでも、十分に対応することが可能になる。
【００１４】図５乃至図７は本発明の第２の実施例を示
しているもので、図５はこの露光手順を用いて半導体基
板上に作られたデバイスパターンを、図６及び図７は図
５に示すデバイスパターンが作られるまでの手順を各々
示している図である。そこで、次に図５に示すデバイス
パターンを作る手順を図６及び図７と共に説明する。な
お、図５乃至図７において図１乃至図４と同一符号を示
したものは図１乃至図４と同一のものを示している。
しているもので、図５はこの露光手順を用いて半導体基
板上に作られたデバイスパターンを、図６及び図７は図
５に示すデバイスパターンが作られるまでの手順を各々
示している図である。そこで、次に図５に示すデバイス
パターンを作る手順を図６及び図７と共に説明する。な
お、図５乃至図７において図１乃至図４と同一符号を示
したものは図１乃至図４と同一のものを示している。
【００１５】まず、半導体基板上に形成されるデバイス
パターンの中、第１の実施例の場合と同様に、境界部Ｂ
−Ｃを横切って２つの露光フィールド２ａ，２ｂにまた
がって形成されるパターンｐが存在する場合は、パター
ンｐを境界部Ｂ−Ｃで露光フィールド２ａ側と露光フィ
ールド２ｂ側とに分断し、露光フィールド２ａ側に存在
するパターンをｐa1（図６参照）、露光フィールド２ｂ
側に存在するパターンをｐb1（図７照）とする。
パターンの中、第１の実施例の場合と同様に、境界部Ｂ
−Ｃを横切って２つの露光フィールド２ａ，２ｂにまた
がって形成されるパターンｐが存在する場合は、パター
ンｐを境界部Ｂ−Ｃで露光フィールド２ａ側と露光フィ
ールド２ｂ側とに分断し、露光フィールド２ａ側に存在
するパターンをｐa1（図６参照）、露光フィールド２ｂ
側に存在するパターンをｐb1（図７照）とする。
【００１６】次に、互いに隣接し合うパターンｐa1，ｐ
b1の終端を、それぞれｄ1 ＝0.15μｍだけ信号データ上
で延長処理を行う。次いで、反対側にｄ2 ＝0.15μｍだ
け離れた位置で各々のパターンを分断し、露光フィール
ド２ａ側にパターンｐa2（図６参照）、露光フィールド
２ｂ側にパターンをｐb2（図７照）をそれぞれ作成す
る。さらに、パターンｐa1，ｐb1に対してレジスト感度
に対応した規定の露光量Ｑ1 を、パターンｐa2，ｐb2に
対しては露光量Ｑ2 ＝（Ｑ1 ／２）をそれぞれ割り当
て、この後に露光装置の書式で出力露光データを作成す
る。
b1の終端を、それぞれｄ1 ＝0.15μｍだけ信号データ上
で延長処理を行う。次いで、反対側にｄ2 ＝0.15μｍだ
け離れた位置で各々のパターンを分断し、露光フィール
ド２ａ側にパターンｐa2（図６参照）、露光フィールド
２ｂ側にパターンをｐb2（図７照）をそれぞれ作成す
る。さらに、パターンｐa1，ｐb1に対してレジスト感度
に対応した規定の露光量Ｑ1 を、パターンｐa2，ｐb2に
対しては露光量Ｑ2 ＝（Ｑ1 ／２）をそれぞれ割り当
て、この後に露光装置の書式で出力露光データを作成す
る。
【００１７】次に、この露光データを露光装置に入力し
た後、露光フィールド２a ，２b のサイズをそれぞれｄ
＝0.15μｍ拡張して半導体基板上に露光する。すると、
図５に示すデバイスパターンが形成される。すなわち、
この図５に示すデバイスパターンでは、図５に示すよう
に露光フィールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオー
バーラップして露光され、この二重露光された領域（２
ｄ）を有することになる。また、この二重露光された領
域（２ｄ）における露光量は規定の露光量Ｑ1となる。
た後、露光フィールド２a ，２b のサイズをそれぞれｄ
＝0.15μｍ拡張して半導体基板上に露光する。すると、
図５に示すデバイスパターンが形成される。すなわち、
この図５に示すデバイスパターンでは、図５に示すよう
に露光フィールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオー
バーラップして露光され、この二重露光された領域（２
ｄ）を有することになる。また、この二重露光された領
域（２ｄ）における露光量は規定の露光量Ｑ1となる。
【００１８】したがって、この第２の実施例の場合で
も、露光フィールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオ
ーバーラップして露光されているパターンを有している
ので、ビーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露
光ステージの振動、半導体基板の平面歪み等によって発
生する露光フィールド２の位置決め誤差並びにその変動
等が生じても断線等が生じることもなくなる。また、今
後微細化が進んでも、十分に対応することが可能にな
る。さらに、二重露光された領域（２ｄ）における露光
量は他の領域と同じ規定の露光量Ｑ1 となるので、オー
バーラップ部におけるパターンの太りを無くすことがで
き、寸法精度の良いデバイスパターンを得ることができ
る。
も、露光フィールド２a ，２b 間で２ｄ＝0.3 μｍがオ
ーバーラップして露光されているパターンを有している
ので、ビーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露
光ステージの振動、半導体基板の平面歪み等によって発
生する露光フィールド２の位置決め誤差並びにその変動
等が生じても断線等が生じることもなくなる。また、今
後微細化が進んでも、十分に対応することが可能にな
る。さらに、二重露光された領域（２ｄ）における露光
量は他の領域と同じ規定の露光量Ｑ1 となるので、オー
バーラップ部におけるパターンの太りを無くすことがで
き、寸法精度の良いデバイスパターンを得ることができ
る。
【００１９】なお、この第２の実施例では、パターンｐ
a2，ｐb2を各々１回作成した場合について開示したが、
同一パターンを同一位置に２回、３回と作成し、さらに
割り当てる露光量をＱ2 ＝Ｑ1 ／４、Ｑ1 ／６とする
と、断線がなく、かつ寸法精度の良いデバイスパターン
を形成することができる。
a2，ｐb2を各々１回作成した場合について開示したが、
同一パターンを同一位置に２回、３回と作成し、さらに
割り当てる露光量をＱ2 ＝Ｑ1 ／４、Ｑ1 ／６とする
と、断線がなく、かつ寸法精度の良いデバイスパターン
を形成することができる。
【００２０】図８乃至図１０は本発明の第３の実施例を
示しており、図８はこの露光手順を用いて半導体基板上
に作られたデバイスパターンを、図９及び図１０は図８
に示すデバイスパターンが作られるまでの手順を各々示
している図である。そこで、次に図８に示すデバイスパ
ターンを作る手順を図９及び図１０と共に説明する。な
お、図８乃至図１０において図１乃至図４と同一符号を
示したものは図１乃至図４と同一のものを示している。
示しており、図８はこの露光手順を用いて半導体基板上
に作られたデバイスパターンを、図９及び図１０は図８
に示すデバイスパターンが作られるまでの手順を各々示
している図である。そこで、次に図８に示すデバイスパ
ターンを作る手順を図９及び図１０と共に説明する。な
お、図８乃至図１０において図１乃至図４と同一符号を
示したものは図１乃至図４と同一のものを示している。
【００２１】まず、半導体基板上に形成されるデバイス
パターンの中、第１及び第２の実施例の場合と同様に、
境界部Ｂ−Ｃを横切って２つの露光フィールド２ａ，２
ｂにまたがって形成されるパターンｐが存在する場合
は、パターンｐを境界部Ｂ−Ｃで露光フィールド２ａ側
と露光フィールド２ｂ側とに分断し、露光フィールド２
ａ側に存在するパターンをｐa1（図９参照）、露光フィ
ールド２ｂ側に存在するパターンをｐb1（図１０参照）
とする。
パターンの中、第１及び第２の実施例の場合と同様に、
境界部Ｂ−Ｃを横切って２つの露光フィールド２ａ，２
ｂにまたがって形成されるパターンｐが存在する場合
は、パターンｐを境界部Ｂ−Ｃで露光フィールド２ａ側
と露光フィールド２ｂ側とに分断し、露光フィールド２
ａ側に存在するパターンをｐa1（図９参照）、露光フィ
ールド２ｂ側に存在するパターンをｐb1（図１０参照）
とする。
【００２２】次に、パターンｐa1，ｐb1をそれぞれ境界
部分Ｂ−Ｃの部分からｄ3 ＝0.3 μｍだけ離れた位置で
分断し、パターンｐa1，ｐa3，ｐb1，ｐb3を作成する。
さらに、パターンｐa3，ｐb3と同じパターンを同じ位置
に４回作成する。したがって、結果的にパターンｐa3，
ｐb3は同じ位置に５回重なり合っていることになる。一
方、パターンｐa1，ｐb1に対しては露光量Ｑ1 を、パタ
ーンｐa3，ｐb3に対しては露光量Ｑ2 ＝Ｑ1 ／５を割り
当て、この後に露光装置の書式で出力して露光データを
作成する。
部分Ｂ−Ｃの部分からｄ3 ＝0.3 μｍだけ離れた位置で
分断し、パターンｐa1，ｐa3，ｐb1，ｐb3を作成する。
さらに、パターンｐa3，ｐb3と同じパターンを同じ位置
に４回作成する。したがって、結果的にパターンｐa3，
ｐb3は同じ位置に５回重なり合っていることになる。一
方、パターンｐa1，ｐb1に対しては露光量Ｑ1 を、パタ
ーンｐa3，ｐb3に対しては露光量Ｑ2 ＝Ｑ1 ／５を割り
