JPH0850720A - 記録媒体用ガラス状炭素基板の製造方法及び焼成用支持装置 - Google Patents
記録媒体用ガラス状炭素基板の製造方法及び焼成用支持装置Info
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- JPH0850720A JPH0850720A JP6170929A JP17092994A JPH0850720A JP H0850720 A JPH0850720 A JP H0850720A JP 6170929 A JP6170929 A JP 6170929A JP 17092994 A JP17092994 A JP 17092994A JP H0850720 A JPH0850720 A JP H0850720A
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- F27D5/00—Supports, screens or the like for the charge within the furnace
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- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B25/00—Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
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- F26B25/14—Chambers, containers, receptacles of simple construction
- F26B25/18—Chambers, containers, receptacles of simple construction mainly open, e.g. dish, tray, pan, rack
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 硬化樹脂基板を焼成して炭素化することによ
りガラス状炭素（ＧＣ）基板を製造するに際し、硬化樹
脂基板のセットを容易にすると共に、焼成炉の能力を充
分に活用する。 【構成】 硬化樹脂基板５の中央孔５ａに挿入可能で一
端部にディスク状の底板を有する支持シャフト11と、こ
の支持シャフト11に挿入可能な中央孔を有するディスク
状のスペーサ12とを用いる。そして、起立させた支持シ
ャフト11に硬化樹脂基板５とスペーサ12とを交互に挿入
して積層し、この状態で焼成炉に入れて焼成する。
りガラス状炭素（ＧＣ）基板を製造するに際し、硬化樹
脂基板のセットを容易にすると共に、焼成炉の能力を充
分に活用する。 【構成】 硬化樹脂基板５の中央孔５ａに挿入可能で一
端部にディスク状の底板を有する支持シャフト11と、こ
の支持シャフト11に挿入可能な中央孔を有するディスク
状のスペーサ12とを用いる。そして、起立させた支持シ
ャフト11に硬化樹脂基板５とスペーサ12とを交互に挿入
して積層し、この状態で焼成炉に入れて焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録媒体用ガラス状炭
素基板の製造方法及び焼成用支持装置（セッター）に関
する。
素基板の製造方法及び焼成用支持装置（セッター）に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク（ＨＤ）用基板に
代表される記録媒体用基板として、従来一般的に用いら
れているアルミ基板に代わり、耐衝撃性の向上、薄板化
による軽量化、軽量化によるモータ消費電力の低減等の
目的から、ガラス状炭素（Ｇlass-like Ｃarbon ；以下
「ＧＣ」という）からなるＧＣ基板が注目されている。
代表される記録媒体用基板として、従来一般的に用いら
れているアルミ基板に代わり、耐衝撃性の向上、薄板化
による軽量化、軽量化によるモータ消費電力の低減等の
目的から、ガラス状炭素（Ｇlass-like Ｃarbon ；以下
「ＧＣ」という）からなるＧＣ基板が注目されている。
【０００３】かかるＧＣ基板の従来の製造プロセスを図
９に示している。先ず、樹脂合成工程では、反応槽１に
てフェノール変性フラン樹脂を合成し、合成後の液状の
樹脂を濾過器２により濾過する。次に、樹脂硬化工程で
は、一対のガラス板３，３間に、硬化剤を添加した液状
の樹脂を注入し、高温状態で放置して反応させることに
より、硬化させ、この後、ガラス板３，３間から取出し
て、ある程度の大きさの板状硬化樹脂４を得る。
９に示している。先ず、樹脂合成工程では、反応槽１に
てフェノール変性フラン樹脂を合成し、合成後の液状の
樹脂を濾過器２により濾過する。次に、樹脂硬化工程で
は、一対のガラス板３，３間に、硬化剤を添加した液状
の樹脂を注入し、高温状態で放置して反応させることに
より、硬化させ、この後、ガラス板３，３間から取出し
て、ある程度の大きさの板状硬化樹脂４を得る。
【０００４】次に、コア抜き工程では、レーザーカッタ
ー等を用いて、板状硬化樹脂４から、中央孔を有するデ
ィスク状の硬化樹脂（硬化樹脂基板）５を多数切り抜
く。次に、焼成炭素化工程では、セッターと呼ばれる例
えばカーボン（黒鉛）製の平板６上に多数の硬化樹脂基
板５を互いに接触しないように並べ、その上に別の平板
６を載せ、更にその上に互いに接触しないように多数の
硬化樹脂基板５を並べ・・・というように、順次積層
し、これらを図10に示すように焼成炉７内に入れて、不
活性ガス（例えば窒素、アルゴン等）雰囲気下、例えば
カーボン（黒鉛）製のヒータ８により、1000〜1500℃で
焼成することにより、硬化樹脂を炭素化して、ＧＣ基板
を得る。
ー等を用いて、板状硬化樹脂４から、中央孔を有するデ
ィスク状の硬化樹脂（硬化樹脂基板）５を多数切り抜
く。次に、焼成炭素化工程では、セッターと呼ばれる例
えばカーボン（黒鉛）製の平板６上に多数の硬化樹脂基
板５を互いに接触しないように並べ、その上に別の平板
６を載せ、更にその上に互いに接触しないように多数の
硬化樹脂基板５を並べ・・・というように、順次積層
し、これらを図10に示すように焼成炉７内に入れて、不
活性ガス（例えば窒素、アルゴン等）雰囲気下、例えば
カーボン（黒鉛）製のヒータ８により、1000〜1500℃で
焼成することにより、硬化樹脂を炭素化して、ＧＣ基板
を得る。
【０００５】尚、セッターと呼ばれるカーボン製の平板
６，６間に多数の硬化樹脂基板５を互いに接触しないよ
うに並べているのは、隣接する硬化樹脂基板５，５同士
が接触したまま焼成すると、互いに融着してしまうから
である。この後は、最終製品に必要な平坦度／面粗さを
得るために、表面を研磨するラッピング工程、外周面及
び内周面を面取りするチャンファー加工工程を経て、最
終研磨のためのポリッシング工程を行っている。
６，６間に多数の硬化樹脂基板５を互いに接触しないよ
うに並べているのは、隣接する硬化樹脂基板５，５同士
が接触したまま焼成すると、互いに融着してしまうから
である。この後は、最終製品に必要な平坦度／面粗さを
得るために、表面を研磨するラッピング工程、外周面及
び内周面を面取りするチャンファー加工工程を経て、最
終研磨のためのポリッシング工程を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のＧＣ基板の製造方法にあっては、次のような
問題点があった。焼成炉（例えば電気炉、ガス炉等）に
て焼成可能な能力というものは、一般的に、炉内の有効
体積と、ワーク（硬化樹脂基板）とセッター（平板）と
を含めた全重量との２つにより決定される。
うな従来のＧＣ基板の製造方法にあっては、次のような
問題点があった。焼成炉（例えば電気炉、ガス炉等）に
て焼成可能な能力というものは、一般的に、炉内の有効
体積と、ワーク（硬化樹脂基板）とセッター（平板）と
