JPH09181491A - 半導体装置の実装方法及び実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装方法及び実装構造Info
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- JPH09181491A JPH09181491A JP7339789A JP33978995A JPH09181491A JP H09181491 A JPH09181491 A JP H09181491A JP 7339789 A JP7339789 A JP 7339789A JP 33978995 A JP33978995 A JP 33978995A JP H09181491 A JPH09181491 A JP H09181491A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置と基板とを異方性導電膜を用いて
熱圧着で接合することにより、半導体装置のバンプと基
板の電極とを異方性導電膜の導電粒子を介して電気的に
接続する半導体装置の実装方法において、半導体装置の
実装のための作業工数を削減し、異方性導電膜の面積を
半導体装置の面積程度にすることを可能とし、半導体装
置の周囲を絶縁性樹脂で封止することも不要とする。 【解決手段】 第１工程で、半導体装置６０の所定の面
６１よりも若干大きな面積とされた異方性導電膜７０の
一方の面７４に半導体装置６０の所定の面６１側を熱圧
着して半導体装置６０の所定の面６１及び所定の面側の
周側面６５に異方性導電膜７０を接着し、第２工程で、
半導体装置６０に接着された異方性導電膜７０の他方の
面７５側を基板の部品実装面５１側に熱圧着する。
熱圧着で接合することにより、半導体装置のバンプと基
板の電極とを異方性導電膜の導電粒子を介して電気的に
接続する半導体装置の実装方法において、半導体装置の
実装のための作業工数を削減し、異方性導電膜の面積を
半導体装置の面積程度にすることを可能とし、半導体装
置の周囲を絶縁性樹脂で封止することも不要とする。 【解決手段】 第１工程で、半導体装置６０の所定の面
６１よりも若干大きな面積とされた異方性導電膜７０の
一方の面７４に半導体装置６０の所定の面６１側を熱圧
着して半導体装置６０の所定の面６１及び所定の面側の
周側面６５に異方性導電膜７０を接着し、第２工程で、
半導体装置６０に接着された異方性導電膜７０の他方の
面７５側を基板の部品実装面５１側に熱圧着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を異方性
導電膜を用いて基板に実装する半導体装置の実装方法及
び実装構造に関する。
導電膜を用いて基板に実装する半導体装置の実装方法及
び実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を基板に実装する方法の一つ
として、異方性導電膜を用いて行うフリップチップ実装
方法がある。この実装方法の従来技術を図８及び図９を
用いて説明する。
として、異方性導電膜を用いて行うフリップチップ実装
方法がある。この実装方法の従来技術を図８及び図９を
用いて説明する。
【０００３】半導体装置であるところのベアＩＣチップ
１０が実装される基板２０の部品実装面２１には複数の
配線パターン２２が導電材料にて形成されており、各配
線パターン２２の先端の表面には金メッキがなされて電
極２３が形成されている。また、各配線パターン２２に
は、電極２３の部分を除いてソルダーレジスト２４で覆
われている。
１０が実装される基板２０の部品実装面２１には複数の
配線パターン２２が導電材料にて形成されており、各配
線パターン２２の先端の表面には金メッキがなされて電
極２３が形成されている。また、各配線パターン２２に
は、電極２３の部分を除いてソルダーレジスト２４で覆
われている。
【０００４】ベアＩＣチップ１０は、所定の面１１にＡ
ｌ等の導電材料で形成された複数の電極１２が基板２０
の電極２３に対応させて配置され、各電極１２の表面に
は夫々バンプ１３が形成されている。バンプ１３はＡｕ
又はＳｎ−Ｐｂ合金等の金属材料で形成されている。
ｌ等の導電材料で形成された複数の電極１２が基板２０
の電極２３に対応させて配置され、各電極１２の表面に
は夫々バンプ１３が形成されている。バンプ１３はＡｕ
又はＳｎ−Ｐｂ合金等の金属材料で形成されている。
【０００５】ベアＩＣチップ１０の実装のために用いら
れる異方性導電膜３０は絶縁性樹脂３１に導電粒子３２
を混在させて形成されている。この異方性導電膜３０は
ベアＩＣチップ１０の所定の面１１の幅よりも大きな幅
を有するテープ状に形成され、一方の面が保護用テー
プ、他方の面が剥離テープで覆われた状態でリール（図
示せず）に巻回されている。
れる異方性導電膜３０は絶縁性樹脂３１に導電粒子３２
を混在させて形成されている。この異方性導電膜３０は
ベアＩＣチップ１０の所定の面１１の幅よりも大きな幅
を有するテープ状に形成され、一方の面が保護用テー
