JPH0845994A - フリップチップの基板へのボンディング方法 - Google Patents

フリップチップの基板へのボンディング方法

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JPH0845994A
JPH0845994A JP7107624A JP10762495A JPH0845994A JP H0845994 A JPH0845994 A JP H0845994A JP 7107624 A JP7107624 A JP 7107624A JP 10762495 A JP10762495 A JP 10762495A JP H0845994 A JPH0845994 A JP H0845994A
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flip chip
substrate
bonding
force
ultrasonic horn
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JP7107624A
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Cuong Van Pham
バン プハム クオング
Brian J Hayden
ジョン ヘイドン ブライアン
Bethany J Walles
ジョイ ウオールズ ベサニー
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Ford Motor Co
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 フリップチップを基板上に高精度に位置決め
して、正確にボンディングする方法を提供する。 【構成】 フリップチップ２０を基板２２の上方に配置
する。フリップチップ２０は導電性バンプを備えたアク
ティブ面を有し、アクティブ面を基板２２の方に向け
る。バンプが基板２２上のボンディングパターンの位置
に合うようにして、フリップチップ２０を基板２２上に
置く。超音波ホーン３０を下げて、その平らな面をフリ
ップチップ２０の背面に載せる。超音波ホーン３０を介
してフリップチップ２０の背面に力を加える。この力は
基板２２に垂直に加えて、フリップチップ２０と基板２
２間の横方向の変位が最小になるようにする。それから
力を加えている間に超音波ホーン３０を作動させ、超音
波エネルギーをフリップチップ２０から基板２２へ等温
的に伝達せしめ、両者間に拡散ボンディングを起こさせ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板のような基板上
にフリップチップ装置をボンディングするための改良さ
れた装置と方法に関するものである。特に本発明はフリ
ップチップを基板上に高精度に位置決めして正確にボン
ディングすることができる半自動システムに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップボンディングは電子部品
の包装に関する急成長技術のひとつとして登場してき
た。この技術は高実装密度下で高速で動作する回路の需
要に応じて発展してきた。性能基準を満たすには、基
板、相互接続機構、フリップチップの設計およびボンデ
ィング媒体を適当に選択するしかない（信頼できるマル
チチップモジュールを製造する）。
【０００３】フリップチップやダイを基板に取付けるに
はいくつかの方法が使われる。はんだはシリコン、窒化
アルミニウム、アルミナ、またはフレキシブル基板にし
ばしば用いられる。金と金の熱圧縮または超音波ボンデ
ィングは主に高電力で寸法の小さい装置に使われてい
る。標準的な導電性エポキシもまたフリップチップボン
ディングに使われることがある。
【０００４】自動フリップチップボンディング機構を設
計するときに考慮する必要がある項目は、位置合せ精
度、フリップチップと基板の種類、フリップチップのピ
ックアップと配置、基板のピックアップと配置、スルー
プットおよび価格である。
【０００５】従来のやり方の例を挙げると、Ｕ．Ｓ．特
許第３，９３８，７２２号には、超音波エネルギーを利
用して基板上の接続用導電性面にフリップチップ装置を
ボンディングする装置が開示されている。ボンディング
ツールが球形のボンディング面を有していて、それがピ
ボット機構により複雑な振動の中でボンディングがなさ
れる。しかしながらこのやり方ではフリップチップと基
板間に相対的な横運動が起きて、位置合せが狂うことが
ある。
【０００６】Ｕ．Ｓ．特許第４，８４２，６６２号に
は、フリップチップの接続プロセスに先立って、金の小
球すなわちバンプを全く使わないボンディング方法が開
示されている。この金のバンプは通常フリップチップの
端子パッドと、フリップチップに接続されるワイヤの下
側とに配置される。しかしながらこの特許はテープ自動
ボンディング（ＴＡＢ）用テープと共に使われる一点ボ
ンディングプロセスに関するものである。
【０００７】
【発明の要約】本発明はフリップチップを基板にボンデ
ィングするための方法と装置とを開示する。この方法は
以下のステップを含む。 1. アクティブ面に導電性バンプを有するフリップチッ
プを、そのアクティブ面を基板に向けて、基板の上方に
配置するステップと、 2. バンプが基板上のボンディングパターンの位置に合
うようにして、基板上にフリップチップを置くステップ
と、 3. 平らな面を有する超音波ホーンを下げて、フリップ
チップの背面に接触させるステップと、 4. フリップチップと基板間の横方向の変位を最小にす
べく基板に垂直な力が加わるようにして、超音波ホーン
を介してフリップチップの背面に力を加えるステップ
と、 5. 力を加えている間に超音波ホーンを作動させ、超音
波エネルギーをフリップチップから基板へ等温的に伝達
させて、両者間に拡散ボンディングを起こさせるステッ
プ。 本発明は蒸気プロセスを実施するための装置を製造する
ことも含む。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照しながら説明
する。本発明のプロセスと方法は基板にマルチチップを
