JPH0982830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0982830A JPH0982830A JP23393695A JP23393695A JPH0982830A JP H0982830 A JPH0982830 A JP H0982830A JP 23393695 A JP23393695 A JP 23393695A JP 23393695 A JP23393695 A JP 23393695A JP H0982830 A JPH0982830 A JP H0982830A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はパッケージのリードのはんだ付け
において、はんだディップの際にはんだ表面に酸化膜の
発生がなく、リードへのはんだぬれ性の良く、はんだ滓
の残らない方法を得る。 【解決手段】 フラックス槽とはんだ槽を用いてパッ
ケージのリードのはんだディップを行うに際して、第１
のフラックス槽１において該リードに塩素系化合物のフ
ラックスを塗布する工程と、次いで噴流式の第１のはん
だ槽３に該リードをディップする工程と、次いで第２の
フラックス槽４において該リードに高粘度のロジン系の
フラックスを塗布する工程と、次いで静止式の第２のは
んだ槽５に該リードをディップする工程とを含む。
において、はんだディップの際にはんだ表面に酸化膜の
発生がなく、リードへのはんだぬれ性の良く、はんだ滓
の残らない方法を得る。 【解決手段】 フラックス槽とはんだ槽を用いてパッ
ケージのリードのはんだディップを行うに際して、第１
のフラックス槽１において該リードに塩素系化合物のフ
ラックスを塗布する工程と、次いで噴流式の第１のはん
だ槽３に該リードをディップする工程と、次いで第２の
フラックス槽４において該リードに高粘度のロジン系の
フラックスを塗布する工程と、次いで静止式の第２のは
んだ槽５に該リードをディップする工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケー
ジ、特にＰＧＡセラミックパッケージのリードピンのは
んだディップ（浸漬）方法に関する。
ジ、特にＰＧＡセラミックパッケージのリードピンのは
んだディップ（浸漬）方法に関する。
【０００２】近年の半導体パッケージは半導体素子の高
密度、多集積化に伴い、リードの数も多ピンとなり、ピ
ングリッドアレイ（ＰＧＡ）方式が多用されているが、
そのリードピンのピッチも益々狭隘となり、それに適し
たはんだ付けの技術を開発することが必要となってい
る。
密度、多集積化に伴い、リードの数も多ピンとなり、ピ
ングリッドアレイ（ＰＧＡ）方式が多用されているが、
そのリードピンのピッチも益々狭隘となり、それに適し
たはんだ付けの技術を開発することが必要となってい
る。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来例の説明図である。図におい
て、11はＰＧＡパッケージ、12はリードピン、15ははん
だ（架橋残滓）、16ははんだ（つらら状残滓) である。
て、11はＰＧＡパッケージ、12はリードピン、15ははん
だ（架橋残滓）、16ははんだ（つらら状残滓) である。
【０００４】従来、図４（ａ）に示すようなピングリッ
ドアレイ（ＰＧＡ）セラミックパッケージ11の封止工程
終了後プリント板に実装の為のはんだディップを行う。
最近は素子の高密度実装化にともないＰＧＡのリードピ
ン12の間隔も１００ｍｉｌから５０ｍｉｌと狭くなり、
また１００ｍｉｌ千鳥足状のピン配列になってきてい
る。
ドアレイ（ＰＧＡ）セラミックパッケージ11の封止工程
終了後プリント板に実装の為のはんだディップを行う。
最近は素子の高密度実装化にともないＰＧＡのリードピ
ン12の間隔も１００ｍｉｌから５０ｍｉｌと狭くなり、
また１００ｍｉｌ千鳥足状のピン配列になってきてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そのため、はんだディ
ップの工程で従来のディップ方式では、図４（ｂ）に示
すようなリードピン12間のはんだの架橋残滓15によるシ
ョートが発生しやすい。また、噴流式のはんだ付けでは
はんだの酸化膜が滓として発生し、製品に付着したり、
はんだ補充が必要となりランニングコストがかかるとい
った問題があった。その他、図４（ｃ）に示すように、
はんだディップ中にはんだ面に酸化膜が出来、これがデ
ィップ中のリードピン12の先端ではんだがつらら状残滓
16として垂れ下がり、不良を発生させていた。そのた
め、はんだディップの工程では、酸化膜の出来にくい状
態でのはんだディップを行う必要がある。
ップの工程で従来のディップ方式では、図４（ｂ）に示
すようなリードピン12間のはんだの架橋残滓15によるシ
ョートが発生しやすい。また、噴流式のはんだ付けでは
はんだの酸化膜が滓として発生し、製品に付着したり、
はんだ補充が必要となりランニングコストがかかるとい
った問題があった。その他、図４（ｃ）に示すように、
はんだディップ中にはんだ面に酸化膜が出来、これがデ
ィップ中のリードピン12の先端ではんだがつらら状残滓
16として垂れ下がり、不良を発生させていた。そのた
め、はんだディップの工程では、酸化膜の出来にくい状
態でのはんだディップを行う必要がある。
【０００６】また、従来のＰＧＡはリード側のセラミッ
ク部を押さえてはんだディップを行っていたが、実装密
度を上げる為にＰＧＡパッケージ11のエッジからリード
ピン12までの距離が狭くなってきており、製品の固定の
問題も発生してきた。
ク部を押さえてはんだディップを行っていたが、実装密
度を上げる為にＰＧＡパッケージ11のエッジからリード
ピン12までの距離が狭くなってきており、製品の固定の
問題も発生してきた。
【０００７】本発明は、以上の点を鑑み、はんだディッ
プの際にはんだ表面に酸化膜の発生がなく、はんだぬれ
性の良く、はんだ滓の残らない方法を得ることを目的と
して提供される。
プの際にはんだ表面に酸化膜の発生がなく、はんだぬれ
性の良く、はんだ滓の残らない方法を得ることを目的と
して提供される。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１は第１のフラックス槽、２は
加熱槽、３は第１のはんだ槽（噴流式）、４は第２のフ
ラックス槽、５は第２のはんだ槽（静止式）である。
図である。図において、１は第１のフラックス槽、２は
加熱槽、３は第１のはんだ槽（噴流式）、４は第２のフ
ラックス槽、５は第２のはんだ槽（静止式）である。
【０００９】本発明では、図１の原理説明図に示すよう
に、はんだ工程で酸化膜をつくり難い状態にしてＰＧＡ
のはんだディップを行い、ファインピッチの対応を図る
為、２種類のフラックスを使用してはんだ表面の酸化を
防ぎ、リードピン上にはんだ残滓が生じないようにす
る。
に、はんだ工程で酸化膜をつくり難い状態にしてＰＧＡ
のはんだディップを行い、ファインピッチの対応を図る
為、２種類のフラックスを使用してはんだ表面の酸化を
防ぎ、リードピン上にはんだ残滓が生じないようにす
る。
【００１０】先ず、フラックスについては、二種のフラ
ックスを目的に応じて使い分け、第１に塩素（Ｃｌ）系
のフラックスにてリードのはんだディップ前のアセンブ
リ工程で、リードの酸化膜を除去し、予備加熱を行った
後、噴流式の第１のはんだでリードピンをはんだで良く
濡らし、次に、ファインピッチ用の高粘度のロジン等か
らなるフラックスを使用し、ファインな狭いピッチのリ
ードピンを静止した第のはんだ槽に静かにディップし
て、はんだのショートや垂れ下がり等を防止する。
ックスを目的に応じて使い分け、第１に塩素（Ｃｌ）系
のフラックスにてリードのはんだディップ前のアセンブ
リ工程で、リードの酸化膜を除去し、予備加熱を行った
後、噴流式の第１のはんだでリードピンをはんだで良く
濡らし、次に、ファインピッチ用の高粘度のロジン等か
らなるフラックスを使用し、ファインな狭いピッチのリ
ードピンを静止した第のはんだ槽に静かにディップし
て、はんだのショートや垂れ下がり等を防止する。
【００１１】また、はんだ表面の加熱による酸化につい
ては、はんだ表面の空気との接触を防いで、酸化膜の形
成を防止する。そのため、図２（ａ）に示すように、窒
素などの不活性ガスではんだの表面を覆い酸素（空気）
との接触を絶ってはんだ表面の酸化を防止するか、図２
（ｂ）に示すように、第１及び第２のはんだ槽のはんだ
表面をフラックス10で覆い、はんだの酸化を防止する。
ては、はんだ表面の空気との接触を防いで、酸化膜の形
成を防止する。そのため、図２（ａ）に示すように、窒
素などの不活性ガスではんだの表面を覆い酸素（空気）
との接触を絶ってはんだ表面の酸化を防止するか、図２
（ｂ）に示すように、第１及び第２のはんだ槽のはんだ
表面をフラックス10で覆い、はんだの酸化を防止する。
【００１２】更に、パッケージの保持方法については、
図３に示すように、パッケージの保持板に複数個のマグ
ネットを取付け、パッケージの表面の金属キャップの部
分を吸着して、裏面のリードピンをはんだ槽にディップ
してリードピン表面にはんだ被覆を行う。その際、マグ
ネット13はキャップのシールリング部に当たらないよう
に、パッケージ保持板14に装着する。
図３に示すように、パッケージの保持板に複数個のマグ
ネットを取付け、パッケージの表面の金属キャップの部
分を吸着して、裏面のリードピンをはんだ槽にディップ
してリードピン表面にはんだ被覆を行う。その際、マグ
ネット13はキャップのシールリング部に当たらないよう
に、パッケージ保持板14に装着する。
【００１３】即ち、本発明の目的は、図１に示すよう
に、フラックス槽とはんだ槽を用いてパッケージのリー
ドのはんだディップを行うに際して、第１のフラックス
槽１において該リードに塩素系化合物のフラックスを塗
布する工程と、次いで噴流式の第１のはんだ槽３に該リ
ードをディップする工程と、次いで第２のフラックス槽
４において該リードに高粘度のロジン系のフラックスを
塗布する工程と、次いで静止式の第２のはんだ槽５に該
リードをディップする工程とを含むことにより、また、
前記第１および第２のはんだ槽内に窒素ガスをバブリン
グすることにより、また、前記第１および第２のはんだ
槽面の一部あるいは全面をフラックスで覆ってはんだデ
ィップを行うことにより、また、前記パッケージの１個
あるいは複数をマグネットにて吸着保持してはんだディ
ップを行うことにより達成される。
に、フラックス槽とはんだ槽を用いてパッケージのリー
ドのはんだディップを行うに際して、第１のフラックス
槽１において該リードに塩素系化合物のフラックスを塗
布する工程と、次いで噴流式の第１のはんだ槽３に該リ
ードをディップする工程と、次いで第２のフラックス槽
４において該リードに高粘度のロジン系のフラックスを
塗布する工程と、次いで静止式の第２のはんだ槽５に該
リードをディップする工程とを含むことにより、また、
前記第１および第２のはんだ槽内に窒素ガスをバブリン
グすることにより、また、前記第１および第２のはんだ
槽面の一部あるいは全面をフラックスで覆ってはんだデ
ィップを行うことにより、また、前記パッケージの１個
あるいは複数をマグネットにて吸着保持してはんだディ
ップを行うことにより達成される。
【００１４】上記のはんだディップ作業は図３に示すよ
うなマグネットを装着した固定治区にパッケージをセッ
トして行う。すなわちシームウェルドのキャップ等が直
接治具に当たらないようにガイドを用いてパッケージ本
体を固定治具から浮かしておく。
うなマグネットを装着した固定治区にパッケージをセッ
トして行う。すなわちシームウェルドのキャップ等が直
接治具に当たらないようにガイドを用いてパッケージ本
体を固定治具から浮かしておく。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１〜図３は原理説明図兼本発明
の一実施例の模式断面図である。図において、１は第１
のフラックス槽、２は加熱槽、３は第１のはんだ槽（噴
流式）、４は第２のフラックス槽、５は第２のはんだ槽
（静止式）、６ははんだ槽、７は溶融はんだ、８はバブ
リング装置、９は窒素（Ｎ2 ）ガス、10はフラックス、
11はＰＧＡパッケージ、12はリードピン、13はマグネッ
ト、14はパッケージ保持板である。
の一実施例の模式断面図である。図において、１は第１
のフラックス槽、２は加熱槽、３は第１のはんだ槽（噴
流式）、４は第２のフラックス槽、５は第２のはんだ槽
（静止式）、６ははんだ槽、７は溶融はんだ、８はバブ
リング装置、９は窒素（Ｎ2 ）ガス、10はフラックス、
11はＰＧＡパッケージ、12はリードピン、13はマグネッ
ト、14はパッケージ保持板である。
【００１６】ピン系０．４６φ、ピッチ２．５４ｍｍ、
外形３５．５６ｍｍ角のＲＩＴ１３５型ＰＧＡパッケー
ジを用いた本発明の一実施例について、図１〜図３によ
り説明する。リードピンの外装処理はコバールのリード
ピン12にＮｉめっきを２〜４μｍの厚さに行った後、Ａ
ｕめっきを１〜５μｍの厚さに実施する。
外形３５．５６ｍｍ角のＲＩＴ１３５型ＰＧＡパッケー
ジを用いた本発明の一実施例について、図１〜図３によ
り説明する。リードピンの外装処理はコバールのリード
ピン12にＮｉめっきを２〜４μｍの厚さに行った後、Ａ
ｕめっきを１〜５μｍの厚さに実施する。
【００１７】図１に示すように、先ず第１のフラックス
槽１で無機系フラックスを用いて、リードピン12にフラ
ックスを塗布する。このフラックスは無機酸と無機塩類
を組み合わせたもので、代表的には塩化亜鉛、塩化アン
モニウムにて強力な活性作用によりダイボンダやワイヤ
ボンダ等の熱履歴による表面の酸化膜を除去する。これ
により事前の還元処理を省略出来る。その他にも有機酸
系の水溶性フラックス等も使用可能である。
槽１で無機系フラックスを用いて、リードピン12にフラ
ックスを塗布する。このフラックスは無機酸と無機塩類
を組み合わせたもので、代表的には塩化亜鉛、塩化アン
モニウムにて強力な活性作用によりダイボンダやワイヤ
ボンダ等の熱履歴による表面の酸化膜を除去する。これ
により事前の還元処理を省略出来る。その他にも有機酸
系の水溶性フラックス等も使用可能である。
【００１８】次に、図示しないが水溶性フラックスを用
いた場合は第１のフラックス槽１と加熱槽２との間に洗
浄槽を設けて、水溶性フラックスの洗浄を行う場合もあ
る。次に、図２（ａ）に示すようなバブリング装置を備
えた第１のはんだ槽３にリードピン12をディップし、２
４０℃で５〜１０秒間噴流式ではんだ付けを行う。この
バブリング装置８はポーラス（多孔質）なセラミックや
超硬金属を槽の下部に設置し、外部より窒素（Ｎ2 ）ガ
ス９を供給し、はんだ表面の酸化防止を測っている。こ
れはガスの外部供給方式に比べて、はんだディップ中の
ガスの発生に影響されない利点がある。
いた場合は第１のフラックス槽１と加熱槽２との間に洗
浄槽を設けて、水溶性フラックスの洗浄を行う場合もあ
る。次に、図２（ａ）に示すようなバブリング装置を備
えた第１のはんだ槽３にリードピン12をディップし、２
４０℃で５〜１０秒間噴流式ではんだ付けを行う。この
バブリング装置８はポーラス（多孔質）なセラミックや
超硬金属を槽の下部に設置し、外部より窒素（Ｎ2 ）ガ
ス９を供給し、はんだ表面の酸化防止を測っている。こ
れはガスの外部供給方式に比べて、はんだディップ中の
ガスの発生に影響されない利点がある。
【００１９】その後、第２のフラックス槽４でロジン系
の合成樹脂等の特に粘度の高いもの、例えば比重１以上
の千住金属製ソルベント＃７２００Ａ等を使用し、引き
上げ時にリードピン12に付着させる。それにより酸化膜
のない良好なはんだ付けが可能となる。
の合成樹脂等の特に粘度の高いもの、例えば比重１以上
の千住金属製ソルベント＃７２００Ａ等を使用し、引き
上げ時にリードピン12に付着させる。それにより酸化膜
のない良好なはんだ付けが可能となる。
【００２０】最後に第２のはんだ槽５に入れ、静止した
はんだで２４０℃５〜１０秒間漬けるが、その際、図２
（ｂ）に示すように、はんだディップ面以外の空気に触
れている部分についてもフラックス10にて溶融はんだ７
のはんだ面を覆い、はんだ滓の発生を防止する。
はんだで２４０℃５〜１０秒間漬けるが、その際、図２
（ｂ）に示すように、はんだディップ面以外の空気に触
れている部分についてもフラックス10にて溶融はんだ７
のはんだ面を覆い、はんだ滓の発生を防止する。
【００２１】上記のはんだディップ作業は図３に示すよ
うなマグネット13を装着した固定治具のパッケージ保持
板14にＰＧＡパッケージ11をセットして行う。すなわち
シームウェルドのキャップ等が直接パッケージ保持板14
に当たらないようにガイドを用いてＰＧＡパッケージ11
をパッケージ保持板14から浮かしておく。
うなマグネット13を装着した固定治具のパッケージ保持
板14にＰＧＡパッケージ11をセットして行う。すなわち
シームウェルドのキャップ等が直接パッケージ保持板14
に当たらないようにガイドを用いてＰＧＡパッケージ11
をパッケージ保持板14から浮かしておく。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２種類のフラックスを使用してはんだ表面の酸化を防
ぎ、リードピン上にはんだ残滓が生じないようにするた
め、ファインピッチの微細構造のパッケージに効果があ
ると同時に、パッケージの保持板に複数個のマグネット
を取付け、パッケージの表面の金属キャップの部分を吸
着して、裏面のリードピンをはんだ槽にディップしてリ
ードピン表面にはんだ被覆を行うようにするため、同時
に多数個のパッケージの処理が出来る。
２種類のフラックスを使用してはんだ表面の酸化を防
ぎ、リードピン上にはんだ残滓が生じないようにするた
