JPH09148620A - 光反射型検出器及びその製造方法 - Google Patents
光反射型検出器及びその製造方法Info
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- JPH09148620A JPH09148620A JP7500896A JP7500896A JPH09148620A JP H09148620 A JPH09148620 A JP H09148620A JP 7500896 A JP7500896 A JP 7500896A JP 7500896 A JP7500896 A JP 7500896A JP H09148620 A JPH09148620 A JP H09148620A
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光反射型検出器で、被検出物に反射されずに
発光素子から受光素子に直接に到達する光、及び外囲器
（パッケージ）内部での内部リーク光をなくす。 【解決手段】 発光素子が受光素子よりも被検出物から
遠くに位置するように、発光素子搭載用リードフレーム
を受光素子搭載用リードフレームの下方に配置して、２
層構造とする。受光素子搭載用リードフレームには、発
光素子から発せられた光を通過させるための孔を形成し
て、被検出物に向かう光だけを通過させて、他の光は遮
断する。また、外囲器（パッケージ）の表面には、外乱
光や内部リーク光の遮断・吸収特性を有する光学膜或い
は凹凸構造を設ける。また、受光素子搭載用リードフレ
ームの裏面に、反射防止処理を施す。
発光素子から受光素子に直接に到達する光、及び外囲器
（パッケージ）内部での内部リーク光をなくす。 【解決手段】 発光素子が受光素子よりも被検出物から
遠くに位置するように、発光素子搭載用リードフレーム
を受光素子搭載用リードフレームの下方に配置して、２
層構造とする。受光素子搭載用リードフレームには、発
光素子から発せられた光を通過させるための孔を形成し
て、被検出物に向かう光だけを通過させて、他の光は遮
断する。また、外囲器（パッケージ）の表面には、外乱
光や内部リーク光の遮断・吸収特性を有する光学膜或い
は凹凸構造を設ける。また、受光素子搭載用リードフレ
ームの裏面に、反射防止処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型フォトイン
タラプタなど、被検出物体の有無、傾き、位置などの検
出を行う光反射型検出器及びその製造方法に関する。
タラプタなど、被検出物体の有無、傾き、位置などの検
出を行う光反射型検出器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）及び（ｂ）は、被検出物から
反射された光の偏りによって被検出物の傾きを検出す
る、反射型フォトインタラプタ等の光反射型検出器の従
来の構成の一例を示す断面図及び平面図である。
反射された光の偏りによって被検出物の傾きを検出す
る、反射型フォトインタラプタ等の光反射型検出器の従
来の構成の一例を示す断面図及び平面図である。
【０００３】従来の光反射型検出器１０では、基板１の
上に発光素子２をダイ・ワイヤボンドし、さらに同一基
板１の上であってその発光素子２を中心とする同一円周
上に、４個の受光素子３Ａ〜３Ｄを等間隔に配置してダ
イ・ワイヤボンドしている。発光素子２より発せられた
光Ｌは．上方に配置されたレンズ４で集光されて被検出
物５を照射する。さらに、被検出物５からの反射光Ｌ’
は、再びレンズ４で集光された後に基板１の上に図１
（ｂ）に示す破線のように結像し、各受光素子３Ａ〜３
Ｄに入射する。
上に発光素子２をダイ・ワイヤボンドし、さらに同一基
板１の上であってその発光素子２を中心とする同一円周
上に、４個の受光素子３Ａ〜３Ｄを等間隔に配置してダ
イ・ワイヤボンドしている。発光素子２より発せられた
光Ｌは．上方に配置されたレンズ４で集光されて被検出
物５を照射する。さらに、被検出物５からの反射光Ｌ’
は、再びレンズ４で集光された後に基板１の上に図１
（ｂ）に示す破線のように結像し、各受光素子３Ａ〜３
Ｄに入射する。
【０００４】図２（ａ）及び（ｂ）は、図１（ａ）及び
（ｂ）の従来の光反射型検出器１０の構成において、被
検出物５が△θだけ傾いた場合の光路を示している。こ
の場合に、被検出物５で反射された反射光Ｌ’の基板１
の上での結像箇所は、図２（ｂ）に破線で示すように、
被検出物５の傾きに対応して変位する。この結果、各受
光素子３Ａ〜３Ｄの出力に差が生じる。
（ｂ）の従来の光反射型検出器１０の構成において、被
検出物５が△θだけ傾いた場合の光路を示している。こ
の場合に、被検出物５で反射された反射光Ｌ’の基板１
の上での結像箇所は、図２（ｂ）に破線で示すように、
被検出物５の傾きに対応して変位する。この結果、各受
光素子３Ａ〜３Ｄの出力に差が生じる。
【０００５】このとき、受光素子３Ａ及び３Ｃから得ら
れる出力ＳAとＳCとの差を、例えば以下の（１）式によ
って演算すると、 Ｓ＝（ＳA−ＳC）／（ＳA＋ＳC） （１） 被検出物５の傾き△θと検出度Ｓとの関係は図３に示す
ようになる。すなわち、ある角度範囲内では、検出度Ｓ
は被検出物５の傾き△θに対して一次関数的に変化する
ので、検出度Ｓを上式で求めることによって被検出物の
傾きの度合△θを検出できる。
れる出力ＳAとＳCとの差を、例えば以下の（１）式によ
って演算すると、 Ｓ＝（ＳA−ＳC）／（ＳA＋ＳC） （１） 被検出物５の傾き△θと検出度Ｓとの関係は図３に示す
ようになる。すなわち、ある角度範囲内では、検出度Ｓ
は被検出物５の傾き△θに対して一次関数的に変化する
ので、検出度Ｓを上式で求めることによって被検出物の
傾きの度合△θを検出できる。
【０００６】上記の説明は受光素子３Ａ及び３Ｃに関し
てであるが、他の受光素子３Ｂ及び３Ｄについて関して
も同様の演算を行うことによって、被検出物５の傾き方
向や傾き量を２次元的に検出することができる。
てであるが、他の受光素子３Ｂ及び３Ｄについて関して
も同様の演算を行うことによって、被検出物５の傾き方
向や傾き量を２次元的に検出することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の光
反射型検出器１０では、発光素子２と受光素子３Ａ〜３
Ｄとが同一基板１の上に配置されているため、図１
（ａ）或いは図２（ａ）に示すように、発光素子２の側
面より発した光Ｌａは直接的に受光素子３Ａ〜３Ｄを照
射する。受光素子３は、この直接光Ｌａと被検出物５か
ら反射光Ｌ’との両方を受光して出力信号を生成するた
め、上記（１）式の分母である（ＳA＋ＳC）が増加し
て、検出度Ｓが低下してしまう。つまり、被検出物５の
傾き検出時に、被検出物５からの反射光によって得られ
る信号成分Ｓと発光素子２の側面からの光を直接的に受
光することによる非信号成分（ノイズ成分）Ｎとの間
で、Ｓ／Ｎ比が低下する。
反射型検出器１０では、発光素子２と受光素子３Ａ〜３
Ｄとが同一基板１の上に配置されているため、図１
（ａ）或いは図２（ａ）に示すように、発光素子２の側
面より発した光Ｌａは直接的に受光素子３Ａ〜３Ｄを照
射する。受光素子３は、この直接光Ｌａと被検出物５か
ら反射光Ｌ’との両方を受光して出力信号を生成するた
め、上記（１）式の分母である（ＳA＋ＳC）が増加し
て、検出度Ｓが低下してしまう。つまり、被検出物５の
傾き検出時に、被検出物５からの反射光によって得られ
る信号成分Ｓと発光素子２の側面からの光を直接的に受
光することによる非信号成分（ノイズ成分）Ｎとの間
で、Ｓ／Ｎ比が低下する。
【０００８】図４（ａ）〜（ｃ）は、上記の問題点を考
慮して形成された従来の他の光反射型検出器２０の構成
を示す側面図、断面図、及び平面図である。光反射型検
出器２０では、発光素子１２と受光素子１３とが、パッ
ケージ１１の中に設けられた別々の部屋１１Ａ及び１１
Ｂの中に配置されている。発光素子１２から出た光は被
検出物１５を照射して、その反射光が受光素子１３に入
射する。
慮して形成された従来の他の光反射型検出器２０の構成
を示す側面図、断面図、及び平面図である。光反射型検
出器２０では、発光素子１２と受光素子１３とが、パッ
ケージ１１の中に設けられた別々の部屋１１Ａ及び１１
Ｂの中に配置されている。発光素子１２から出た光は被
検出物１５を照射して、その反射光が受光素子１３に入
射する。
【０００９】発光素子１２及び受光素子１３が収納され
ている部屋１１Ａ及び１１Ｂは、光反射型検出器２０を
同一のモールド金型で形成する場合であっても別個のモ
ールド金型で形成する場合であっても、金型クランプ時
のクランプ部で仕切られて形成される。部屋１１Ａ及び
１１Ｂには、モールド樹脂が充填されている。また、部
屋１１Ａ及び１１Ｂは遮光性樹脂で仕切られていて、発
光素子１２からの光が直接的に受光素子１３に到達しな
いようになっている。
ている部屋１１Ａ及び１１Ｂは、光反射型検出器２０を
同一のモールド金型で形成する場合であっても別個のモ
ールド金型で形成する場合であっても、金型クランプ時
のクランプ部で仕切られて形成される。部屋１１Ａ及び
１１Ｂには、モールド樹脂が充填されている。また、部
屋１１Ａ及び１１Ｂは遮光性樹脂で仕切られていて、発
光素子１２からの光が直接的に受光素子１３に到達しな
いようになっている。
【００１０】しかし、上記の従来の光反射型検出器２０
の構成では、発光素子１２と受光素子１３とが横並びに
配置されるので、全体の構成を小型化することが困難で
ある。また、発光素子１２と受光素子１３とは別々にモ
ールド成形しなければならず、製造時の工程数が増加す
る。
の構成では、発光素子１２と受光素子１３とが横並びに
配置されるので、全体の構成を小型化することが困難で
ある。また、発光素子１２と受光素子１３とは別々にモ
ールド成形しなければならず、製造時の工程数が増加す
る。
【００１１】さらに、図４（ｃ）の平面図に示すよう
に、光反射型検出器２０の構成では、発光素子１２と受
光素子１３とがＸ軸に沿って横並びに配置される。この
ために、受光素子１３を多分割（例えば４分割）構成と
して傾き検出を行う際に、被検出物１５がＸ軸回転方向
に角度を変える場合とＹ軸回転方向に角度を変える場合
とで、その検出特性に歪みが生じる。これを、図５
（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
に、光反射型検出器２０の構成では、発光素子１２と受
光素子１３とがＸ軸に沿って横並びに配置される。この
ために、受光素子１３を多分割（例えば４分割）構成と
して傾き検出を行う際に、被検出物１５がＸ軸回転方向
に角度を変える場合とＹ軸回転方向に角度を変える場合
とで、その検出特性に歪みが生じる。これを、図５
（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
【００１２】図５（ａ）は、被検出物１５がＹ軸回転方
向に角度ψだけ傾く場合の光路の変化を模式的に示す断
面図である。また、図５（ｂ）は、被検出物１５がＸ軸
回転方向に角度ψだけ傾く場合の光路の変化を模式的に
示す断面図である。
向に角度ψだけ傾く場合の光路の変化を模式的に示す断
面図である。また、図５（ｂ）は、被検出物１５がＸ軸
回転方向に角度ψだけ傾く場合の光路の変化を模式的に
示す断面図である。
【００１３】図５（ａ）の場合、被検出物１５がＹ軸回
転方向に傾いていない場合（実線で描いている場合）で
あっても、発光素子１２からの光は被検出物５に角度θ
1を有して入射し、同じく角度θ1を有して反射して受光
素子１３に到達する。ここで、被検出物１５が点線で示
すようにＹ軸回転方向に角度ψだけ傾くと、発光素子１
２から被検出物１５への光の入射角度及びそこからの反
射角度が、それぞれθ2に変化する。一方、図５（ｂ）
の場合には、被検出物１５がＸ軸回転方向に傾いていな
い場合（実線で描いている場合）の光の入射及び反射角
度は９０度であるが、被検出物１５が点線で示すように
角度ψだけ傾くことによって、発光素子１２から被検出
物１５への光の入射角度及びそこからの反射角度がθ3
に変化する。
転方向に傾いていない場合（実線で描いている場合）で
あっても、発光素子１２からの光は被検出物５に角度θ
1を有して入射し、同じく角度θ1を有して反射して受光
素子１３に到達する。ここで、被検出物１５が点線で示
すようにＹ軸回転方向に角度ψだけ傾くと、発光素子１
２から被検出物１５への光の入射角度及びそこからの反
射角度が、それぞれθ2に変化する。一方、図５（ｂ）
の場合には、被検出物１５がＸ軸回転方向に傾いていな
い場合（実線で描いている場合）の光の入射及び反射角
度は９０度であるが、被検出物１５が点線で示すように
角度ψだけ傾くことによって、発光素子１２から被検出
物１５への光の入射角度及びそこからの反射角度がθ3
に変化する。
【００１４】以上より、被検出物１５がＹ軸回転方向に
傾く場合とＸ軸回転方向に傾く場合とで被検出物１５か
らの反射光の到達位置が変化して、結果的に、Ｘ軸回転
とＹ軸回転とで角度検出特性が異なることになる。先に
説明した光反射型検出器１０のように発光素子２の周囲
に複数の受光素子３Ａ〜３Ｄを等間隔で配置すれば、被
検出物１５の傾き方向の相違に伴う上記のような検出特
性の歪みの問題は解決するが、発光素子２から受光素子
３Ａ〜３Ｄへの直接的な光の入射に起因するＳ／Ｎ比の
低下という問題が生じることは、既に説明した通りであ
る。
傾く場合とＸ軸回転方向に傾く場合とで被検出物１５か
らの反射光の到達位置が変化して、結果的に、Ｘ軸回転
とＹ軸回転とで角度検出特性が異なることになる。先に
説明した光反射型検出器１０のように発光素子２の周囲
に複数の受光素子３Ａ〜３Ｄを等間隔で配置すれば、被
検出物１５の傾き方向の相違に伴う上記のような検出特
性の歪みの問題は解決するが、発光素子２から受光素子
３Ａ〜３Ｄへの直接的な光の入射に起因するＳ／Ｎ比の
低下という問題が生じることは、既に説明した通りであ
る。
【００１５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、（１）発光素子からの
受光素子への直接的な光の入射を防止してＳ／Ｎ比を向
上するとともに、傾き検出時の検出特性の歪みが抑制さ
れた光反射型検出器を提供すること、及び（２）そのよ
うな光反射型検出器の製造方法を提供すること、を目的
とする。
れたものであって、その目的は、（１）発光素子からの
受光素子への直接的な光の入射を防止してＳ／Ｎ比を向
上するとともに、傾き検出時の検出特性の歪みが抑制さ
れた光反射型検出器を提供すること、及び（２）そのよ
うな光反射型検出器の製造方法を提供すること、を目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光反射型検出器
は、発光素子と、該発光素子から発せられて被検出物に
より反射された光を受光するように配置された受光素子
と、を備える光反射型検出器であって、該発光素子から
発せられた光が該受光素子に直接照射されることを防ぐ
ように、該発光素子と該被検出物との間の距離が該受光
素子と該被検出物との間の距離と異なるように、該発光
素子及び該受光素子が配置されていて、そのことによっ
て上記目的が達成される。
は、発光素子と、該発光素子から発せられて被検出物に
より反射された光を受光するように配置された受光素子
と、を備える光反射型検出器であって、該発光素子から
発せられた光が該受光素子に直接照射されることを防ぐ
ように、該発光素子と該被検出物との間の距離が該受光
素子と該被検出物との間の距離と異なるように、該発光
素子及び該受光素子が配置されていて、そのことによっ
て上記目的が達成される。
【００１７】好ましくは、前記発光素子が搭載されてい
るリードフレームを前記受光素子が搭載されているリー
ドフレームの下方に配置して、２層構造を形成してい
る。
るリードフレームを前記受光素子が搭載されているリー
