JPH0846284A - 半導体レーザペレット - Google Patents
半導体レーザペレットInfo
- Publication number
- JPH0846284A JPH0846284A JP17686094A JP17686094A JPH0846284A JP H0846284 A JPH0846284 A JP H0846284A JP 17686094 A JP17686094 A JP 17686094A JP 17686094 A JP17686094 A JP 17686094A JP H0846284 A JPH0846284 A JP H0846284A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶縁物形成側面１３ａに絶縁膜１７を形成し
た半導体レーザペレット１０であって、絶縁膜形成側面
１３ａに沿って長い凸部１５を側面近傍の電極金属膜１
４表面に設けた半導体レーザペレット 【効果】 電極金属膜表面への絶縁物の付着がなくなる
か、付着面積が少なくなり、組み立て時のマウント不
良、ボンディング不良なくすか少なくとも大幅に減少さ
せる。
た半導体レーザペレット１０であって、絶縁膜形成側面
１３ａに沿って長い凸部１５を側面近傍の電極金属膜１
４表面に設けた半導体レーザペレット 【効果】 電極金属膜表面への絶縁物の付着がなくなる
か、付着面積が少なくなり、組み立て時のマウント不
良、ボンディング不良なくすか少なくとも大幅に減少さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザペレット
の構造に関する。
の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置のペレットを図
４に示す平面図ａおよび側面図ｂを用いて説明する。半
導体レーザペレットはＩｎＰ基板４２の表面にＣｒ／Ａ
ｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの５層の表面電極金属膜４４を有
する。裏面にはＡｕ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕの
６層の裏面電極金属膜４５を有する。ペレットの対向す
る２つの絶縁膜形成側面４３は絶縁膜４６を形成してな
る。上記半導体レーザペレットの製造工程のうち、本発
明に関わるＩｎＰ基板４２に電極金属膜（４４、４５）
を形成後、ペレット側面に酸化珪素、窒化珪素等の絶縁
膜をスパッタにより形成する方法について説明する。ペ
レットの対向する２箇所の側面に絶縁膜を形成するため
に、ウェーハ状態で電極金属膜（４４、４５）形成後、
絶縁膜形成側面をあらわし数十個のペレットが繋がった
状態でバー状（バー状基板）にへき開される。以下は図
５を用いて説明する。前記半導体レーザのバー状基板２
とほぼ同じ大きさ、形状のスペーサ１を絶縁膜形成側面
３を揃えて交互に重ね合わせる。この時、バー状基板２
のスパッタする絶縁物形成側面３とスペーサ１の側面を
同一平面になるように揃えて重ね合わせる。この重ね合
わせたスペーサ１とバー状基板２を蒸着用治具８に装着
し、押さえバネ９で重ね合わせ部４に隙間が生じないよ
うに保持する。この状態で絶縁物形成側面３に絶縁物を
スパッタし、絶縁膜を形成する。つづいて、反対側の側
面にも同様処理で絶縁膜を形成する。この絶縁膜が形成
されたバー状基板２を一個一個の半導体レーザーペレッ
トにへき開する。
４に示す平面図ａおよび側面図ｂを用いて説明する。半
導体レーザペレットはＩｎＰ基板４２の表面にＣｒ／Ａ
ｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの５層の表面電極金属膜４４を有
する。裏面にはＡｕ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕの
６層の裏面電極金属膜４５を有する。ペレットの対向す
る２つの絶縁膜形成側面４３は絶縁膜４６を形成してな
る。上記半導体レーザペレットの製造工程のうち、本発
明に関わるＩｎＰ基板４２に電極金属膜（４４、４５）
を形成後、ペレット側面に酸化珪素、窒化珪素等の絶縁
膜をスパッタにより形成する方法について説明する。ペ
レットの対向する２箇所の側面に絶縁膜を形成するため
に、ウェーハ状態で電極金属膜（４４、４５）形成後、
絶縁膜形成側面をあらわし数十個のペレットが繋がった
状態でバー状（バー状基板）にへき開される。以下は図
５を用いて説明する。前記半導体レーザのバー状基板２
とほぼ同じ大きさ、形状のスペーサ１を絶縁膜形成側面
３を揃えて交互に重ね合わせる。この時、バー状基板２
のスパッタする絶縁物形成側面３とスペーサ１の側面を
同一平面になるように揃えて重ね合わせる。この重ね合
わせたスペーサ１とバー状基板２を蒸着用治具８に装着
し、押さえバネ９で重ね合わせ部４に隙間が生じないよ
うに保持する。この状態で絶縁物形成側面３に絶縁物を
スパッタし、絶縁膜を形成する。つづいて、反対側の側
面にも同様処理で絶縁膜を形成する。この絶縁膜が形成
されたバー状基板２を一個一個の半導体レーザーペレッ
トにへき開する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体レーザのバ
ー状基板２の表面はエッチング処理工程を経ているため
に、スペーサ１との合わせ面に小さな隙間を生ずる場合
がある。また、スパッタのためのスペーサ１とバー状基
板の重ね合わせ時に異物が間に入っても隙間を生ずる。
この隙間に、スパッタ時の絶縁物が入り、半導体レーザ
ペレットの電極金属膜表面に付着する。この表面に付着
した絶縁物が、その後の組み立て工程のマウント性、ボ
ンディング性を阻害し、組み立て不良の原因になると言
う問題があった。
ー状基板２の表面はエッチング処理工程を経ているため
に、スペーサ１との合わせ面に小さな隙間を生ずる場合
がある。また、スパッタのためのスペーサ１とバー状基
板の重ね合わせ時に異物が間に入っても隙間を生ずる。
この隙間に、スパッタ時の絶縁物が入り、半導体レーザ
ペレットの電極金属膜表面に付着する。この表面に付着
した絶縁物が、その後の組み立て工程のマウント性、ボ
ンディング性を阻害し、組み立て不良の原因になると言
う問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、側面に絶縁膜
を形成した半導体レーザペレットであって、前記絶縁膜
形成側面に沿って長い凸部を前記絶縁膜形成側面近傍の
金属膜表面に設けた半導体レーザペレットである。
を形成した半導体レーザペレットであって、前記絶縁膜
形成側面に沿って長い凸部を前記絶縁膜形成側面近傍の
金属膜表面に設けた半導体レーザペレットである。
【０００５】
【作用】上記半導体レーザペレットによれば、ペレット
側面に絶縁膜を形成する際に金属膜表面のスパッタ側面
近傍の凸部はスパッタされた絶縁物を遮蔽し、スパッタ
源に対して凸部の影となる内部には絶縁物が付着しな
い。また、電極金属膜表面の凸部は重ね合わせ時にスペ
ーサと接触すると隙間を塞ぎ絶縁物の内部への侵入を防
ぐ。
側面に絶縁膜を形成する際に金属膜表面のスパッタ側面
近傍の凸部はスパッタされた絶縁物を遮蔽し、スパッタ
源に対して凸部の影となる内部には絶縁物が付着しな
い。また、電極金属膜表面の凸部は重ね合わせ時にスペ
ーサと接触すると隙間を塞ぎ絶縁物の内部への侵入を防
ぐ。
【０００６】
【実施例１】本発明の一例を図２に示す。図２ａは平面
図、図２ｂは側面図である。半導体レーザペレットはＩ
ｎＰ基板２１の表面にＣｒ／Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの
５層の表面電極金属膜２５を有して、最上層のＡｕ層は
絶縁膜形成側面２３に平行なストライブ状の凹部２４、
凸部２２を有してなる。この時、絶縁膜２７側は凸部２
５にすることが望ましい。裏面はＡｕ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎ
ｉ／Ｔｉ／Ａｕの６層の裏面電極金属膜２６を有して、
ペレットの対向する２つの絶縁膜形成側面２３は絶縁膜
２７を形成してなる。本発明のペレットの製造方法は、
半導体レーザウェーハのＩｎＰ基板２１に裏面電極金属
膜２６を蒸着またはスパッタにより形成する。さらに表
面電極金属は５層を蒸着またはスパッタで形成した後
に、厚さを必要とするためにＡｕメッキをすることによ
り表面電極金属膜２５を形成する。つぎに、この表面電
極金属膜２５にホトレジスト（図示せず）およびエッチ
ング（図示せず）により絶縁膜形成側面２３に平行にス
トライブ状の凹部２４、凸部２２を形成する。この凹部
２４、凸部２２の各々のストライブ幅および段差は課題
に対する効果、製造上の制約を考慮して選ぶ。また、凹
部２４および凸部２２の各々のストライブ幅は同一にす
る必要はなく、ペレットの位置で変化させてよい。つぎ
に、このウェーハ上のペレットの対向する２箇所の絶縁
膜形成側面２３に絶縁膜２７を形成するために、ウェー
ハ状態で電極金属膜（２５、２６）形成後、ウェーハを
絶縁膜形成側面をあらわし数十個のペレットが繋がった
状態でバー状（バー状基板）にへき開する。本発明の半
導体レーザのバー状基板とスペーサ重ね合わせて、側面
へ絶縁物をスパッタする時のバー状基板とスペーサとの
隙間の状態を図１に示す。スペーサ１１の間に半導体レ
ーザのバー状基板１２を挟み、絶縁膜形成側面１３ａに
スパッタにより絶縁膜を形成する（従来の技術で説明し
た方法と同じ）。この時、ペレット表面の電極金属膜１
４に凸部１５ａが形成されていると、スパッタ源にたい
する凸部の影１６ａにはスパッタされた絶縁物が付着し
ない。つづいて、対向する絶縁膜形成面１３ｂに同様に
スパッタにより絶縁膜を形成する。この時、ペレット表
面の電極金属膜１４に凸部１５ｂが形成されていると、
スパッタ源にたいする凸部の影１６ｂにはスパッタされ
た絶縁物が付着しない。
図、図２ｂは側面図である。半導体レーザペレットはＩ
ｎＰ基板２１の表面にＣｒ／Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの
５層の表面電極金属膜２５を有して、最上層のＡｕ層は
絶縁膜形成側面２３に平行なストライブ状の凹部２４、
凸部２２を有してなる。この時、絶縁膜２７側は凸部２
５にすることが望ましい。裏面はＡｕ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎ
ｉ／Ｔｉ／Ａｕの６層の裏面電極金属膜２６を有して、
ペレットの対向する２つの絶縁膜形成側面２３は絶縁膜
２７を形成してなる。本発明のペレットの製造方法は、
半導体レーザウェーハのＩｎＰ基板２１に裏面電極金属
膜２６を蒸着またはスパッタにより形成する。さらに表
面電極金属は５層を蒸着またはスパッタで形成した後
に、厚さを必要とするためにＡｕメッキをすることによ
り表面電極金属膜２５を形成する。つぎに、この表面電
極金属膜２５にホトレジスト（図示せず）およびエッチ
ング（図示せず）により絶縁膜形成側面２３に平行にス
トライブ状の凹部２４、凸部２２を形成する。この凹部
２４、凸部２２の各々のストライブ幅および段差は課題
に対する効果、製造上の制約を考慮して選ぶ。また、凹
部２４および凸部２２の各々のストライブ幅は同一にす
る必要はなく、ペレットの位置で変化させてよい。つぎ
に、このウェーハ上のペレットの対向する２箇所の絶縁
膜形成側面２３に絶縁膜２７を形成するために、ウェー
ハ状態で電極金属膜（２５、２６）形成後、ウェーハを
絶縁膜形成側面をあらわし数十個のペレットが繋がった
状態でバー状（バー状基板）にへき開する。本発明の半
導体レーザのバー状基板とスペーサ重ね合わせて、側面
へ絶縁物をスパッタする時のバー状基板とスペーサとの
隙間の状態を図１に示す。スペーサ１１の間に半導体レ
ーザのバー状基板１２を挟み、絶縁膜形成側面１３ａに
スパッタにより絶縁膜を形成する（従来の技術で説明し
た方法と同じ）。この時、ペレット表面の電極金属膜１
４に凸部１５ａが形成されていると、スパッタ源にたい
する凸部の影１６ａにはスパッタされた絶縁物が付着し
ない。つづいて、対向する絶縁膜形成面１３ｂに同様に
スパッタにより絶縁膜を形成する。この時、ペレット表
面の電極金属膜１４に凸部１５ｂが形成されていると、
スパッタ源にたいする凸部の影１６ｂにはスパッタされ
た絶縁物が付着しない。
【０００７】
【実施例２】本発明の例１と異なる他の一例を図３に示
す。図３ａは平面図、図３ｂは側面図である。半導体レ
ーザペレットはＩｎＰ基板３１の表面にＣｒ／Ａｕ／Ｔ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの５層の表面電極金属膜３２を有して、
最上層のＡｕ層の周辺部３３は内部３４より厚い。裏面
はＡｕ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕの６層の裏面電
極金属膜３５を有してなる。ペレットの対向する２つの
絶縁膜形成面３６は絶縁膜３７を形成してなる。本発明
のペレットの製造方法は、半導体レーザウェーハのＩｎ
Ｐ基板３１に裏面電極金属膜３５を蒸着またはスパッタ
により形成する。さらに表面電極金属は５層を蒸着また
はスパッタで形成した後に、周辺の４辺を厚くするため
にＡｕメッキをして表面電極金属膜３２を形成する。こ
のメッキ時にメッキ条件（Ａｕ濃度を含むメッキ液組
成、メッキ液の攪拌、陽極金属形状、メッキ温度、極性
を含む電圧波形、電流密度等）を選んで電極周辺部を厚
くした電極金属膜３２を形成する。つぎに、このウェー
ハ上のペレットの対向する２箇所の側面に絶縁膜を形成
するために、ウェーハ状態で電極金属膜（３２、３５）
形成後、絶縁膜形成側面をあらわし数十個のペレットが
繋がった状態でバー状（バー状基板）にへき開される。
絶縁膜形成側面３６への絶縁膜３７形成方法および本発
明の効果は実施例１と同じである。
す。図３ａは平面図、図３ｂは側面図である。半導体レ
ーザペレットはＩｎＰ基板３１の表面にＣｒ／Ａｕ／Ｔ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの５層の表面電極金属膜３２を有して、
最上層のＡｕ層の周辺部３３は内部３４より厚い。裏面
はＡｕ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕの６層の裏面電
極金属膜３５を有してなる。ペレットの対向する２つの
絶縁膜形成面３６は絶縁膜３７を形成してなる。本発明
のペレットの製造方法は、半導体レーザウェーハのＩｎ
Ｐ基板３１に裏面電極金属膜３５を蒸着またはスパッタ
により形成する。さらに表面電極金属は５層を蒸着また
はスパッタで形成した後に、周辺の４辺を厚くするため
にＡｕメッキをして表面電極金属膜３２を形成する。こ
のメッキ時にメッキ条件（Ａｕ濃度を含むメッキ液組
成、メッキ液の攪拌、陽極金属形状、メッキ温度、極性
を含む電圧波形、電流密度等）を選んで電極周辺部を厚
くした電極金属膜３２を形成する。つぎに、このウェー
ハ上のペレットの対向する２箇所の側面に絶縁膜を形成
するために、ウェーハ状態で電極金属膜（３２、３５）
形成後、絶縁膜形成側面をあらわし数十個のペレットが
繋がった状態でバー状（バー状基板）にへき開される。
絶縁膜形成側面３６への絶縁膜３７形成方法および本発
明の効果は実施例１と同じである。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、ペレットの電極金属膜
表面への絶縁物の付着がなくなるか、付着面積が少なく
なり、組み立て時のマウント不良、ボンディング不良を
なくすか、少なくとも大幅に減少させる。
表面への絶縁物の付着がなくなるか、付着面積が少なく
なり、組み立て時のマウント不良、ボンディング不良を
なくすか、少なくとも大幅に減少させる。
【図１】 本発明のバー状基板とスペーサの隙間の状態
の側面図
の側面図
【図２】 本発明のストライブ状電極金属膜表面ペレッ
トの平面図および側面図
トの平面図および側面図
【図３】 本発明の電極金属膜表面周辺部凸状ペレット
の平面図および側面図
の平面図および側面図
【図４】 従来のペレットの平面図および側面図
【図５】 ペレット側面への絶縁物形成方法の斜視図
１０ ペレット １３ａ，１３ｂ，２３，３６ 絶縁物形成側面 １４，２５，３２，３４ 電極金属膜 １５，２２，３３ 凸部 ２４ 凹部 １７，２７，３７ 絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】側面に絶縁膜を形成した半導体レーザペレ
ットであって、前記絶縁膜形成側面に沿って長い凸部を
前記絶縁膜形成側面近傍の金属膜表面に設けた半導体レ
ーザペレット。 - 【請求項２】側面に絶縁膜を形成した半導体レーザペレ
ットであって、前記絶縁膜形成側面に沿って平行なスト
ライブ状の凹凸を電極金属膜に設けた半導体レーザペレ
ット。 - 【請求項３】側面に絶縁膜を形成した半導体レーザペレ
ットであって、電極金属膜の周辺４辺に凸部を設けた半
導体レーザペレット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17686094A JPH0846284A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体レーザペレット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17686094A JPH0846284A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体レーザペレット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846284A true JPH0846284A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16021091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17686094A Pending JPH0846284A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体レーザペレット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288090A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2008141180A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-06-19 | Sony Corp | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
| JP2018170308A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子、光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17686094A patent/JPH0846284A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288090A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2008141180A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-06-19 | Sony Corp | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
| JP2011044719A (ja) * | 2006-11-10 | 2011-03-03 | Sony Corp | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
| US8243769B2 (en) | 2006-11-10 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, optical pickup unit and information recording/reproduction apparatus |
| US8494020B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-07-23 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, optical pickup unit and information recording/reproduction apparatus |
| JP2018170308A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子、光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法 |
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