を含めた全重量との２つにより決定される。
【０００７】従って、上記の従来例のように、セッター
として平板を用いて、上下の平板間にワークである多数
の硬化樹脂基板を互いに接触しないように並べて焼成を
行うと、例えばカーボン製のセッターを使用した場合、
その比重（ρ＝ 1.3〜1.9 ）は樹脂製のワークの比重
（ρ＝ 1.1〜1.4 ）より大きいのみならず、全セッター
の体積が全ワークの体積より大きいため、言わばワーク
を焼成しているというよりもセッターを焼いているとい
う位、焼成炉の能力を充分に活用していないのが現状で
ある。
として平板を用いて、上下の平板間にワークである多数
の硬化樹脂基板を互いに接触しないように並べて焼成を
行うと、例えばカーボン製のセッターを使用した場合、
その比重（ρ＝ 1.3〜1.9 ）は樹脂製のワークの比重
（ρ＝ 1.1〜1.4 ）より大きいのみならず、全セッター
の体積が全ワークの体積より大きいため、言わばワーク
を焼成しているというよりもセッターを焼いているとい
う位、焼成炉の能力を充分に活用していないのが現状で
ある。
【０００８】また、上下の平板間に多数の硬化樹脂基板
を互いに接触しないように並べるだけでは、硬化樹脂基
板に厚みばらつきがあると、比較的薄い硬化樹脂基板が
上下の平板間で左右に動いて隣接する硬化樹脂基板に接
触して、融着してしまうこともあった。あるいは硬化樹
脂基板とスペーサとを交互に積載した場合でも、硬化樹
脂基板の積層位置が充分に固定されていないため、全て
の硬化樹脂基板に均一な荷重がかからず、焼成後の基板
に反り等を生じることもあった。
を互いに接触しないように並べるだけでは、硬化樹脂基
板に厚みばらつきがあると、比較的薄い硬化樹脂基板が
上下の平板間で左右に動いて隣接する硬化樹脂基板に接
触して、融着してしまうこともあった。あるいは硬化樹
脂基板とスペーサとを交互に積載した場合でも、硬化樹
脂基板の積層位置が充分に固定されていないため、全て
の硬化樹脂基板に均一な荷重がかからず、焼成後の基板
に反り等を生じることもあった。
【０００９】本発明は、このような従来の問題点に鑑
み、焼成時において焼成炉の能力を充分に活用でき、し
かも硬化樹脂基板のセットが容易で互いに融着すること
のない記録媒体用ＧＣ基板の製造方法及び焼成用支持装
置を提供することを目的とする。本発明は、さらに、焼
成時において焼成炉の能力を充分に活用でき、しかも硬
化樹脂基板のセットが容易で互いに融着することなく、
焼成後も実質的に反りのない基板を得ることのできる記
録媒体用ＧＣ基板の製造方法及び焼成用支持装置を提供
することを目的とする。
み、焼成時において焼成炉の能力を充分に活用でき、し
かも硬化樹脂基板のセットが容易で互いに融着すること
のない記録媒体用ＧＣ基板の製造方法及び焼成用支持装
置を提供することを目的とする。本発明は、さらに、焼
成時において焼成炉の能力を充分に活用でき、しかも硬
化樹脂基板のセットが容易で互いに融着することなく、
焼成後も実質的に反りのない基板を得ることのできる記
録媒体用ＧＣ基板の製造方法及び焼成用支持装置を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため、本発明は、中
央孔を有するディスク状の硬化樹脂を焼成して炭素化す
ることより記録媒体用ＧＣ基板を製造するに際し、ディ
スク状の硬化樹脂の中央孔に挿入可能な支持シャフト
と、この支持シャフトに挿入可能な中央孔を有するディ
スク状のスペーサとを用いて、起立させた支持シャフト
に硬化樹脂とスペーサとを交互に挿入して積層し、この
状態で焼成炉に入れて焼成することを特徴とする記録媒
体用ＧＣ基板の製造方法を提供する。
央孔を有するディスク状の硬化樹脂を焼成して炭素化す
ることより記録媒体用ＧＣ基板を製造するに際し、ディ
スク状の硬化樹脂の中央孔に挿入可能な支持シャフト
と、この支持シャフトに挿入可能な中央孔を有するディ
スク状のスペーサとを用いて、起立させた支持シャフト