ドフレームの下方に配置して、２層構造を形成してい
る。
【００１８】また、好ましくは、前記受光素子が搭載さ
れているリードフレームに、前記発光素子から発せられ
た光が通過する孔が形成されている。
れているリードフレームに、前記発光素子から発せられ
た光が通過する孔が形成されている。
【００１９】本発明の他の局面による光反射型検出器
は、第１のリードフレームに搭載されている発光素子
と、該発光素子から発せられて被検出物により反射され
た光を受光するように配置され、第２のリードフレーム
に搭載されている受光素子と、を備え、該受光素子の出
力を使用して該被検出物の光学的検知を行う光反射型検
出器であって、該発光素子及び該受光素子は、金型のク
ランプによって仕切られる同一モールド型の同部屋にて
同一モールド樹脂で成形されており、該第１及び第２の
リードフレームは、樹脂モールド部の内部では２層構造
を形成し、該樹脂モールド部の外側では、該受光素子の
搭載面と同一平面上或いはそれに平行な面上にそれぞれ
引き出されており、該第１及び第２のリードフレームの
間には、該受光素子の搭載面に垂直な方向にリードフレ
ーム１枚分の段差が存在していて、そのことによって上
記目的が達成される。
は、第１のリードフレームに搭載されている発光素子
と、該発光素子から発せられて被検出物により反射され
た光を受光するように配置され、第２のリードフレーム
に搭載されている受光素子と、を備え、該受光素子の出
力を使用して該被検出物の光学的検知を行う光反射型検
出器であって、該発光素子及び該受光素子は、金型のク
ランプによって仕切られる同一モールド型の同部屋にて
同一モールド樹脂で成形されており、該第１及び第２の
リードフレームは、樹脂モールド部の内部では２層構造
を形成し、該樹脂モールド部の外側では、該受光素子の
搭載面と同一平面上或いはそれに平行な面上にそれぞれ
引き出されており、該第１及び第２のリードフレームの
間には、該受光素子の搭載面に垂直な方向にリードフレ
ーム１枚分の段差が存在していて、そのことによって上
記目的が達成される。
【００２０】ある実施形態では、前記樹脂モールド部の
外側において、前記第１及び第２のリードフレームが、
ダミーフレームがそれぞれ設けられた２枚重ね構造にな
っている。
外側において、前記第１及び第２のリードフレームが、
ダミーフレームがそれぞれ設けられた２枚重ね構造にな
っている。
【００２１】他の実施形態では、前記第１のリードフレ
ームが前記第２のリードフレームの下方に配置され、該
第２のリードフレームに前記発光素子から発せられた光
が通過する孔が形成されている。
ームが前記第２のリードフレームの下方に配置され、該
第２のリードフレームに前記発光素子から発せられた光
が通過する孔が形成されている。
【００２２】本発明のさらに他の局面による光反射型検
出器は、発光素子を搭載した第１のリードフレームが樹
脂モールドされて形成されている発光素子部と、受光素
子を搭載した第２のリードフレームが樹脂モールドされ
て形成されている受光素子部と、を備えた光反射型検出
器であって、該受光素子部と該発光素子部とが重ねて配
置されており、該発光素子から発せられた光が被検出物
を照射して、その反射光を該受光素子で受光するように
構成されていて、該受光素子の出力を使用して該被検出
物の光学的検知を行い、そのことによって上記目的が達
成される。
出器は、発光素子を搭載した第１のリードフレームが樹
脂モールドされて形成されている発光素子部と、受光素
子を搭載した第２のリードフレームが樹脂モールドされ
て形成されている受光素子部と、を備えた光反射型検出
器であって、該受光素子部と該発光素子部とが重ねて配
置されており、該発光素子から発せられた光が被検出物
を照射して、その反射光を該受光素子で受光するように
構成されていて、該受光素子の出力を使用して該被検出
物の光学的検知を行い、そのことによって上記目的が達
成される。
【００２３】ある実施形態では、前記発光素子部が前記
受光素子部の下側に配置され、前記第２のリードフレー
ムには前記発光素子から発せられた光が通過するための
孔が設けられている。
受光素子部の下側に配置され、前記第２のリードフレー
ムには前記発光素子から発せられた光が通過するための
孔が設けられている。
【００２４】他の実施形態では、前記発光素子部及び前
記受光素子部の樹脂モールドパッケージの外側面のうち
の前記光学的検知に必要な領域を除いた領域の少なくと
も一部が、遮光性樹脂によって固定或いは成形されてい
る。
記受光素子部の樹脂モールドパッケージの外側面のうち
の前記光学的検知に必要な領域を除いた領域の少なくと
も一部が、遮光性樹脂によって固定或いは成形されてい
る。
【００２５】さらに他の実施形態では、前記発光素子部
及び前記受光素子部の樹脂モールドパッケージの外側面
のうちの前記光学的検知に必要な領域を除いた領域が、
遮光性樹脂によって固定或いは一体成形されている。
及び前記受光素子部の樹脂モールドパッケージの外側面
のうちの前記光学的検知に必要な領域を除いた領域が、
遮光性樹脂によって固定或いは一体成形されている。
【００２６】さらに他の実施形態では、前記受光素子部
には、前記発光素子部から該受光素子部の表面に至る貫
通孔が設けられている。
には、前記発光素子部から該受光素子部の表面に至る貫
通孔が設けられている。
【００２７】上記のような構成を有する光反射型検出器
において、ある実施形態では、該検出器はモールド樹脂
パッケージの内部に収納されており、該パッケージの表
面において前記光学的検知のために必要な領域を除く領
域の少なくとも一部には、外乱光の入射防止及び該パッ
ケージ内部の光の吸収のための遮光吸光構造が設けられ
ている。好ましくは、前記遮光吸光構造は、前記パッケ
ージの表面において、前記光学的検知のために必要な領
域を除くすべての領域に設けられている。
において、ある実施形態では、該検出器はモールド樹脂
パッケージの内部に収納されており、該パッケージの表
面において前記光学的検知のために必要な領域を除く領
域の少なくとも一部には、外乱光の入射防止及び該パッ
ケージ内部の光の吸収のための遮光吸光構造が設けられ
ている。好ましくは、前記遮光吸光構造は、前記パッケ
ージの表面において、前記光学的検知のために必要な領
域を除くすべての領域に設けられている。
【００２８】ある実施形態では、前記遮光吸光構造は、
熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって前記パッケー
ジの表面をモールド成形することによって形成されてい
る。
熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって前記パッケー
ジの表面をモールド成形することによって形成されてい
る。
【００２９】他の実施形態では、前記遮光吸光構造は、
塗装、印刷、めっき及び蒸着からなるグループから選択
された方法によって形成されている。
塗装、印刷、めっき及び蒸着からなるグループから選択
された方法によって形成されている。
【００３０】さらに他の実施形態では、前記遮光吸光構
造は、前記パッケージの表面に形成された凹凸構造であ
る。
造は、前記パッケージの表面に形成された凹凸構造であ
る。
【００３１】本発明のさらに他の局面によれば、上記の
ような構成を有する光反射型検出器の製造方法が提供さ
れる。該製造方法は、前記第１及び第２のリードフレー
ムを、モールド金型の同じ位置決めピンに２枚重ねにし
て設置する工程と、該２枚重ねになっているリードフレ
ームを該モールド金型でクランプする工程と、該第１及
び第２のリードフレームを該モールド金型を用いてモー
ルド成形する工程と、を包含しており、該クランプ工程
では、該第１及び第２のリードフレームがタイバーカッ
ト部より内側のインナーリード部の少なくともある領域
で実質的に隙間なく完全に２枚重ねになり、そのことに
よって上記目的が達成される。
ような構成を有する光反射型検出器の製造方法が提供さ
れる。該製造方法は、前記第１及び第２のリードフレー
ムを、モールド金型の同じ位置決めピンに２枚重ねにし
て設置する工程と、該２枚重ねになっているリードフレ
ームを該モールド金型でクランプする工程と、該第１及
び第２のリードフレームを該モールド金型を用いてモー
ルド成形する工程と、を包含しており、該クランプ工程
では、該第１及び第２のリードフレームがタイバーカッ
ト部より内側のインナーリード部の少なくともある領域
で実質的に隙間なく完全に２枚重ねになり、そのことに
よって上記目的が達成される。
【００３２】以下、作用について説明する。
【００３３】発光素子と受光素子とが同一水平面の上に
並んで配置されていると、発光素子から側方に発せられ
た光が、受光素子に直接に到達する。これに対して、発
光素子が受光素子よりも被検出物に対して前方或いは後
方に位置するように配置することによって、発光素子か
ら側方に発せられた光が受光素子に直接に到達すること
を防ぐ。
並んで配置されていると、発光素子から側方に発せられ
た光が、受光素子に直接に到達する。これに対して、発
光素子が受光素子よりも被検出物に対して前方或いは後
方に位置するように配置することによって、発光素子か
ら側方に発せられた光が受光素子に直接に到達すること
を防ぐ。
【００３４】このとき、発光素子が搭載されたリードフ
レームを受光素子が搭載されたリードフレームの下方に
配置する２層構造とすれば、発光素子から受光素子に直
接に向かう光が、受光素子を搭載したリードフレームに
よって遮断される。また、被検出物が発光素子からの光
で確実に照射されるように、受光素子が搭載されたリー
ドフレームに発光素子から発せられた光が通過するため
の孔を形成したり、或いは受光素子を搭載したリードフ
レームの横を発光素子からの光が通過するように発光素
子を配置すれば、検出に不必要な光は遮断して、必要な
光だけを被検出物に照射することが可能になる。
レームを受光素子が搭載されたリードフレームの下方に
配置する２層構造とすれば、発光素子から受光素子に直
接に向かう光が、受光素子を搭載したリードフレームに
よって遮断される。また、被検出物が発光素子からの光
で確実に照射されるように、受光素子が搭載されたリー
ドフレームに発光素子から発せられた光が通過するため
の孔を形成したり、或いは受光素子を搭載したリードフ
レームの横を発光素子からの光が通過するように発光素
子を配置すれば、検出に不必要な光は遮断して、必要な
光だけを被検出物に照射することが可能になる。
【００３５】或いは、樹脂モールド部の内部で発光素子
と受光素子とを２層構造にして、同一モールド型の同部
屋、すなわち金型クランプによって仕切られるモールド
樹脂充填部にて同一モールド樹脂によって発光素子と受
光素子とを成形することによって、発光素子を中心にし
てその周辺に受光素子が配置された光反射型検出器の構
成を実現でき、さらにその小型化を図ることができる。
と受光素子とを２層構造にして、同一モールド型の同部
屋、すなわち金型クランプによって仕切られるモールド
樹脂充填部にて同一モールド樹脂によって発光素子と受
光素子とを成形することによって、発光素子を中心にし
てその周辺に受光素子が配置された光反射型検出器の構
成を実現でき、さらにその小型化を図ることができる。
【００３６】また、発光素子と受光素子とを別々にモー
ルドしてそれぞれ発光素子部及び受光素子部を形成し、
さらにそれらを重ね合わせることによっても、上記と同
様の構成が実現できる。
ルドしてそれぞれ発光素子部及び受光素子部を形成し、
さらにそれらを重ね合わせることによっても、上記と同
様の構成が実現できる。
【００３７】さらに、モールド樹脂パッケージの表面に
遮光吸光構造を設けることによって、パッケージ内部へ
の外乱光の入射、及びパッケージ内部でのリーク光の吸
収を図ることができて、検出時のＳ／Ｎ比を向上するこ
とができる。
遮光吸光構造を設けることによって、パッケージ内部へ
の外乱光の入射、及びパッケージ内部でのリーク光の吸
収を図ることができて、検出時のＳ／Ｎ比を向上するこ
とができる。
【００３８】
（第１の実施形態）本発明の第１の実施形態における光
反射型検出器１００の構成及び機能を説明する。具体的
には、光反射型検出器１００は、フォトインタラプタと
して機能する。
反射型検出器１００の構成及び機能を説明する。具体的
には、光反射型検出器１００は、フォトインタラプタと
して機能する。
【００３９】図６及び図７は、光反射型検出器１００の
構成を示す斜視図及び平面図である。また、図８（ａ）
及び（ｂ）は、光反射型検出器１００による被検出物１
１１の検出の様子を模式的に示す断面図である。
構成を示す斜視図及び平面図である。また、図８（ａ）
及び（ｂ）は、光反射型検出器１００による被検出物１
１１の検出の様子を模式的に示す断面図である。
【００４０】光反射型検出器１００は、発光素子１１０
から発せられた光Ｌを被検出物１１１により反射させ
て、この反射光Ｌ’を受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄで受
光する。具体的には、１個の発光素子１１０及び４個の
受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄが被検出物１１１に対向し
ており、かつ発光素子１１０と被検出物１１１との間の
距離が各受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄと被検出物１１１
との間の距離よりも遠くなるように、配置されている。
から発せられた光Ｌを被検出物１１１により反射させ
て、この反射光Ｌ’を受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄで受
光する。具体的には、１個の発光素子１１０及び４個の
受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄが被検出物１１１に対向し
ており、かつ発光素子１１０と被検出物１１１との間の
距離が各受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄと被検出物１１１
との間の距離よりも遠くなるように、配置されている。
【００４１】発光素子１１０は、例えばＬＥＤであっ
て、発光素子搭載用リードフレーム１１３の先端にダイ
ボンドされ、さらに結線用リードフレーム１１４にワイ
ヤボンドされて結線されている。受光素子１１２Ａ〜１
１２Ｄは、例えばフォトトランジスタ或いはフォトダイ
オードである。４個の受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄは、
受光素子搭載用リードフレーム１１５の先端に形成され
た正方形の載置部１１６の対角線上の四隅に配置され、
それぞれ個別の結線用リードフレーム１１７Ａ〜１１７
Ｄにワイヤボンドされて結線されている。そして、受光
素子搭載用リードフレーム１１５の下方に、発光素子１
１０が載置部１１６の中心の真下になるように、発光素
子搭載用リードフレーム１１３が所定の間隔をあけて配
置される。また、載置部１１６の中心には、発光素子１
１０よりも大きな面積を持つ四角形の孔１１８が形成さ
れている。なお、孔１１８の形状は四角形に限定される
ものではなく、多角形或いは円形でもよい。
て、発光素子搭載用リードフレーム１１３の先端にダイ
ボンドされ、さらに結線用リードフレーム１１４にワイ
ヤボンドされて結線されている。受光素子１１２Ａ〜１
１２Ｄは、例えばフォトトランジスタ或いはフォトダイ
オードである。４個の受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄは、
受光素子搭載用リードフレーム１１５の先端に形成され
た正方形の載置部１１６の対角線上の四隅に配置され、
それぞれ個別の結線用リードフレーム１１７Ａ〜１１７
Ｄにワイヤボンドされて結線されている。そして、受光
素子搭載用リードフレーム１１５の下方に、発光素子１
１０が載置部１１６の中心の真下になるように、発光素
子搭載用リードフレーム１１３が所定の間隔をあけて配
置される。また、載置部１１６の中心には、発光素子１
１０よりも大きな面積を持つ四角形の孔１１８が形成さ
れている。なお、孔１１８の形状は四角形に限定される
ものではなく、多角形或いは円形でもよい。
【００４２】以上のように、光反射型検出器１００で
は、発光素子１１０が受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄより
も被検出物１１１から遠い位置に配置される、２層構造
を有している。
は、発光素子１１０が受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄより
も被検出物１１１から遠い位置に配置される、２層構造
を有している。
【００４３】このように配置された発光素子１１０及び
受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄは、エポキシ樹脂等の透光
性樹脂からなるトランスファ成形された外囲器１１９に
よって覆われている。外囲器１１９の一側面からは、発
光素子１１０に関連するリードフレーム１１３及び１１
４が突出し、他の側面からは、受光素子１１２Ａ〜１１
２Ｄに関連するリードフレーム１１５及び１１７Ａ〜１
１７Ｄが突出している。各リードフレーム１１３〜１１
５及び１１７Ａ〜１１７Ｄは、突出している箇所が同じ
水平レベルに位置するように、外囲器１１９の内部で折
り曲げられている。
受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄは、エポキシ樹脂等の透光
性樹脂からなるトランスファ成形された外囲器１１９に
よって覆われている。外囲器１１９の一側面からは、発
光素子１１０に関連するリードフレーム１１３及び１１
４が突出し、他の側面からは、受光素子１１２Ａ〜１１
２Ｄに関連するリードフレーム１１５及び１１７Ａ〜１
１７Ｄが突出している。各リードフレーム１１３〜１１
５及び１１７Ａ〜１１７Ｄは、突出している箇所が同じ
水平レベルに位置するように、外囲器１１９の内部で折
り曲げられている。
【００４４】この外囲器１１９は、図示しないホルダに
内装される。外囲器１１９の上方には凸状のレンズ１２
０が設置され、レンズ１２０はホルダに一体成形されて
いる。そして、発光素子１１０が結線されたリードフレ
ーム１１４を駆動回路に接続し、受光素子１１２Ａ〜１
１２Ｄが結線されたリードフレーム１１７Ａ〜１１７Ｄ
を、信号処理回路を経てＡ／Ｄ変換回路に接続する。こ
れによって、光反射型検出器１００が完成する。
内装される。外囲器１１９の上方には凸状のレンズ１２
０が設置され、レンズ１２０はホルダに一体成形されて
いる。そして、発光素子１１０が結線されたリードフレ
ーム１１４を駆動回路に接続し、受光素子１１２Ａ〜１
１２Ｄが結線されたリードフレーム１１７Ａ〜１１７Ｄ
を、信号処理回路を経てＡ／Ｄ変換回路に接続する。こ
れによって、光反射型検出器１００が完成する。
【００４５】上記のような構成を有する光反射型検出器
１００は、２次元方向の加重によって変位するように傾
動自在に支持された被検出物１１１の反射面１１１ａに
対向して配置される。具体的には、例えば、被検出物１
１１として中空のスティックを光反射型検出器１００に
被せて、スティックの天面を反射面１１１ａとする。こ
れによって、２次元的な操作に対する被検出物（スティ
ック）１１１の変位を検出することができる。これは、
コンピュータ等の表示装置に出力を行なうポインティン
グデバイスに適用できる。
１００は、２次元方向の加重によって変位するように傾
動自在に支持された被検出物１１１の反射面１１１ａに
対向して配置される。具体的には、例えば、被検出物１
１１として中空のスティックを光反射型検出器１００に
被せて、スティックの天面を反射面１１１ａとする。こ
れによって、２次元的な操作に対する被検出物（スティ
ック）１１１の変位を検出することができる。これは、
コンピュータ等の表示装置に出力を行なうポインティン
グデバイスに適用できる。
【００４６】このような光反射型検出器１００の機能
を、図８（ａ）及び（ｂ）ならびに図９（ａ）及び
（ｂ）を参照して、さらに説明する。なお、図６及び図
７と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その
説明を省略することがある。
を、図８（ａ）及び（ｂ）ならびに図９（ａ）及び
（ｂ）を参照して、さらに説明する。なお、図６及び図
７と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その
説明を省略することがある。
【００４７】図８（ａ）及び（ｂ）は、光反射型検出器
１００の構成において、被検出物１１１に傾きがない場
合の光路を示している。
１００の構成において、被検出物１１１に傾きがない場
合の光路を示している。
【００４８】被検出物１１１が傾いていないときに発光
素子１１０を発光させると、図８（ａ）に示すように、
発光素子１１０から上方に向かう光のうちの一部の光Ｌ
は、受光素子搭載用リードフレーム１１５の孔１１８を
通り抜けて絞られて、レンズ１２０に達し、レンズ１２
０で集光されて被検出物１１１に到達する。そして、被
検出物１１１によって反射された光Ｌ’は、再びレンズ
１２０で集光されて、図８（ｂ）に示す破線のように載
置部１１６の上に発光素子１１０を中心とした円形に結
像されて、各受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄに均等に入射
する。
素子１１０を発光させると、図８（ａ）に示すように、
発光素子１１０から上方に向かう光のうちの一部の光Ｌ
は、受光素子搭載用リードフレーム１１５の孔１１８を
通り抜けて絞られて、レンズ１２０に達し、レンズ１２
０で集光されて被検出物１１１に到達する。そして、被
検出物１１１によって反射された光Ｌ’は、再びレンズ
１２０で集光されて、図８（ｂ）に示す破線のように載
置部１１６の上に発光素子１１０を中心とした円形に結
像されて、各受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄに均等に入射
する。
【００４９】一方、発光素子１１０からの残りの光は、
受光素子搭載用リードフレーム１１５の下面に当たって
下方に向けて反射され、被検出物１１１に向かうことな
く外囲器１１９の外部に放出される。また、発光素子１
１０の側面より発せられた光Ｌａは、直接に或いはリー
ドフレーム１１５に反射された後に、やはり外囲器１１
９の外部へ放出される。従って、傾き検出に関係のない
光は、受光素子搭載用リードフレーム１１５によって遮
断されて、受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄに入射すること
はない。
受光素子搭載用リードフレーム１１５の下面に当たって
下方に向けて反射され、被検出物１１１に向かうことな
く外囲器１１９の外部に放出される。また、発光素子１
１０の側面より発せられた光Ｌａは、直接に或いはリー
ドフレーム１１５に反射された後に、やはり外囲器１１
９の外部へ放出される。従って、傾き検出に関係のない
光は、受光素子搭載用リードフレーム１１５によって遮
断されて、受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄに入射すること
はない。
【００５０】一方、図９（ａ）及び（ｂ）は、光反射型
検出器１００の構成において、例えばスティックを操作
することによって、被検出物１１１が△θだけ傾いた場
合の光路を示している。
検出器１００の構成において、例えばスティックを操作
することによって、被検出物１１１が△θだけ傾いた場
合の光路を示している。
【００５１】被検出物１１１が傾いている場合、反射さ
れた光Ｌ’の結像位置は、図９（ｂ）に示す破線のよう
に被検出物１１１の傾きに対応して変位する。例えば、
被検出物１１１が右に傾いた場合には反射光の結像位置
は左に変位し、結果として、各受光素子１１２Ａ〜１１
２Ｄの出力に差が生じる。
れた光Ｌ’の結像位置は、図９（ｂ）に示す破線のよう
に被検出物１１１の傾きに対応して変位する。例えば、
被検出物１１１が右に傾いた場合には反射光の結像位置
は左に変位し、結果として、各受光素子１１２Ａ〜１１
２Ｄの出力に差が生じる。
【００５２】このとき、信号処理回路において、各受光
素子１１２Ａ〜１１２Ｄのそれぞれの出力信号ＳA〜ＳD
を用いて、検出度Ｓ1を Ｓ1＝｛（ＳA＋ＳB）−（ＳC＋ＳD）｝／（ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD） （２） として算出する。被検出物１１１の傾き△θと上記の
（２）式による演算で得られる検出度Ｓ1との関係は、
図１０に示すようになる。すなわち、ある角度範囲内で
は、検出度Ｓ1は被検出物１１１の傾き△θに対して一
次関数的に変化するので、検出度Ｓ1を上式で求めるこ
とによって被検出物１１１の傾きの度合△θを検出でき
る。
素子１１２Ａ〜１１２Ｄのそれぞれの出力信号ＳA〜ＳD
を用いて、検出度Ｓ1を Ｓ1＝｛（ＳA＋ＳB）−（ＳC＋ＳD）｝／（ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD） （２） として算出する。被検出物１１１の傾き△θと上記の
（２）式による演算で得られる検出度Ｓ1との関係は、
図１０に示すようになる。すなわち、ある角度範囲内で
は、検出度Ｓ1は被検出物１１１の傾き△θに対して一
次関数的に変化するので、検出度Ｓ1を上式で求めるこ
とによって被検出物１１１の傾きの度合△θを検出でき
る。
【００５３】また、同様に、 Ｓ2＝｛（ＳA＋ＳD）−（ＳB＋ＳC）｝／（ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD） （３） を演算することによって、（２）式によって得られる検
出度Ｓ1が示す方向とは直交する方向での被検出物１１
１の傾きの度合を検出できる。
出度Ｓ1が示す方向とは直交する方向での被検出物１１
１の傾きの度合を検出できる。
【００５４】以上のようにして得られる２つの検出度Ｓ
1及びＳ2の出力に基づいて、被検出物１１１に加えられ
た加重に対する傾きの方向及びその大きさが求められ
て、それらに対応する表示装置のカーソル等の移動方向
及び移動量が決定される。
1及びＳ2の出力に基づいて、被検出物１１１に加えられ
た加重に対する傾きの方向及びその大きさが求められ
て、それらに対応する表示装置のカーソル等の移動方向
及び移動量が決定される。
【００５５】また、光反射型検出器１００では、傾き検
出に関係しない光の受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄへの入
射を防止しているので、このような光に対応する受光素
子１１２Ａ〜１１２Ｄの出力は存在しない。つまり、上
記（２）式及び（３）式の演算処理において、受光素子
１１２Ａ〜１１２Ｄの出力の差を示す分子の値（ＳA＋
ＳB）−（ＳC＋ＳD）及び（ＳA＋ＳD）−（ＳB＋ＳC）
は変わらずに、受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄの出力の総
計を示す分母の値（ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD）が小さくな
る。従って、光反射型検出器１００による検出度は従来
技術による検出度よりも増加して、従来よりも約１０倍
のＳ／Ｎ比の向上を図ることができる。この結果、光反
射型検出器としての検出精度が高められる。
出に関係しない光の受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄへの入
射を防止しているので、このような光に対応する受光素
子１１２Ａ〜１１２Ｄの出力は存在しない。つまり、上
記（２）式及び（３）式の演算処理において、受光素子
１１２Ａ〜１１２Ｄの出力の差を示す分子の値（ＳA＋
ＳB）−（ＳC＋ＳD）及び（ＳA＋ＳD）−（ＳB＋ＳC）
は変わらずに、受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄの出力の総
計を示す分母の値（ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD）が小さくな
る。従って、光反射型検出器１００による検出度は従来
技術による検出度よりも増加して、従来よりも約１０倍
のＳ／Ｎ比の向上を図ることができる。この結果、光反
射型検出器としての検出精度が高められる。
【００５６】上記の説明では、光反射型検出器１００
は、４つの受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄを用いて被検出
物１１１の傾きを２次元的に検出する。或いは、１次元
方向の傾きの検出のみでよい場合には、２個の受光素子
を、受光素子搭載用リードフレーム１１５の孔１１８を
中心として対称位置に配置すればよい。
は、４つの受光素子１１２Ａ〜１１２Ｄを用いて被検出
物１１１の傾きを２次元的に検出する。或いは、１次元
方向の傾きの検出のみでよい場合には、２個の受光素子
を、受光素子搭載用リードフレーム１１５の孔１１８を
中心として対称位置に配置すればよい。
【００５７】また、上述の光反射型検出器１００は、被
検出物１１１の傾きを検出する傾きセンサへの適用に限
らず、被検出物１１１の動作に応じた出力を出す変位セ
ンサや距離センサにも適用することができる。
検出物１１１の傾きを検出する傾きセンサへの適用に限
らず、被検出物１１１の動作に応じた出力を出す変位セ
ンサや距離センサにも適用することができる。
【００５８】さらに、発光素子１１０からの光が直接に
受光素子１１２に到達しなければよいので、光反射型検
出器１００の構成に改変を加えて、例えば図１１（ａ）
或いは（ｂ）に示すように構成することもできる。すな
わち、図１１（ａ）に示す光反射型検出器１５０の構成
では、光反射型検出器１００のように受光素子１１２が
搭載されたリードフレーム１１５の真下に発光素子１１
０を配置する代わりに、発光素子１１０を受光素子搭載
用リードフレーム１１５に対して横方向にずらして、受
光素子搭載用リードフレーム１１５とオーバーラップし
ないように配置して被検出物１１１に対向させる。但
し、発光素子１１０は、受光素子１１２よりも下方に配
置する。或いは、図１１（ｂ）に示す光反射型検出器１
６０の構成のように、発光素子１１０を受光素子搭載用
リードフレーム１１５に対して横方向にずらして配置す
るとともに、受光素子搭載用リードフレーム１１５の発
光素子１１０の位置に対応する箇所に、光通過用の孔１
１８を形成してもよい。
受光素子１１２に到達しなければよいので、光反射型検
出器１００の構成に改変を加えて、例えば図１１（ａ）
或いは（ｂ）に示すように構成することもできる。すな
わち、図１１（ａ）に示す光反射型検出器１５０の構成
では、光反射型検出器１００のように受光素子１１２が
搭載されたリードフレーム１１５の真下に発光素子１１
０を配置する代わりに、発光素子１１０を受光素子搭載
用リードフレーム１１５に対して横方向にずらして、受
光素子搭載用リードフレーム１１５とオーバーラップし
ないように配置して被検出物１１１に対向させる。但
し、発光素子１１０は、受光素子１１２よりも下方に配
置する。或いは、図１１（ｂ）に示す光反射型検出器１
６０の構成のように、発光素子１１０を受光素子搭載用
リードフレーム１１５に対して横方向にずらして配置す
るとともに、受光素子搭載用リードフレーム１１５の発
光素子１１０の位置に対応する箇所に、光通過用の孔１
１８を形成してもよい。
【００５９】上述のいずれの構成を有する光反射型検出
器１００、１５０及び１６０においても、受光素子１１
２として２次元ＰＳＤ（位置検出素子）或いは多分割フ
ォトダイオードを用いることによって、１個の受光素子
１１２で２次元的な変位を検出することができる。これ
によって、受光素子１１２を搭載するリードフレーム１
１５の面積が大きくならず、光反射型検出器の小型化が
実現できる。なお、上記のように１個の受光素子１１２
を用いる場合には、発光素子１１０から被検出物１１１
までの距離が、受光素子１１２から被検出物１１１まで
の距離とは異なるように、発光素子１１０及び受光素子
１１２を配置すればよい。従って、発光素子１１０を被
検出物１１１から遠くに配置する代わりに、発光素子１
１０を被検出物１１１に近い位置、すなわち受光素子１
１２の上方であって且つ受光の障害にならない位置に配
置することもできる。その場合にも、発光素子１１０か
ら直接に受光素子１１２に光が照射されることはなくな
る。
器１００、１５０及び１６０においても、受光素子１１
２として２次元ＰＳＤ（位置検出素子）或いは多分割フ
ォトダイオードを用いることによって、１個の受光素子
１１２で２次元的な変位を検出することができる。これ
によって、受光素子１１２を搭載するリードフレーム１
１５の面積が大きくならず、光反射型検出器の小型化が
実現できる。なお、上記のように１個の受光素子１１２
を用いる場合には、発光素子１１０から被検出物１１１
までの距離が、受光素子１１２から被検出物１１１まで
の距離とは異なるように、発光素子１１０及び受光素子
１１２を配置すればよい。従って、発光素子１１０を被
検出物１１１から遠くに配置する代わりに、発光素子１
１０を被検出物１１１に近い位置、すなわち受光素子１
１２の上方であって且つ受光の障害にならない位置に配
置することもできる。その場合にも、発光素子１１０か
ら直接に受光素子１１２に光が照射されることはなくな
る。
【００６０】また、上記の説明では発光素子１１０及び
受光素子１２０を別々のリードフレームに搭載している
が、両素子を同一のリードフレームの上に搭載して、ど
ちらか一方の素子の搭載箇所が他方の素子の搭載箇所に
対して高く或いは低くなるようにリードフレームに段差
を設けてもよい。
受光素子１２０を別々のリードフレームに搭載している
が、両素子を同一のリードフレームの上に搭載して、ど
ちらか一方の素子の搭載箇所が他方の素子の搭載箇所に
対して高く或いは低くなるようにリードフレームに段差
を設けてもよい。
【００６１】（第２の実施形態）続いて、本発明の第２
の実施形態における光反射型検出器２００の構成を説明
する。
の実施形態における光反射型検出器２００の構成を説明
する。
【００６２】図１２〜図１４は、光反射型検出器２００
の構成を示す側面図、断面図及び平面図である。
の構成を示す側面図、断面図及び平面図である。
【００６３】光反射型検出器２００は、発光素子２１０
から発せられた光Ｌを被検出物２１１により反射させ
て、この反射光Ｌ’を受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄで受
光する。そして、各受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄの出力
の変化によって、被検出物２１１の有無や傾き或いは位
置を検出する。
から発せられた光Ｌを被検出物２１１により反射させ
て、この反射光Ｌ’を受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄで受
光する。そして、各受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄの出力
の変化によって、被検出物２１１の有無や傾き或いは位
置を検出する。
【００６４】発光素子２１０は、例えばＬＥＤであっ
て、発光素子搭載用リードフレーム２１３の先端にダイ
ボンドされ、さらに結線用リードフレーム２１４にワイ
ヤボンドされて結線されている。受光素子２１２Ａ〜２
１２Ｄは、例えばフォトトランジスタ或いはフォトダイ
オードである。４個の受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄは、
受光素子搭載用リードフレーム２１５の先端に形成され
た正方形の載置部２１６の対角線上の四隅に配置され、
それぞれ個別の結線用リードフレーム２１７Ａ〜２１７
Ｄにワイヤボンドされて結線されている。そして、発光
素子２１０が載置部２１６の中心の真下になるように、
発光素子搭載用リードフレーム２１３がフォーミングさ
れて受光素子搭載用リードフレーム２１５の下方に位置
している。また、載置部２１６の中心には、発光素子２
１０よりも大きな面積を持つ丸形の孔２１８が形成され
ている。なお、孔２１８の形状は丸形に限定されるもの
ではなく、多角形でもよい。
て、発光素子搭載用リードフレーム２１３の先端にダイ
ボンドされ、さらに結線用リードフレーム２１４にワイ
ヤボンドされて結線されている。受光素子２１２Ａ〜２
１２Ｄは、例えばフォトトランジスタ或いはフォトダイ
オードである。４個の受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄは、
受光素子搭載用リードフレーム２１５の先端に形成され
た正方形の載置部２１６の対角線上の四隅に配置され、
それぞれ個別の結線用リードフレーム２１７Ａ〜２１７
Ｄにワイヤボンドされて結線されている。そして、発光
素子２１０が載置部２１６の中心の真下になるように、
発光素子搭載用リードフレーム２１３がフォーミングさ
れて受光素子搭載用リードフレーム２１５の下方に位置
している。また、載置部２１６の中心には、発光素子２
１０よりも大きな面積を持つ丸形の孔２１８が形成され
ている。なお、孔２１８の形状は丸形に限定されるもの
ではなく、多角形でもよい。
【００６５】以上のように、光反射型検出器２００で
は、発光素子２１０が受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄより
も被検出物２１１から遠い位置に配置される、２層構造
を有している。
は、発光素子２１０が受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄより
も被検出物２１１から遠い位置に配置される、２層構造
を有している。
【００６６】上記の説明では、４つの受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄを用いているが、受光素子の個数はこれに限
られるものではなく、例えば単数であっても、或いは他
の個数の複数の受光素子を用いることもできる。
〜２１２Ｄを用いているが、受光素子の個数はこれに限
られるものではなく、例えば単数であっても、或いは他
の個数の複数の受光素子を用いることもできる。
【００６７】このように配置された発光素子２１０及び
受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄは、エポキシ樹脂等の透光
性樹脂で成形された外囲器２１９によって覆われてい
る。このとき、発光素子２１０と受光素子２１２Ａ〜２
１２Ｄとは、同一モールド型の同部屋の内部に、同一の
モールド樹脂によって成型される。ここで、「同一モー
ルド型の同部屋」とは、金型のクランプ部によって仕切
られる樹脂の充填部をさす。従って、先に図４（ｂ）を
参照して説明した従来技術におけるもののように、同一
樹脂であっても金型のクランプ部によって仕切られる構
成とは異なるものである。
受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄは、エポキシ樹脂等の透光
性樹脂で成形された外囲器２１９によって覆われてい
る。このとき、発光素子２１０と受光素子２１２Ａ〜２
１２Ｄとは、同一モールド型の同部屋の内部に、同一の
モールド樹脂によって成型される。ここで、「同一モー
ルド型の同部屋」とは、金型のクランプ部によって仕切
られる樹脂の充填部をさす。従って、先に図４（ｂ）を
参照して説明した従来技術におけるもののように、同一
樹脂であっても金型のクランプ部によって仕切られる構
成とは異なるものである。
【００６８】外囲器２１９の一側面からは、発光素子２
１０に関連するリードフレーム２１３及び２１４が突出
し、他の側面からは、受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄに関
連するリードフレーム２１５及び２１７Ａ〜２１７Ｄが
突出している。各リードフレーム２１３〜２１５及び２
１７Ａ〜２１７Ｄは、それぞれの突出箇所が受光素子２
１２Ａ〜２１２Ｄの搭載面と同一平面或いはそれに平行
な面内に位置するように、外囲器２１９の外部に引き出
されている。さらに、外囲器２１９の外部において、発
光素子搭載用リードフレーム２１３と受光素子搭載用リ
ードフレーム２１５とは、素子搭載面に垂直な方向にリ
ードフレーム１枚分の段差を有している。
１０に関連するリードフレーム２１３及び２１４が突出
し、他の側面からは、受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄに関
連するリードフレーム２１５及び２１７Ａ〜２１７Ｄが
突出している。各リードフレーム２１３〜２１５及び２
１７Ａ〜２１７Ｄは、それぞれの突出箇所が受光素子２
１２Ａ〜２１２Ｄの搭載面と同一平面或いはそれに平行
な面内に位置するように、外囲器２１９の外部に引き出
されている。さらに、外囲器２１９の外部において、発
光素子搭載用リードフレーム２１３と受光素子搭載用リ
ードフレーム２１５とは、素子搭載面に垂直な方向にリ
ードフレーム１枚分の段差を有している。
【００６９】この外囲器２１９は、図示しないホルダに
内装される。外囲器２１９の上方には凸状のレンズが設
置され、レンズはホルダに一体成形されている。そし
て、発光素子２１０が結線されているリードフレーム２
１４を駆動回路に接続し、受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄ
が結線されているリードフレーム２１７Ａ〜２１７Ｄ
を、信号処理回路を経てＡ／Ｄ変換回路に接続する。こ
れによって、光反射型検出器２００が完成する。
内装される。外囲器２１９の上方には凸状のレンズが設
置され、レンズはホルダに一体成形されている。そし
て、発光素子２１０が結線されているリードフレーム２
１４を駆動回路に接続し、受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄ
が結線されているリードフレーム２１７Ａ〜２１７Ｄ
を、信号処理回路を経てＡ／Ｄ変換回路に接続する。こ
れによって、光反射型検出器２００が完成する。
【００７０】図１５（ａ）及び（ｂ）〜図１７（ａ）及
び（ｂ）を参照して、光反射型検出器２００に含まれる
発光素子搭載用リードフレーム２１３及び受光素子搭載
用リードフレーム２１５について、さらに説明する。
び（ｂ）を参照して、光反射型検出器２００に含まれる
発光素子搭載用リードフレーム２１３及び受光素子搭載
用リードフレーム２１５について、さらに説明する。
【００７１】図１５（ａ）は、発光素子搭載用リードフ
レーム２１３Ａの構成を示す平面図であり、図１５
（ｂ）は、その断面図である。同様に、図１６（ａ）
は、受光素子搭載用リードフレーム２１５Ａの構成を示
す平面図であり、図１６（ｂ）は、その断面図である。
一方、図１７（ａ）は、発光素子搭載用リードフレーム
２１３Ａと受光素子搭載用リードフレーム２１５Ａとを
重ね合わせてモールド金型に設置した状態を示す平面図
であり、図１７（ｂ）は、その断面図である。なお、そ
れぞれの図はリードフレームが個々の検出器に対応して
切断される前の状態を示しており、切断前の発光素子搭
載用リードフレーム及び受光素子搭載用リードフレーム
に対して、図１２〜１４における参照番号２１３及び２
１５の末尾に「Ａ」を付けた２１３Ａ及び２１５Ａとい
う参照番号を使用する。
レーム２１３Ａの構成を示す平面図であり、図１５
（ｂ）は、その断面図である。同様に、図１６（ａ）
は、受光素子搭載用リードフレーム２１５Ａの構成を示
す平面図であり、図１６（ｂ）は、その断面図である。
一方、図１７（ａ）は、発光素子搭載用リードフレーム
２１３Ａと受光素子搭載用リードフレーム２１５Ａとを
重ね合わせてモールド金型に設置した状態を示す平面図
であり、図１７（ｂ）は、その断面図である。なお、そ
れぞれの図はリードフレームが個々の検出器に対応して
切断される前の状態を示しており、切断前の発光素子搭
載用リードフレーム及び受光素子搭載用リードフレーム
に対して、図１２〜１４における参照番号２１３及び２
１５の末尾に「Ａ」を付けた２１３Ａ及び２１５Ａとい
う参照番号を使用する。
【００７２】発光素子搭載用リードフレーム２１３Ａに
は、図１５（ａ）に示すように、モールド金型の位置決
めのための基準穴２３１、及びエアベント用の角穴２３
２が設けられている。同様に、受光素子搭載用リードフ
レーム２１５Ａには、図１６（ａ）に示すように、モー
ルド金型の位置決めのための基準穴２５１、及びエアベ
ント用の角穴２５２が設けられている。モールド成型工
程では、図１７（ｂ）に示すように、これらの基準穴２
３１及び２５１にモールド金型２４１の同一の基準ピン
２４２を挿入して、１枚の発光素子搭載用リードフレー
ム２１３Ａ及び１枚の受光素子搭載用リードフレーム２
１５Ａを重ねた状態でモールド金型２４１に設置する。
さらに、モールド金型２４１によってリードフレーム２
１３Ａ及び２１５Ａをクランプする際には、上記のよう
に２枚重ねされているそれぞれのリードフレーム２１３
Ａ及び２１５Ａが、タイバー部２３３及び２５３より内
側の領域の少なくとも一部、例えば図１７（ｂ）の金型
クランプ部２４３より内側であって図１７（ａ）に示す
斜線部で、実質的に隙間なく完全に重ね合わされる。こ
れによって、モールド金型２４１による成型時にモール
ド樹脂の漏れが発生しなくなる。
は、図１５（ａ）に示すように、モールド金型の位置決
めのための基準穴２３１、及びエアベント用の角穴２３
２が設けられている。同様に、受光素子搭載用リードフ
レーム２１５Ａには、図１６（ａ）に示すように、モー
ルド金型の位置決めのための基準穴２５１、及びエアベ
ント用の角穴２５２が設けられている。モールド成型工
程では、図１７（ｂ）に示すように、これらの基準穴２
３１及び２５１にモールド金型２４１の同一の基準ピン
２４２を挿入して、１枚の発光素子搭載用リードフレー
ム２１３Ａ及び１枚の受光素子搭載用リードフレーム２
１５Ａを重ねた状態でモールド金型２４１に設置する。
さらに、モールド金型２４１によってリードフレーム２
１３Ａ及び２１５Ａをクランプする際には、上記のよう
に２枚重ねされているそれぞれのリードフレーム２１３
Ａ及び２１５Ａが、タイバー部２３３及び２５３より内
側の領域の少なくとも一部、例えば図１７（ｂ）の金型
クランプ部２４３より内側であって図１７（ａ）に示す
斜線部で、実質的に隙間なく完全に重ね合わされる。こ
れによって、モールド金型２４１による成型時にモール
ド樹脂の漏れが発生しなくなる。
【００７３】図１８（ａ）及び（ｂ）は、モールド樹脂
２４５によるリードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａの成
形が完了した状態を示す平面図及び断面図である。ま
た、図１８（ｃ）は、成形後の光反射型検出器の部分を
示す上面図である。参照符号２４６及び２４７は、金型
の離型のための突き出しピン、すなわちイジェクタピン
の痕跡である。
２４５によるリードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａの成
