JPH0846111A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH0846111A JPH0846111A JP6175809A JP17580994A JPH0846111A JP H0846111 A JPH0846111 A JP H0846111A JP 6175809 A JP6175809 A JP 6175809A JP 17580994 A JP17580994 A JP 17580994A JP H0846111 A JPH0846111 A JP H0846111A
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- die pad
- lead
- resin
- metal coating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、コーティングする材料や手法を特
定することにより、モールド樹脂との密接性を向上し、
リフロー実装時および実用時においてもクラック等の問
題を起こさない信頼性のある樹脂封止半導体装置を得る
ためのリードフレームを提供する。 【構成】 本発明はリードで囲まれたダイパッド３の表
面および裏面に１〜２０μｍの金属被膜１４を有してい
ることを特徴とするリードフレーム１およびその製造方
法である。
定することにより、モールド樹脂との密接性を向上し、
リフロー実装時および実用時においてもクラック等の問
題を起こさない信頼性のある樹脂封止半導体装置を得る
ためのリードフレームを提供する。 【構成】 本発明はリードで囲まれたダイパッド３の表
面および裏面に１〜２０μｍの金属被膜１４を有してい
ることを特徴とするリードフレーム１およびその製造方
法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを搭載し
半導体装置の中枢部分として使用されるリードフレーム
の内、モールド時樹脂との剥離や、リフロー時における
樹脂クラックが発生しない実装性に優れたリードフレー
ム及びその製造方法に関するものである。
半導体装置の中枢部分として使用されるリードフレーム
の内、モールド時樹脂との剥離や、リフロー時における
樹脂クラックが発生しない実装性に優れたリードフレー
ム及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にリードフレームは、４２Ｎｉ合金
やＡｌ，Ｃｕ等の導電材料よりなる薄い金属を、プレス
法或いはエッチィング法で、中央部に半導体チップを搭
載するためのダイパッドを有し、その周囲に所定数のリ
ードが配置される形状に成形加工して制作され、樹脂封
止半導体装置の枢要な部分として使用される。
やＡｌ，Ｃｕ等の導電材料よりなる薄い金属を、プレス
法或いはエッチィング法で、中央部に半導体チップを搭
載するためのダイパッドを有し、その周囲に所定数のリ
ードが配置される形状に成形加工して制作され、樹脂封
止半導体装置の枢要な部分として使用される。
【０００３】樹脂封止半導体装置は、図４にその一例を
断面で示すように、リードフレーム１の中央部にあるダ
イパッド３に、Ａｇペーストなどの接合材４で半導体チ
ップ２とダイボンディングした後、該チップ上の電極パ
ッド５とリードフレーム１のインナーリード１ａとをＡ
ｕ細線などのボンディングワイヤ６で接合して形成され
た構成体を、パッケージ内に挿入し樹脂封止７されて作
製される。この様にして作製された半導体装置は、半田
８を付着したリードフレーム１の先端（アウターリー
ド）１ｂを、半田付けして強固に回路基盤９に固定する
ために熱照射や加熱して半田を融解する、所謂リフロー
処理に付される。
断面で示すように、リードフレーム１の中央部にあるダ
イパッド３に、Ａｇペーストなどの接合材４で半導体チ
ップ２とダイボンディングした後、該チップ上の電極パ
ッド５とリードフレーム１のインナーリード１ａとをＡ
ｕ細線などのボンディングワイヤ６で接合して形成され
た構成体を、パッケージ内に挿入し樹脂封止７されて作
製される。この様にして作製された半導体装置は、半田
８を付着したリードフレーム１の先端（アウターリー
ド）１ｂを、半田付けして強固に回路基盤９に固定する
ために熱照射や加熱して半田を融解する、所謂リフロー
処理に付される。
【０００４】一般に半導体装置の封止樹脂は吸湿性を有
するため経時的に水分を吸収する傾向がある。また構成