当て、この後に露光装置の書式で出力して露光データを
作成する。
【００２３】次に、この露光データを露光装置に入力し
た後、露光フィールド２a ，２b 間のオーバーラップ無
しで従来と同様に半導体基板上に露光する。すると、図
８に示すデバイスパターンが形成される。このデバイス
パターンでは、パターンｐa3，ｐb3は５重露光すること
によって相互の露光フィールドの位置決め精度の変動分
が平均化され、その結果安定な位置精度を有することに
なる。
た後、露光フィールド２a ，２b 間のオーバーラップ無
しで従来と同様に半導体基板上に露光する。すると、図
８に示すデバイスパターンが形成される。このデバイス
パターンでは、パターンｐa3，ｐb3は５重露光すること
によって相互の露光フィールドの位置決め精度の変動分
が平均化され、その結果安定な位置精度を有することに
なる。
【００２４】したがって、この第３の実施例の場合で
も、ビーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光
ステージの振動、半導体基板の平面歪み等によって発生
する露光フィールド２の位置決め誤差並びにその変動等
が生じても断線等が生じることがなくなる。また、今後
微細化が進んでも、十分に対応することが可能になる。
さらに、５重に露光された領域（ｐa3，ｐb3）における
露光量は他の領域と同じ規定の露光量Ｑ1 となるので、
オーバーラップ部におけるパターンの太りを無くすこと
ができ、寸法精度の良いデバイスパターンを得ることが
できる。
も、ビーム偏向系の補正誤差及びその経時変化や、露光
ステージの振動、半導体基板の平面歪み等によって発生
する露光フィールド２の位置決め誤差並びにその変動等
が生じても断線等が生じることがなくなる。また、今後
微細化が進んでも、十分に対応することが可能になる。
さらに、５重に露光された領域（ｐa3，ｐb3）における
露光量は他の領域と同じ規定の露光量Ｑ1 となるので、
オーバーラップ部におけるパターンの太りを無くすこと
ができ、寸法精度の良いデバイスパターンを得ることが
できる。
【００２５】図１１は本発明の第４の実施例として示す
露光装置のブロック構成図である。図１１において、こ
の露光装置は、装置全体を決められた手順で制御するた
めの制御部（ＣＰＵ）１１を有し、この制御部１１にパ
ターンメモリ１２、図形展開回路１３、フィールド境界
処理回路１４、矩形分割回路１５、ビームブランキング
制御回路１６、ビーム成形制御回路１７、偏向制御回路
１８、ステージ駆動制御回路１９が接続されている。そ
して、露光データ処理は、パターンメモリ１２、図形展
開回路１３、フィールド境界処理回路１４、矩形分割回
路１５で行われ、半導体基板への露光処理は、ビームブ
ランキング制御回路１６、ビーム成形制御回路１７、偏
向制御回路１８、ステージ駆動制御回路１９で行われ、
露光データ処理並びに露光処理は制御部１１で制御され
る。
露光装置のブロック構成図である。図１１において、こ
の露光装置は、装置全体を決められた手順で制御するた
めの制御部（ＣＰＵ）１１を有し、この制御部１１にパ
ターンメモリ１２、図形展開回路１３、フィールド境界
処理回路１４、矩形分割回路１５、ビームブランキング
制御回路１６、ビーム成形制御回路１７、偏向制御回路
１８、ステージ駆動制御回路１９が接続されている。そ
して、露光データ処理は、パターンメモリ１２、図形展
開回路１３、フィールド境界処理回路１４、矩形分割回
路１５で行われ、半導体基板への露光処理は、ビームブ
ランキング制御回路１６、ビーム成形制御回路１７、偏
向制御回路１８、ステージ駆動制御回路１９で行われ、
露光データ処理並びに露光処理は制御部１１で制御され
る。
【００２６】この露光装置では、露光データをパターン
メモリ１２へロードした後に、図形展開回路１３におい
てパターンメモリ１２より露光フィールド単位で受信し
た露光データを図形として展開する。この際、露光フィ
ールドの境界線を横切るパターンの有無を確認し、存在
する場合にはフィールド境界処理回路１４において、例
えば第３の実施例で説明したのと同じパターン分割及び
発生処理、並びに露光量の割り当て処理を実施する。ま
た、このようにして図形展開処理が終了した図形データ
に対して、露光単位の矩形に矩形分割回路１５において
分割し、制御部１１は矩形分割回路１５を経た矩形デー
タに基づいてビームブランキング回路１６、ビーム成形
制御回路１７、偏向制御回路１８、ステージ駆動制御回
路１９へ各制御データを送り、半導体基板への露光を行
う。
メモリ１２へロードした後に、図形展開回路１３におい
てパターンメモリ１２より露光フィールド単位で受信し
た露光データを図形として展開する。この際、露光フィ
ールドの境界線を横切るパターンの有無を確認し、存在
する場合にはフィールド境界処理回路１４において、例
えば第３の実施例で説明したのと同じパターン分割及び
発生処理、並びに露光量の割り当て処理を実施する。ま
た、このようにして図形展開処理が終了した図形データ
に対して、露光単位の矩形に矩形分割回路１５において
分割し、制御部１１は矩形分割回路１５を経た矩形デー
タに基づいてビームブランキング回路１６、ビーム成形
制御回路１７、偏向制御回路１８、ステージ駆動制御回
路１９へ各制御データを送り、半導体基板への露光を行
う。
【００２７】したがって、この第４の実施例の場合で
も、第３の実施例の場合と同様に、ビーム偏向系の補正
誤差及びその経時変化や、露光ステージの振動、半導体
基板の平面歪み等によって発生する露光フィールド２の
位置決め誤差並びにその変動等が生じても断線等が生じ
ることのないパターン形成が可能になる。また、露光デ
ータは露光フィールドの境界処理を実施していない従来
のフォーマットであるため、第１乃至第３の実施例に比
べて露光データ作成時間を短くでき、かつ露光データ量
も圧縮されて少なくなることから露光データ作成用コン
ピュータのハードディスク並びに露光装置のパターンメ
モリ１２を容量的に少なくでき、経済性が向上する。な
お、この第４の実施例の場合では、フィールド境界処理
回路１４における処理内容を第３の実施例と同様とした
が、第３の実施例の場合に限ることなく、第１、第２の
実施例と同様な処理をすることも可能であることは勿論
のことである。
も、第３の実施例の場合と同様に、ビーム偏向系の補正
誤差及びその経時変化や、露光ステージの振動、半導体
基板の平面歪み等によって発生する露光フィールド２の
位置決め誤差並びにその変動等が生じても断線等が生じ
ることのないパターン形成が可能になる。また、露光デ
ータは露光フィールドの境界処理を実施していない従来
のフォーマットであるため、第１乃至第３の実施例に比
べて露光データ作成時間を短くでき、かつ露光データ量
も圧縮されて少なくなることから露光データ作成用コン
ピュータのハードディスク並びに露光装置のパターンメ
モリ１２を容量的に少なくでき、経済性が向上する。な
お、この第４の実施例の場合では、フィールド境界処理
回路１４における処理内容を第３の実施例と同様とした
が、第３の実施例の場合に限ることなく、第１、第２の
実施例と同様な処理をすることも可能であることは勿論
のことである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
露光フィールド間でオーバーラップして露光されている
パターンを有しているので、ビーム偏向系の補正誤差及
びその経時変化や、露光ステージの振動、半導体基板の
平面歪み等によって各々発生する露光フィールドの位置
決め誤差並びにその変動等が生じても断線等が生じるこ
ともなくなる。また、今後微細化が進んでも、十分に対
応することが可能になる。
露光フィールド間でオーバーラップして露光されている
パターンを有しているので、ビーム偏向系の補正誤差及
びその経時変化や、露光ステージの振動、半導体基板の
平面歪み等によって各々発生する露光フィールドの位置
決め誤差並びにその変動等が生じても断線等が生じるこ
ともなくなる。また、今後微細化が進んでも、十分に対
応することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例として示す半導体基板上
に形成されたパターンを示す図である。
に形成されたパターンを示す図である。
【図２】第１の実施例の露光手順を示す図である。
【図３】第１の実施例の露光手順を示す図である。
【図４】第１の実施例の露光手順を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例として示す半導体基板上
に形成されたパターンを示す図である。
に形成されたパターンを示す図である。
【図６】第２の実施例の露光手順を示す図である。
【図７】第２の実施例の露光手順を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施例として示す半導体基板上
に形成されたパターンを示す図である。
に形成されたパターンを示す図である。
【図９】第３の実施例の露光手順を示す図である。
【図１０】第３の実施例の露光手順を示す図である。
【図１１】本発明の第４の実施例として示す露光装置の
ブロック構成図である。
ブロック構成図である。
【図１２】従来のマスクパターンを形成するプロセスの
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図１３】従来のマスクパターンの形成方法を説明する
図である。
図である。
【図１４】従来のマスクパターンの形成方法を説明する
図である。
図である。
【図１５】従来のマスクパターンの形成方法を説明する
図である。
図である。
１ 半導体パターン ２ 露光フィール
ド ２ａ 露光フィールド ２ｂ 露光フィー
ルド ｐ パターン
ド ２ａ 露光フィールド ２ｂ 露光フィー
ルド ｐ パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 隣接し合う露光フィールドの境界部分で
分断され、この分断された部分を互いに接続させて２つ
の露光フィールドにまたがって設けられるパターンを半
導体基板上に形成する露光方法において、 前記２つの露光フィールド内にそれぞれ設けられるパタ
ーンの終端が前記露光フィールドの境界部分で互いにオ
ーバーラップするようにして前記パターンを露光するこ
とを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記オーバーラップしたパターンの部分
は、それぞれの露光フィールドにおいて、適正露光量の
２ｎ分の１（但し、ｎは正の整数）の露光量でｎ回繰り
返して同一位置で露光される請求項１に記載の露光方
法。 - 【請求項３】 隣接し合う露光フィールドの境界部分で
分断され、この分断された部分を互いに接続させて２つ
の露光フィールドにまたがって設けられるパターンを半
導体基板上に形成する露光方法において、 前記境界部分より所定量内側に離れた領域部分の露光量
を適正露光量のｎ分の１（但し、ｎは正の整数）の露光
量でｎ回繰り返して同一位置で露光するようにしたこと
を特徴とする露光方法。 - 【請求項４】 隣接し合う露光フィールドの境界部分で
分断され、この分断された部分を互いに接続させて２つ
の露光フィールドにまたがって形成されるパターンを半
導体基板上に形成する露光装置において、 前記パターンを隣接し合う露光フィールド境界部分で分
断し、この分断された部分の各パターンの各々の終端を
前記露光フィールドの境界部分で互いにオーバーラップ
するように処理するための境界処理回路を設けたことを
特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197384A JPH0845809A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 露光方法及びその露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197384A JPH0845809A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 露光方法及びその露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845809A true JPH0845809A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16373622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6197384A Pending JPH0845809A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 露光方法及びその露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407885B1 (ko) * | 1998-02-26 | 2003-12-01 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광방법 및 노광장치 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP6197384A patent/JPH0845809A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407885B1 (ko) * | 1998-02-26 | 2003-12-01 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광방법 및 노광장치 |
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