形が完了した状態を示す平面図及び断面図である。ま
た、図１８（ｃ）は、成形後の光反射型検出器の部分を
示す上面図である。参照符号２４６及び２４７は、金型
の離型のための突き出しピン、すなわちイジェクタピン
の痕跡である。
【００７４】トランスファモールド金型のランナ位置の
構成から、モールド金型２４１の基準ピン２４２へのリ
ードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａのセットは、それぞ
れのリードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａの片側の穴２
３１及び２５１を用いて行う必要がある。そのために
は、リードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａを２枚重ねに
して金型２４１にセットすることが好ましい。さらに、
トランスファモールド成形によって透明なモールド樹脂
２４５を成形する場合には、２枚のリードフレーム２１
３Ａ及び２１５Ａの間に数十μｍオーダの僅かな隙間が
あると、樹脂が漏れて大きなばりを発生させる。従っ
て、２枚のリードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａを、金
型２４１で隙間なくクランプすることが重要である。上
述の本実施形態によるリードフレーム２１３Ａ及び２１
５Ａの構成、及びそれを用いた成形方法は、それらの問
題点を解決するものである。
構成から、モールド金型２４１の基準ピン２４２へのリ
ードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａのセットは、それぞ
れのリードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａの片側の穴２
３１及び２５１を用いて行う必要がある。そのために
は、リードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａを２枚重ねに
して金型２４１にセットすることが好ましい。さらに、
トランスファモールド成形によって透明なモールド樹脂
２４５を成形する場合には、２枚のリードフレーム２１
３Ａ及び２１５Ａの間に数十μｍオーダの僅かな隙間が
あると、樹脂が漏れて大きなばりを発生させる。従っ
て、２枚のリードフレーム２１３Ａ及び２１５Ａを、金
型２４１で隙間なくクランプすることが重要である。上
述の本実施形態によるリードフレーム２１３Ａ及び２１
５Ａの構成、及びそれを用いた成形方法は、それらの問
題点を解決するものである。
【００７５】（第３の実施形態）次に、本発明の光反射
型検出器の性能を向上させるための構成の改変例を説明
する。
型検出器の性能を向上させるための構成の改変例を説明
する。
【００７６】まず、図１９に示す前記実施形態における
光反射型検出器２００の断面図を用いて、発光素子２１
０から発せられた光線の光路を説明する。なお、図１９
においては、先の実施形態と同じ参照番号が同じ構成要
素に付されている。
光反射型検出器２００の断面図を用いて、発光素子２１
０から発せられた光線の光路を説明する。なお、図１９
においては、先の実施形態と同じ参照番号が同じ構成要
素に付されている。
【００７７】光反射型検出器２００では、発光素子２１
０から発せられた後に被検出物２１１にて反射されて受
光素子２１２Ａ〜２１２Ｄに到達する、実線で示す信号
成分になる光の光路（実線）と、モールド樹脂（外囲
器）２１９の内面やリードフレーム２１３及び２１５の
表面で反射されて受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄに入射す
る、内部リークノイズ成分になる光の光路（破線）とが
存在する。ここで、受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄにおけ
る信号成分の受光量Ｓとノイズ成分の受光量Ｎとの比で
あるＳ／Ｎ比が大きいほど、光反射型検出器としての性
能が良いことになる。すなわち、Ｓ／Ｎ比が大きいほ
ど、被検出物２１１の有無を検出する際のスレッショル
ドレベルからの設計余裕△Ｖを大きくすることができ
る、この点を、以下にさらに説明する。
０から発せられた後に被検出物２１１にて反射されて受
光素子２１２Ａ〜２１２Ｄに到達する、実線で示す信号
成分になる光の光路（実線）と、モールド樹脂（外囲
器）２１９の内面やリードフレーム２１３及び２１５の
表面で反射されて受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄに入射す
る、内部リークノイズ成分になる光の光路（破線）とが
存在する。ここで、受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄにおけ
る信号成分の受光量Ｓとノイズ成分の受光量Ｎとの比で
あるＳ／Ｎ比が大きいほど、光反射型検出器としての性
能が良いことになる。すなわち、Ｓ／Ｎ比が大きいほ
ど、被検出物２１１の有無を検出する際のスレッショル
ドレベルからの設計余裕△Ｖを大きくすることができ
る、この点を、以下にさらに説明する。
【００７８】図２０（ａ）は、受光素子２１２Ａ〜２１
２Ｄがフォトダイオードである場合の出力増幅回路の構
成を示している。
２Ｄがフォトダイオードである場合の出力増幅回路の構
成を示している。
【００７９】図２０（ａ）に示すように、出力増幅回路
はオペアンプ２２０を含んでおり、オペアンプ２２０の
非反転入力端子には参照電圧Ｖrefが入力されている。
受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄは、オペアンプ２２０の非
反転入力端子と反転入力端子との間に接続されている。
また、オペアンプ２２０の反転入力端子と出力端子との
間には、抵抗Ｒが接続されている。
はオペアンプ２２０を含んでおり、オペアンプ２２０の
非反転入力端子には参照電圧Ｖrefが入力されている。
受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄは、オペアンプ２２０の非
反転入力端子と反転入力端子との間に接続されている。
また、オペアンプ２２０の反転入力端子と出力端子との
間には、抵抗Ｒが接続されている。
【００８０】受光素子（フォトダイオード）２１２Ａ〜
２１２Ｄが光を受光して導通すると、抵抗Ｒ及び受光素
子２１２Ａ〜２１２Ｄを通じて電流Ｉscが流れて、参照
電圧Ｖrefとオペアンプ２２０の出力電圧Ｖoとの間に電
圧降下Ｉsc・Ｒが発生する（但し、電圧降下幅は絶対値
で考える）。ここで、電流Ｉscの大きさは受光素子２１
２Ａ〜２１２Ｄの受光量に依存して決まるので、結果的
に、電圧降下Ｉsc・Ｒが受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄの
出力信号に依存して与えられる。以下、この電圧降下
を、「受光素子の出力信号幅△Ｖo」と称する。そし
て、 Ｖo＝Ｖref−Ｉsc・Ｒ （４） として表されるオペアンプの出力信号が、受光素子２１
２Ａ〜２１２Ｄの出力信号を増幅した信号ということに
なる。
２１２Ｄが光を受光して導通すると、抵抗Ｒ及び受光素
子２１２Ａ〜２１２Ｄを通じて電流Ｉscが流れて、参照
電圧Ｖrefとオペアンプ２２０の出力電圧Ｖoとの間に電
圧降下Ｉsc・Ｒが発生する（但し、電圧降下幅は絶対値
で考える）。ここで、電流Ｉscの大きさは受光素子２１
２Ａ〜２１２Ｄの受光量に依存して決まるので、結果的
に、電圧降下Ｉsc・Ｒが受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄの
出力信号に依存して与えられる。以下、この電圧降下
を、「受光素子の出力信号幅△Ｖo」と称する。そし
て、 Ｖo＝Ｖref−Ｉsc・Ｒ （４） として表されるオペアンプの出力信号が、受光素子２１
２Ａ〜２１２Ｄの出力信号を増幅した信号ということに
なる。
【００８１】ここで、上述したように、受光素子２１２
Ａ〜２１２Ｄは、本来の信号成分の光に加えて内部リー
クによるノイズ成分の光を受光する。ここで、信号成分
に対応する出力Ｖo（Ｓ）及びノイズ成分に対応する出
力Ｖo（Ｎ）は、それぞれ Ｖo（Ｓ）＝Ｖref−Ｉsc（Ｓ）・Ｒ （５） Ｖo（Ｎ）＝Ｖref−Ｉsc（Ｎ）・Ｒ （６） として表される。
Ａ〜２１２Ｄは、本来の信号成分の光に加えて内部リー
クによるノイズ成分の光を受光する。ここで、信号成分
に対応する出力Ｖo（Ｓ）及びノイズ成分に対応する出
力Ｖo（Ｎ）は、それぞれ Ｖo（Ｓ）＝Ｖref−Ｉsc（Ｓ）・Ｒ （５） Ｖo（Ｎ）＝Ｖref−Ｉsc（Ｎ）・Ｒ （６） として表される。
【００８２】このとき、信号成分に対する受光素子の出
力信号幅△Ｖo（Ｓ）＝Ｉsc（Ｓ）・Ｒには、必ずノイ
ズ成分に対する受光素子の出力信号幅△Ｖo（Ｎ）＝Ｉs
c（Ｎ）・Ｒが含まれている。従って、△Ｖo（Ｓ）／△
Ｖo（Ｎ）の値が大きいほど、信号成分の処理において
ノイズ成分の影響を受け難くなる。すなわち、図２０
（ｂ）に示すように、参照電圧Ｖrefからノイズ成分に
対する受光素子の出力信号幅△Ｖo（Ｎ）だけ低い位置
にあるノイズ電圧レベルＶNと、参照電圧Ｖrefから信号
成分に対する受光素子の出力信号幅△Ｖo（Ｓ）だけ低
い位置にある信号電圧レベルＶSとの間にスレッショル
ド電圧レベルＶthを設定する場合に、△Ｖo（Ｓ）／△
Ｖo（Ｎ）の値が大きいほどノイズ電圧レベルＶNと信号
電圧レベルＶSとの間隔が大きくなる。従って、ノイズ
電圧レベルＶN及び信号電圧レベルＶSとスレッショルド
電圧レベルＶthとの間隔である設計余裕△Ｖを、大きく
することができる。
力信号幅△Ｖo（Ｓ）＝Ｉsc（Ｓ）・Ｒには、必ずノイ
ズ成分に対する受光素子の出力信号幅△Ｖo（Ｎ）＝Ｉs
c（Ｎ）・Ｒが含まれている。従って、△Ｖo（Ｓ）／△
Ｖo（Ｎ）の値が大きいほど、信号成分の処理において
ノイズ成分の影響を受け難くなる。すなわち、図２０
（ｂ）に示すように、参照電圧Ｖrefからノイズ成分に
対する受光素子の出力信号幅△Ｖo（Ｎ）だけ低い位置
にあるノイズ電圧レベルＶNと、参照電圧Ｖrefから信号
成分に対する受光素子の出力信号幅△Ｖo（Ｓ）だけ低
い位置にある信号電圧レベルＶSとの間にスレッショル
ド電圧レベルＶthを設定する場合に、△Ｖo（Ｓ）／△
Ｖo（Ｎ）の値が大きいほどノイズ電圧レベルＶNと信号
電圧レベルＶSとの間隔が大きくなる。従って、ノイズ
電圧レベルＶN及び信号電圧レベルＶSとスレッショルド
電圧レベルＶthとの間隔である設計余裕△Ｖを、大きく
することができる。
【００８３】以上のように、内部リークによるノイズ成
分を抑制することによって、光反射型検出器の性能を向
上させることができる。その目的を達成するための改変
が施された光反射型検出器の構成を、以下に説明する。
ただし、先に説明した光反射型検出器２００と同じ構成
要素には同じ参照番号を付しており、その詳細な説明は
省略する。
分を抑制することによって、光反射型検出器の性能を向
上させることができる。その目的を達成するための改変
が施された光反射型検出器の構成を、以下に説明する。
ただし、先に説明した光反射型検出器２００と同じ構成
要素には同じ参照番号を付しており、その詳細な説明は
省略する。
【００８４】図２１の光反射型検出器３２０では、モー
ルド樹脂からなる外囲器（パッケージ）２１９の表面
に、遮光及び吸光のための構造（遮光吸光構造）として
光学膜構造３２５を設けている。この光学膜構造３２５
は、発光素子２１０の発光波長に対して吸収特性を示す
とともに受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄの受光感度波長に
対して遮光特性を示すように、その色及び／或いは厚さ
を適宜調整している。これによって、外乱光の入射を防
止する一方で、内部リーク光を低減している。光学膜構
造３２５は、被検出物２１１の検出に必要な光路に相当
する箇所３１０以外の領域であれば、パッケージ２１９
の表面のいずれの箇所に形成してもよい。
ルド樹脂からなる外囲器（パッケージ）２１９の表面
に、遮光及び吸光のための構造（遮光吸光構造）として
光学膜構造３２５を設けている。この光学膜構造３２５
は、発光素子２１０の発光波長に対して吸収特性を示す
とともに受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄの受光感度波長に
対して遮光特性を示すように、その色及び／或いは厚さ
を適宜調整している。これによって、外乱光の入射を防
止する一方で、内部リーク光を低減している。光学膜構
造３２５は、被検出物２１１の検出に必要な光路に相当
する箇所３１０以外の領域であれば、パッケージ２１９
の表面のいずれの箇所に形成してもよい。
【００８５】この光学膜構造３２５の形成方法として
は、例えば、既にモールド樹脂によって成形されたパッ
ケージ（外囲器）２１９の外面を、熱可塑性或いは熱硬
化性の樹脂によって２重にモールド成型することができ
る。この２重モールドのための金型としては、注型、射
出成型及びトランスファー成型が挙げられるが、被検出
物２１１の検出に必要な光路に相当する箇所３１０を型
構造で押さえつけてこの部分に光学膜構造３２５が形成
されないようにすること、或いは後工程でレンズなどを
ケーシングするためのフック構造を容易に形成するこ
と、などを考慮すると、射出成型或いはトランスファー
成型で形成することが好ましい。
は、例えば、既にモールド樹脂によって成形されたパッ
ケージ（外囲器）２１９の外面を、熱可塑性或いは熱硬
化性の樹脂によって２重にモールド成型することができ
る。この２重モールドのための金型としては、注型、射
出成型及びトランスファー成型が挙げられるが、被検出
物２１１の検出に必要な光路に相当する箇所３１０を型
構造で押さえつけてこの部分に光学膜構造３２５が形成
されないようにすること、或いは後工程でレンズなどを
ケーシングするためのフック構造を容易に形成するこ
と、などを考慮すると、射出成型或いはトランスファー
成型で形成することが好ましい。
【００８６】或いは、被検出物２１１の検出に必要な光
路に相当する箇所３１０を適切にマスキングした上で、
塗装、印刷、めっき、蒸着など、金型を用いた成型以外
の方法で光学膜構造３２５を形成することもできる。具
体的には、黒色塗装を施したり、金属めっきによって黒
色皮膜を形成したりすることができる。
路に相当する箇所３１０を適切にマスキングした上で、
塗装、印刷、めっき、蒸着など、金型を用いた成型以外
の方法で光学膜構造３２５を形成することもできる。具
体的には、黒色塗装を施したり、金属めっきによって黒
色皮膜を形成したりすることができる。
【００８７】一方、図２２に示す光反射型検出器３４０
では、図２１の光反射型検出器３２０における光学膜構
造に代えて、遮光吸光構造として、パッケージ（外囲
器）２１９の表面に凹凸構造３４５を設けている。これ
によって、外部からの入射光や内部リーク光を散乱させ
るものである。
では、図２１の光反射型検出器３２０における光学膜構
造に代えて、遮光吸光構造として、パッケージ（外囲
器）２１９の表面に凹凸構造３４５を設けている。これ
によって、外部からの入射光や内部リーク光を散乱させ
るものである。
【００８８】さらに、図２３に示す光反射型検出器３６
０では、受光素子搭載用リードフレーム２１５の裏面、
すなわち、搭載面とは反対側であって発光素子２１０に
対面して発光素子２１０からの光を直接に受ける面に、
発光素子２１０の発光波長を有する光に対する反射防止
処理３６５が施されている。具体的には、例えば反射防
止膜３６５を形成する。これによって、内部リーク光の
最も大きな要因になっている、受光素子搭載用リードフ
レーム２１５の裏面における発光素子２１０からの光の
直接の反射が低減される。従って、内部リーク光の低減
に大きな効果を有する。
０では、受光素子搭載用リードフレーム２１５の裏面、
すなわち、搭載面とは反対側であって発光素子２１０に
対面して発光素子２１０からの光を直接に受ける面に、
発光素子２１０の発光波長を有する光に対する反射防止
処理３６５が施されている。具体的には、例えば反射防
止膜３６５を形成する。これによって、内部リーク光の
最も大きな要因になっている、受光素子搭載用リードフ
レーム２１５の裏面における発光素子２１０からの光の
直接の反射が低減される。従って、内部リーク光の低減
に大きな効果を有する。
【００８９】上記のような反射防止処理３６５として
は、塗装、印刷、めっき或いは蒸着などの手法によって
反射防止膜３６５を形成すればよい。具体的には、黒色
塗装を施したり、クロム及び硫化銅めっきによって黒色
皮膜を形成したりすることができる。
は、塗装、印刷、めっき或いは蒸着などの手法によって
反射防止膜３６５を形成すればよい。具体的には、黒色
塗装を施したり、クロム及び硫化銅めっきによって黒色
皮膜を形成したりすることができる。
【００９０】（第４の実施形態）図２４及び図２５は、
本発明の第４の実施形態における光反射型検出器４００
の構成を示す側面図及び断面図である。なお、これまで
に説明した構成と同じ構成要素には同じ参照番号を付し
ており、その詳細な説明は省略する。
本発明の第４の実施形態における光反射型検出器４００
の構成を示す側面図及び断面図である。なお、これまで
に説明した構成と同じ構成要素には同じ参照番号を付し
ており、その詳細な説明は省略する。
【００９１】光反射型検出器４００では、発光素子搭載
用リードフレーム２１３のパッケージ（外囲器）２１９
からの突出部の上側、及び受光素子搭載用リードフレー
ム２１５のパッケージ（外囲器）２１９からの突出部の
下側に、それぞれダミーフレーム４１２及び４１４を設
けている。これによって、第２の実施形態の光反射型検
出器２００のように、発光素子搭載用リードフレーム２
１３及び受光素子搭載用リードフレーム２１５のパッケ
ージ２１９からの突出部に段差を設けることなく、先述
のリードフレームの２段重ね構造を実現している。
用リードフレーム２１３のパッケージ（外囲器）２１９
からの突出部の上側、及び受光素子搭載用リードフレー
ム２１５のパッケージ（外囲器）２１９からの突出部の
下側に、それぞれダミーフレーム４１２及び４１４を設
けている。これによって、第２の実施形態の光反射型検
出器２００のように、発光素子搭載用リードフレーム２
１３及び受光素子搭載用リードフレーム２１５のパッケ
ージ２１９からの突出部に段差を設けることなく、先述
のリードフレームの２段重ね構造を実現している。
【００９２】図２６及び２７は、切断前の発光素子搭載
用リードフレーム２１３Ａ及び受光素子搭載用リードフ
レーム２１５Ａにおけるダミーフレーム４１２及び４１
４の設置個所を示す平面図である。
用リードフレーム２１３Ａ及び受光素子搭載用リードフ
レーム２１５Ａにおけるダミーフレーム４１２及び４１
４の設置個所を示す平面図である。
【００９３】（第５の実施形態）続いて、図２８〜図３
０を参照して、本発明の第５の実施形態における光反射
型検出器５００の構成を説明する。なお、これまでに説
明した構成と同じ構成要素には同じ参照番号を付してお
り、その詳細な説明は省略する。
０を参照して、本発明の第５の実施形態における光反射
型検出器５００の構成を説明する。なお、これまでに説
明した構成と同じ構成要素には同じ参照番号を付してお
り、その詳細な説明は省略する。
【００９４】図２８〜図３０は、光反射型検出器５００
の構成を示す側面図、断面図及び平面図である。光反射
型検出器５００では、受光素子搭載用リードフレーム２
１５にフォーミングを施して、発光素子搭載用リードフ
レーム２１３の下方に位置するように配置する。これに
よって、発光素子２１０が受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄ
の上方に位置することになる。このような構成にするこ
とによって、発光素子２１０が受光素子２１２Ａ〜２１
２Ｄの下方に位置する構成で必要であった発光素子２１
０からの光の通過させるための穴を、受光素子搭載用リ
ードフレーム２１５に設ける必要がなくなる。但し、被
検出物２１１からの反射光の光路が発光素子搭載用リー
ドフレーム２１３によって妨げられて受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄに達しなくなることを防止するために、発光
素子搭載用リードフレーム２１３を、例えば図３０に示
すような形状に加工する必要がある。
の構成を示す側面図、断面図及び平面図である。光反射
型検出器５００では、受光素子搭載用リードフレーム２
１５にフォーミングを施して、発光素子搭載用リードフ
レーム２１３の下方に位置するように配置する。これに
よって、発光素子２１０が受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄ
の上方に位置することになる。このような構成にするこ
とによって、発光素子２１０が受光素子２１２Ａ〜２１
２Ｄの下方に位置する構成で必要であった発光素子２１
０からの光の通過させるための穴を、受光素子搭載用リ
ードフレーム２１５に設ける必要がなくなる。但し、被
検出物２１１からの反射光の光路が発光素子搭載用リー
ドフレーム２１３によって妨げられて受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄに達しなくなることを防止するために、発光
素子搭載用リードフレーム２１３を、例えば図３０に示
すような形状に加工する必要がある。
【００９５】（第６の実施形態）図３１は、本発明の第
６の実施形態における光反射型検出器６００の構成を示
す断面図である。なお、これまでに説明した構成と同じ
構成要素には同じ参照番号を付しており、その詳細な説
明は省略する。
６の実施形態における光反射型検出器６００の構成を示
す断面図である。なお、これまでに説明した構成と同じ
構成要素には同じ参照番号を付しており、その詳細な説
明は省略する。
【００９６】光反射型検出器６００では、ある樹脂モー
ルド工程によって形成された発光素子部分６１０の上
に、他の樹脂モールド工程によって形成された受光素子
部分６２０が配置されている。発光素子部分６１０と受
光素子部分６２０とは、例えばエポキシ樹脂などの接着
剤によってお互いに接着される。但し、受光素子２１２
Ａ〜２１２Ｄが発光素子２１０の上方に位置しているの
で、受光素子搭載用リードフレーム２１５には、発光素
子２１０からの光を通過させるための穴２１８が設けら
れている。
ルド工程によって形成された発光素子部分６１０の上
に、他の樹脂モールド工程によって形成された受光素子
部分６２０が配置されている。発光素子部分６１０と受
光素子部分６２０とは、例えばエポキシ樹脂などの接着
剤によってお互いに接着される。但し、受光素子２１２
Ａ〜２１２Ｄが発光素子２１０の上方に位置しているの
で、受光素子搭載用リードフレーム２１５には、発光素
子２１０からの光を通過させるための穴２１８が設けら
れている。
【００９７】（第７の実施形態）図３２は、本発明の第
７の実施形態における光反射型検出器７００の構成を示
す断面図である。なお、これまでに説明した構成と同じ
構成要素には同じ参照番号を付しており、その詳細な説
明は省略する。
７の実施形態における光反射型検出器７００の構成を示
す断面図である。なお、これまでに説明した構成と同じ
構成要素には同じ参照番号を付しており、その詳細な説
明は省略する。
【００９８】光反射型検出器７００では、発光素子２１
０と受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄとは、同一の遮光性ホ
ルダ７１０の内部に収納されている。受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄが発光素子２１０の上方に位置しており、ホ
ルダ７１０及び受光素子搭載用リードフレーム２１５に
は、発光素子２１０からの光を通過させるための穴７１
８及び２１８が設けられている。ホルダ７１０を遮光性
とすることによって、先に説明したように外乱光の抑制
や内部リーク光の低減を図ることができる。
０と受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄとは、同一の遮光性ホ
ルダ７１０の内部に収納されている。受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄが発光素子２１０の上方に位置しており、ホ
ルダ７１０及び受光素子搭載用リードフレーム２１５に
は、発光素子２１０からの光を通過させるための穴７１
８及び２１８が設けられている。ホルダ７１０を遮光性
とすることによって、先に説明したように外乱光の抑制
や内部リーク光の低減を図ることができる。
【００９９】（第８の実施形態）図３３（ａ）及び
（ｂ）は、本発明の第８の実施形態における光反射型検
出器８００の構成を示す断面図及び上面図である。な
お、これまでに説明した構成と同じ構成要素には同じ参
照番号を付しており、その詳細な説明は省略する。
（ｂ）は、本発明の第８の実施形態における光反射型検
出器８００の構成を示す断面図及び上面図である。な
お、これまでに説明した構成と同じ構成要素には同じ参
照番号を付しており、その詳細な説明は省略する。
【０１００】光反射型検出器８００では、発光素子２１
０と受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄとが同一の樹脂８３０
によって一体成形されている。受光素子２１２Ａ〜２１
２Ｄが発光素子２１０の上方に位置しているので、受光
素子モールド部分８２０及び受光素子搭載用リードフレ
ーム２１５には、発光素子２１０からの光を通過させる
ための貫通穴８１８及び２１８が設けられている。特
に、貫通穴８１８は、発光素子モールド部分８１０から
受光素子モールド部分８２０の表面に達する貫通穴８１
８であって、受光素子のモールド成型時に同時に形成さ
れる。
０と受光素子２１２Ａ〜２１２Ｄとが同一の樹脂８３０
によって一体成形されている。受光素子２１２Ａ〜２１
２Ｄが発光素子２１０の上方に位置しているので、受光
素子モールド部分８２０及び受光素子搭載用リードフレ
ーム２１５には、発光素子２１０からの光を通過させる
ための貫通穴８１８及び２１８が設けられている。特
に、貫通穴８１８は、発光素子モールド部分８１０から
受光素子モールド部分８２０の表面に達する貫通穴８１
８であって、受光素子のモールド成型時に同時に形成さ
れる。
【０１０１】（第９の実施形態）図３４（ａ）は、本発
明の第９の実施形態における光反射型検出器９００の構
成を示す断面図である。
明の第９の実施形態における光反射型検出器９００の構
成を示す断面図である。
【０１０２】光反射型検出器９００では、遮光性樹脂９
１５によって一体成形された発光素子部９１０の上に、
受光素子部９２０が配置されて接着されている。発光素
子部９１０は、遮光性樹脂９１５で形成されたホルダの
内部に収納されていてもよい。
１５によって一体成形された発光素子部９１０の上に、
受光素子部９２０が配置されて接着されている。発光素
子部９１０は、遮光性樹脂９１５で形成されたホルダの
内部に収納されていてもよい。
【０１０３】一方、図３４（ｂ）は、本実施形態の他の
光反射型検出器９５０の構成を示す断面図である。光反
射型検出器９５０では、遮光性樹脂９２５によって一体
成形された受光素子部９２０の下に、発光素子部９１０
が配置されて接着されている。受光素子部９２０は、遮
光性樹脂９２５で形成されたホルダの内部に収納されて
いてもよい。
光反射型検出器９５０の構成を示す断面図である。光反
射型検出器９５０では、遮光性樹脂９２５によって一体
成形された受光素子部９２０の下に、発光素子部９１０
が配置されて接着されている。受光素子部９２０は、遮
光性樹脂９２５で形成されたホルダの内部に収納されて
いてもよい。
【０１０４】なお、光反射型検出器９００及び９５０
で、これまでに説明した構成と同じ構成要素には同じ参
照番号を付しており、その詳細な説明は省略する。
で、これまでに説明した構成と同じ構成要素には同じ参
照番号を付しており、その詳細な説明は省略する。
【０１０５】（第１０の実施形態）図３５（ａ）〜
（ｅ）は、光反射型検出器１０００の構成を示す側面
図、上面図、及び底面図である。なお、これまでに説明
した構成と同じ構成要素には同じ参照番号を付してお
り、その詳細な説明は省略する。
（ｅ）は、光反射型検出器１０００の構成を示す側面
図、上面図、及び底面図である。なお、これまでに説明
した構成と同じ構成要素には同じ参照番号を付してお
り、その詳細な説明は省略する。
【０１０６】光反射型検出器１０００では、パッケージ
（外囲器）２１９の外側に外乱光入射防止及び内部リー
ク光低減のための樹脂成型処理を施す際に、フック１２
００を設ける。そして、そのフック１２００を用いて、
使用用途に応じた光学レンズ１２１０をケーシングす
る。このようにして構成される光反射型検出器１０００
は、物体の有無を検出するセンサや２次元方向の角度検
出センサなどとして使用することができる。特に、発光
素子２１０を中心にしてその周辺に受光素子２１２Ａ〜
２１２Ｄを配置することが可能になるので、全体構成の
小型化やＳ／Ｎ比の改善を図ることができる。具体的な
用途としては、コンピュータへの入力装置（ポインティ
ングデバイス）、ゲーム機用の入力パッド、ジョイステ
ィックなどに適用することができる。
（外囲器）２１９の外側に外乱光入射防止及び内部リー
ク光低減のための樹脂成型処理を施す際に、フック１２
００を設ける。そして、そのフック１２００を用いて、
使用用途に応じた光学レンズ１２１０をケーシングす
る。このようにして構成される光反射型検出器１０００
は、物体の有無を検出するセンサや２次元方向の角度検
出センサなどとして使用することができる。特に、発光
素子２１０を中心にしてその周辺に受光素子２１２Ａ〜
２１２Ｄを配置することが可能になるので、全体構成の
小型化やＳ／Ｎ比の改善を図ることができる。具体的な
用途としては、コンピュータへの入力装置（ポインティ
ングデバイス）、ゲーム機用の入力パッド、ジョイステ
ィックなどに適用することができる。
【０１０７】以下では、光反射型検出器１０００を用い
て被検出物の傾き角度及び傾き方向の検出を行う手法を
説明する。
て被検出物の傾き角度及び傾き方向の検出を行う手法を
説明する。
【０１０８】図３６（ａ）に示す光反射型検出器１００
０の各リードフレーム〜について、図３６（ｂ）に
示すように、発光素子（発光ダイオード）２１０が接続
されているリードフレーム及びの間に定電流源を接
続し、受光素子（フォトダイオード）２１２Ａ〜２１２
Ｄが接続されているリードフレーム〜を接地する。
また、光反射型検出器１０００に対して図３７（ａ）に
示すようにＸ軸及びＹ軸を設定し、光反射型検出器１０
００に対する被検出物２１１のＸ軸回転方向及びＹ軸回
転方向を、それぞれ図３７（ｂ）及び（ｃ）に示すよう
に設定する。なお、Ｘ軸回転方向及びＹ軸回転方向それ
ぞれにおける被検出物２１１の回転角度ψを表すための
基準面として、光反射型検出器１０００の底面に平行な
面を回転角度ψ＝０度の面とする。
０の各リードフレーム〜について、図３６（ｂ）に
示すように、発光素子（発光ダイオード）２１０が接続
されているリードフレーム及びの間に定電流源を接
続し、受光素子（フォトダイオード）２１２Ａ〜２１２
Ｄが接続されているリードフレーム〜を接地する。
また、光反射型検出器１０００に対して図３７（ａ）に
示すようにＸ軸及びＹ軸を設定し、光反射型検出器１０
００に対する被検出物２１１のＸ軸回転方向及びＹ軸回
転方向を、それぞれ図３７（ｂ）及び（ｃ）に示すよう
に設定する。なお、Ｘ軸回転方向及びＹ軸回転方向それ
ぞれにおける被検出物２１１の回転角度ψを表すための
基準面として、光反射型検出器１０００の底面に平行な
面を回転角度ψ＝０度の面とする。
【０１０９】被検出物２１１が傾いていない場合には、
図３８（ａ）及び（ｂ）に一点鎖線の円で示すように、
被検出物２１１からの反射光は４つの受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄを均等に照射する。これに対して、被検出物
２１１がＸ軸回転或いはＹ軸回転すると、被検出物２１
１からの反射光のスポットが受光素子２１２Ａ〜２１１
２Ｄに対して移動して、図３８（ａ）及び（ｂ）に実線
で示すような位置に変位する。このような被検出物２１
１の傾きの変化に伴う反射光の光スポットの変位に応じ
て、各受光素子２１２Ａ〜２１１２Ｄの出力の大きさＳ
A〜ＳDが変化する。この出力ＳA〜ＳDの変化を利用して
以下に説明する演算処理を行うことによって、被検出物
２１１の傾き角度及び傾き方向を求める。
図３８（ａ）及び（ｂ）に一点鎖線の円で示すように、
被検出物２１１からの反射光は４つの受光素子２１２Ａ
〜２１２Ｄを均等に照射する。これに対して、被検出物
２１１がＸ軸回転或いはＹ軸回転すると、被検出物２１
１からの反射光のスポットが受光素子２１２Ａ〜２１１
２Ｄに対して移動して、図３８（ａ）及び（ｂ）に実線
で示すような位置に変位する。このような被検出物２１
１の傾きの変化に伴う反射光の光スポットの変位に応じ
て、各受光素子２１２Ａ〜２１１２Ｄの出力の大きさＳ
A〜ＳDが変化する。この出力ＳA〜ＳDの変化を利用して
以下に説明する演算処理を行うことによって、被検出物
２１１の傾き角度及び傾き方向を求める。
【０１１０】すなわち、まず以下の（７）式及び（８）
式によって、Ｘ軸回転方向の受光素子の減算出力Ａx及
びＹ軸回転方向の受光素子の減算出力ＡYを求める。
式によって、Ｘ軸回転方向の受光素子の減算出力Ａx及
びＹ軸回転方向の受光素子の減算出力ＡYを求める。
【０１１１】 ＡX＝（ＳA＋ＳC）−（ＳB＋ＳD） （７） ＡY＝（ＳA＋ＳB）−（ＳC＋ＳD） （８） Ｘ軸回転方向及びＹ軸回転方向のそれぞれについて、減
算出力Ａx及びＡYと被検出物２１１の傾き角度との関係
は、例えば図３９（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのよう
になる。
算出力Ａx及びＡYと被検出物２１１の傾き角度との関係
は、例えば図３９（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのよう
になる。
【０１１２】光反射型検出器１０００に含まれる発光素
子２１０は一般に化合物半導体を用いて形成されてお
り、経年変化及び温度変化に伴う特性変化を示す。そこ
で、次に、これらの影響を低減する目的で以下の除算処
理を行う。
子２１０は一般に化合物半導体を用いて形成されてお
り、経年変化及び温度変化に伴う特性変化を示す。そこ
で、次に、これらの影響を低減する目的で以下の除算処
理を行う。
【０１１３】すなわち、まず、各受光素子２１２Ａ〜２
１２Ｄの出力ＳA〜ＳDを用いて、以下の（９）式及び
（１０）式で示されるＸ軸回転に対する加算出力ＢX及
びＹ軸回転に対する加算出力ＢYをそれぞれ求める。
１２Ｄの出力ＳA〜ＳDを用いて、以下の（９）式及び
（１０）式で示されるＸ軸回転に対する加算出力ＢX及
びＹ軸回転に対する加算出力ＢYをそれぞれ求める。
【０１１４】 ＢX＝ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD （９） ＢY＝ＳA＋ＳB＋ＳC＋ＳD （１０） Ｘ軸回転方向及びＹ軸回転方向のそれぞれについて、加
算出力Ｂx及びＢYと被検出物の傾き角度との関係は、例
えば図４０（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのようにな
る。
算出力Ｂx及びＢYと被検出物の傾き角度との関係は、例
えば図４０（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのようにな
る。
【０１１５】その後に、以上のようにして求められた減
算出力ＡX、ＡY及び加算出力ＢX及びＢYを用いて、Ｘ軸
回転に対する減算出力増加量ＡX／ＢX及びＹ軸回転に対
する減算出力増加量ＡY／ＢYを求める。それぞれの減算
出力増加量ＡX／ＢX及びＡY／ＢYと傾き角度との関係
は、例えば図４１（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのよう
になる。
算出力ＡX、ＡY及び加算出力ＢX及びＢYを用いて、Ｘ軸
回転に対する減算出力増加量ＡX／ＢX及びＹ軸回転に対
する減算出力増加量ＡY／ＢYを求める。それぞれの減算
出力増加量ＡX／ＢX及びＡY／ＢYと傾き角度との関係
は、例えば図４１（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのよう
になる。
【０１１６】さらにその後に、光反射型検出器１０００
のアセンブリ工程での位置的なばらつきに起因するオフ
セットを補正する。この場合の補正処理としては、例え
ば、初期のばらつきをマイコンに記憶しておき、得られ
る信号から上記の記憶されている値を減算処理して補正
を行うなどの処理を行う。補正後のＸ軸回転方向及びＹ
軸回転方向のそれぞれについての減算出力増加量ＡX／
ＢX及びＡY／ＢYと傾き角度との関係は、例えば図４２
（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのようになる。
のアセンブリ工程での位置的なばらつきに起因するオフ
セットを補正する。この場合の補正処理としては、例え
ば、初期のばらつきをマイコンに記憶しておき、得られ
る信号から上記の記憶されている値を減算処理して補正
を行うなどの処理を行う。補正後のＸ軸回転方向及びＹ
軸回転方向のそれぞれについての減算出力増加量ＡX／
ＢX及びＡY／ＢYと傾き角度との関係は、例えば図４２
（ａ）及び（ｂ）に示すグラフのようになる。
【０１１７】図３９（ａ）及び（ｂ）〜図４２（ａ）及
び（ｂ）までの各グラフには、実際には３本の特性曲線
が描かれている。これらの３本の特性曲線は、それぞれ
別個のサンプルにおける測定結果を示すものである。図
３９（ａ）及び（ｂ）に示す減算出力特性などでは３本
の特性曲線には値の差が存在して、サンプルによる特性
の相違が認められる。これに対して、上記の各演算処理
及び補正処理の結果として得られる図４２（ａ）及び
（ｂ）では、サンプルによるばらつきがほとんど認めら
れない。この図４２（ａ）及び（ｂ）に示される関係を
用いることによって、補正後の減算出力増加量ＡX／ＢX
及びＡY／ＢYから、Ｘ軸回転方向及びＹ軸回転方向のそ
れぞれに対する被検出物の傾きの大きさが求められる。
び（ｂ）までの各グラフには、実際には３本の特性曲線
が描かれている。これらの３本の特性曲線は、それぞれ
別個のサンプルにおける測定結果を示すものである。図
３９（ａ）及び（ｂ）に示す減算出力特性などでは３本
の特性曲線には値の差が存在して、サンプルによる特性
の相違が認められる。これに対して、上記の各演算処理
及び補正処理の結果として得られる図４２（ａ）及び
（ｂ）では、サンプルによるばらつきがほとんど認めら
れない。この図４２（ａ）及び（ｂ）に示される関係を
用いることによって、補正後の減算出力増加量ＡX／ＢX
及びＡY／ＢYから、Ｘ軸回転方向及びＹ軸回転方向のそ
れぞれに対する被検出物の傾きの大きさが求められる。
【０１１８】一方、補正後の減算出力増加量ＡX／ＢX及
びＡY／ＢYのベクトルを計算すれば、図４３に示す角度
θとして、被検出物の傾き方向が求められる。
びＡY／ＢYのベクトルを計算すれば、図４３に示す角度
θとして、被検出物の傾き方向が求められる。
【０１１９】以上の演算処理によって、受光素子２１２
Ａ〜２１２Ｄの出力ＳA〜ＳDから被検出物２１１の傾き
の大きさ及び方向を２次元的に求めることができる。
Ａ〜２１２Ｄの出力ＳA〜ＳDから被検出物２１１の傾き
の大きさ及び方向を２次元的に求めることができる。
【０１２０】なお、上記の説明ではレンズ１２１０を光
反射型検出器１０００とは別部品として形成している
が、パッケージ（外囲器）２１９を樹脂モールドして成
形する際にその上面をレンズ形状に成形することによっ
て、レンズを一体的に成形することができる。これによ
っても上記の同様の機能及び効果が得られるとともに、
製造工程の簡略化や製造コストの低減を図ることができ
る。
反射型検出器１０００とは別部品として形成している
が、パッケージ（外囲器）２１９を樹脂モールドして成
形する際にその上面をレンズ形状に成形することによっ
て、レンズを一体的に成形することができる。これによ
っても上記の同様の機能及び効果が得られるとともに、
製造工程の簡略化や製造コストの低減を図ることができ
る。
【０１２１】
【発明の効果】以上のように、本発明の光反射型検出器
では、発光素子と被検出物との間の距離が受光素子と被
検出物との間の距離とは異なるように、発光素子及び受
光素子が配置されるので、発光素子から側方に向かって
光が発せられても、受光素子に直接に入射することがな
くなる。このため、傾きの検出において、受光素子での
不必要な光の受光を防止することができて、Ｓ／Ｎ比が
向上して検出精度が向上する。
では、発光素子と被検出物との間の距離が受光素子と被
検出物との間の距離とは異なるように、発光素子及び受
光素子が配置されるので、発光素子から側方に向かって
光が発せられても、受光素子に直接に入射することがな
くなる。このため、傾きの検出において、受光素子での
不必要な光の受光を防止することができて、Ｓ／Ｎ比が
向上して検出精度が向上する。
【０１２２】さらに、発光素子が搭載されたリードフレ
ームを受光素子が搭載されたリードフレームの下方に配
置して２層構造とすることにより、両リードフレームを
並置する場合に比べて設置面積が小さくなり、光反射型
検出器の小型化を図ることができる。しかも、発光素子
と受光素子との間に遮光用の壁や物体を別途設けなくて
も、発光素子から受光素子に直接向かう光を遮ることが
でき、構造的にも簡素化できる。
ームを受光素子が搭載されたリードフレームの下方に配
置して２層構造とすることにより、両リードフレームを
並置する場合に比べて設置面積が小さくなり、光反射型
検出器の小型化を図ることができる。しかも、発光素子
と受光素子との間に遮光用の壁や物体を別途設けなくて
も、発光素子から受光素子に直接向かう光を遮ることが
でき、構造的にも簡素化できる。
【０１２３】受光素子が搭載されたリードフレームに発
光素子から発せられた光が通過する孔を形成することに
より、発光素子からの光を絞ることができて被検出物に
対する照射効率が向上して、検出精度がさらに向上す
る。
光素子から発せられた光が通過する孔を形成することに
より、発光素子からの光を絞ることができて被検出物に
対する照射効率が向上して、検出精度がさらに向上す
る。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、従来の光反射型検出器の
構成を示す断面図及び平面図である。
構成を示す断面図及び平面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１の従来の光反射型検
出器において、被検出物が傾いた場合の光路を示す断面
図及び平面図である。
出器において、被検出物が傾いた場合の光路を示す断面
図及び平面図である。
【図３】図１の従来の光反射型検出器における、検出度
と被検出物の傾き角度との関係を示すグラフである。
と被検出物の傾き角度との関係を示すグラフである。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来の他の光反射型検出器
の構成を示す側面図、断面図及び平面図である。
の構成を示す側面図、断面図及び平面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、図４の従来の光反射型検
出器において、被検出物がＹ軸回転方向及びＸ軸回転方
向に傾いた場合の光路をそれぞれ示す断面図である。
出器において、被検出物がＹ軸回転方向及びＸ軸回転方
向に傾いた場合の光路をそれぞれ示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態における光反射型検出
器の構成を示す斜視図である。
器の構成を示す斜視図である。
【図７】図６の光反射型検出器の構成を示す平面図であ
る。
る。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、図６の光反射型検出器に
おける被検出物の検出の様子を模式的に示す断面図及び
平面図である。
おける被検出物の検出の様子を模式的に示す断面図及び
平面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、図６の光反射型検出器に
おいて、被検出物が傾いた場合の光路を示す断面図及び
平面図である。
おいて、被検出物が傾いた場合の光路を示す断面図及び
平面図である。
【図１０】図６の光反射型検出器における、検出度と被
検出物の傾き角度との関係を示すグラフである。
検出物の傾き角度との関係を示すグラフである。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、図６の光反射型検出器
の構成の改変例をそれぞれ示す断面図である。
の構成の改変例をそれぞれ示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態における光反射型検
出器の構成を示す側面図である。
出器の構成を示す側面図である。
【図１３】図１２の光反射型検出器の構成を示す断面図
である。
である。
【図１４】図１２の光反射型検出器の構成を示す平面図
である。
である。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は、図１２の光反射型検出
器に含まれる発光素子搭載用リードフレームの構成を示
す平面図及び断面図である。
器に含まれる発光素子搭載用リードフレームの構成を示
す平面図及び断面図である。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、図１２の光反射型検出
器に含まれる受光素子搭載用リードフレームの構成を示
す平面図及び断面図である。
器に含まれる受光素子搭載用リードフレームの構成を示
す平面図及び断面図である。
【図１７】（ａ）及び（ｂ）は、図１５及び図１６に示
すリードフレームを重ね合わせた状態を示す平面図及び
断面図である。
すリードフレームを重ね合わせた状態を示す平面図及び
断面図である。
【図１８】（ａ）及び（ｂ）は、モールド成形終了時の
リードフレームの状態を示す平面図及び断面図であり、
（ｃ）は、その時点の光反射型検出器の上面図である。
リードフレームの状態を示す平面図及び断面図であり、
（ｃ）は、その時点の光反射型検出器の上面図である。
【図１９】図１２の光反射型検出器における、発光素子
からの光の光路を模式的に示す断面図である。
からの光の光路を模式的に示す断面図である。
【図２０】（ａ）は、図１２の光反射型検出器における
出力増幅回路の構成の一例を示す回路図であり、（ｂ）
は、電圧レベルの設定を模式的に示す図である。
出力増幅回路の構成の一例を示す回路図であり、（ｂ）
は、電圧レベルの設定を模式的に示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施形態における光反射型検
出器の構成を示す断面図である。
出器の構成を示す断面図である。
【図２２】本発明の第３の実施形態における光反射型検
出器の他の構成を示す断面図である。
出器の他の構成を示す断面図である。
【図２３】本発明の第３の実施形態における光反射型検
出器のさらに他の構成を示す断面図である。
出器のさらに他の構成を示す断面図である。
【図２４】本発明の第４の実施形態における光反射型検
出器の構成を示す側面図である。
出器の構成を示す側面図である。
【図２５】図２４の光反射型検出器の構成を示す断面図
である。
である。
【図２６】図２４の光反射型検出器に含まれる受光素子
搭載用リードフレームの構成を示す平面図である。
搭載用リードフレームの構成を示す平面図である。
【図２７】図２４の光反射型検出器に含まれる発光素子
搭載用リードフレームの構成を示す平面図である。
搭載用リードフレームの構成を示す平面図である。
【図２８】本発明の第５の実施形態における光反射型検
出器の構成を示す側面図である。
出器の構成を示す側面図である。
【図２９】図２８の光反射型検出器の構成を示す断面図
である。
である。
【図３０】図２８の光反射型検出器の構成を示す平面図
である。
である。
【図３１】本発明の第６の実施形態における光反射型検
出器の構成を示す側面図である。
出器の構成を示す側面図である。
【図３２】本発明の第７の実施形態における光反射型検
出器の構成を示す側面図である。
出器の構成を示す側面図である。
【図３３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第８の実施形
態における光反射型検出器の構成を示す断面図及び上面
図である。
態における光反射型検出器の構成を示す断面図及び上面
図である。
【図３４】（ａ）は、本発明の第９の実施形態における
光反射型検出器の構成を示す断面図であり、（ｂ）は、
他の構成を示す断面図である。
光反射型検出器の構成を示す断面図であり、（ｂ）は、
他の構成を示す断面図である。
【図３５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１０の実施形
態における光反射型検出器の構成を示す。
態における光反射型検出器の構成を示す。
【図３６】（ａ）は、図３５の光反射型検出器の上面図
であり、（ｂ）は、その内部結線図である。
であり、（ｂ）は、その内部結線図である。
【図３７】（ａ）〜（ｃ）は、図３５の光反射型検出器
に対する被検出物のＹ軸回転方向及びＸ軸回転方向を模
式的に示す図である。
に対する被検出物のＹ軸回転方向及びＸ軸回転方向を模
式的に示す図である。
【図３８】（ａ）及び（ｂ）は、図３５の光反射型検出
器において、被検出物が傾いた場合の受光素子の上での
反射光結像位置の変位を示す図である。
器において、被検出物が傾いた場合の受光素子の上での
反射光結像位置の変位を示す図である。
【図３９】（ａ）及び（ｂ）は、図３５の光反射型検出
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の減算出力との関係を示すグラフで
ある。
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の減算出力との関係を示すグラフで
ある。
【図４０】（ａ）及び（ｂ）は、図３５の光反射型検出
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の加算出力との関係を示すグラフで
ある。
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の加算出力との関係を示すグラフで
ある。
【図４１】（ａ）及び（ｂ）は、図３５の光反射型検出
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の減算出力増加量との関係を示すグ
ラフである。
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の減算出力増加量との関係を示すグ
ラフである。
【図４２】（ａ）及び（ｂ）は、図３５の光反射型検出
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の補正後の出力との関係を示すグラ
フである。
器における、被検出物のＸ軸回転傾き角度及びＹ軸回転
傾き角度と受光素子の補正後の出力との関係を示すグラ
フである。
【図４３】図３５の光反射型検出器における傾き方向検
出時のベクトル計算を示す図である。
出時のベクトル計算を示す図である。
１１０、２１０ 発光素子 １１１、２１１ 被検出物 １１２Ａ〜１１２Ｄ、２１２Ａ〜２１２Ｄ 受光素子 １１３、２１３ 発光素子搭載用リードフレーム １１５、２１５ 受光素子搭載用リードフレーム １１８、２１８ 孔 １１９、２１９ 外囲器（パッケージ） ３２５ 光学膜構造 ３４５ 凹凸構造 ３６５ 反射防止膜 ４１２、４１４ ダミーフレーム
Claims (25)
- 【請求項１】 発光素子と、 該発光素子から発せられて被検出物により反射された光
を受光するように配置された受光素子と、を備える光反
射型検出器であって、 該発光素子から発せられた光が該受光素子に直接照射さ
れることを防ぐように、該発光素子と該被検出物との間
の距離が該受光素子と該被検出物との間の距離と異なる
ように、該発光素子及び該受光素子が配置されている、
光反射型検出器。 - 【請求項２】 前記発光素子が搭載されているリードフ
レームを前記受光素子が搭載されているリードフレーム
の下方に配置して、２層構造を形成している、請求項１
に記載の光反射型検出器。 - 【請求項３】 前記受光素子が搭載されているリードフ
レームに、前記発光素子から発せられた光が通過する孔
が形成されている、請求項１または２に記載の光反射型
検出器。 - 【請求項４】 第１のリードフレームに搭載されている
発光素子と、 該発光素子から発せられて被検出物により反射された光
を受光するように配置され、第２のリードフレームに搭
載されている受光素子と、を備え、該受光素子の出力を
使用して該被検出物の光学的検知を行う光反射型検出器
であって、 該発光素子及び該受光素子は、金型のクランプによって
仕切られる同一モールド型の同部屋にて同一モールド樹
脂で成形されており、 該第１及び第２のリードフレームは、 樹脂モールド部の内部では２層構造を形成し、 該樹脂モールド部の外側では、該受光素子の搭載面と同
一平面上或いはそれに平行な面上にそれぞれ引き出され
ており、該第１及び第２のリードフレームの間には、該
受光素子の搭載面に垂直な方向にリードフレーム１枚分
の段差が存在している、光反射型検出器。 - 【請求項５】 前記樹脂モールド部の外側において、前
記第１及び第２のリードフレームが、ダミーフレームが
それぞれ設けられた２枚重ね構造になっている、請求項
４に記載の光反射型検出器。 - 【請求項６】 前記第１のリードフレームが前記第２の
リードフレームの下方に配置され、該第２のリードフレ
ームに前記発光素子から発せられた光が通過する孔が形
成されている、請求項４または５に記載の光反射型検出
器． - 【請求項７】 請求項４〜６のいずれかに記載の光反射
型検出器であって、該検出器はモールド樹脂パッケージ
の内部に収納されており、該パッケージの表面のうちで
前記光学的検知のために必要な領域を除く領域の少なく
とも一部に、外乱光の入射防止及び該パッケージ内部の
リーク光の吸収のための遮光吸光構造が設けられてい
る、光反射型検出器。 - 【請求項８】 前記遮光吸光構造は、前記パッケージの
表面において、前記光学的検知のために必要な領域を除
くすべての領域に設けられている、請求項７に記載の光
反射型検出器。 - 【請求項９】 前記遮光吸光構造は、熱可塑性樹脂また
は熱硬化性樹脂によって前記パッケージの表面をモール
ド成形することによって形成されている、請求項７また
は８に記載の光反射型検出器 - 【請求項１０】 前記遮光吸光構造は、塗装、印刷、め
っき及び蒸着からなるグループから選択された方法によ
って形成されている、請求項７または８に記載の光反射
型検出器。 - 【請求項１１】 前記遮光吸光構造は、前記パッケージ
の表面に形成された凹凸構造である、請求項７または８
に記載の光反射型検出器。 - 【請求項１２】 少なくとも前記第２のリードフレーム
の前記受光素子の搭載面の裏面に、前記発光素子から発
せられる光に対する反射防止処理が施されている、請求
項４〜１１のいずれかに記載の光反射型検出器。 - 【請求項１３】 前記反射防止処理が、前記第１及び第
２のリードフレームの表面全体に施されている、請求項
１２に記載の光反射型検出器。 - 【請求項１４】 前記反射防止処理は、塗装、印刷、め
っき及び蒸着からなるグループから選択された方法によ
って行われている、請求項１２または１３に記載の光反
射型検出器。 - 【請求項１５】 発光素子を搭載した第１のリードフレ
ームが樹脂モールドされて形成されている発光素子部
と、 受光素子を搭載した第２のリードフレームが樹脂モール
ドされて形成されている受光素子部と、を備えた光反射
型検出器であって、 該受光素子部と該発光素子部とが重ねて配置されてお
り、 該発光素子から発せられた光が被検出物を照射して、そ
の反射光を該受光素子で受光するように構成されてい
て、該受光素子の出力を使用して該被検出物の光学的検
知を行う、光反射型検出器。 - 【請求項１６】 前記発光素子部が前記受光素子部の下
側に配置され、前記第２のリードフレームには前記発光
素子から発せられた光が通過するための孔が設けられて
いる、請求項１５に記載の光反射型検出器。 - 【請求項１７】 前記発光素子部及び前記受光素子部の
樹脂モールドパッケージの外側面のうちの前記光学的検
知に必要な領域を除いた領域の少なくとも一部が、遮光
性樹脂によって固定或いは成形されている、請求項１５
または１６に記載の光反射型検出器。 - 【請求項１８】 前記発光素子部及び前記受光素子部の
樹脂モールドパッケージの外側面のうちの前記光学的検
知に必要な領域を除いた領域が、遮光性樹脂によって固
定或いは一体成形されている、請求項１５または１６に
記載の光反射型検出器。 - 【請求項１９】 前記受光素子部には、前記発光素子部
から該受光素子部の表面に至る貫通孔が設けられてい
る、請求項１５〜１８のいずれかに記載の光反射型検出
器。 - 【請求項２０】 請求項１５〜１９のいずれかに記載の
光反射型検出器であって、該検出器は、モールド樹脂パ
ッケージの内部に収納されており、該パッケージの表面
において前記光学的検知のために必要な領域を除く領域
の少なくとも一部には、外乱光の入射防止及び該パッケ
ージ内部の光の吸収のための遮光吸光構造が設けられて
いる、光反射型検出器。 - 【請求項２１】 前記遮光吸光構造は、前記パッケージ
の表面において、前記光学的検知のために必要な領域を
除くすべての領域に設けられている、請求項２０に記載
の光反射型検出器。 - 【請求項２２】 前記遮光吸光構造は、熱可塑性樹脂ま
たは熱硬化性樹脂によって前記パッケージの表面をモー
ルド成形することによって形成されている、請求項２０
または２１に記載の光反射型検出器 - 【請求項２３】 前記遮光吸光構造は、塗装、印刷、め
っき及び蒸着からなるグループから選択された方法によ
って形成されている、請求項２０または２１に記載の光
反射型検出器。 - 【請求項２４】 前記遮光吸光構造は、前記パッケージ
の表面に形成された凹凸構造である、請求項２０または
２１に記載の光反射型検出器。 - 【請求項２５】 請求項４〜２４のいずれかに記載の光
反射型検出器の製造方法であって、該製造方法は、 前記第１及び第２のリードフレームを、モールド金型の
同じ位置決めピンに２枚重ねにして設置する工程と、 該２枚重ねになっているリードフレームを該モールド金
型でクランプする工程と、 該第１及び第２のリードフレームを該モールド金型を用
いてモールド成形する工程と、を包含しており、 該クランプ工程では、該第１及び第２のリードフレーム
がタイバーカット部より内側のインナーリード部の少な
くともある領域で実質的に隙間なく完全に２枚重ねにな
る、光反射型検出器の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7500896A JPH09148620A (ja) | 1995-09-20 | 1996-03-28 | 光反射型検出器及びその製造方法 |
| TW085105284A TW330346B (en) | 1995-09-20 | 1996-05-02 | A photo-reflective type detector and its manufacturing method |
| US08/694,063 US5811797A (en) | 1995-09-20 | 1996-08-08 | Photoreflective detector including a light emitting element and a light recieving element located at different distances from an object reflecting light from the emitting element |
| DE69636093T DE69636093T2 (de) | 1995-09-20 | 1996-09-19 | Photoreflektierender Detektor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP96306823A EP0790654B1 (en) | 1995-09-20 | 1996-09-19 | Photoreflective detector and method for producing the same |
| US09/112,207 US6060337A (en) | 1995-09-20 | 1998-07-09 | Photoreflective detector including a light emitting element and a light receiving element located at different distances from an object reflecting light from the emitting element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-241049 | 1995-09-20 | ||
| JP24104995 | 1995-09-20 | ||
| JP7500896A JPH09148620A (ja) | 1995-09-20 | 1996-03-28 | 光反射型検出器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148620A true JPH09148620A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=26416167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7500896A Pending JPH09148620A (ja) | 1995-09-20 | 1996-03-28 | 光反射型検出器及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5811797A (ja) |
| EP (1) | EP0790654B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09148620A (ja) |
| DE (1) | DE69636093T2 (ja) |
| TW (1) | TW330346B (ja) |
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