部品に付着している水分もある。この様な含有水分は主
に樹脂との界面を破壊し、その隙間に溜まった水分はリ
フロー加熱によって急激な気化を起こして膨脹し、樹脂
破壊１０を生じさせる。一方、潜在的に常温時において
は、樹脂と構成部品、特にダイパッド間でそれぞれの膨
脹差に起因する歪みが発生してその界面にせん断剥離が
起きることが分かっており、リフロー加熱時にこの剥離
した間隙部分に発生する水蒸気が剥離を助長する。特に
応力集中が起きやすいダイッパッドの端分では剥離が大
きく、蒸気圧の作用と相俟って図に示すようなクラック
１０が発生する。このため半導体装置の封止性能を落と
し信頼性を損なうことになる。
するため経時的に水分を吸収する傾向がある。また構成
部品に付着している水分もある。この様な含有水分は主
に樹脂との界面を破壊し、その隙間に溜まった水分はリ
フロー加熱によって急激な気化を起こして膨脹し、樹脂
破壊１０を生じさせる。一方、潜在的に常温時において
は、樹脂と構成部品、特にダイパッド間でそれぞれの膨
脹差に起因する歪みが発生してその界面にせん断剥離が
起きることが分かっており、リフロー加熱時にこの剥離
した間隙部分に発生する水蒸気が剥離を助長する。特に
応力集中が起きやすいダイッパッドの端分では剥離が大
きく、蒸気圧の作用と相俟って図に示すようなクラック
１０が発生する。このため半導体装置の封止性能を落と
し信頼性を損なうことになる。
【０００５】そのため半導体装置の出荷に際して防湿の
ための特別梱包を行ったり、基盤実装時間を短時間にす
ることを要請したり、更には基盤実装前に吸湿品の空焼
きを実施するなどの対策がとられるが、これらの方法に
は極めて手間が掛かると共に需要先での対応が必要とな
り好ましくない。
ための特別梱包を行ったり、基盤実装時間を短時間にす
ることを要請したり、更には基盤実装前に吸湿品の空焼
きを実施するなどの対策がとられるが、これらの方法に
は極めて手間が掛かると共に需要先での対応が必要とな
り好ましくない。
【０００６】一方、封止樹脂とダイパッドとの剥離を防
止するために、例えば特開昭５８−１９９５４８号公報
には、図５に断面で示すようにダイパッド（タブ）３の
裏面を凸凹形状１１に形成することを提示している。ま
た、特開昭５５−４９８３号公報には、図６に平面で示
すようなダイパッド（アイランド）３に部分的な切り抜
き部１２を設けることを開示しており、さらに、特開昭
６０−９７６４５号公報では、図７に断面で示すように
ダイパッド（タブ）３の裏面に封止樹脂と近似した熱膨
脹係数を有する熱硬化性或いは熱可塑性の有機樹脂（ポ
リイミド系）１３を取り付けた半導体装置を提案してい
る。
止するために、例えば特開昭５８−１９９５４８号公報
には、図５に断面で示すようにダイパッド（タブ）３の
裏面を凸凹形状１１に形成することを提示している。ま
た、特開昭５５−４９８３号公報には、図６に平面で示
すようなダイパッド（アイランド）３に部分的な切り抜
き部１２を設けることを開示しており、さらに、特開昭
６０−９７６４５号公報では、図７に断面で示すように
ダイパッド（タブ）３の裏面に封止樹脂と近似した熱膨
脹係数を有する熱硬化性或いは熱可塑性の有機樹脂（ポ
リイミド系）１３を取り付けた半導体装置を提案してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の方法
は、ダイパッドを機械的に加工してその表面積を拡大し
たり、引っかかりを付けることにより封止樹脂との接触
面を大きくしてせん断剥離やクッラックの発生を抑制し
ようとするものであるが、ダイパッド自体の封止樹脂と
の接合強度の改善は完全なものになっていなく、吸湿す
ると接着が破壊し、水の溜まりができてリフロー時に急
膨脹を起こして封止樹脂が破壊する。また、ポリイミド
系の有機樹脂を使用する場合には、該樹脂自体にも吸湿
性を有しているので問題が残る。
は、ダイパッドを機械的に加工してその表面積を拡大し
たり、引っかかりを付けることにより封止樹脂との接触
面を大きくしてせん断剥離やクッラックの発生を抑制し
ようとするものであるが、ダイパッド自体の封止樹脂と
の接合強度の改善は完全なものになっていなく、吸湿す
ると接着が破壊し、水の溜まりができてリフロー時に急
膨脹を起こして封止樹脂が破壊する。また、ポリイミド
系の有機樹脂を使用する場合には、該樹脂自体にも吸湿
性を有しているので問題が残る。
【０００８】本発明は上記したような従来の問題点を解
消するものであって、リードフレーム封止樹脂との接着
強度を大きくし、リフロー実装時および実用時において
もクラック等の問題を起こさない信頼性のある樹脂封止
半導体装置を得るための、リードフレームの製造方法を
提供することを目的とするものである。
消するものであって、リードフレーム封止樹脂との接着
強度を大きくし、リフロー実装時および実用時において
もクラック等の問題を起こさない信頼性のある樹脂封止
半導体装置を得るための、リードフレームの製造方法を
提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成を要旨とする。すなわち、 （１）中央部にダイパッドを有するリードからなるリー
ドフレームにおいて、ダイパッドおよびリードの一面は
弾性率が１×１０11〜３×１０11Ｐａで厚さ０．１μｍ
〜３０μｍの金属被膜を有し、当該金属被膜と対向する
側のダイパッドの一部または全部及びインナーリードの
先端部には、厚さ約５μｍのＡｇメッキが施されている
ことを特徴とするリードフレーム。 （２）一面に金属被膜を有する面と対向する側のダイパ
ッドおよびリードの表面において、Ａｇメッキが施され
ているダイパッドの一部または全部及びインナーリード
の先端部を除く部分は弾性率が１×１０11〜３×１０11
Ｐａで、厚さ０．１μｍ〜３０μｍの金属被膜を有する
ことを特徴とする前記（１）記載のリードフレーム。
に本発明は以下の構成を要旨とする。すなわち、 （１）中央部にダイパッドを有するリードからなるリー
ドフレームにおいて、ダイパッドおよびリードの一面は
弾性率が１×１０11〜３×１０11Ｐａで厚さ０．１μｍ
〜３０μｍの金属被膜を有し、当該金属被膜と対向する
側のダイパッドの一部または全部及びインナーリードの
先端部には、厚さ約５μｍのＡｇメッキが施されている
ことを特徴とするリードフレーム。 （２）一面に金属被膜を有する面と対向する側のダイパ
ッドおよびリードの表面において、Ａｇメッキが施され
ているダイパッドの一部または全部及びインナーリード
の先端部を除く部分は弾性率が１×１０11〜３×１０11
Ｐａで、厚さ０．１μｍ〜３０μｍの金属被膜を有する
ことを特徴とする前記（１）記載のリードフレーム。
【００１０】（３）製品厚さに加工した帯状リードフレ
ーム素材の少なくとも一面に金属被膜をドライコーティ
ングし、この素材をプレス法或いはエッチィング法でリ
ードフレーム形状に成形加工することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。 （４）製品厚さに加工した帯状リードフレーム素材の両
面に金属被膜をドライコーティングし、該素材表面部に
おける所定部位の金属被膜を除去した後、エッチィング
法でリードフレーム形状に成形加工することを特徴とす
るリードフレームの製造方法である。
ーム素材の少なくとも一面に金属被膜をドライコーティ
ングし、この素材をプレス法或いはエッチィング法でリ
ードフレーム形状に成形加工することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。 （４）製品厚さに加工した帯状リードフレーム素材の両
面に金属被膜をドライコーティングし、該素材表面部に
おける所定部位の金属被膜を除去した後、エッチィング
法でリードフレーム形状に成形加工することを特徴とす
るリードフレームの製造方法である。
【００１１】
【作用】本発明は、半導体装置の構成体の一つであるリ
ードフレームの表面に金属被膜を施して改質するもので
ある。すなわち、このリードフレームを用いた樹脂封止
半導体装置では、以下の機構によって接着強度の大きい
界面を形成することができる。
ードフレームの表面に金属被膜を施して改質するもので
ある。すなわち、このリードフレームを用いた樹脂封止
半導体装置では、以下の機構によって接着強度の大きい
界面を形成することができる。
【００１２】被覆した金属被膜の表面上に形成される
自然酸化被膜、すなわちＭ−ＯあるいはＭ−ＯＨ（Ｍ＝
金属）が、基板／樹脂密着性を改善する中間層として有
効である。すなわち樹脂の構成分子である−Ｃ−Ｏなど
の結合様式と、被覆した金属被膜の表面被膜の表面上に
形成される自然酸化被膜であるＭ−Ｏ，Ｍ−ＯＨなどの
結合様式が類似のものであるために、優れた接着強度を
実現できる。
自然酸化被膜、すなわちＭ−ＯあるいはＭ−ＯＨ（Ｍ＝
金属）が、基板／樹脂密着性を改善する中間層として有
効である。すなわち樹脂の構成分子である−Ｃ−Ｏなど
の結合様式と、被覆した金属被膜の表面被膜の表面上に