め、ファインピッチの微細構造のパッケージに効果があ
ると同時に、パッケージの保持板に複数個のマグネット
を取付け、パッケージの表面の金属キャップの部分を吸
着して、裏面のリードピンをはんだ槽にディップしてリ
ードピン表面にはんだ被覆を行うようにするため、同時
に多数個のパッケージの処理が出来る。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図（その１）
【図３】 本発明の一実施例の説明図（その２）
【図４】 従来例の説明図
図において １ 第１のフラックス槽 ２ 加熱槽 ３ 第１のはんだ槽（噴流式） ４ 第２のフラックス槽 ５ 第２のはんだ槽（静止式） ６ はんだ槽 ７ 溶融はんだ ８ バブリング装置 ９ Ｎ2 ガス 10 フラックス 11 ＰＧＡパッケージ 12 リードピン 13 マグネット 14 パッケージ保持板
Claims (4)
- 【請求項１】 フラックス槽とはんだ槽を用いてパッケ
ージのリードのはんだディップを行うに際して、第１の
フラックス槽において該リードに塩素系化合物のフラッ
クスを塗布する工程と、次いで噴流式の第１のはんだ槽
に該リードをディップする工程と、次いで第２のフラッ
クス槽において該リードに高粘度のロジン系のフラック
スを塗布する工程と、次いで静止式の第２のはんだ槽に
該リードをディップする工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１および第２のはんだ槽内に窒素
ガスをバブリングすることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１および第２のはんだ槽面の一部
あるいは全面をフラックスで覆ってはんだディップを行
うことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記パッケージの１個あるいは複数をマ
グネットにて吸着保持してはんだディップを行うことを
特徴とする請求項１〜３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23393695A JPH0982830A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23393695A JPH0982830A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982830A true JPH0982830A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16962942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23393695A Withdrawn JPH0982830A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110405312A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-05 | 昆山万盛电子有限公司 | 一种点焊机助焊剂烘干装置 |
| CN110972409A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种元件装配方法及装置 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP23393695A patent/JPH0982830A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110972409A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种元件装配方法及装置 |
| CN110972409B (zh) * | 2018-09-29 | 2025-02-28 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种元件装配方法及装置 |
| CN110405312A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-05 | 昆山万盛电子有限公司 | 一种点焊机助焊剂烘干装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |