JPH08502147A - ヘテロ接合ブロッキング接点を持つインピーダンス整合光導電赤外線検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 アイソタイプ・ヘテロ接合インピーダンス整合光導電赤外線検出器は、この検出器の底部側に位置させたブロッキング接点６６，６８を備えている。これ等のブロッキング接点６６，６８は、検出器の活性領域からの少数キャリヤの移動を防ぐことにより、これ等のキャリヤの寿命を延ばす。この検出器は成長基板４０に先ず活性層４２を次いでアイソタイプ・ブロッキング層４４を作ることによつて形成する。これ等の層をエッチングし、適当なパッシベーション層９３及び接点９８，１００を当てがう。本検出器には機械的支持基板９０を当てがい、成長基板４０を除く。この検出器の活性層４２内に延びるエッチング止め穴４８，５０が形成される。インピーダンス整合検出器設計に必要な活性層４２の精密な厚さは、活性層４２の表面がエッチング止め穴４８，５０に達するまで活性層４２をエッチング処理で薄くすることにより生ずる。前記した構造及び方法により作る検出器は赤外線焦点面配列を形成することのできるこのような検出器の配列に使うのに極めて適合している。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 ヘテロ接合ブロツキング接点を持つインピーダンス整合光導電赤 外線検出器 技術分野 本発明は、一般に光導電赤外線検出器、ことにヘテロ接合ブロツキング接点（ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｃｏｎｔａｃｔ）を持つこ のような検出器の構造及び製法に関する。 背景技術 光導電赤外線検出器の作動の際の切実な問題は、「スイープ・アウト（ｓｗ ｅｅｐ−ｏｕｔ）の問題である。これは少数キヤリヤの正規の寿命より実質的に 短い時間で印加電界によるこれ等の少数キヤリヤの活性材料から接触片への移行 である。キヤリヤのこの減少した寿命により、検出器の有効性が低下する。スイ ープ・アウト（ｓｗｅｅｐ−ｏｕｔ）は、高い両極性可動度を持つＰ形検出器材 料では長期にわたる問題であり、又高性能のＮ形検出器材料では一層大きい問題 になる。スイープ・アウトの問題は、少数キヤリヤの移動をブロック（ｂｌｏｃ ｋ）するのに活性材料及び接点間にアイソタイプ（ｉｓｏｔｙｐｅ）異質接合の 使用により低減できることが認められている。しかし有効なインピーダンス整合 光導電赤外線検出器を［ｉｍｐｅｄａｎｃｅ−ｍａｔｃ ｈｅｄ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ（ＩＭＰＣ）ｄｅ ｔｅｃｔｏｒ］を作るのにアイソタイプ・ヘテロ接合［ｉｓｏｔｙｐｅｈｅｔｅ ｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ］の設計及び製造に困難な問題がある。 インピーダンス整合赤外線光導電（ＩＭＰＣ）検出器では、活性吸収材料の厚 さは吸収深さすなわち入斜線が吸収される深さより著しく小さい。高い量子効率 を保持するには、通常誘電性多重層スペーサ領域と高反射率接地面とから成るイ ンピーダンス整合サブ構造が必要である。インピーダンス整合サブ構造と共に活 性吸収層は、入射線を捕捉する光共振器を構成しこの入射線を活性層内に完全に 吸収することができる。このようにしてＩＭＰＣ検出器の量子効率は、活性材料 の厚さが入射線の吸収深さに匹敵する普通の光導電体に同等にすることができる 。高い量子効率を保ちながら活性材料体積を減らすとＳ−Ｎ比が向上するように なる。活性層の変型例は、限定するものではないが、エピレイヤ（ｅｐｉｌａｙ ｅｒ）水銀カドミウムテルライド、エピレイヤインジウムアンチモナイド、エピ レイヤインジウムアンチモナイドアーセナイド、エピレイヤガリウムインジウム アンチモナイド、超格子インジウムアンチモナイド／インジウムアンチモナイド アーセナイド及び超格子インジウムアーセナイド／ガリウムインジウムアンチモ ナイドがある。 アイソタイプ・ヘテロ接合ブロッキン接点では、一層広い帯状すきまアイソタ イプ半導体層は、その特性帯状 すきまエネルギーにより活性層でエピタキシアル生長をする。従来の長派長赤外 線（ＬＷＩＲ）水銀ガドミウムテルライド光導電性検出器の異質構造阻止接触片 の１例は、ジヤーナル・オブ・アプライド・フイジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）（１９８５年）第５８巻第２３６０ない し２３７０頁のＤ．Ｋ．アーチ（Ａｒｃｈ）、Ｒ．Ａ．ウッド（Ｗｏｏｄ）、及 びＤ．Ｌ．スミス（Ｓｍｉｔｈ）を著者とする論文「高応答性ＨｇＣｄＴｅ異質 接合光導電体」に記載してある。 層厚さの精密な制御は、インピーダンス整合光導電赤外線検出器の最適の性能 のために重要である。本発明は、アイソタイプ・ヘテロ接合ブロツキング接点を 備えたＩＭＰＣの層厚さの精密制御のできる構造とこのような検出器の製法を提 供する。 発明の開示 本発明の選定した実施例はインピーダンス整合光導電赤外線検出器の製法にあ る。この方法は、活性層表面の第１の面にキヤリヤ・ブロツキンッグ層を形成す ることにより追従する成長基板により支えた赤外線活性層を形成する工程を含む 。キヤリヤ・ブロツキング層はエッチングされて（ｅｔｃｈｅｄ）活性層（ａｃ ｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）の検出器領域を露出し、又この検出器領域の互いに対向 する側にキヤリヤ・ブロツキング層の第１及び第２の領域を形成する。キャリヤ ・ブロツキング層 の領域の検出器面と活性層の検出器領域とにパツシベーシヨン層（ｐａｓｓｉｖ ａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を形成する。このパツシベーシヨン層をエッチングし て第１及び第２のブロツキング層領域に各穴を形成する第１及び第２のブロツキ ング層領域の穴を貫通するオーム接点を形成する。各オーム接点に相互接続金属 被覆（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）を形成しデバ イス区域から横方向に延びるようにする。スペーサ層の表面に接地面を形成する 。支持基板は、接地面、オーム接点及び相互接続金属被覆に接合し、次いで成長 基板を除去し、活性層の第２の表面を露出する。この活性層の第２の表面をエッ チングし、この活性層を所定の厚さにする。 本発明の別の実施例は、第１及び第２の扁平なオフセットオーム接点を接合し た支持基板を備えたイピーダンス整合光導電赤外線検出器である。第１及びび第 ２の支持体ブロッキング領域は、それぞれ支持基板に対向する各オーム接点の表 面に位置させてある。接地面は、各オーム接点に対向する第１及び第２のブロッ キング領域面の表面の間にその下方に横方向に位置させてある。誘電性スペーサ 層は、接地面の表面の上方に位置し第１及び第２の阻止領域間に少なくとも部分 的に位置する。赤外線活性層は、オーム接点に対向する阻止領域の表面に少なく とも部分に位置させてある。この活性層は阻止領域に電気的に接触し、又この活 性層は接地面から誘電性ス ペーサ層の反対側に位置している。 本発明のなお別の態様は選定した材料から成る精密な厚さの層と一体構造とを 作る方法にある。選定した材料から成る第１の層は基板に形成してある。この第 １の層は、基板に隣接する第１の表面と、この第１の層の基板の反対側の第２の 表面とを持つ。第２の層は、第２の材料により第１の層の第２の表面に形成して ある。エッチング止め穴は、第２の層を貫いて第１の層内にこの第１の層内に所 定の深さにエッチングを行うことにより形成する。この場合エッチング止め穴の 底部は第１の層にある。次に基板を取除く。最後に第１の層の第１の表面をエツ チングし、このエッチングした第１の表面がエッチング止め穴の底部に実質的に 平行になるまで第１の層の厚さを減らす。このエッチング作業の結果として、第 １の層は前記の所定の深さに実質的に等しい厚さを持つ。 図面の簡単な説明 本発明及びその利点を添付図面（必ずしも縮尺を合わせてない）について以下 に詳細に説明する。 第１図は従来のヘテロ接合光導電赤外線検出器の縦断面図である。 第２ａ図ないし第２ｊ図は本発明によるヘテロ接合赤外線検出器の第１の実施 例を作る逐次の製造工程を示す縦断面図であり第２ｊ図は完成した検出器の縦断 面図を示す。 第２ｋ図は仕上がりの検出器の第２の実施例の縦断面 図である。 実施例の詳細な説明 略図で示したヘテロ接合を持つ従来の赤外線半導体検出器２０を第１図に例示 してある［アーチ（Ａｒｃｈ）等による前記した論文参照］。基板２２は、その 表面にブロツキング層２６を持つ活性層２４を支える。基盤２２はたとえばＣｄ Ｔｅ基板でよい。活性層２４はＨｇ_1-xＣｄ_xＴｅである。この材料はｘ＝０．２ の値を持つ。この場合ｘはＨｇに対するＣｄの比率である。ブロツキング層２６ は、同様な材料であるが、ｘ＝０．２４の値を持つ。ｘの値のこの差は、接点へ の少数キャリヤの移動をブロックする作用をする禁止帯幅エネルギーに差を生ず る。 ＣｄＴｅのような材料から成るパツシベーシヨン層２８は検出器２０の中央に 設けてある。パツシベーション層２８の各側に、例えばチタン、無電解金又はＨ ｇＴｅである接点３０，３２を設けてある。チタン、無電解金又はＨｇＴｅの接 点３０及びブロツキング層２６間と共にチタン又は無電解金の接点３２及びブロ ツキング層２６間にオーム接続を形成してある。 第１図に示したヘテロ接合構造は、少数キヤリヤの放出を防ぐことにより赤外 線半導体検出器２０の性能を高めるように作用する。しかしこの構造及びその製 法は焦点面配列に使うインピーダンス整合光導電赤外線検出器の製造には望まし くない。 本発明によるブロツキング接点をもつインピーダンス整合光導電赤外線検出器 の製造の各段階は、第２ａ図ないし第２ｊ図に断面図で例示してある。２つの実 施例の最終製品の断面図を第２ｊ図及び第２ｋ図に例示してある。この赤外線半 導体検出器は８ないし１２μのスペクトル帯域の放射線を検出するようにしてあ る。 第２ａ図に示すように製造は、例えばカドミウムテルライド（ＣｄＴｅ）、カ ドミウム亜鉛テルライド（ＣｄＺｎＴｅ）、又はガリウムアーセナイド（ＧａＡ ｓ）である生長基板４０で開始する。エピタキシアルアイソタイプ活性層４２は 、２ないし１０μｍの範囲の厚さをもつｘ＝０．２Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅエピレイヤ である。ブロツキング層４４は活性層４２の表面で同様にエピタキシアル成長す る。ブロツキング層４４は厚さが約１μｍでｘ＝０．２４のＨｇ_1-xＣｄ_xＴｅエ ピレイヤ（ｅｐｉｌａｙｅｒ）により構成するのがよい。各エピレイヤ４２，４ ４は、たとえば有機金属気相成長（ＯＭＶＰＥ）［ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅ ｐｉｔａｘｙ］，（分子線成長（ＭＢＥ）（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍｅ ｐｉｔａｘｙ）、液相成長（ＬＰＥ）［ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａ ｘｙ］）又は密閉空間気相成長（ＣＳＶＰＥ）［ｃｌｏｓｅｄ−ｓｐａｃｅｄ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ］により成長するのがよい。又これ等 の２層に対するこれ等の成長法の組合わせを使ってもよい。各層の厚さは生長法 の校正により 制御する。 この方法の次の工程は第２ｂ図に例示してある。ブロツキング層４４は活性層 ４２の上面からエッチングを行い検出器固有領域４６を形成する。各層４４，４ ２も又エッチングを行い穴４８，５０を形成する。各穴４８，５０はブロツキン グ層４４を貫通し活性層４２内に距離（深さ）ｔａにわたつて延びる。距離ｔａ は活性層４２の望ましい最終厚さであり本実施例では０．６μである。 層４４のエッチングにより、検出器固有領域４６の各側にあるブロツキング接 点領域４４ａ，４４ｂを生成する。各層４４，４２のエッチングは、臭素エチレ ングリコールウエツトエッチング法又は遊離メチルプラズマエツチング法を使っ て実施するのがよい。各穴４８，５０は活性層４２内に深さｔａまで延びる。エ ッチングの止めの決定に引続いて使う各穴４８，５０は単に例示のために検出器 固有領域４６に隣接して示してある。各検出器固有領域４６に対し穴４８，５０ の一方を必要とするわけではない。典型的には数百又は数千の検出器領域たとえ ば領域４６は単一のウエーハに作る。このウエーハの全体にわたり少数の穴４８ ，５０だけしか設ける必要がない。 第２ｃ図ではパツシベーシヨン層５４を付着させエッチングを行い、パツシベ ーシヨン層５４が検出器領域４６で活性層４２の表面を覆うようにする。パツシ ベーシヨン層５４はたとえば、約１，０００Ａの厚さを持つ 蒸着ＣｄＴｅである。次に窒化けい素エツチング止め層（ｅｔｃｈ ｓｔｏｐ ｌａｙｅｒ）すなわちＳｉＮ層５６を全部の露出面に付着する。ＳｉＮ層５６は 約１０００Ａの好適な厚さを持つ。ＳｉＮ層５６は又各穴４８，５０の内面すな わち両側部及び底部を被覆する。穴４８，５０の底部のＳｉＮ層５６の部分は、 後述のようにエッチング止め層として作用する。 検出器の製法の次の段階を第２ｄ図に例示してある。エッチング止め層５６は 、窓６２，６４を形成を形成するように領域４４ａ，４４ｂの表面を選択的にエ ッチングする。ＳｉＮ層５６は、ふっ化水素酸を使用してウエツトエッチングを 行い又はＣＦ₄を使用してプラズマエッチングを行う。 さらに第２ｂ図に示すように接点６６，６８は、普通の光蝕刻リフトオフエ程 （ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ ｌｉｆｔｏｆｆ ｐｒｏｃｅｓｓ）を 使い堆積させそれぞれ窓６２，６４内に位置させる。接点６６，６８は、活性層 ４２のような水銀カドミウムテルライドに対しｎ形ドーピング層４２に対しては チタン又層４２のｐ形ドーピングのためには無電解の金又はＨｇＴｅから成る金 属被覆である。接点６６，６８の形成に次いで相互接続金属被覆接点（ｉｎｔｅ ｒｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｃｏｎｔａｃｔ）７０ ，７２はそれぞれ接触片６６，６８に電気的に接触するように形成する。相互接 続金属被覆は蒸着チタン金 がよい。接触片６６，６８は厚さを５００Ａにするのがよく、被覆接触片７０， ７２は厚さを１０，０００Ａにするのがよい。 次に第２ｅ図について整合インピーダンス構造を生成する製造順序の部分につ いて述べる。誘電性材料から成るスペーサ８０は、ブロッキング層領域４４ａ， ４４ｂ間で層５６の表面に検出器領域４６内に形成する。スペーサ８０はＣｄＴ ｅ又はＳｉＮから作るのがよい。この層の厚さは、この構造を受入れる赤外線エ ネルギーの所望の波長に同調させるように注意深く制御する。金属接地面８２な るべくは蒸着アルミニウムはスペーサ８０の表面に付着させる。選定した実施例 では、スペーサ８０は２０００Ａの好適な厚さを持ち、又アルミニウム接地面８ ２は５００Ａの好適な厚さを持つ。接地面８２の形成後に、構造全体をたとえば 約１，０００Ａの厚さを持つＳｉＮから成る密封誘電性層８４で覆う。 第２ｆ図では第２ｅ図に示した構造を説明しやすいように逆さにしてある。機 械的基板９０は、基板９０を第２ｅ図に示した構造に接合するのにエポキシ９２ を使って接着してある。エポキシ９２は密封層８４に接触する。基板９０はシリ コン又はサファイアのウエーハがよい。基板９０は又シリコン読出し集積回路（ ＲＯＩＣ）チップでもよい。 第２ｇ図では成長基板４０は、この基板に対し選定するエッチングを行って除 去する。前記した成長基板４０ に対し前記３例のうちのいずれも種々の酸過酸化物エッチング又はＥ−エッチン グにより除去する。Ｅ−エッチングは、重クロム酸カリウムプラス硝酸及びＨ₂ Ｏを使って行うことができる。これ等のエッチング法では、活性層４２にはエッ チングを行わないで基板４０の選択的エッチングを行う。 次の製造工程を第２ｈ図について述べる。この工程では活性層４２を精密な設 計厚さｔａに薄くする。エッチング処理によりこのウエーハを横切つて活性層４ ２の露出面を均等に除去する。前記した活性層４２に対したとえば臭素メタノー ルウエットエッチング法又は遊離メチル基プラズマエッチング法によりエッチン グを行う。このエッチング処理は、層５６の上面が現われるまで続ける。層５６ の表面は第２ｃ図に示すように穴４８の底部である。作業者は、穴４８における 層５６の上面が現われ又はこの上面をエッチング作用を止める器具によつて検出 すると終了する。 第２ｉ図では活性層４２及びブロッキング層４４は、普通のレジストによるマ スキングの使用により選択的エッチングによつてパターン形成する。このエッチ ングはたとえば臭素エッチングリコールウエットエッチング法又は遊離メチル基 プラズマエッチング法によつて行うことができる。このようにして活性領域４２ ａ及びブロッキング接触領域４４ｃ，４４ｄを生成する。 第２ｊ図に示すようにパッシベーション層１３は活性 領域４２ａの表面に形成する。約５００Ａの厚さを持つアルミニウム光遮蔽層９ ４，９６はパッシベーション層９３の上面に形成する。光遮蔽層９４，９６はブ ロッキング領域４４ｃ，４４ｄの上方に整合させ入射赤外線がブロッキング領域 ４４ｃ，４４ｄに当たらないようにする。 各ボンドパッド窓（ｂｏｎｄ ｐａｄ ｗｉｎｄｏｗ）は層５６で接点７０， ７２の上方でエッチングされ、本検出器に対し外部接続ができるようにする。こ のエッチングを、ふつ化水素酸ウエットエッチングにより又はＣＦ₄プラズマエ ッチングにより行う。次いで結合ワイヤを接点７０，７２に取付ける。 検出器セルの第２の実施例を第２ｋ図に示してある。支持基板９０がシリコン ＲＯＩＣである場合には、各バイアホールは接触片７０，７２を貫いてイオン加 工し、密封層８４及びエポキシ層９２がＲＯＩＣに接触する。金属相互接続片９ ８，１００は、普通の光蝕刻リフト・オフ工程を使いバイアホールを経て付着さ せる。ＲＯＩＣの回路の詳細は図示してない。ＲＯＩＣを設けた赤外線検出器は 、コックラム（Ｃｏｃｋｒｕｍ）等を発明者とする１９９３年１月１２日付米国 特許第３，１７９，２８３号明細書「赤外線検出器焦点面」とアールグレン（Ａ ｈｌｇｒｅｎ）等を発明者とする１９９０年１１月１３日付米国特許第４，９７ ０，５６７号明細書「赤外線を検出する方法及び装置、モノリシック光電検出器 」 とに示してある。これ等の２つの米国特許明細書は本説明に参照してある。 作動時には第２ｊ図及び第２ｋ図に示した赤外線検出器セルは各接点７０，７ ２間に加える直流信号により電気的に付勢する。この信号は、赤外線を活性領域 により吸収するときに変調される。 第２ｊ図及び第２ｋ図は赤外線焦点面配列を形成するように配列内の複数の要 素として作るのがよい。 要するに本発明は、同形異質接合阻止接触片を持つ赤外線検出器の構成とこの 検出器を作る方法とにある。 以上本発明の複数の実施例を添付図面について詳細に説明したが本発明はなお その精神を逸脱しないで種々の変化変型を行うことができるのはもちろんである 。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．インピーダンス整合光導電赤外線検出器を作る方法において、 成長基板により支えられる赤外線活性層を形成する段階と、 この赤外線活性層の第１の表面にキャリヤ・ブロッキング層を形成する段階と 、 このキャリヤ・ブロッキング層をエッチングして、前記赤外線活性層の領域を 露出し、前記キャリヤ・ブロッキング層の第１及び第２の領域を形成する段階と 、 前記キャリヤ・ブロッキング層の領域及び前記赤外線活性層の領域の露出面に パッシベーション層を形成する段階と、 このパッシベーション層をエッチングして、前記キャリヤ・ブロッキング層の 第１及び第２の領域に各穴を形成する段階と、 これ等の各穴を貫いて前記キャリヤ・ブロッキング層の第１及び第２の領域に 延びる各オーム接点を形成する段階と、 前記赤外線活性層の前記領域上に赤外線を通過させるスペーサ層を形成する段 階と、 このスペーサ層上に接地面を形成する段階と、 この接地面及び前記オーム接点に支持基板を接合する段階と、 前記成長基板を除去して前記赤外線活性層の第２の表面を露出する段階と、 前記赤外線活性層の前記第２の表面をエッチングし、エッチングした第２の表 面を形成し、前記赤外線活性層に対し所定の厚さを生じさせる段階と、を包含す る方法。 ２．前記赤外線活性層の前記エッチングした第２の表面にパッシペーション層を 形成する段階を含む請求の範囲第１項記載の方法。 ３．前記キャリヤ・ブロッキング層の直上で前記パッシベーション層に赤外線ブ ロッキング遮蔽を付着して入射する赤外線が前記赤外線活性層を通過して前記キ ャリヤ・ブロッキング層の領域に衝突するのを防ぐようにする請求の範囲第２項 記載の方法。 ４．前記各オーム接点を形成する段階が、前記赤外線活性層に対向する前記キャ リヤ・ブロッキング層の領域に第１の各接点を形成する段階と、 これ等の接点に外部導体を当てがう表面を持ち、前記第１の接点に干渉する第 ２の各接点を形成する段階と、 ビアホール及び接点を形成し、読出し集積回路にインタフェースで接続する段 附と、を包含する請求の範囲第１項記載の方法。 ５．前記各オーム接点を形成する段階が、 各第１の接点を前記赤外線活性層に対向する前記キャリヤ・ブロッキング層の 領域に形成する段階と、 前記第１の接点に外部導体を当てがう表面を持ち、前記第１の接点にインタフ ェースで接続する第２の各接点を形成する段階と、 ビアホール及び接点を形成して読出し集積回路支持基板に、インタフェースで 接続する段階と、を包含する請求の範囲第１項記載の方法。 ６．支持基板と、 この支持基板に接合された第１及び第２の扁平なオフセット・オーム接点と、 これ等のオフセット・オーム接点の前記支持基板に対向する表面にそれぞれ位 置させた第１及び第２のキャリヤ・ブロッキング領域と、 前記各オーム接点に対向する前記第１及び第２のキャリヤ・ブロッキング領域 の前記各表面の間に、かつその下方に横方向に位置させた接地面と、 この接地面上に位置させられ、前記第１及び第２のキャリヤ・ブロッキング領 域の間に少なくとも部分的に位置させられた誘電性スペーサ層と、 前記オーム接点に対向する前記キャリヤ・ブロッキング領域の表面に少なくと も部分的に位置させられ、これ等のキャリヤ・ブロッキング領域に電気的に接触 し、前 記接地面から前記誘電性スペーサ層の反対側に位置させられた赤外線活性層と、 を包含するインピーダンス整合光導電赤外線検出器。 ７．前記赤外線活性層に形成したパッシベーション層を備えた請求の範囲第６項 記載のインピーダンス整合光導電赤外線検出器。 ８．前記各キャリヤ・ブロッキング領域のすぐ上方で前記パッシベーション層に 形成され、入射する赤外線が前記赤外線活性層を通過して前記各キャリヤ・ブロ ッキング領域に衝突するのを防ぐようにした各赤外線ブロッキング遮蔽を備えた 請求の範囲第７項記載のインピーダンス整合光導電赤外線検出器。 ９．集積構造に第１の材料から成る精密な厚さの層を作る方法において、 基板に、隣接する第１の表面と第２の表面とを持ち、前記第１の材料から成る 第１の層を前記基板上に形成する段階と、 前記第１の層の第２の表面上に第２の材料から成る第２の層を形成する段階と 、 前記第２及び第１の層をエッチング処理して、前記第２の層を貫通し、前記第 １の層内に所定の距離だけ延び、前記第１層内に底部を持つエッチング止め穴を 形成する 段階と、 前記基板を除去する段階と、 前記の第１の層の第１の表面をエッチングして、前記第１の層の厚さを減らす 段階と、 前記の第１の層の第１の表面をエッチング処理して、この第１の層の厚さを減 らす前記段階中に、この第１の層の第１の表面を監視して前記エッチング止め穴 の底部の露出を検出する段階と、 このエッチング止め穴の前記底部が、前記監視段階で検出されるときに、前記 第１の層の前記第１表面をエッチングして、前記第１の層の厚さを減らす段階を 終了することにより、前記第１の層が前記所定距離に実質的に等しい厚さを持つ ようにする段階と、を包含する方法。 １０．集積構造に選定した材料から成る精密な厚さの層を作る請求の範囲第９項 記載の方法において、前記エッチング止め穴の少なくとも底部を覆う第３の材料 層を形成する段階を包含する方法。