ボンディングするシステムに関するものである。開示す
る装置は、基板上に定められたボンディングパターンに
関してフリップチップを位置決めするための精密なピッ
クアップまたは配置機構として使われる。
【０００９】本発明による装置とプロセスは、概して、
フリップチップやダイを基板と高精度に位置合せして確
実にボンディングすることが必要な、高密度実装用に使
われる。本装置は１個のピックアップヘッドと１個のボ
ンディングヘッドとを含む。第１のヘッドはワッフルパ
ックからフリップチップを拾い上げて、それを向き調整
装置上に置く。第２のヘッドは向き調整装置からダイを
拾い上げて、それを基板の上方に持っていく。ダイが基
板の上方にあるとき、最終位置合せ用に視覚装置を使
う。
【００１０】ここで用いる「超音波ホーン」という術語
は、フリップチップと基板とを一緒に加圧下に保ちなが
ら、高周波の振動エネルギーを局部的にそれらに加える
ことにより、フリップチップを基板にボンディングする
固体式プロセスを意味する。約２−３キロオングストロ
ームの厚さの拡散層が形成されると考えられている。開
示するプロセスは、基板上に配置された金、銀、プラチ
ナ、ニッケル、または銅の金属パターンにフリップチッ
プをボンディングするのに用いることができる。
【００１１】図１は本発明のプロセスを実施するのに用
いる主なプロセスステップのフローチャートである。基
板の上方にフリップチップを配置する（１０）。通常フ
リップチップは金の小球体すなわちバンプを備えたアク
ティブ面を有する。アクティブ面を基板の方に向けてお
く。次に、フリップチップを基板上に置く（１２）ので
あるが、基板上に形成されているボンディングパターン
にバンプの位置を合わせる。次に超音波ホーンを下げる
（１４）。その際、ホーンの平らな面がフリップチップ
の背面の頂上に触れるようにする。それから超音波ホー
ンを介してフリップチップの背面に力を加える（１
６）。力は基板に垂直に加わるようにする。このように
して基板に関してフリップチップの横方向の変位を最小
にする。最後に、力を加えている間に超音波ホーンを作
動させることにより（１８）、超音波エネルギーがフリ
ップチップから基板に等温伝達されて、両者間に拡散ボ
ンディングがなされる。
【００１２】図２−４は装置とプロセスステップをより
詳細に示したものである。図２は本発明を実施するのに
用いる装置の主要部品を示す。図２においてフリップチ
ップ２０がフリップチップピックアップテーブル２４の
上に搭載されている。基板２２はワークホルダ２６の上
に置かれている。図３では、真空フリップチップピック
アップ機構２８が真空を使ってフリップチップをピック
アップするために、腕を伸ばしている。
【００１３】図４は真空フリップチップピックアップ機
構２８の腕が引っ込み、フリップチップ２０をフリップ
チップピックアップテーブル２４の上方に持上げている
様子を示す。図５において、真空フリップチップピック
アップ機構２８と超音波ホーン３０とを含むステージ３
８が移動して、フリップチップ２０を持った真空フリッ
プチップピックアップアーム２８を向き調整装置３６の
位置に持って来る。
【００１４】次に、図６に示すように、真空フリップチ
ップピックアップアーム２８を伸ばして、向き調整装置
３６の上にフリップチップを置く。それから図７に示す
ように、真空フリップチップピックアップアーム２８を
引っ込め、向き調整装置３６を作動させて、フリップチ
ップ２０が基板２２に関して正しい向きになるように、
向きを調整する。次に図８に示すように、ステージ３８
を移動して、超音波ホーン３０の位置を向き調整装置３
６の位置に合わせる。それから図９に示すように、超音
波ホーン３０を伸ばして、真空を使って向き調整装置３
６からフリップチップ２０を拾い上げる。負圧を供給す
るために超音波ホーン３０の中を軸方向に通っている１
個以上の穴によって、真空が供給される。ここに示した
ホーンは各種の寸法のフリップチップに使える。
【００１５】図１０では、超音波ホーン３０が引込ん
で、フリップチップ２０を運んでいる。図１１におい
て、ステージ３８が移動し、超音波ホーン３０とフリッ
プチップ２０とが、基板２２上に定められているボンデ
ィング位置４０と対向している。
【００１６】図１２では、光学装置３４のような位置合
せ用の装置を、フリップチップ２０と基板２２の間に移
動してきている。それから手動または自動装置により基
板２０に対するフリップチップ２０の位置合せを開始す
る。位置合せ用に光学装置を用いているが、分離プリズ
ムと赤外線技術のような他の位置合せ装置を用いてもよ
い。
【００１７】図１３は位置合せ装置３４を中立位置に移
動し、超音波ホーン３０を伸ばして、フリップチップ２
０を基板２２と接触させたところを示す。あらかじめ定
めた１〜５０ポンド（約４５３〜２２，６５０ｇ重）の
力と、６０，０００〜１００，０００Hzの範囲内の超音
波エネルギーを、約１０秒までのあらかじめ定めた期間
だけ、フリップチップ２０に加える。
【００１８】サイクルを終了するために、図１４に示す
ように、超音波ホーン３０を引込め、確実な拡散ボンデ
ィングにより基板２２と結合したフリップチップ２０を
置いていく。
【００１９】図１５と図１６は基板２２の上方に浮かせ
たフリップチップのＸ線写真である。各々の図におい
て、長方形の黒い領域は基板２２の背面である。位置が
合っている場合には（図１５）、各点は金の小球バンプ
がフリップチップ２０のアクティブ面上に位置している
ことを表わしている。金のバンプからボンディングパタ
ーンが伸びているが、これは基板２２の表面に配置され
た金めっき線、すなわちリードである。
【００２０】図１６では、金のバンプが基板２２上に定
められたボンディングパターンから外れている。位置合
せは位置合せ装置により可能である。開示したプロセス
と装置を用いれば、フリップチップ上に設けられたすべ
てのバンプが、基板２２上に定められたボンディング位
置に同時に拡散ボンディングされる。
【００２１】実際には、超音波ホーンを作動させると、
極めて小さい表面の汚れと酸化物が基板内のフリップチ
ップから追放されて、ボンディングに必要な原子レベル
でクリーンな表面ができる。好ましくは力をフリップチ
ップに加えるとき、ステージ内で加える。最初に、例え
ば５ポンド（約２，２６５ｇ重）の初期力を加え、続い
て２番目の力として２０〜５０ポンド（９０６〜２２，
６５０ｇ重）まで上げる。このような力はフリップチッ
プと基板との接触領域に隣接した金のバンプを塑性変形
させやすいので、等温的な超音波エネルギーを加えるこ
とにより、両者の接触が密になり、金属間の原子結合が
形成される。実際に、もし１フリップチップ当り３個の
バンプがあれば、１〜２ポンド（約４５３〜９０６ｇ
重）の力で十分である。もし２５０個のバンプであれ
ば、例えば２５〜３０ポンド（１１，３２５〜１３，５
９０ｇ重）の力を約１０〜２０秒まで加えれば十分であ
ろう。
【００２２】開示した装置の超音波プローブはいろんな
形式でつくることができる。好適な販売業者として例え
ばカリフォルニア州のザ・ユー・テクノロジー・オブミ
ルピタス（ｔｈｅ Ｕ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ
Ｍｉｌｐｉｔａｓ）社がある。開示したプローブは５０
ワットの発電機と一緒に使う。
【００２３】フリップチップアタッチメント装置の一例
はニュージャージ州のアールディー・オートメーション
・オブ・ピスキャッタウェイ（Ｒ Ｄ Ａｕｔｏｍａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｐｉｓｃａｔａｗａｙ）社により製造さ
れている（モデルＡＦＣ−１０１−ＡＰ）。機械の位置
合せ精度は±５ミリクロンより良い。スループットはプ
ロセスパラメータにより１時間当り３５０〜５００フリ
ップチップに達する。あるシステム（Ｍ−８フリップチ
ップボンダ）では、薄い光学プローブをフリップチップ
と基板との間に挿入して、両方のボンディング面を同時
に撮し出す。フリップチップと基板とを別々に見るため
に、２台のビデオカメラと反射鏡とを用いる。両方のビ
デオシステムの出力を１個のスクリーンに重ね合わせて
（図１５と図１６）、静止しているフリップチップに対
して基板を動かすことにより、位置合せを行う。フリッ
プチップがその最終位置に極めて接近したときに最終位
置合せを行って、その後はＸ，Ｙ方向、すなわちθ方向
には動かさない。この後動かす軸は垂直方向（Ｚ方向）
のみである。
【００２４】基板ホールダ２６はみかげ石でつくるのが
良い。開示した装置が熱もはんだを必要としないので速
いことは明白であろう。熱がいらないから、本装置とプ
ロセスは熱に敏感な基板フリップチップボンディング媒
体に対して使うことができるのであり、熱圧縮ボンディ
ングやはんだリフローに比べてフリップチップに与える
損傷も少い。接続数とは無関係にフリップチップ全体を
基板にボンディングすることができるので、スループッ
トが上がる。最後に、すべての力が垂直（Ｚ）方向に作
用するから、フリップチップと基板間に相対的な水平移
動がない。
【００２５】実際には、開示した装置の中に約１４イン
チ（約３５５．６mm）平方までの基板を収納することが
できる。フリップチップは０．０５インチ（約１．２７
mm）平方という小さいものを扱うことができる。開示し
たプロセスにより１インチ（約２５．４mm）平方のフリ
ップチップを用いるのも効果的であろう。
【００２６】開示した発明では、ピックアップツールは
またボンディングツールでもあるから、ボンディングの
精度が改良されるだけでなく、スループットも上がる。
このためツールを付けたり外したりして、フリップチッ
プをホーンにはめ込む必要がない。開示した装置は、フ
リップチップと基板とを高精度に位置合せして正確にボ
ンディングすることが必要な、高密度実装に応用できる
半自動システムである。
【００２７】本発明の超音波プローブに含まれるツール
チップは約１／４インチ（約６．３５mm）平方の大きさ
である。寸法の異なるフリップチップ用のツールに自動
的に替えることができよう。プローブは１００kgまでの
力を出すことができる。開示した基板はセラミック、エ
ポキシ積層板、またはフレキシブル回路でもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の主なプロセスステップのフローチャー
ト。
【図２】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図３】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図４】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図５】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図６】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図７】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図８】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図９】本発明によりフリップチップを基板にボンディ
ングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセスス
テップにおいて示したもの。
【図１０】本発明によりフリップチップを基板にボンデ
ィングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセス
ステップにおいて示したもの。
【図１１】本発明によりフリップチップを基板にボンデ
ィングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセス
ステップにおいて示したもの。
【図１２】本発明によりフリップチップを基板にボンデ
ィングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセス
ステップにおいて示したもの。
【図１３】本発明によりフリップチップを基板にボンデ
ィングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセス
ステップにおいて示したもの。