プ、他方の面が剥離テープで覆われた状態でリール（図
示せず）に巻回されている。
【０００６】ベアＩＣチップ１０の実装に際しては、ま
ず、リールに巻回された異方性導電膜３０から保護用テ
ープを剥がして異方性導電膜３０の一方の面を露出さ
せ、所望の長さに切断すると共に露出した一方の面側を
基板２０に向けて異方性導電膜３０を基板２０の部品実
装面２１に載置し、異方性導電膜３０を剥離テープ側か
ら加圧、加熱（８０度Ｃ、２秒程度）して異方性導電膜
３０の仮接着を行う。この場合に、異方性導電膜３０は
基板２０の配線パターン２２や電極２３を覆うようにし
てベアＩＣチップ１０実装箇所に接着されるが、基板２
０に対する異方性導電膜３０の位置ずれ等を考慮し、異
方性導電膜３０の面積はベアＩＣチップ１０の所定の面
１１の面積の２倍程度とされる。
ず、リールに巻回された異方性導電膜３０から保護用テ
ープを剥がして異方性導電膜３０の一方の面を露出さ
せ、所望の長さに切断すると共に露出した一方の面側を
基板２０に向けて異方性導電膜３０を基板２０の部品実
装面２１に載置し、異方性導電膜３０を剥離テープ側か
ら加圧、加熱（８０度Ｃ、２秒程度）して異方性導電膜
３０の仮接着を行う。この場合に、異方性導電膜３０は
基板２０の配線パターン２２や電極２３を覆うようにし
てベアＩＣチップ１０実装箇所に接着されるが、基板２
０に対する異方性導電膜３０の位置ずれ等を考慮し、異
方性導電膜３０の面積はベアＩＣチップ１０の所定の面
１１の面積の２倍程度とされる。
【０００７】次に、基板２０に接着された異方性導電膜
３０の剥離テープを剥がし、ベアＩＣチップ１０の所定
の面１１が異方性導電膜３０の他方の面に向くように設
定して異方性導電膜３０上にベアＩＣチップ１０を載置
し、異方性導電膜３０を加圧、加熱（１８０度Ｃ、２０
秒程度）してベアＩＣチップ１０の本接着を行う。これ
で、基板２０の部品実装面２１とベアＩＣチップ１０の
所定の面１１側とは異方性導電膜３０の絶縁性樹脂３１
を介して接合される。また、異方性導電膜３０の導電粒
子３２はバンプ１３により基板２０の電極２３に押圧さ
れるので基板２０とベアＩＣチップ１０とは電気的にも
接続される。
３０の剥離テープを剥がし、ベアＩＣチップ１０の所定
の面１１が異方性導電膜３０の他方の面に向くように設
定して異方性導電膜３０上にベアＩＣチップ１０を載置
し、異方性導電膜３０を加圧、加熱（１８０度Ｃ、２０
秒程度）してベアＩＣチップ１０の本接着を行う。これ
で、基板２０の部品実装面２１とベアＩＣチップ１０の
所定の面１１側とは異方性導電膜３０の絶縁性樹脂３１
を介して接合される。また、異方性導電膜３０の導電粒
子３２はバンプ１３により基板２０の電極２３に押圧さ
れるので基板２０とベアＩＣチップ１０とは電気的にも
接続される。
【０００８】次に、ベアＩＣチップ１０を保護するべ
く、ベアＩＣチップ１０の周囲を囲むようにして異方性
導電膜３０上に絶縁性樹脂４０が封止される。しかしな
がら、この従来の実装方法では、所望の長さに切断した
異方性導電膜３０を基板２０の部品実装面２１に載置し
て熱圧着による仮接着を行い、さらに、剥離テープを剥
がした後に、異方性導電膜３０上にベアＩＣチップ１０
を載置して熱圧着による本接着を行う必要があり、ま
た、異方性導電膜３０を基板２０に仮接着するための熱
圧着用の専用ツールとベアＩＣチップ１０を異方性導電
膜３０に本接着するための熱圧着用の専用ツールとの２
種類の専用ツールが必要であるので、ベアＩＣチップ１
０の実装のための作業工数は非常に多くなっていた。ま
た、ベアＩＣチップ１０の実装を自動機を用いて行おう
とすると大変大掛かりな装置が必要であった。
く、ベアＩＣチップ１０の周囲を囲むようにして異方性
導電膜３０上に絶縁性樹脂４０が封止される。しかしな
がら、この従来の実装方法では、所望の長さに切断した
異方性導電膜３０を基板２０の部品実装面２１に載置し
て熱圧着による仮接着を行い、さらに、剥離テープを剥
がした後に、異方性導電膜３０上にベアＩＣチップ１０
を載置して熱圧着による本接着を行う必要があり、ま
た、異方性導電膜３０を基板２０に仮接着するための熱
圧着用の専用ツールとベアＩＣチップ１０を異方性導電
膜３０に本接着するための熱圧着用の専用ツールとの２
種類の専用ツールが必要であるので、ベアＩＣチップ１
０の実装のための作業工数は非常に多くなっていた。ま
た、ベアＩＣチップ１０の実装を自動機を用いて行おう
とすると大変大掛かりな装置が必要であった。
【０００９】また、基板２０に対して熱圧着により接着
されている異方性導電膜３０に対してベアＩＣチップ１
０の熱圧着を行う構成であるので、ベアＩＣチップ１０
と異方性導電膜３０との接合が不十分であり、従って、
ベアＩＣチップ１０の周囲を囲むようにして異方性導電
膜３０上に絶縁性樹脂４０を封止せねばならないという
不都合もあった。
されている異方性導電膜３０に対してベアＩＣチップ１
０の熱圧着を行う構成であるので、ベアＩＣチップ１０
と異方性導電膜３０との接合が不十分であり、従って、
ベアＩＣチップ１０の周囲を囲むようにして異方性導電