形成される自然酸化被膜であるＭ−Ｏ，Ｍ−ＯＨなどの
結合様式が類似のものであるために、優れた接着強度を
実現できる。
【００１３】リフロー時に樹脂／基板界面に発生する
せん断歪みを被覆した、金属被膜が緩和することがで
き、したがって樹脂と基板との真の界面歪みを低減させ
ることができる。このようにして歪みの低減によりリフ
ロークラックを制御することが可能となる。また、この
ときの金属被膜による緩和とは、リードフレーム基剤
（４２Ｎｉ合金など）と樹脂の中間の弾性率を有する金
属被膜による弾性的な歪み緩和あるいは金属被膜の組成
変化による歪み緩和を意味する。以上のように塑性変化
が容易な金属被膜は硬度は高いが変形態に劣るセラミッ
ク被膜よりも歪み緩和の点で有利である。
せん断歪みを被覆した、金属被膜が緩和することがで
き、したがって樹脂と基板との真の界面歪みを低減させ
ることができる。このようにして歪みの低減によりリフ
ロークラックを制御することが可能となる。また、この
ときの金属被膜による緩和とは、リードフレーム基剤
（４２Ｎｉ合金など）と樹脂の中間の弾性率を有する金
属被膜による弾性的な歪み緩和あるいは金属被膜の組成
変化による歪み緩和を意味する。以上のように塑性変化
が容易な金属被膜は硬度は高いが変形態に劣るセラミッ
ク被膜よりも歪み緩和の点で有利である。
【００１４】以下に本発明を詳細に説明する。図１は本
発明リードフレームの製造方法を含めた樹脂封止半導体
装置の製造工程を示すものである。工程（Ａ）は、帯状
素材を、その一面に金属材料をドライコーティングした
後、従来一般に用いられているプレス法で打ち抜き加工
し、リードフレームを成形する。素材は前記したような
従来使用されている金属であり、リードフレームとして
の製品厚みに加工された帯状体である。
発明リードフレームの製造方法を含めた樹脂封止半導体
装置の製造工程を示すものである。工程（Ａ）は、帯状
素材を、その一面に金属材料をドライコーティングした
後、従来一般に用いられているプレス法で打ち抜き加工
し、リードフレームを成形する。素材は前記したような
従来使用されている金属であり、リードフレームとして
の製品厚みに加工された帯状体である。
【００１５】本発明における薄膜被覆を形成する金属は
ＮｉもしくはＮｉ合金、ＣｏもしくはＣｏ合金、Ｃｒも
しくはＣｒ合金等で、弾性率が１×１０11〜３×１０11
Ｐａの金属であり、これらを溶射、ＰＶＤ法、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等の一
般に用いられてるドライコーティング法により一層或い
は複数層に被覆する。膜厚は１００オングストロームか
ら３０μｍの範囲とすれば十分である。金属として上記
のものを用いるのは耐食性、耐熱性に優れ、かつ封止樹
脂との密着性が極めて有効だからである。
ＮｉもしくはＮｉ合金、ＣｏもしくはＣｏ合金、Ｃｒも
しくはＣｒ合金等で、弾性率が１×１０11〜３×１０11
Ｐａの金属であり、これらを溶射、ＰＶＤ法、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等の一
般に用いられてるドライコーティング法により一層或い
は複数層に被覆する。膜厚は１００オングストロームか
ら３０μｍの範囲とすれば十分である。金属として上記
のものを用いるのは耐食性、耐熱性に優れ、かつ封止樹
脂との密着性が極めて有効だからである。
【００１６】金属被膜の弾性率を１×１０11〜３×１０
11Ｐａに限定したのは、１×１０11Ｐａを下回るとリー
ドフレーム基材の弾性率に近づき金属被膜による歪み緩
和の効果が十分に得られなくなるためであり、また３×
１０11Ｐａを超えると樹脂の弾性率に近づき、同様に金
属被膜による歪み緩和の効果が十分に得られなくなるた
めである。
11Ｐａに限定したのは、１×１０11Ｐａを下回るとリー
ドフレーム基材の弾性率に近づき金属被膜による歪み緩
和の効果が十分に得られなくなるためであり、また３×
１０11Ｐａを超えると樹脂の弾性率に近づき、同様に金
属被膜による歪み緩和の効果が十分に得られなくなるた
めである。
【００１７】この様な金属をコーティングした素材は前
述のようなプレス加工により、所定の形状に打ち抜かれ
る。図２（ａ）は成形加工されたリードフレーム１の断
面図を示すものであり、リードおよびダイパッド３の１
面（下面）には金属被膜１４がコーティングしてある。
述のようなプレス加工により、所定の形状に打ち抜かれ
