JPH0846115A - 金属被膜形成装置 - Google Patents
金属被膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0846115A JPH0846115A JP6181432A JP18143294A JPH0846115A JP H0846115 A JPH0846115 A JP H0846115A JP 6181432 A JP6181432 A JP 6181432A JP 18143294 A JP18143294 A JP 18143294A JP H0846115 A JPH0846115 A JP H0846115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin
- metal film
- mask
- film forming
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3468—Application of molten solder, e.g. dip soldering
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リード間のピッチが狭くてもリード間に溶融金
属の短絡ブリッジを形成することなくピン型リードの表
面に金属被膜を形成することのできる金属被膜形成装置
を提供することを目的とする。 【構成】Ｓｎ−Ｐｂ系合金４が収容された溶融金属槽３
の上方にマスク７を設け、このマスク７に半導体パッケ
ージのピン型リードが挿通可能な貫通孔を設けたことを
特徴とする。
属の短絡ブリッジを形成することなくピン型リードの表
面に金属被膜を形成することのできる金属被膜形成装置
を提供することを目的とする。 【構成】Ｓｎ−Ｐｂ系合金４が収容された溶融金属槽３
の上方にマスク７を設け、このマスク７に半導体パッケ
ージのピン型リードが挿通可能な貫通孔を設けたことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ピン型リードを有す
る半導体パッケージの製造工程において用いられる金属
被膜形成装置に関するものである。
る半導体パッケージの製造工程において用いられる金属
被膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ピン型アウタリードを有する半導体パッ
ケージとして、セラミックパッケージと称されるものが
知られている。このセラミックパッケージは、セラミッ
クからなる回路基板に半導体チップを搭載したものであ
り、このようなセラミックパッケージのピン型アウタリ
ードは、電気的抵抗を考慮して金（Ａｕ）で製作されて
いることが多い。
ケージとして、セラミックパッケージと称されるものが
知られている。このセラミックパッケージは、セラミッ
クからなる回路基板に半導体チップを搭載したものであ
り、このようなセラミックパッケージのピン型アウタリ
ードは、電気的抵抗を考慮して金（Ａｕ）で製作されて
いることが多い。
【０００３】従って、セラミックパッケージをプリント
基板にハンダ付けする場合には、あらかじめピン型アウ
タリードの表面にＳｎ−Ｐｂ系合金（ハンダ）の金属被
膜を形成しておく必要があり、従来では図４に示すよう
な金属被膜形成装置を用いてセラミックパッケージのピ
ン型アウタリードにＳｎ−Ｐｂ系合金の金属被膜を形成
している。
基板にハンダ付けする場合には、あらかじめピン型アウ
タリードの表面にＳｎ−Ｐｂ系合金（ハンダ）の金属被
膜を形成しておく必要があり、従来では図４に示すよう
な金属被膜形成装置を用いてセラミックパッケージのピ
ン型アウタリードにＳｎ−Ｐｂ系合金の金属被膜を形成
している。
【０００４】図４において、１は図示しない昇降機構に
より上下方向に昇降する水平アームであり、この水平ア
ーム１の先端には、セラミックパッケージ等の半導体パ
ッケージを保持する保持手段２が設けられている。ま
た、３は前記保持手段２の下方に設けられた溶融金属槽
であり、この溶融金属槽３には、Ｓｎ−Ｐｂ系合金（ハ
ンダ）４が溶融した状態で収容されている。
より上下方向に昇降する水平アームであり、この水平ア
ーム１の先端には、セラミックパッケージ等の半導体パ
ッケージを保持する保持手段２が設けられている。ま
た、３は前記保持手段２の下方に設けられた溶融金属槽
であり、この溶融金属槽３には、Ｓｎ−Ｐｂ系合金（ハ
ンダ）４が溶融した状態で収容されている。
【０００５】このような金属被膜形成装置を用いてセラ
ミックパッケージのピン型アウタリードに金属被膜を形
成する場合は、図５に示すように、水平アーム１の先端
に設けられた保持手段２によりセラミックパッケージ４
を保持した後、図示しない昇降機構を駆動して水平アー
ム１を下降させ、溶融金属槽３に収容されたＳｎ−Ｐｂ
系合金４にセラミックパッケージ５のピン型アウタリー
ド６を浸漬する。そして、所定時間経過した後、図示し
ない昇降機構を駆動して水平アーム１を上昇させ、ピン
型アウタリード６を溶融金属槽３から引き上げると、ピ
ン型アウタリード６に付着したＳｎ−Ｐｂ系合金４が固
化し、ピン型アウタリード６の表面にＳｎ−Ｐｂ系合金
４の金属被膜が形成される。
ミックパッケージのピン型アウタリードに金属被膜を形
成する場合は、図５に示すように、水平アーム１の先端
に設けられた保持手段２によりセラミックパッケージ４
を保持した後、図示しない昇降機構を駆動して水平アー
ム１を下降させ、溶融金属槽３に収容されたＳｎ−Ｐｂ
系合金４にセラミックパッケージ５のピン型アウタリー
ド６を浸漬する。そして、所定時間経過した後、図示し
ない昇降機構を駆動して水平アーム１を上昇させ、ピン
型アウタリード６を溶融金属槽３から引き上げると、ピ
ン型アウタリード６に付着したＳｎ−Ｐｂ系合金４が固
化し、ピン型アウタリード６の表面にＳｎ−Ｐｂ系合金
４の金属被膜が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の半導
体パッケージは、ピン型アウタリードの数が増加する傾
向にあり、リード数の増加に伴ってリード間のピッチも
例えば１．０ｍｍ〜１．５ｍｍと狭くなっている。この
ようにピッチの狭いピン型アウタリードに金属被膜を形
成する場合、上述した金属被膜形成装置ではピン型アウ
タリード６を溶融金属槽３から引き上げたときに、図６
に示すように、ピン型アウタリード６の間にＳｎ−Ｐｂ
系合金４が付着し、リード間を短絡させる短絡ブリッジ
が形成されるという難点があった。
体パッケージは、ピン型アウタリードの数が増加する傾
向にあり、リード数の増加に伴ってリード間のピッチも
例えば１．０ｍｍ〜１．５ｍｍと狭くなっている。この
ようにピッチの狭いピン型アウタリードに金属被膜を形
成する場合、上述した金属被膜形成装置ではピン型アウ
タリード６を溶融金属槽３から引き上げたときに、図６
に示すように、ピン型アウタリード６の間にＳｎ−Ｐｂ
系合金４が付着し、リード間を短絡させる短絡ブリッジ
が形成されるという難点があった。
【０００７】この発明は上述した問題点に鑑みてなされ
たもので、その目的はリード間のピッチが狭くてもリー
ド間に溶融金属の短絡ブリッジを形成することなくピン
型リードの表面に金属被膜を形成することのできる金属
被膜形成装置を提供しようとするものである。
たもので、その目的はリード間のピッチが狭くてもリー
ド間に溶融金属の短絡ブリッジを形成することなくピン
型リードの表面に金属被膜を形成することのできる金属
被膜形成装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、この発明は、溶融金属槽と対向する位置にマス
クを設け、このマスクに半導体パッケージのピン型リー
ドが挿通可能な貫通孔を設けたことを特徴とするもので
ある。
ために、この発明は、溶融金属槽と対向する位置にマス
クを設け、このマスクに半導体パッケージのピン型リー
ドが挿通可能な貫通孔を設けたことを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【作用】半導体パッケージのピン型リードをマスクに穿
設された貫通孔を挿通して溶融金属に浸漬すると、ピン
型リードを溶融金属から引き上げたときにリード間に付
着した溶融金属がマスクによって除去される。
設された貫通孔を挿通して溶融金属に浸漬すると、ピン
型リードを溶融金属から引き上げたときにリード間に付
着した溶融金属がマスクによって除去される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１ないし図３
を参照して説明する。なお、図４に示したものと同一部
分には同一の符合を付し、その部分の説明は省略する。
図１に示すように、この発明の一実施例に係る金属被膜
形成装置は、溶融金属槽３の上方にプレート状のマスク
７を有している。このマスク７はステンレス鋼からな
り、図２に示すように多数の貫通孔８を有している。こ
れらの貫通孔８は半導体パッケージのピン型アウタリー
ド６に対応して設けられており、ピン型アウタリード６
が挿通可能な内径を有している。
を参照して説明する。なお、図４に示したものと同一部
分には同一の符合を付し、その部分の説明は省略する。
図１に示すように、この発明の一実施例に係る金属被膜
形成装置は、溶融金属槽３の上方にプレート状のマスク
７を有している。このマスク７はステンレス鋼からな
り、図２に示すように多数の貫通孔８を有している。こ
れらの貫通孔８は半導体パッケージのピン型アウタリー
ド６に対応して設けられており、ピン型アウタリード６
が挿通可能な内径を有している。
【００１１】なお、マスク７は図示しない昇降機構によ
り上下方向に昇降する保持アーム９に保持されている。
このような金属被膜形成装置を用いてセラミックパッケ
ージのピン型アウタリードに金属被膜を形成する場合
は、図３の（ａ）に示すように、まず水平アーム１の先
端に設けられた保持手段２によりセラミックパッケージ
４を保持する。次に、図３の（ｂ）（ｃ）に示すよう
に、図示しない昇降機構を駆動して水平アーム１を下降
させ、マスク７に穿設された貫通孔８を通してセラミッ
クパッケージ５のピン型アウタリード６を溶融金属槽３
に収容されたＳｎ−Ｐｂ系合金４に浸漬する。そして、
所定時間経過した後、水平アーム１を上昇させ、セラミ
ックパッケージ５のピン型アウタリード６を溶融金属槽
３に収容されたＳｎ−Ｐｂ系合金４から引き上げる。こ
のとき、ピン型アウタリード６は、図３の（ｄ）に示す
ように、マスク７に穿設された貫通孔８を通って引き上
げられる。
り上下方向に昇降する保持アーム９に保持されている。
このような金属被膜形成装置を用いてセラミックパッケ
ージのピン型アウタリードに金属被膜を形成する場合
は、図３の（ａ）に示すように、まず水平アーム１の先
端に設けられた保持手段２によりセラミックパッケージ
４を保持する。次に、図３の（ｂ）（ｃ）に示すよう
に、図示しない昇降機構を駆動して水平アーム１を下降