膜３０上に絶縁性樹脂４０を封止せねばならないという
不都合もあった。
【００１０】さらにまた、異方性導電膜３０の面積はベ
アＩＣチップ１０の所定の面１１の面積の２倍程度の広
さを有し、又、異方性導電膜３０は絶縁性樹脂４０で覆
われているので、ベアＩＣチップ１０の周囲には他の電
子部品を実装することが困難であり、従って、基板の電
子部品実装効率が低下していた。
アＩＣチップ１０の所定の面１１の面積の２倍程度の広
さを有し、又、異方性導電膜３０は絶縁性樹脂４０で覆
われているので、ベアＩＣチップ１０の周囲には他の電
子部品を実装することが困難であり、従って、基板の電
子部品実装効率が低下していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のごとく、上記半
導体装置の実装方法では、半導体装置の実装のための作
業工数が非常に多くなり、半導体装置の実装を自動機を
用いて行おうとすると大変大掛かりな装置が必要であっ
た。
導体装置の実装方法では、半導体装置の実装のための作
業工数が非常に多くなり、半導体装置の実装を自動機を
用いて行おうとすると大変大掛かりな装置が必要であっ
た。
【００１２】また、半導体装置と異方性導電膜との接合
が不十分であり、従って、半導体装置の周囲を囲むよう
にして異方性導電膜上に絶縁性樹脂を封止せねばならな
いという不都合もあった。
が不十分であり、従って、半導体装置の周囲を囲むよう
にして異方性導電膜上に絶縁性樹脂を封止せねばならな
いという不都合もあった。
【００１３】また、異方性導電膜の面積は半導体装置の
面積より各段と広く、又、異方性導電膜は絶縁性樹脂で
覆われているので、半導体装置の周囲には他の電子部品
を実装することが困難であり、従って、基板の電子部品
実装効率が低下するという問題もあった。
面積より各段と広く、又、異方性導電膜は絶縁性樹脂で
覆われているので、半導体装置の周囲には他の電子部品
を実装することが困難であり、従って、基板の電子部品
実装効率が低下するという問題もあった。
【００１４】本発明はこのような従来の欠点を解決する
べくなされたものであり、半導体装置の実装のための作
業工数の削減を図れ、半導体装置の実装を自動機を用い
て容易に行え、また、異方性導電膜の面積を半導体装置
の面積程度にすることが可能であり、半導体装置の周囲
を絶縁性樹脂で覆う必要もない半導体装置の実装方法を
提供する事を目的とする。
べくなされたものであり、半導体装置の実装のための作
業工数の削減を図れ、半導体装置の実装を自動機を用い
て容易に行え、また、異方性導電膜の面積を半導体装置
の面積程度にすることが可能であり、半導体装置の周囲
を絶縁性樹脂で覆う必要もない半導体装置の実装方法を
提供する事を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
絶縁性樹脂に導電粒子が混在してなる異方性導電膜を介
在させた状態で半導体装置の所定の面を基板の部品実装
面に加熱下で圧着することにより、前記半導体装置の所
定の面と前記基板の部品実装面とを前記絶縁性樹脂で接
合すると共に前記半導体装置の所定の面に形成されたバ
ンプとこのバンプに対向する前記基板の部品実装面に形
成の電極とを前記導電粒子を介して電気的に接続する半
導体装置の実装方法において、第１工程で、前記半導体
装置の所定の面よりも若干大きな面積とされた異方性導
電膜の一方の面に前記半導体装置の所定の面側を熱圧着
して前記半導体装置の所定の面及び前記所定の面側の周
側面に前記異方性導電膜を接着し、第２工程で、前記半
導体装置に接着された前記異方性導電膜の他方の面側を
前記基板の部品実装面に熱圧着することを特徴とする。
絶縁性樹脂に導電粒子が混在してなる異方性導電膜を介
在させた状態で半導体装置の所定の面を基板の部品実装
面に加熱下で圧着することにより、前記半導体装置の所
定の面と前記基板の部品実装面とを前記絶縁性樹脂で接
合すると共に前記半導体装置の所定の面に形成されたバ
ンプとこのバンプに対向する前記基板の部品実装面に形
成の電極とを前記導電粒子を介して電気的に接続する半
導体装置の実装方法において、第１工程で、前記半導体
装置の所定の面よりも若干大きな面積とされた異方性導
電膜の一方の面に前記半導体装置の所定の面側を熱圧着
して前記半導体装置の所定の面及び前記所定の面側の周
側面に前記異方性導電膜を接着し、第２工程で、前記半
導体装置に接着された前記異方性導電膜の他方の面側を
前記基板の部品実装面に熱圧着することを特徴とする。
【００１６】請求項１に係る発明によれば、基板に熱圧
着されてない状態の柔軟性に富んだ異方性導電膜に半導
体装置が最初に熱圧着されるので、異方性導電膜を半導
体装置の所定の面及び所定の面側の周側面に確実に密着
させることができる。また、異方性導電膜自体を所定の
位置に位置決めして半導体装置を熱圧着できるので、半
導体装置を異方性導電膜の所定位置に正確に位置付ける
ことができる。また、第一工程で、半導体装置を異方性
導電膜に熱圧着し、第２工程で、異方性導電膜が接着さ