る。図２（ａ）は成形加工されたリードフレーム１の断
面図を示すものであり、リードおよびダイパッド３の１
面（下面）には金属被膜１４がコーティングしてある。
【００１８】このリードフレーム１はインナーリード１
先端部、およびダイパッド３に約５μｍのＡｇメッキを
施し、電極パッド５および半導体チップの接合部４を形
成する。その後ダイパッドに半導体チップを搭載しダイ
ボンディングしてから所定の工程でワイヤボンディング
し、モールド金型に導入してエポキシ系樹脂でモールド
する。モールド後アウターリード１ｂに付着している金
属被膜１４をエッチィングで除去し、更にこのアウター
リード１ｂに半田メッキ８し、切断成形後基盤回路９に
接続する。図３はこの様にして製造した半導体装置の断
面を示している。
先端部、およびダイパッド３に約５μｍのＡｇメッキを
施し、電極パッド５および半導体チップの接合部４を形
成する。その後ダイパッドに半導体チップを搭載しダイ
ボンディングしてから所定の工程でワイヤボンディング
し、モールド金型に導入してエポキシ系樹脂でモールド
する。モールド後アウターリード１ｂに付着している金
属被膜１４をエッチィングで除去し、更にこのアウター
リード１ｂに半田メッキ８し、切断成形後基盤回路９に
接続する。図３はこの様にして製造した半導体装置の断
面を示している。
【００１９】工程（Ｂ）は、帯状リードフレーム素材の
両面に金属被膜をドライコーティングをし、この帯状素
材におけるリードフレームのインナーリード電極部、お
よびダイパッドの半導体チップダイボンディング部に相
当する部分の金属被膜を前述のエッチィング除去し、そ
の後この素材を前述のような一般に用いられているプレ
ス法で加工し、リードフレームを成形する。インナーリ
ードの電極部、およびダイパッドの半導体チップダイボ
ンディング部を除いた部分をマスキングして、前記電極
部、およびダイボンディング部にＡｇメッキした後は、
前記（Ａ）工程と同等の工程で処理される。図２の
（ｂ），（ｃ）は上記工程で加工処理したリードフレー
ム１を示し、上面の電極５、およびダイボンディング部
４以外の両面に金属被膜を被覆している。
両面に金属被膜をドライコーティングをし、この帯状素
材におけるリードフレームのインナーリード電極部、お
よびダイパッドの半導体チップダイボンディング部に相
当する部分の金属被膜を前述のエッチィング除去し、そ
の後この素材を前述のような一般に用いられているプレ
ス法で加工し、リードフレームを成形する。インナーリ
ードの電極部、およびダイパッドの半導体チップダイボ
ンディング部を除いた部分をマスキングして、前記電極
部、およびダイボンディング部にＡｇメッキした後は、
前記（Ａ）工程と同等の工程で処理される。図２の
（ｂ），（ｃ）は上記工程で加工処理したリードフレー
ム１を示し、上面の電極５、およびダイボンディング部
４以外の両面に金属被膜を被覆している。
【００２０】尚、リードフレーム、ダイパッドには、金
属被覆する前の工程で予めこれらの表面をダル加工して
おくことが望ましい。すなわち表面を粗面にすることに
より、封止樹脂との接着性あるいは金属被膜の接合力を
向上させることができる。この粗面形成は、例えば必要
部分をエッチィング等の手段で行うことも可能である。
またその際の粗度は１０μｍ程度で十分である。
属被覆する前の工程で予めこれらの表面をダル加工して
おくことが望ましい。すなわち表面を粗面にすることに
より、封止樹脂との接着性あるいは金属被膜の接合力を
向上させることができる。この粗面形成は、例えば必要
部分をエッチィング等の手段で行うことも可能である。
またその際の粗度は１０μｍ程度で十分である。
【００２１】
【実施例】本発明によるリードフレームを用いて、樹脂
封止した半導体装置を、温度３０℃、湿度９５％に保持
した雰囲気に各種時間放置し、その後回路基板への半田
付けと同条件である２３０〜２６０℃×５〜１５秒加熱
を行った。本実施例でのリードフレーム素材は真空蒸
着、イオンプレーティングならびにスパッタリングによ
り各種金属の薄膜を１０ｎｍから１μｍの膜厚で被覆し
た。比較のためにコーティング無しのものを同様に処理
した。被覆金属Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＣｏのうちＣｒを表
１に示す条件でコーティングを施し、加熱後の樹脂のク
ラック発生状況を調査した結果を表２に示した。試験は
加熱後の放置時間に対するクラックの発生資料数を調べ
る事で行われ、分母が資料数、分子がその内のクラック
発生資料数を示している。表２から判るように金属被膜
を被覆したサンプルではリフロークラックは全く発生し
なかった。
封止した半導体装置を、温度３０℃、湿度９５％に保持
した雰囲気に各種時間放置し、その後回路基板への半田
付けと同条件である２３０〜２６０℃×５〜１５秒加熱
を行った。本実施例でのリードフレーム素材は真空蒸
着、イオンプレーティングならびにスパッタリングによ
り各種金属の薄膜を１０ｎｍから１μｍの膜厚で被覆し
た。比較のためにコーティング無しのものを同様に処理
した。被覆金属Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＣｏのうちＣｒを表
１に示す条件でコーティングを施し、加熱後の樹脂のク
ラック発生状況を調査した結果を表２に示した。試験は
加熱後の放置時間に対するクラックの発生資料数を調べ
る事で行われ、分母が資料数、分子がその内のクラック
発生資料数を示している。表２から判るように金属被膜
を被覆したサンプルではリフロークラックは全く発生し
なかった。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一面ある
いは両面にドライコーティングによる金属を被覆したリ
ードフレームを製造し、これを樹脂封止半導体装置に使
用することにより、封止樹脂との接着が非常に強固にな
され、水分を吸収しても接着が剥離したり破壊が起こら
ず、そのため水分が界面に溜まることがないので従来問
題になっていたリフロー実装時の水分の急激な膨脹によ
るクラックの発生も起きない。また接着剥離も起きない
のでダイパッドコーナーでの応力集中も無く、極めて信
頼性の高い半導体装置を提供できる。尚、ドライコーテ
ィングも従来の方式を応用でき、安価な製造が可能であ
る。
いは両面にドライコーティングによる金属を被覆したリ
ードフレームを製造し、これを樹脂封止半導体装置に使
用することにより、封止樹脂との接着が非常に強固にな
され、水分を吸収しても接着が剥離したり破壊が起こら
ず、そのため水分が界面に溜まることがないので従来問
題になっていたリフロー実装時の水分の急激な膨脹によ
るクラックの発生も起きない。また接着剥離も起きない
のでダイパッドコーナーでの応力集中も無く、極めて信
頼性の高い半導体装置を提供できる。尚、ドライコーテ
ィングも従来の方式を応用でき、安価な製造が可能であ
る。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明リードフレームの製造
方法を含めた樹脂封止半導体装置の製造工程を示す図。
方法を含めた樹脂封止半導体装置の製造工程を示す図。
【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明リードフレー
ムの断面図。
ムの断面図。
【図３】本発明のリードフレームを使用した半導体装置
の断面図。
の断面図。
【図４】従来の半導体装置の実施様態を示す断面説明
図。
図。
【図５】従来のダイパッドの形態図。
【図６】従来のダイパッドの形態図。
【図７】従来のダイパッドの形態図。
１ ：リードフレーム １ａ：インナーリード １ｂ：アウターリード １ｃ：リード ２ ：半導体チップ ３ ：ダイパッド ４ ：ダイボンディング部（Ａｇメッキ） ５ ：電極パッド（Ａｇメッキ） ６ ：ボンディングワイヤ ７ ：樹脂封止 ８ ：半田 ９ ：回路基板 １０：クラック １１：凹凸形状 １２：切り抜き部 １３：有機樹脂 １４：ドライコーティング被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 操 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新日 本製鐵株式会社先端技術研究所内 (72)発明者 久保 祐治 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新日 本製鐵株式会社先端技術研究所内 (72)発明者 百合岡 信孝 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 宮本 靖史 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新日 本製鐵株式会社先端技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 中央部にダイパッドを有するリードから