【図１４】本発明によりフリップチップを基板にボンデ
ィングする際に使う装置の構造の側面図を、各プロセス
ステップにおいて示したもの。
【図１５】フリップチップが基板と正確に位置合せされ
た場合の、基板のフリップチップのＸ線写真。
【図１６】フリップチップが基板と正確に位置合せされ
てない場合の、基板上のフリップチップのＸ線写真。
【符号の説明】
２０ フリップチップ ２２ 基板 ２４ テーブル ２６ ワークホルダ ２８ 真空ピックアップ ３０ 超音波ホーン ３２ 超音波ホーンの先端部 ３４ 光学装置 ３６ 向き調整装置 ３８ ステージ ４０ ボンディング領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベサニー ジョイ ウオールズ アメリカ合衆国ミシガン州オークランド カウンティ，バーミンガム，ピアース 1492

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アクティブ面に導電性バンプを有するフ
    リップチップを、そのアクティブ面を基板に向けて、基
    板の上方に配置するステップと、 バンプが基板上のボンディングパターンの位置に合うよ
    うにして、基板上にフリップチップを置くステップと、 平らな面を有する超音波ホーンを下げて、フリップチッ
    プの背面に接触させるステップと、 フリップチップと基板間の横方向の変位を最小にすべく
    基板に垂直な力が加わるようにして、超音波ホーンを介
    してフリップチップの背面に力を加えるステップと、 力を加えている間に超音波ホーンを作動させ、超音波エ
    ネルギーをフリップチップから基板へ等温的に伝達させ
    て、両者間に拡散ボンディングを起こさせるステップ
    と、を含むことを特徴とする、フリップチップの基板へ
    のボンディング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の方法において、超音波ホ
    ーンの作動ステップでは、６０，０００〜１００，００
    ０Hzの範囲の超音波エネルギーを供給することを特徴と
    する、ボンディング方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の方法において、更に、フ
    リップチップと基板とから極小の表面汚れと酸化物とを
    追放して、原子レベルで清浄なボンディング用表面をつ
    くるステップを含むことを特徴とする、ボンディング方
    法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の方法において、更に、フ
    リップチップと基板間の接触領域に隣接したバンプを塑
    性変形させ、フリップチップと基板間の接触を密にして
    金属間原子結合を形成させるステップを含むことを特徴
    とする、ボンディング方法。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の方法において、基板上に
    フリップチップを置くステップでは、超音波ホーンを下
    げて力を加えるステップの前に、フリップチップと基板
    との位置関係を見て、バンプが基板上のボンディングパ
    ターンと位置が合うようにして、フリップチップを基板
    上のボンディングパターンと位置合せすることを特徴と
    する、ボンディング方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の方法において、フリップ
    チップに力を加えるステップでは、約５０ポンド（約２
    ２，６５０ｇ重）の力を加えることを特徴とする、ボン
    ディング方法。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の方法において、フリップ
    チップに力を加えるステップでは、２０秒まで力を加え
    ることを特徴とする、ボンディング方法。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の方法において、導電性バ
    ンプは金で形成されていることを特徴とする、ボンディ
    ング方法。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の方法において、導電性バ
    ンプはインジウムで形成されていることを特徴とする、
    ボンディング方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の方法において、更に、
    フリップチップを基板の上方に配置するステップの前
    に、フリップチップをピックアップするステップを含む
    ことを特徴とする、ボンディング方法。
JP7107624A 1994-05-06 1995-05-01 フリップチップの基板へのボンディング方法 Pending JPH0845994A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US239106 1988-08-31
US08/239,106 US5427301A (en) 1994-05-06 1994-05-06 Ultrasonic flip chip process and apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0845994A true JPH0845994A (ja) 1996-02-16

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ID=22900644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7107624A Pending JPH0845994A (ja) 1994-05-06 1995-05-01 フリップチップの基板へのボンディング方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US5427301A (ja)
EP (1) EP0680803B1 (ja)
JP (1) JPH0845994A (ja)
DE (1) DE69511609T2 (ja)
ES (1) ES2135009T3 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7167344B2 (en) 2001-01-11 2007-01-23 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic head actuator having finely movable tracking device

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2915350B2 (ja) * 1996-07-05 1999-07-05 株式会社アルテクス 超音波振動接合チップ実装装置
US6071009A (en) 1997-10-03 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor wirebond machine leadframe thermal map system
US6045026A (en) 1998-02-23 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Utilize ultrasonic energy to reduce the initial contact forces in known-good-die or permanent contact systems
JP3176580B2 (ja) * 1998-04-09 2001-06-18 太陽誘電株式会社 電子部品の実装方法及び実装装置
SG75841A1 (en) 1998-05-02 2000-10-24 Eriston Invest Pte Ltd Flip chip assembly with via interconnection
US6406939B1 (en) 1998-05-02 2002-06-18 Charles W. C. Lin Flip chip assembly with via interconnection
US6168971B1 (en) * 1998-05-05 2001-01-02 Fujitsu Limited Method of assembling thin film jumper connectors to a substrate
JP3942738B2 (ja) * 1998-07-17 2007-07-11 松下電器産業株式会社 バンプ接合装置及び方法、並びに半導体部品製造装置
WO2000013229A1 (en) * 1998-09-01 2000-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump joining judging device and method, and semiconductor component production device and method
JP3347295B2 (ja) * 1998-09-09 2002-11-20 松下電器産業株式会社 部品実装ツールとそれによる部品実装方法および装置
US6138894A (en) * 1998-11-25 2000-10-31 Intermedics Inc. Method for coupling a circuit component to a substrate
EP1010492B1 (en) * 1998-12-10 2004-09-01 Ultex Corporation Ultrasonic vibration bonding method
TW444236B (en) 1998-12-17 2001-07-01 Charles Wen Chyang Lin Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill
SG82591A1 (en) 1998-12-17 2001-08-21 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with solder via
SG78324A1 (en) 1998-12-17 2001-02-20 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating
JP3290632B2 (ja) * 1999-01-06 2002-06-10 株式会社アルテクス 超音波振動接合装置
US7032802B2 (en) * 1999-02-25 2006-04-25 Reiber Steven F Bonding tool with resistance
US7389905B2 (en) 1999-02-25 2008-06-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool tip
US7124927B2 (en) * 1999-02-25 2006-10-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool and ball placement capillary
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
JP3428488B2 (ja) * 1999-04-12 2003-07-22 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP4338834B2 (ja) * 1999-08-06 2009-10-07 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 超音波振動を用いた半導体チップの実装方法
US6297562B1 (en) 1999-09-20 2001-10-02 Telefonaktieboalget Lm Ericsson (Publ) Semiconductive chip having a bond pad located on an active device
JP3587748B2 (ja) * 1999-10-18 2004-11-10 ソニーケミカル株式会社 多層フレキシブル配線板及び多層フレキシブル配線板製造方法
US6465879B1 (en) * 1999-10-19 2002-10-15 Citizen Watch Co., Ltd. Structure for mounting semiconductor device, method of mounting same, semiconductor device, and method of fabricating same
US6216937B1 (en) * 1999-12-22 2001-04-17 International Business Machines Corporation Process and apparatus to remove closely spaced chips on a multi-chip module
US6660626B1 (en) 2000-08-22 2003-12-09 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6403460B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly
US6562709B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6562657B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6436734B1 (en) 2000-08-22 2002-08-20 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6551861B1 (en) 2000-08-22 2003-04-22 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive
US6350633B1 (en) 2000-08-22 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6402970B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7414319B2 (en) 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
US6818543B2 (en) * 2001-08-01 2004-11-16 Lilogix, Inc. Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor
US6951655B2 (en) * 2001-10-11 2005-10-04 Imi Biomed, Inc. Pro-micelle pharmaceutical compositions
US6838316B2 (en) * 2002-03-06 2005-01-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method using ultrasonic flip chip bonding technique
AU2003300040A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-29 Massachusetts Institute Of Technology Multi-layer integrated semiconductor structure having an electrical shielding portion
US7064055B2 (en) * 2002-12-31 2006-06-20 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface
US7040012B2 (en) * 2003-03-07 2006-05-09 Intel Corporation Method of electrically and mechanically connecting electronic devices to one another
JP3921459B2 (ja) * 2003-07-11 2007-05-30 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 電気部品の実装方法及び実装装置
US20050095744A1 (en) * 2003-10-20 2005-05-05 Song-Hua Shi System to couple integrated circuit die to substrate
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
US20050109746A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 International Business Machines Corporation Method for fluxless soldering of workpieces
US20060003548A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Kobrinsky Mauro J Highly compliant plate for wafer bonding
US7458495B2 (en) 2004-10-13 2008-12-02 Asm Assembly Automation Ltd. Flip chip bonding tool
US7268421B1 (en) 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
CH697279B1 (de) * 2004-12-06 2008-07-31 Oerlikon Assembly Equipment Ag Verfahren für die Montage eines Halbleiterchips auf einem Substrat.
CN2810964Y (zh) * 2005-05-31 2006-08-30 刘映辉 自动超声波焊贴机
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays
JP4728782B2 (ja) * 2005-11-15 2011-07-20 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102006020418A1 (de) * 2006-04-26 2007-10-31 Herrmann Ultraschalltechnik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Bearbeiten von Werkstücken mittels Ultraschall
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
JP2008218528A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Fujitsu Ltd 電子部品の実装方法および製造装置
JP2007288220A (ja) * 2007-08-03 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品のボンディングツールおよび電子部品のボンディング装置
DE102007045418B4 (de) * 2007-09-21 2011-05-12 Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg Herstellungsverfahren für eine Anordnung zum Kühlen eines elektrischen Bauelements
US8505805B2 (en) * 2008-10-09 2013-08-13 Honeywell International Inc. Systems and methods for platinum ball bonding
US8611636B1 (en) 2009-01-05 2013-12-17 Cognex Corporation High speed method of aligning components having a plurality of non-uniformly spaced features
US8129220B2 (en) 2009-08-24 2012-03-06 Hong Kong Polytechnic University Method and system for bonding electrical devices using an electrically conductive adhesive
US7845543B1 (en) * 2009-11-17 2010-12-07 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus and method for bonding multiple dice
US8113411B2 (en) * 2010-03-30 2012-02-14 Flextronics Ap, Llc Universal radio frequency shield removal
US9451810B2 (en) 2011-11-18 2016-09-27 Nike, Inc. Automated identification of shoe parts
US9010827B2 (en) 2011-11-18 2015-04-21 Nike, Inc. Switchable plate manufacturing vacuum tool
US8960745B2 (en) 2011-11-18 2015-02-24 Nike, Inc Zoned activation manufacturing vacuum tool
US8755925B2 (en) 2011-11-18 2014-06-17 Nike, Inc. Automated identification and assembly of shoe parts
US8858744B2 (en) * 2011-11-18 2014-10-14 Nike, Inc. Multi-functional manufacturing tool
US8958901B2 (en) 2011-11-18 2015-02-17 Nike, Inc. Automated manufacturing of shoe parts
US8849620B2 (en) 2011-11-18 2014-09-30 Nike, Inc. Automated 3-D modeling of shoe parts
US8696043B2 (en) * 2011-11-18 2014-04-15 Nike, Inc. Hybrid pickup tool
US10552551B2 (en) 2011-11-18 2020-02-04 Nike, Inc. Generation of tool paths for shore assembly
JP5768677B2 (ja) * 2011-11-22 2015-08-26 株式会社デンソー バンプ接合構造体の製造方法
JP6218669B2 (ja) * 2014-05-13 2017-10-25 東洋自動機株式会社 エアバッグ付き袋への気体封入方法及び気体封入装置
DE102015106265A1 (de) * 2015-02-06 2016-08-11 Auto-Kabel Management Gmbh Ultraschallschweißvorrichtung sowie Verfahren zum Ultraschallschweißen
EP4681866A3 (en) * 2017-04-04 2026-04-29 Kulicke and Soffa Industries, Inc. Ultrasonic welding system and method of operating an ultrasonic welding system
CN109671651B (zh) * 2018-12-20 2019-11-05 广东工业大学 一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法
US11850676B2 (en) * 2020-06-03 2023-12-26 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Ultrasonic welding systems, methods of using the same, and related workpieces including welded conductive pins
WO2022222148A1 (zh) * 2021-04-23 2022-10-27 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法、装置、显示背板及显示器
JP7697893B2 (ja) * 2022-02-03 2025-06-24 トヨタ自動車株式会社 超音波接合方法及び超音波接合装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3403438A (en) * 1964-12-02 1968-10-01 Corning Glass Works Process for joining transistor chip to printed circuit
US3470611A (en) * 1967-04-11 1969-10-07 Corning Glass Works Semiconductor device assembly method
US3563443A (en) * 1969-03-19 1971-02-16 Hugle Ind Inc Pneumatic force-exerting system
US3750926A (en) * 1971-03-02 1973-08-07 Hitachi Ltd Vibration element for supersonic bonding
US3938722A (en) * 1973-04-30 1976-02-17 Mech-El Industries, Inc. Ultrasonic thermal compression beam lead, flip chip bonder
US3964664A (en) * 1974-03-13 1976-06-22 P. R. Mallory & Co., Inc. Beam leaded device welding machine
US3986255A (en) * 1974-11-29 1976-10-19 Itek Corporation Process for electrically interconnecting chips with substrates employing gold alloy bumps and magnetic materials therein
US4411721A (en) * 1982-02-25 1983-10-25 The Mead Corporation Apparatus and method for attaching fastener tapes
JPS63119552A (ja) * 1986-11-07 1988-05-24 Sharp Corp Ｌｓｉチツプ
US5591298A (en) * 1988-01-19 1997-01-07 Kimberly-Clark Corporation Machine for ultrasonic bonding
US4842662A (en) * 1988-06-01 1989-06-27 Hewlett-Packard Company Process for bonding integrated circuit components
US4848639A (en) * 1988-09-29 1989-07-18 Ag Communication Systems Corporation Compliant pad for use in tape automated bonding process
US4899921A (en) * 1988-10-28 1990-02-13 The American Optical Corporation Aligner bonder
US5250843A (en) * 1991-03-27 1993-10-05 Integrated System Assemblies Corp. Multichip integrated circuit modules
US5234369A (en) * 1991-07-31 1993-08-10 Hunter's Specialties, Inc. Animal call, and methods of and apparatus for making same
US5178605A (en) * 1991-09-23 1993-01-12 Alcon Surgical, Inc. Coaxial flow irrigating and aspirating ultrasonic handpiece
US5288007A (en) * 1991-10-04 1994-02-22 International Business Machine Corporation Apparatus and methods for making simultaneous electrical connections
US5347086A (en) * 1992-03-24 1994-09-13 Microelectronics And Computer Technology Corporation Coaxial die and substrate bumps
US5170929A (en) * 1992-05-29 1992-12-15 International Business Machines Corporation Ultrasonic adhesion/dehesion monitoring apparatus with acoustic transducer means
US5398863A (en) * 1993-07-23 1995-03-21 Tessera, Inc. Shaped lead structure and method
US5341979A (en) * 1993-09-03 1994-08-30 Motorola, Inc. Method of bonding a semiconductor substrate to a support substrate and structure therefore

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7167344B2 (en) 2001-01-11 2007-01-23 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic head actuator having finely movable tracking device

Also Published As

Publication number Publication date
US5655700A (en) 1997-08-12
EP0680803B1 (en) 1999-08-25
ES2135009T3 (es) 1999-10-16
EP0680803A3 (en) 1997-01-15
DE69511609T2 (de) 1999-12-09
EP0680803A2 (en) 1995-11-08
DE69511609D1 (de) 1999-09-30
US5669545A (en) 1997-09-23
US5427301A (en) 1995-06-27

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