れた状態の半導体装置を基板に熱圧着すれば良いので、
作業工数が少なくなり、又、これらの作業を半導体装置
の専用ツールのみで行える。
着されてない状態の柔軟性に富んだ異方性導電膜に半導
体装置が最初に熱圧着されるので、異方性導電膜を半導
体装置の所定の面及び所定の面側の周側面に確実に密着
させることができる。また、異方性導電膜自体を所定の
位置に位置決めして半導体装置を熱圧着できるので、半
導体装置を異方性導電膜の所定位置に正確に位置付ける
ことができる。また、第一工程で、半導体装置を異方性
導電膜に熱圧着し、第２工程で、異方性導電膜が接着さ
れた状態の半導体装置を基板に熱圧着すれば良いので、
作業工数が少なくなり、又、これらの作業を半導体装置
の専用ツールのみで行える。
【００１７】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明において、前記異方性導電膜は前記半導体装置の所定
の面よりも若干大きな面積ごとに切り込みが形成されて
なる複数の領域を有し、この複数の領域のうちの１つの
領域部分が前記半導体装置の所定の面に接着されること
を特徴とする。
明において、前記異方性導電膜は前記半導体装置の所定
の面よりも若干大きな面積ごとに切り込みが形成されて
なる複数の領域を有し、この複数の領域のうちの１つの
領域部分が前記半導体装置の所定の面に接着されること
を特徴とする。
【００１８】従って、半導体装置の所定の面を異方性導
電膜の所望の領域内に位置付けて異方性導電膜に熱圧着
することにより、異方性導電膜の所望の領域部分を半導
体装置の所定の面及び所定の面側の周側面にに密着させ
ることができる。
電膜の所望の領域内に位置付けて異方性導電膜に熱圧着
することにより、異方性導電膜の所望の領域部分を半導
体装置の所定の面及び所定の面側の周側面にに密着させ
ることができる。
【００１９】請求項３に係る発明は、請求項２に係る発
明において、前記異方性導電膜は剥離シート上に形成さ
れていることを特徴とする。従って、半導体装置の所定
の面を異方性導電膜の所望の領域内に位置付けて異方性
導電膜に熱圧着した場合に、当該異方性導電膜の所望の
領域部分のみが剥離シートから剥離して半導体装置の所
定の面及び所定の面側の周側面にに密着する。
明において、前記異方性導電膜は剥離シート上に形成さ
れていることを特徴とする。従って、半導体装置の所定
の面を異方性導電膜の所望の領域内に位置付けて異方性
導電膜に熱圧着した場合に、当該異方性導電膜の所望の
領域部分のみが剥離シートから剥離して半導体装置の所
定の面及び所定の面側の周側面にに密着する。
【００２０】請求項４に係る半導体装置の実装構造は、
絶縁性樹脂に導電粒子が混在してなる異方性導電膜の一
方の面に半導体装置の所定の面及びこの所定の面側の周
側面が接着され、前記異方性導電膜の他方の面側が基板
の部品実装面に接着されていることを特徴とする。
絶縁性樹脂に導電粒子が混在してなる異方性導電膜の一
方の面に半導体装置の所定の面及びこの所定の面側の周
側面が接着され、前記異方性導電膜の他方の面側が基板
の部品実装面に接着されていることを特徴とする。
【００２１】請求項４に係る発明によれば、半導体装置
の所定の面及びこの所定の面側の周側面に異方性導電膜
が接着されているので、半導体装置の周囲を絶縁性樹脂
で覆う必要はない。
の所定の面及びこの所定の面側の周側面に異方性導電膜
が接着されているので、半導体装置の周囲を絶縁性樹脂
で覆う必要はない。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
乃至図７を参照して詳述する。ここに、図１は半導体装
置に接着された状態の異方性導電膜を基板に熱圧着する
状態を示す図、図２は半導体装置を異方性導電膜に熱圧
着する状態を示す図、図３は異方性導電膜が接着された
状態の半導体装置を示す図、図４は異方性導電膜を介し
て接着された半導体装置及び基板を示す図、図５は切り
込みの形成された異方性導電膜の平面図、図６は図５の
異方性導電膜の側面図、図７は半導体装置の実装工程図
である。
乃至図７を参照して詳述する。ここに、図１は半導体装
置に接着された状態の異方性導電膜を基板に熱圧着する
状態を示す図、図２は半導体装置を異方性導電膜に熱圧
着する状態を示す図、図３は異方性導電膜が接着された
状態の半導体装置を示す図、図４は異方性導電膜を介し
て接着された半導体装置及び基板を示す図、図５は切り
込みの形成された異方性導電膜の平面図、図６は図５の
異方性導電膜の側面図、図７は半導体装置の実装工程図
である。
【００２３】本発明の実施の形態に係る基板５０はガラ
スエポキシ樹脂等にて形成され、図１に示すように、半
導体装置であるところのベアＩＣチップ６０が実装され
る部品実装面５１には複数の配線パターン５２が導電材
料にて形成されている。また、各配線パターン５２の先
端の表面には金メッキがなされて電極５３が形成され、
かつ、各配線パターン５２は、電極５３の部分を除いて
ソルダーレジスト５４で覆われている。
スエポキシ樹脂等にて形成され、図１に示すように、半
導体装置であるところのベアＩＣチップ６０が実装され
る部品実装面５１には複数の配線パターン５２が導電材
料にて形成されている。また、各配線パターン５２の先
端の表面には金メッキがなされて電極５３が形成され、
かつ、各配線パターン５２は、電極５３の部分を除いて
ソルダーレジスト５４で覆われている。
【００２４】ベアＩＣチップ６０は、所定の面６１にＡ
ｌ等の導電材料で形成された複数の電極６２が基板５０
の電極５３に対応させて配置され、各電極６２の表面に
は夫々バンプ６３が形成されている。バンプ６３はＡｕ
又はＳｎ−Ｐｂ合金等の金属材料で形成されている。
ｌ等の導電材料で形成された複数の電極６２が基板５０
の電極５３に対応させて配置され、各電極６２の表面に
は夫々バンプ６３が形成されている。バンプ６３はＡｕ
又はＳｎ−Ｐｂ合金等の金属材料で形成されている。
【００２５】ベアＩＣチップ６０の実装のために用いら
れる異方性導電膜７０は、絶縁性樹脂７１に導電粒子７
２を混在させて形成されている。この異方性導電膜７０
は、図５及び図６に示す用に、面積の広いシート形状を
しており、剥離シート７３に貼付されている。また、こ
の異方性導電膜７０には上面（一方の面）７４から下面
（他方の面）７５に至るように切り込み７６が形成さ
れ、切り込み７６で囲まれた異方性導電膜７０の部分７
０１はベアＩＣチップ６０の所定の面６１と同様の形状
とされ、その面積は所定の面６１の面積よりも若干大き
く（本実施の形態では、１．０５倍程度）されている。
れる異方性導電膜７０は、絶縁性樹脂７１に導電粒子７
２を混在させて形成されている。この異方性導電膜７０
は、図５及び図６に示す用に、面積の広いシート形状を
しており、剥離シート７３に貼付されている。また、こ
の異方性導電膜７０には上面（一方の面）７４から下面
（他方の面）７５に至るように切り込み７６が形成さ
れ、切り込み７６で囲まれた異方性導電膜７０の部分７
０１はベアＩＣチップ６０の所定の面６１と同様の形状
とされ、その面積は所定の面６１の面積よりも若干大き
く（本実施の形態では、１．０５倍程度）されている。
【００２６】次に、ベアＩＣチップ６０の実装工程を図
７を参照しながら説明する。第１工程においては、バン
プ６３が形成されているベアＩＣチップ６０の所定の面
６１側に異方性導電膜７０を転写する。この工程では、
図２に示すように、ベアＩＣチップ６０の上面６４側を
ベアＩＣチップ６０に対応する形状とされた専用のヒー
タチップ８１で吸着すると共にベアＩＣチップ６０を加
熱し、所定の位置に位置付けられた異方性導電膜７０の
うちの転写をする部分７０１上にベアＩＣチップ６０を
保持したヒータチップ８１を位置付ける。そして、この
ヒータチップ８１を下降させベアＩＣチップ６０の所定
の面６１側を異方性導電膜７０の一方の面７４に押しつ
けて異方性導電膜７０を加圧、加熱（８０度Ｃ、２秒程
度）し、ベアＩＣチップ６０に異方性導電膜７０の部分
７０１を転写する。
７を参照しながら説明する。第１工程においては、バン
プ６３が形成されているベアＩＣチップ６０の所定の面
６１側に異方性導電膜７０を転写する。この工程では、
図２に示すように、ベアＩＣチップ６０の上面６４側を
ベアＩＣチップ６０に対応する形状とされた専用のヒー
タチップ８１で吸着すると共にベアＩＣチップ６０を加
熱し、所定の位置に位置付けられた異方性導電膜７０の
うちの転写をする部分７０１上にベアＩＣチップ６０を
保持したヒータチップ８１を位置付ける。そして、この
ヒータチップ８１を下降させベアＩＣチップ６０の所定
の面６１側を異方性導電膜７０の一方の面７４に押しつ
けて異方性導電膜７０を加圧、加熱（８０度Ｃ、２秒程
度）し、ベアＩＣチップ６０に異方性導電膜７０の部分
７０１を転写する。
【００２７】この場合に、異方性導電膜７０の部分７０
１の面積はベアＩＣチップ６０の所定の面６１の面積よ
りもわずかに大きくされているにすぎないが、異方性導
電膜７０は所定の位置に正確に位置付けられているの
で、異方性導電膜７０の部分７０１からベアＩＣチップ
６０がはみ出すことはない。また、基板５０に熱圧着さ
れてない状態の柔軟性に富んだ異方性導電膜７０にベア
ＩＣチップ６０が最初に熱圧着されるので、図３に示す
ように、異方性導電膜７０はベアＩＣチップ６０の所定
の面６１及び所定の面６１側の周側面６５に確実に密着
する。尚、ヒータチップ８１を上昇させることにより、
異方性導電膜７０のうちのベアＩＣチップ６０に接着し
た部分７０１は剥離シート７３から剥離する。
１の面積はベアＩＣチップ６０の所定の面６１の面積よ
りもわずかに大きくされているにすぎないが、異方性導
電膜７０は所定の位置に正確に位置付けられているの
で、異方性導電膜７０の部分７０１からベアＩＣチップ
６０がはみ出すことはない。また、基板５０に熱圧着さ
れてない状態の柔軟性に富んだ異方性導電膜７０にベア
ＩＣチップ６０が最初に熱圧着されるので、図３に示す
ように、異方性導電膜７０はベアＩＣチップ６０の所定
の面６１及び所定の面６１側の周側面６５に確実に密着
する。尚、ヒータチップ８１を上昇させることにより、
異方性導電膜７０のうちのベアＩＣチップ６０に接着し
た部分７０１は剥離シート７３から剥離する。
【００２８】第２工程においては、ベアＩＣチップ６０
に接着している異方性導電膜７０の他方の面７５を基板
５０に接着する。この工程においては、図１に示すよう
に、基板５０はヒータステージ８２上にセットされ加熱
される。そして、ベアＩＣチップ６０を保持したヒータ
チップ８１を基板５０上の所定位置に位置付け、このヒ
ータチップ８１を下降させ、ベアＩＣチップ６０に接着
されている異方性導電膜７０の他方の面７５を基板５０
に押しつけて異方性導電膜７０を加圧、加熱（１８０度
Ｃ、２０秒程度）する。
に接着している異方性導電膜７０の他方の面７５を基板
５０に接着する。この工程においては、図１に示すよう
に、基板５０はヒータステージ８２上にセットされ加熱
される。そして、ベアＩＣチップ６０を保持したヒータ
チップ８１を基板５０上の所定位置に位置付け、このヒ
ータチップ８１を下降させ、ベアＩＣチップ６０に接着
されている異方性導電膜７０の他方の面７５を基板５０
に押しつけて異方性導電膜７０を加圧、加熱（１８０度
Ｃ、２０秒程度）する。
【００２９】これで、図４に示すように、基板５０の部
品実装面５１側とベアＩＣチップ６０の所定の面６１側
とは異方性導電膜７０の絶縁性樹脂７１を介して接合さ
れる。また、異方性導電膜７０の導電粒子７２はバンプ
６３により基板５０の電極５３に押圧されるので基板５
０とベアＩＣチップ６０とは電気的にも接続される。こ
の場合に、前述したように、異方性導電膜７０はベアＩ
Ｃチップ６０の所定の面６１及び所定の面６１側の周側
面６５に確実に密着している。従って、ベアＩＣチップ
６０の周囲を絶縁性樹脂で封止する必要はない。また、
本実施の形態に係る実装方法では、剥離シート７３上の
異方性導電膜７０の部分７０１にベアＩＣチップ６０を
熱圧着し、異方性導電膜７０が接着されたベアＩＣチッ
プ６０を基板５０に熱圧着するという単純、かつ、少な
い作業工数でベアＩＣチップ６０を基板５０に実装でき
るので、この作業工程の自動化を容易に行える。
品実装面５１側とベアＩＣチップ６０の所定の面６１側
とは異方性導電膜７０の絶縁性樹脂７１を介して接合さ
れる。また、異方性導電膜７０の導電粒子７２はバンプ
６３により基板５０の電極５３に押圧されるので基板５
０とベアＩＣチップ６０とは電気的にも接続される。こ
の場合に、前述したように、異方性導電膜７０はベアＩ
Ｃチップ６０の所定の面６１及び所定の面６１側の周側
面６５に確実に密着している。従って、ベアＩＣチップ
６０の周囲を絶縁性樹脂で封止する必要はない。また、
本実施の形態に係る実装方法では、剥離シート７３上の
異方性導電膜７０の部分７０１にベアＩＣチップ６０を
熱圧着し、異方性導電膜７０が接着されたベアＩＣチッ
プ６０を基板５０に熱圧着するという単純、かつ、少な
い作業工数でベアＩＣチップ６０を基板５０に実装でき
るので、この作業工程の自動化を容易に行える。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る半
導体装置の実装方法によれば、第１工程で、半導体装置
を異方性導電膜に熱圧着し、第２工程で、異方性導電膜
が接着された状態の半導体装置を基板に熱圧着するだけ
で良く、又、これらの作業を半導体装置の専用ツールの
みで行えるので、半導体装置実装の作業工数の削減を図
れ、又、半導体装置の実装を自動機を用いて容易に行え
る。また、半導体装置を異方性導電膜に正確に位置づけ
られるで、異方性導電膜の面積を半導体装置の面積程度
にまで小さくすることが可能であり、従って、半導体装
置を実装したことによって基板の電子部品実装効率が低
下することもない。また、異方性導電膜は半導体装置の
所定の面及び所定の面側の周側面に確実に密着するの
で、半導体装置の周囲を別の絶縁性樹脂で覆う必要もな
い。
導体装置の実装方法によれば、第１工程で、半導体装置
を異方性導電膜に熱圧着し、第２工程で、異方性導電膜
が接着された状態の半導体装置を基板に熱圧着するだけ
で良く、又、これらの作業を半導体装置の専用ツールの
みで行えるので、半導体装置実装の作業工数の削減を図
れ、又、半導体装置の実装を自動機を用いて容易に行え
る。また、半導体装置を異方性導電膜に正確に位置づけ
られるで、異方性導電膜の面積を半導体装置の面積程度
にまで小さくすることが可能であり、従って、半導体装
置を実装したことによって基板の電子部品実装効率が低
下することもない。また、異方性導電膜は半導体装置の
所定の面及び所定の面側の周側面に確実に密着するの
で、半導体装置の周囲を別の絶縁性樹脂で覆う必要もな
い。
【００３１】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
係る発明において、異方性導電膜は半導体装置の所定の
面よりも若干大きな面積ごとに切り込みが形成されてな
る複数の領域を有しており、半導体装置の所定の面を異
方性導電膜の所望の領域内に位置付けて異方性導電膜に
熱圧着するだけで、異方性導電膜の所望の領域部分を半
導体装置の所定の面及び所定の面側の周側面にに密着さ
せることができるので、第１工程の作業性は向上する。
係る発明において、異方性導電膜は半導体装置の所定の
面よりも若干大きな面積ごとに切り込みが形成されてな
る複数の領域を有しており、半導体装置の所定の面を異
方性導電膜の所望の領域内に位置付けて異方性導電膜に
熱圧着するだけで、異方性導電膜の所望の領域部分を半
導体装置の所定の面及び所定の面側の周側面にに密着さ
せることができるので、第１工程の作業性は向上する。
【００３２】また、請求項３に係る発明は、請求項２に
係る発明において、異方性導電膜は剥離シート上に形成
されており、半導体装置の所定の面を異方性導電膜の所
望の領域内に位置付けて異方性導電膜に熱圧着すると、
当該異方性導電膜の所望の領域部分のみが剥離シートか
ら剥離して半導体装置の所定の面及び所定の面側の周側
面にに密着するので、第１工程の作業性はさらに向上す
る。
係る発明において、異方性導電膜は剥離シート上に形成
されており、半導体装置の所定の面を異方性導電膜の所
望の領域内に位置付けて異方性導電膜に熱圧着すると、
当該異方性導電膜の所望の領域部分のみが剥離シートか
ら剥離して半導体装置の所定の面及び所定の面側の周側
面にに密着するので、第１工程の作業性はさらに向上す
る。
【００３３】請求項４に係る発明によれば、半導体装置
の所定の面及びこの所定の面側の周側面に異方性導電膜
が接着されているので、半導体装置の周囲を絶縁性樹脂
で覆う必要はない。
の所定の面及びこの所定の面側の周側面に異方性導電膜
が接着されているので、半導体装置の周囲を絶縁性樹脂
で覆う必要はない。
【図１】本発明の実施の形態に係る図であり、半導体装
置に接着された状態の異方性導電膜を基板に熱圧着する
状態を示す図。
置に接着された状態の異方性導電膜を基板に熱圧着する
状態を示す図。
【図２】本発明の実施の形態に係る図であり、半導体装
置を異方性導電膜に熱圧着する状態を示す図。
置を異方性導電膜に熱圧着する状態を示す図。
【図３】本発明の実施の形態に係る図であり、異方性導
電膜が接着された状態の半導体装置を示す図。
電膜が接着された状態の半導体装置を示す図。
【図４】本発明の実施の形態に係る図であり、異方性導
電膜を介して接着された半導体装置及び基板を示す図。
電膜を介して接着された半導体装置及び基板を示す図。
【図５】本発明の実施の形態に係る図であり、切り込み
の形成された異方性導電膜の平面図。
の形成された異方性導電膜の平面図。
【図６】図５の異方性導電膜の側面図。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の実装工
程図。
程図。
【図８】異方性導電膜を介して接着された半導体装置及
び基板の従来例を示す図。
び基板の従来例を示す図。
【図９】従来の半導体装置の実装工程図。
５０ 基板 ５１ 部品実装面 ５３ 電極 ６０ 半導体装置（ベアＩＣチップ） ６１ 所定の面 ６３ バンプ ６５ 周側面 ７０ 異方性導電膜 ７１ 絶縁性樹脂 ７２ 導電粒子
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性樹脂に導電粒子が混在してなる異
方性導電膜を介在させた状態で半導体装置の所定の面を
基板の部品実装面に加熱下で圧着することにより、前記
半導体装置の所定の面と前記基板の部品実装面とを前記
絶縁性樹脂で接合すると共に前記半導体装置の所定の面
に形成されたバンプとこのバンプに対向する前記基板の
部品実装面に形成の電極とを前記導電粒子を介して電気
的に接続する半導体装置の実装方法において、第１工程
で、前記半導体装置の所定の面よりも若干大きな面積と
された異方性導電膜の一方の面に前記半導体装置の所定
の面側を熱圧着して前記半導体装置の所定の面及び前記
所定の面側の周側面に前記異方性導電膜を接着し、第２
工程で、前記半導体装置に接着された前記異方性導電膜
の他方の面側を前記基板の部品実装面に熱圧着すること
を特徴とする半導体装置の実装方法。 - 【請求項２】 前記異方性導電膜は前記半導体装置の所
定の面よりも若干大きな面積ごとに切り込みが形成され
てなる複数の領域を有し、この複数の領域のうちの１つ
の領域部分が前記半導体装置の所定の面に接着されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方
法。 - 【請求項３】 前記異方性導電膜は剥離シート上に形成
されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装
置の実装方法。 - 【請求項４】 絶縁性樹脂に導電粒子が混在してなる異
方性導電膜の一方の面に半導体装置の所定の面及びこの
所定の面側の周側面が接着され、前記異方性導電膜の他
方の面側が基板の部品実装面に接着されていることを特
徴とする半導体装置の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339789A JPH09181491A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 半導体装置の実装方法及び実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339789A JPH09181491A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 半導体装置の実装方法及び実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181491A true JPH09181491A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18330826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7339789A Pending JPH09181491A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 半導体装置の実装方法及び実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181491A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503836A (ja) * | 1998-02-17 | 2002-02-05 | サーノフ コーポレイション | 広い面積のディスプレイ構造のシール |
| US7354803B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing substrate conjugate, substrate conjugate, method for manufacturing electro-optical apparatus, and electro optical apparatus |
| JP2009208285A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| US7592970B2 (en) | 1998-02-17 | 2009-09-22 | Dennis Lee Matthies | Tiled electronic display structure |
| WO2018008066A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社鈴木 | 転写方法および実装方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7339789A patent/JPH09181491A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503836A (ja) * | 1998-02-17 | 2002-02-05 | サーノフ コーポレイション | 広い面積のディスプレイ構造のシール |
| US7592970B2 (en) | 1998-02-17 | 2009-09-22 | Dennis Lee Matthies | Tiled electronic display structure |
| JP2009288810A (ja) * | 1998-02-17 | 2009-12-10 | Transpacific Infinity Llc | 広い面積のディスプレイ構造のシール |
| US7354803B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing substrate conjugate, substrate conjugate, method for manufacturing electro-optical apparatus, and electro optical apparatus |
| JP2009208285A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| WO2018008066A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社鈴木 | 転写方法および実装方法 |
| KR20190024869A (ko) * | 2016-07-04 | 2019-03-08 | 가부시키가이샤 스즈키 | 전사 방법 및 실장 방법 |
| JPWO2018008066A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2019-04-18 | 株式会社鈴木 | 転写方法および実装方法 |
| TWI710294B (zh) * | 2016-07-04 | 2020-11-11 | 日商鈴木股份有限公司 | 安裝方法 |
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