なるリードフレームにおいて、ダイパッドおよびリード
の一面は弾性率が１×１０11〜３×１０11Ｐａで、厚さ
０．１μｍ〜３０μｍの金属被膜を有し、当該金属被膜
と対向する側のダイパッドの一部または全部及びインナ
ーリードの先端部には、厚さ約５μｍのＡｇメッキが施
されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 一面に金属被膜を有する面と対向する側
のダイパッド及びリードの表面において、Ａｇメッキが
施されているダイパッドの一部または全部及びインナー
リードの先端部を除く部分は弾性率が１×１０11〜３×
１０11Ｐａで、厚さ０．１μｍ〜３０μｍの金属被膜を
有することを特徴とする請求項１記載のリードフレー
ム。 - 【請求項３】 製品厚さに加工した帯状リードフレーム
素材の少なくとも一面に金属被膜をドライコーティング
し、この素材をプレス法及びエッチィング法でリードフ
レーム形状に成形加工することを特徴とするリードフレ
ームの製造方法。 - 【請求項４】 製品厚さに加工した帯状リードフレーム
素材の両面に金属被膜をドライコーティングし、該素材
の表面部における所定部位の金属被膜を除去した後、エ
ッチィング法でリードフレーム形状に成形加工すること
を特徴とするリードフレーム製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6175809A JPH0846111A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6175809A JPH0846111A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846111A true JPH0846111A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16002616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6175809A Withdrawn JPH0846111A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846111A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455348B1 (en) * | 1998-03-12 | 2002-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame, resin-molded semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2013016603A (ja) * | 2011-07-03 | 2013-01-24 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2023077092A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | プライムアースＥｖエナジー株式会社 | 二次電池用電極、及び二次電池用電極の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP6175809A patent/JPH0846111A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455348B1 (en) * | 1998-03-12 | 2002-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame, resin-molded semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2013016603A (ja) * | 2011-07-03 | 2013-01-24 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2023077092A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | プライムアースＥｖエナジー株式会社 | 二次電池用電極、及び二次電池用電極の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |