JPH09148520A - テーピングリードフレーム - Google Patents

テーピングリードフレーム

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JPH09148520A
JPH09148520A JP30535995A JP30535995A JPH09148520A JP H09148520 A JPH09148520 A JP H09148520A JP 30535995 A JP30535995 A JP 30535995A JP 30535995 A JP30535995 A JP 30535995A JP H09148520 A JPH09148520 A JP H09148520A
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Japan
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lead frame
tape
taping
adhesive
leads
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JP30535995A
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Mitsuhiro Matsutomo
光浩 松友
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】隣接するリード間に生じる金属イオンマイグレ
ーションによるショートを防止する。 【解決手段】テーピングリードフレームに貼り付ける絶
縁テープ2に塗布する接着剤3の接着剤3の領域を一部
無くすことによって、リード間に電界が生じることによ
り発生する金属イオンの移動を遮断する。この様に構成
することにより、電界が生じるリードとリードを最短距
離で結ぶ直線状の一部が欠落したジグザグ形状または波
形状もしくは千鳥状にスリットを入れた形状にすること
により、金属イオンの移動経路を遮断する形状の接着剤
3の領域を有しているテーピングリードフレーム。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はテーピングリードフ
レームに関し、特に樹脂封止型半導体装置に用いるテー
ピングリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のテーピングリードフレームの平面
図を図3(a)に、断面図を図3(b)に示す。この従
来のテーピングリードフレームは、図3(a),(b)
に示すように、リードフレーム1のリードを接着剤3付
きの絶縁テープ2で固定したものであり、構造的には絶
縁テープ2,接着剤3の2層構造のテープをリードフレ
ーム1に貼り付けたものである。
【0003】図4(a)〜(c)は従来のテーピングリ
ードフレームの製造方法の一例を説明する工程順に示し
た斜視図である。従来のテーピングリードフレームの製
造方法は、図4(a)に示す様に、まず、絶縁テープ2
の全面に接着剤3を塗布しテープを作る。次に、テープ
をパンチでくり抜きながら、リードフレーム1に貼り付
ける。なお、リードフレーム1へテープを貼り付ける際
に高温状態で貼り付けることにより、リードフレーム1
とテープは接着される。従来のテープの形状は、パンチ
の形状によって決定され、1辺が直線状で4辺が固定さ
れている。このテープの形状は、通常は直線状である
が、特開平2−72657号公報の第2図に示す様な熱
履歴に対し、テープの収縮対策としてジグザグの平面形
状にする例もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、隣接
するリード間に、陽極−陰極が成立するリードにおい
て、金属イオンマイグレーションによるリード間ショー
ト故障を生じてしまう。その理由は、図5(a)〜
(c)に示す様に、隣接するリード間に電界が生じるこ
とにより、陽極側のリードから金属イオン(価:C
+ ,Ag+ )が陰極側リードに移動して行き析出が進
み、析出された金属イオン4によって最終的にはリード
間ショートに至ってしまうからである。
【0005】なお、金属イオン4の移動は、電界の方向
に従って接着剤3中を移動して行くため、電界の方向で
ある隣接リード間の最短距離を直線で結ぶ線上の全面に
接着剤が貼り付けられている場合が最も金属イオンマイ
グレーションが生じやすい。従って、特開平−7265
7号公報のジグザグの平面形状テープの形状では電界方
向の全面に接着剤3が介在するため、金属イオンマイグ
レーションの問題は解決できない。
【0006】本発明の目的は、従来のテープの形状を改
良したテーピングリードフレームを用いることによっ
て、金属イオンマイグレーションの発生を抑え、高信頼
性の樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の実施の形
態は、絶縁テープとこの絶縁テープの表面に塗布された
接着剤を有する2層構造のテープを前記接着剤を介して
リードフレームのリードに貼り付けたテーピングリード
フレームにおいて、隣接する前記リード間を結ぶ最短距
離方向の直線状の一部に前記テープがジグザグ形状また
波形形状もしくは千鳥状にスリットが入った形状で前記
テープが貼り付けられていない領域を有することを特徴
とする。
【0008】本発明の第2の実施の形態は、絶縁テープ
とこの絶縁テープの表面に塗布された接着剤を有する2
層構造のテープを前記接着剤を介してリードフレームの
リードに貼り付けたテーピングリードフレームにおい
て、隣接する前記リード間を結ぶ最短距離方向の一部に
前記接着剤がジグザグ形状または千鳥状にスリットが入
った形状で貼り付けられていない領域を有することを特
徴とする。
【0009】
【作用】金属マイグレーションの発生は、図5(a)〜
(c)に示すとおり、隣接するリード間に電界を生じた
場合、陽極のリードから、イオン化した金属イオン(C
+ ,Ag+ 等)4が陰極側に移動し、陽極側リードに
析出する。この際、金属イオン4は、接着剤3中を移動
して陰極側リードに到達する。本発明は、移動経路とな
る接着剤3が途中で遮断されている。もしくは電界方向
と別方向に存在する為、電界強度が弱まり金属イオン4
の移動は困難になってしまう。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0011】図1(a)〜(c)は本発明の第1の実施
の形態のテーピングリードフレームの底面図である。本
発明の第1の実施の形態のテーピングリードフレームの
テープは、図3(b)に示す従来のテープと同様に絶縁
テープ2と接着剤3の2層構造になっており、接着剤3
は絶縁テープ2の全面に塗布されている。テープの形状
は、図1(a)に示すジグザグ形、図1(b)に示す波
形または千鳥状にスリットが入った形になっており、絶
縁テープ2の形状接着剤3の領域は同一形状になってい
る。
【0012】この様に、テープをジグザグ形、波形また
は千鳥状にスリットが入った形状にすることにより、隣
接するリード間を垂直に結ぶ最短距離方向の直線状の接
着剤3の領域は広がり、金属イオンの移動経路が遮断さ
れるかもしくは金属イオンが移動しにくくなり、リード
間のショートの発生を抑制することが可能となる。
【0013】本発明の第1の実施の形態のテーピングリ
ードフレームの製造方法は、図4(a)〜(c)に示す
従来のテーピングリードフレームの製造方法と同一工程
フローであり、テープの型抜きとなるパンチの形状のみ
変更すればよい。
【0014】次に、本発明の第2の実施の形態のテーピ
ングリードフレームについて図面を参照して説明する。
【0015】図2(a),(b)は本発明の第2の実施
の形態のテーピングリードフレームの平面図である。本
発明の第2の実施の形態のテーピングリードフレーム
は、図2(a),(b)に示す様に絶縁テープ2の形状
と接着剤3の領域の形状が異っており、接着剤3の領域
のみジグザグ形状もしくはスリットを入れた形状となっ
ている。この様に接着剤3の領域の一部の接着剤3をと
り除くことによっても第1の実施の形態のテーピングリ
ードフレームと同様に金属イオンマイグレーションによ
るリード間のショートを抑制することができる。
【0016】
【発明の効果】第1の効果は、金属イオンマイグレーシ
ョンによる隣接するリード間のショートが抑制できるよ
うになる。これにより、高信頼性の樹脂封止型半導体装
置を提供できるようになる。その理由は、金属イオンの
移動経路となる接着剤の領域を一部無くすことにより接
着剤中に生じる電界強度を弱め、金属イオンの移動を困
難にするためである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は本発明の第1の実施の形態の
テーピングリードフレームの底面図である。
【図2】(a),(b)は本発明の第2の実施の形態の
テーピングリードフレームの平面図である。
【図3】(a),(b)は従来のテーピングリードフレ
ームの一例の平面図およびその断面図である。
【図4】(a)〜(c)は従来のテーピングリードフレ
ームの製造方法の一例を説明する工程順に示した斜視図
である。
【図5】(a)〜(c)は金属イオンマイグレーション
の発生メカニズムを説明する原理図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 絶縁テープ 3 接着剤 4 金属イオン

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁テープとこの絶縁テープの表面に塗
    布された接着剤を有する2層構造のテープを前記接着剤
    を介してリードフレームのリードに貼り付けたテーピン
    グリードフレームにおいて、隣接する前記リード間を結
    ぶ最短距離方向の直線上の一部に前記テープが貼り付け
    られていない領域を有することを特徴とするテーピング
    リードフレーム。
  2. 【請求項2】 前記テープがジグザグ形状でリードに貼
    り付けられていることを特徴とする請求項1記載のテー
    ピングリードフレーム。
  3. 【請求項3】 前記テープが波形形状でリードに貼り付
    けられていることを特徴とする請求項1記載のテーピン
    グリードフレーム。
  4. 【請求項4】 前記テープが千鳥状にスリットが入った
    形状でリードに貼り付けられていることを特徴とする請
    求項1記載のテーピングリードフレーム。
  5. 【請求項5】 絶縁テープとこの絶縁テープの表面に塗
    布された接着剤を有する2層構造のテープを前記接着剤
    を介してリードフレームのリードに貼り付けたテーピン
    グリードフレームにおいて、隣接する前記リード間を結
    ぶ最短距離方向の一部に前記接着剤が貼り付けられてい
    ない領域を有することを特徴とするテーピングリードフ
    レーム。
  6. 【請求項6】 前記接着剤がジグザグ形状でリードに貼
    り付けられていることを特徴とする請求項5記載のテー
    ピングリードフレーム。
  7. 【請求項7】 前記接着剤が千鳥状にスリットが入った
    形状でリードに貼り付けられていることを特徴とする請
    求項5記載のテーピングリードフレーム。
JP7305359A 1995-11-24 1995-11-24 テーピングリードフレーム Expired - Lifetime JP2758873B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7304371B2 (en) 2004-11-04 2007-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame having a lead with a non-uniform width
US7397126B2 (en) 2004-09-29 2008-07-08 Nec Electronics Corporation Semiconductor device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260589A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法及びその実装方法
JPH07130931A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム

Patent Citations (2)

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Effective date: 19980217