させ、マスク７に穿設された貫通孔８を通してセラミッ
クパッケージ５のピン型アウタリード６を溶融金属槽３
に収容されたＳｎ−Ｐｂ系合金４に浸漬する。そして、
所定時間経過した後、水平アーム１を上昇させ、セラミ
ックパッケージ５のピン型アウタリード６を溶融金属槽
３に収容されたＳｎ−Ｐｂ系合金４から引き上げる。こ
のとき、ピン型アウタリード６は、図３の（ｄ）に示す
ように、マスク７に穿設された貫通孔８を通って引き上
げられる。
【００１２】従って、この発明の一実施例に係る金属被
膜形成装置では、ピン型アウタリード６をＳｎ−Ｐｂ系
合金４から引き上げたときにピン型アウタリード６の間
にＳｎ−Ｐｂ系合金４が付着していたとしても、マスク
７に穿設された貫通孔８を通してピン型アウタリード６
を引き上げることによりピン型アウタリード６の間に付
着したＳｎ−Ｐｂ系合金４がマスク７によって除去され
るので、リード間のピッチが狭くてもリード間にＳｎ−
Ｐｂ系合金４の短絡ブリッジを形成することなくピン型
アウタリード６の表面に金属被膜を形成することができ
る。
膜形成装置では、ピン型アウタリード６をＳｎ−Ｐｂ系
合金４から引き上げたときにピン型アウタリード６の間
にＳｎ−Ｐｂ系合金４が付着していたとしても、マスク
７に穿設された貫通孔８を通してピン型アウタリード６
を引き上げることによりピン型アウタリード６の間に付
着したＳｎ−Ｐｂ系合金４がマスク７によって除去され
るので、リード間のピッチが狭くてもリード間にＳｎ−
Ｐｂ系合金４の短絡ブリッジを形成することなくピン型
アウタリード６の表面に金属被膜を形成することができ
る。
【００１３】また、この発明の一実施例に係る金属被膜
形成装置では、マスク７はステンレス鋼で形成されてい
るので、マスク７の下面をＳｎ−Ｐｂ系合金４に浸して
もマスク７の下面にＳｎ−Ｐｂ系合金４が付着し難いと
いう利点がある。
形成装置では、マスク７はステンレス鋼で形成されてい
るので、マスク７の下面をＳｎ−Ｐｂ系合金４に浸して
もマスク７の下面にＳｎ−Ｐｂ系合金４が付着し難いと
いう利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、リード間のピッチが狭くてもリード間に溶融金属の
短絡ブリッジを形成することなくピン型リードの表面に
金属被膜を形成することのできる金属被膜形成装置を提
供できる。
ば、リード間のピッチが狭くてもリード間に溶融金属の
短絡ブリッジを形成することなくピン型リードの表面に
金属被膜を形成することのできる金属被膜形成装置を提
供できる。
【図１】この発明の一実施例に係る金属被膜形成装置の
概略構成図。
概略構成図。
【図２】同実施例に係る金属被膜形成装置の要部を示す
図。
図。
【図３】同実施例に係る金属被膜形成装置の作用説明
図。
図。
【図４】従来の金属被膜形成装置の概略構成図。
【図５】従来の金属被膜形成装置の作用説明図。
【図６】図４に示した金属被膜形成装置において狭ピッ
チのピン型アウタリードを溶融金属から引き上げた状態
を示す図。
チのピン型アウタリードを溶融金属から引き上げた状態
を示す図。
１…水平アーム ２…保持手段 ３…溶融金属槽 ４…Ｓｎ−Ｐｂ系合金 ５…セラミックパッケージ ６…ピン型アウタリード ７…マスク ８…貫通孔
Claims (2)
- 【請求項１】 溶融金属に半導体パッケージのピン型リ
ードを浸漬して前記ピン型リードの表面に金属被膜を形
成する金属被膜形成装置において、前記溶融金属が収容
された溶融金属槽と対向する位置にマスクを設け、この
マスクに前記ピン型リードが挿通可能な貫通孔を設けた
ことを特徴とする金属被膜形成装置。 - 【請求項２】 前記マスクは、ステンレス鋼からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の金属被膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6181432A JPH0846115A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 金属被膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6181432A JPH0846115A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 金属被膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846115A true JPH0846115A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16100678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6181432A Pending JPH0846115A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 金属被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846115A (ja) |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP6181432A patent/JPH0846115A/ja active Pending
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