に硬化樹脂とスペーサとを交互に挿入して積層し、この
状態で焼成炉に入れて焼成することを特徴とする記録媒
体用ＧＣ基板の製造方法を提供する。
【００１１】また、中央孔を有するディスク状の硬化樹
脂を焼成して炭素化することより記録媒体用ＧＣ基板を
製造するに際して用いられ、ディスク状の硬化樹脂の中
央孔に挿入可能な起立させた支持シャフトと、この支持
シャフトに挿入可能な中央孔を有するディスク状のスペ
ーサとからなる焼成用支持装置を提供する。ここで、前
記スペーサの外径はディスク状の硬化樹脂の外径と同等
あるいはそれ以上であり、かつ内径は焼成後の基板の内
径と同等あるいはそれ以下であるとよい。
脂を焼成して炭素化することより記録媒体用ＧＣ基板を
製造するに際して用いられ、ディスク状の硬化樹脂の中
央孔に挿入可能な起立させた支持シャフトと、この支持
シャフトに挿入可能な中央孔を有するディスク状のスペ
ーサとからなる焼成用支持装置を提供する。ここで、前
記スペーサの外径はディスク状の硬化樹脂の外径と同等
あるいはそれ以上であり、かつ内径は焼成後の基板の内
径と同等あるいはそれ以下であるとよい。
【００１２】また、中央孔を有するディスク状の硬化樹
脂を焼成して炭素化することより記録媒体用ＧＣ基板を
製造するに際し、ディスク状の硬化樹脂の中央孔に挿入
可能な支持シャフトと、この支持シャフトに挿入可能な
中央孔を有し、外径がディスク状の硬化樹脂の外径より
大きく、内径が焼成後の基板の内径より小さく、かつそ
の少なくとも一方の面にディスク状の硬化樹脂の外径よ
り外側の位置と焼成後の基板の内径より内側の位置との
少なくとも一方に焼成後の基板の厚みと同等あるいはそ
れ以下の環状凸部材を有するディスク状のスペーサとを
用いて、起立させた支持シャフトに硬化樹脂とスペーサ
とを交互に挿入して積層し、この状態で焼成炉に入れて
焼成することを特徴とする記録媒体用ＧＣ基板の製造方
法を提供する。
脂を焼成して炭素化することより記録媒体用ＧＣ基板を
製造するに際し、ディスク状の硬化樹脂の中央孔に挿入
可能な支持シャフトと、この支持シャフトに挿入可能な
中央孔を有し、外径がディスク状の硬化樹脂の外径より
大きく、内径が焼成後の基板の内径より小さく、かつそ
の少なくとも一方の面にディスク状の硬化樹脂の外径よ
り外側の位置と焼成後の基板の内径より内側の位置との
少なくとも一方に焼成後の基板の厚みと同等あるいはそ
れ以下の環状凸部材を有するディスク状のスペーサとを
用いて、起立させた支持シャフトに硬化樹脂とスペーサ
とを交互に挿入して積層し、この状態で焼成炉に入れて
焼成することを特徴とする記録媒体用ＧＣ基板の製造方
法を提供する。
【００１３】また、中央孔を有するディスク状の硬化樹
脂を焼成して炭素化することより記録媒体用ＧＣ基板を
製造するに際して用いられ、ディスク状の硬化樹脂の中
央孔に挿入可能な起立させた支持シャフトと、この支持
シャフトに挿入可能な中央孔を有し、外径がディスク状
の硬化樹脂の外径より大きく、内径が焼成後の基板の内
径より小さく、かつその少なくとも一方の面にディスク
状の硬化樹脂の外径より外側の位置と焼成後の基板の内
径より内側の位置との少なくとも一方に焼成後の基板の
厚みと同等あるいはそれ以下の環状凸部材を有するディ
スク状のスペーサとからなる焼成用支持装置を提供す
る。
脂を焼成して炭素化することより記録媒体用ＧＣ基板を
製造するに際して用いられ、ディスク状の硬化樹脂の中
央孔に挿入可能な起立させた支持シャフトと、この支持
シャフトに挿入可能な中央孔を有し、外径がディスク状
の硬化樹脂の外径より大きく、内径が焼成後の基板の内
径より小さく、かつその少なくとも一方の面にディスク
状の硬化樹脂の外径より外側の位置と焼成後の基板の内
径より内側の位置との少なくとも一方に焼成後の基板の
厚みと同等あるいはそれ以下の環状凸部材を有するディ
スク状のスペーサとからなる焼成用支持装置を提供す
る。
【００１４】尚、ここでの環状凸部材には、連続体（凸
部が周方向に完全に連続しているもの）の他、切欠き体
（凸部が周方向に完全に連続せず切欠かれているもの）
も含まれる。また、支持シャフト及びスペーサは、焼成
炉の最高到達温度である1500℃にても形状が変化しない
材質であることが望ましく、さらに、質が変化しない材
質であることが望ましい。
部が周方向に完全に連続しているもの）の他、切欠き体
（凸部が周方向に完全に連続せず切欠かれているもの）
も含まれる。また、支持シャフト及びスペーサは、焼成
炉の最高到達温度である1500℃にても形状が変化しない
材質であることが望ましく、さらに、質が変化しない材
質であることが望ましい。
【００１５】前記の条件を満たしていれば、材質に特に
限定はないが、再利用が可能であることに加え、精度の
良い平坦度並びに平行度が得られる材質という理由で、
カーボン、セラミック、ＧＣが好ましい。
限定はないが、再利用が可能であることに加え、精度の
良い平坦度並びに平行度が得られる材質という理由で、
カーボン、セラミック、ＧＣが好ましい。
【００１６】
【作用】上記の方法及び焼成用支持装置によれば、起立
させた支持シャフトにディスク状の硬化樹脂（硬化樹脂
基板）とスペーサとを交互に挿入して積層し、この状態
で焼成炉に入れて焼成することにより、焼成用支持装置
（支持シャフト及びスペーサ）の体積及び重量を従来の
平板型のものの体積及び重量より大幅に減少させること
ができ、これにより焼成炉の能力を充分に活用して、１
回の焼成でより多くの基板を焼成することができる。
させた支持シャフトにディスク状の硬化樹脂（硬化樹脂
基板）とスペーサとを交互に挿入して積層し、この状態
で焼成炉に入れて焼成することにより、焼成用支持装置
（支持シャフト及びスペーサ）の体積及び重量を従来の
平板型のものの体積及び重量より大幅に減少させること
ができ、これにより焼成炉の能力を充分に活用して、１
回の焼成でより多くの基板を焼成することができる。
【００１７】そして、支持シャフトに挿入するだけで硬
化樹脂基板の動きを規制できるので、セットが容易にな
ると共に、基板の厚みばらつきの影響を受けることな
く、他の硬化樹脂基板との接触も防止でき、融着を防止
できる。また、スペーサの外径を焼成前の基板の外径と
同等あるいはそれ以上とし、かつ内径を焼成後の基板の
内径と同等あるいはそれ以下とすることにより、焼成の
前後のいずれにおいても、他の基板との接触による融着
を確実に防止できる。
化樹脂基板の動きを規制できるので、セットが容易にな
ると共に、基板の厚みばらつきの影響を受けることな
く、他の硬化樹脂基板との接触も防止でき、融着を防止
できる。また、スペーサの外径を焼成前の基板の外径と
同等あるいはそれ以上とし、かつ内径を焼成後の基板の
内径と同等あるいはそれ以下とすることにより、焼成の
前後のいずれにおいても、他の基板との接触による融着
を確実に防止できる。
【００１８】更に望ましくはスペーサの少なくとも一方
の面に、硬化樹脂基板の外径よりやや外側の位置に環状
凸部材を設けることにより、硬化樹脂基板が外径で固定
され、積載時において、硬化樹脂基板がずれて積載され
ることがない。また、焼成後の基板の内径よりやや内側
の位置に環状凸部材を設けた場合は、焼成終了付近でも
基板のずれが少なくなる。従って、この環状凸部材は、
外側と内側との少なくとも一方に設ければよい。このよ
うにして硬化樹脂基板に常に均一に荷重がかかるような
スペーサの形状にすると、焼成後の基板には実質的に反
りがなくなる。また、このような状態で焼成した実質的
に反りのない基板は、後のラッピング工程で削り代を少
なくでき、ラッピング工程の短縮が可能である。
の面に、硬化樹脂基板の外径よりやや外側の位置に環状
凸部材を設けることにより、硬化樹脂基板が外径で固定
され、積載時において、硬化樹脂基板がずれて積載され
ることがない。また、焼成後の基板の内径よりやや内側
の位置に環状凸部材を設けた場合は、焼成終了付近でも
基板のずれが少なくなる。従って、この環状凸部材は、
外側と内側との少なくとも一方に設ければよい。このよ
うにして硬化樹脂基板に常に均一に荷重がかかるような
スペーサの形状にすると、焼成後の基板には実質的に反
りがなくなる。また、このような状態で焼成した実質的
に反りのない基板は、後のラッピング工程で削り代を少
なくでき、ラッピング工程の短縮が可能である。
【００１９】また、支持シャフト及びスペーサの材質は
特に限定されないが、焼成炉の最高到達温度である1500
℃にても形状、質が変化しない材質であることが望まし
い。特に形状が変化しない材質とすることで、焼成され
た基板の形状が一定となる。また、材質が変化しないこ
とで、支持シャフト及びスペーサの再利用が可能とな
る。
特に限定されないが、焼成炉の最高到達温度である1500
℃にても形状、質が変化しない材質であることが望まし
い。特に形状が変化しない材質とすることで、焼成され
た基板の形状が一定となる。また、材質が変化しないこ
とで、支持シャフト及びスペーサの再利用が可能とな
る。
【００２０】また、1500℃にても形状、質が変化しない
材質である条件を満たすものとしては、カーボンやセラ
ミックなどがある。このような材質の材料とすること
で、支持シャフト及びスペーサの再利用が可能となる。
特にカーボンは、空隙がないので、各種のガス等を含む
ことがなく、完成した基板に対して予期しない化学変化
を引き起こすことがない点で望ましい。
材質である条件を満たすものとしては、カーボンやセラ
ミックなどがある。このような材質の材料とすること
で、支持シャフト及びスペーサの再利用が可能となる。
特にカーボンは、空隙がないので、各種のガス等を含む
ことがなく、完成した基板に対して予期しない化学変化
を引き起こすことがない点で望ましい。
【００２１】更にＧＣであれば、カーボンの特性に加
え、かなり高い精度でスペーサの平坦度並びに平行度を
得られるだけでなく、比重が小さいことにより、焼成能
力の向上も見込めるという点で好ましい。
え、かなり高い精度でスペーサの平坦度並びに平行度を
得られるだけでなく、比重が小さいことにより、焼成能
力の向上も見込めるという点で好ましい。
【００２２】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。尚、ここ
では、最終製品として、外径65mm、内径20mm、厚さ0.63
5mm のＧＣ基板を得るものとして説明する。図１〜図２
は本発明に係るＧＣ基板製造プロセスを示し、（１）樹
脂合成工程、（２）樹脂硬化工程、（３）コア抜き又は
スライス工程、（４）焼成炭素化工程、（５）ラッピン
グ工程、（６）チャンファー加工工程、（７）ポリッシ
ング工程の順で行われる。
では、最終製品として、外径65mm、内径20mm、厚さ0.63
5mm のＧＣ基板を得るものとして説明する。図１〜図２
は本発明に係るＧＣ基板製造プロセスを示し、（１）樹
脂合成工程、（２）樹脂硬化工程、（３）コア抜き又は
スライス工程、（４）焼成炭素化工程、（５）ラッピン
グ工程、（６）チャンファー加工工程、（７）ポリッシ
ング工程の順で行われる。
【００２３】樹脂合成工程では、反応槽１にて、フェノ
ール変性フラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の樹
脂は濾過器２により濾過する。樹脂硬化工程では、例え
ば 1.2mmの間隔をあけて周囲をＯリング等のシール材に
より封止した一対のガラス板３，３間に、硬化剤を添加
・混合した液状の樹脂を注入し、ある条件にて反応させ
ることにより、硬化させ、この後、ガラス板３，３間か
ら取出して、厚さ1.2mm 程度の板状の硬化樹脂を得る。
ール変性フラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の樹
脂は濾過器２により濾過する。樹脂硬化工程では、例え
ば 1.2mmの間隔をあけて周囲をＯリング等のシール材に
より封止した一対のガラス板３，３間に、硬化剤を添加
・混合した液状の樹脂を注入し、ある条件にて反応させ
ることにより、硬化させ、この後、ガラス板３，３間か
ら取出して、厚さ1.2mm 程度の板状の硬化樹脂を得る。
【００２４】又は、有底円筒状の本体21とその底部から
立設して中心に位置させた棒状体22とを有する金型20
に、硬化剤を添加・混合した液状の樹脂を注入し、ある
条件で反応させることにより、硬化させ、この後、金型
20から取出して、外径88mm、内径25mm、長さ300mm 程度
の大きさの円筒状の硬化樹脂を得る。樹脂硬化工程で得
た硬化樹脂の形状により、板状の硬化樹脂の場合は、コ
ア抜き工程に移行し、円筒状の硬化樹脂の場合は、スラ
イス工程に移行する。
立設して中心に位置させた棒状体22とを有する金型20
に、硬化剤を添加・混合した液状の樹脂を注入し、ある
条件で反応させることにより、硬化させ、この後、金型
20から取出して、外径88mm、内径25mm、長さ300mm 程度
の大きさの円筒状の硬化樹脂を得る。樹脂硬化工程で得
た硬化樹脂の形状により、板状の硬化樹脂の場合は、コ
ア抜き工程に移行し、円筒状の硬化樹脂の場合は、スラ
イス工程に移行する。
【００２５】コア抜き工程では、レーザーカッター等を
用いて、厚さ1.2mm 程度の板状の硬化樹脂４から、外径
88mm、内径25mmのディスク状の硬化樹脂（硬化樹脂基
板）５を多数切り抜く。スライス工程では、バイト又は
ダイヤモンドカッター等を用いて、外径88mm、内径25mm
の円筒状の硬化樹脂をスライスし、厚さ1.2mm 程度のデ
ィスク状の硬化樹脂（硬化樹脂基板）５を多数得る。
用いて、厚さ1.2mm 程度の板状の硬化樹脂４から、外径
88mm、内径25mmのディスク状の硬化樹脂（硬化樹脂基
板）５を多数切り抜く。スライス工程では、バイト又は
ダイヤモンドカッター等を用いて、外径88mm、内径25mm
の円筒状の硬化樹脂をスライスし、厚さ1.2mm 程度のデ
ィスク状の硬化樹脂（硬化樹脂基板）５を多数得る。
【００２６】焼成炭素化工程では、焼成用支持装置（セ
ッター）として、図３に示すように焼成前の硬化樹脂基
板５の中央孔５ａに挿入可能で一端部に鍔状にディスク
状の底板10を固着した例えばカーボン（黒鉛）製の支持
シャフト11と、図４に示すように支持シャフト11に挿入
可能な中央孔12ａを有するディスク状の例えばカーボン
（黒鉛）製のスペーサ12とを用いる。ここで、スペーサ
12は、１本の支持シャフト11につき、多数用意してお
く。
ッター）として、図３に示すように焼成前の硬化樹脂基
板５の中央孔５ａに挿入可能で一端部に鍔状にディスク
状の底板10を固着した例えばカーボン（黒鉛）製の支持
シャフト11と、図４に示すように支持シャフト11に挿入
可能な中央孔12ａを有するディスク状の例えばカーボン
（黒鉛）製のスペーサ12とを用いる。ここで、スペーサ
12は、１本の支持シャフト11につき、多数用意してお
く。
【００２７】そして、図５に示すように、底板10を下に
して起立させた支持シャフト11に、硬化樹脂基板５とス
ペーサ12とを交互に挿入して積層し、最上部に荷重（重
り）を載せる。そして、このようにして積層したものを
多数、図１に示すように、１枚のカーボン（黒鉛）製の
平板13上に置いて、焼成炉７（図10参照）内に入れ、不
活性ガス（例えば窒素、アルゴン等）雰囲気下、例えば
カーボン（黒鉛）製のヒータ８により、1000〜1500℃で
焼成することにより、硬化樹脂基板５を炭素化して、Ｇ
Ｃ基板を得る。このときの収縮率は70〜80％程度であ
る。本実施例では収縮率は焼成前後の寸法より約75％と
する必要があるが、収縮率は樹脂や硬化条件により異な
り、通常は70〜80％の範囲である。
して起立させた支持シャフト11に、硬化樹脂基板５とス
ペーサ12とを交互に挿入して積層し、最上部に荷重（重
り）を載せる。そして、このようにして積層したものを
多数、図１に示すように、１枚のカーボン（黒鉛）製の
平板13上に置いて、焼成炉７（図10参照）内に入れ、不
活性ガス（例えば窒素、アルゴン等）雰囲気下、例えば
カーボン（黒鉛）製のヒータ８により、1000〜1500℃で
焼成することにより、硬化樹脂基板５を炭素化して、Ｇ
Ｃ基板を得る。このときの収縮率は70〜80％程度であ
る。本実施例では収縮率は焼成前後の寸法より約75％と
する必要があるが、収縮率は樹脂や硬化条件により異な
り、通常は70〜80％の範囲である。
【００２８】このようにセッターとして支持シャフト11
及びスペーサ12を用いれば、セッターの全体積及び全重
量を従来の平板型のものの全体積及び全重量より大幅に
減少させることができ、これにより焼成炉の能力を充分
に活用して、１回の焼成でより多くの基板を焼成するこ
とができる。そして、支持シャフト11に挿入するだけで
あるので、硬化樹脂基板５のセットが容易になると共
に、支持シャフト11により硬化樹脂基板５の動きを規制
できるので、硬化樹脂基板５の厚みばらつきの影響を受
けることなく、他の硬化樹脂基板５との接触も防止で
き、融着を防止できる。
及びスペーサ12を用いれば、セッターの全体積及び全重
量を従来の平板型のものの全体積及び全重量より大幅に
減少させることができ、これにより焼成炉の能力を充分
に活用して、１回の焼成でより多くの基板を焼成するこ
とができる。そして、支持シャフト11に挿入するだけで
あるので、硬化樹脂基板５のセットが容易になると共
に、支持シャフト11により硬化樹脂基板５の動きを規制
できるので、硬化樹脂基板５の厚みばらつきの影響を受
けることなく、他の硬化樹脂基板５との接触も防止で
き、融着を防止できる。
【００２９】尚、支持シャフト11及びスペーサ12の寸法
等について、好適な例を以下に述べる。支持シャフト11
の径ｄ1 は、焼成後のＧＣ基板の内径より小さくして、
例えば18mmにしておく。支持シャフト11の底板10の外径
Ｄ1 は、焼成前の硬化樹脂基板の外径と同じあるいはそ
れより大きくして、例えば90mmにしておく。
等について、好適な例を以下に述べる。支持シャフト11
の径ｄ1 は、焼成後のＧＣ基板の内径より小さくして、
例えば18mmにしておく。支持シャフト11の底板10の外径
Ｄ1 は、焼成前の硬化樹脂基板の外径と同じあるいはそ
れより大きくして、例えば90mmにしておく。
【００３０】スペーサ12の内径（中央孔12ａの内径）ｄ
2 は、焼成後のＧＣ基板の中央孔の内径より小さく、か
つ支持シャフト11の径ｄ1 より大きくして、例えば19mm
にしておく。スペーサ12の外径Ｄ2 は、焼成前の硬化樹
脂基板５の外径より大きく、好ましくは支持シャフト11
の底板10の外径Ｄ1 と同じにして、例えば90mmにしてお
く。
2 は、焼成後のＧＣ基板の中央孔の内径より小さく、か
つ支持シャフト11の径ｄ1 より大きくして、例えば19mm
にしておく。スペーサ12の外径Ｄ2 は、焼成前の硬化樹
脂基板５の外径より大きく、好ましくは支持シャフト11
の底板10の外径Ｄ1 と同じにして、例えば90mmにしてお
く。
【００３１】支持シャフト11の底板10の厚さＴ1 は、支
持強度を考慮して、カーボン製の場合、10mm程度とする
が、スペーサ12の厚さＴ2 は、自身で撓まない程度の厚
さでよく、カーボン製の場合、１mm程度あれば十分であ
る。但し、スペーサ12の厚さＴ2 は均一であること、す
なわち、厚みムラが好ましくは零であることが望まし
い。スペーサ12の表面形状が焼成品表面に転写されるの
で、スペーサ12に厚みムラがあると、焼成品にも厚みム
ラを生じるからである。
持強度を考慮して、カーボン製の場合、10mm程度とする
が、スペーサ12の厚さＴ2 は、自身で撓まない程度の厚
さでよく、カーボン製の場合、１mm程度あれば十分であ
る。但し、スペーサ12の厚さＴ2 は均一であること、す
なわち、厚みムラが好ましくは零であることが望まし
い。スペーサ12の表面形状が焼成品表面に転写されるの
で、スペーサ12に厚みムラがあると、焼成品にも厚みム
ラを生じるからである。
【００３２】支持シャフト11及びスペーサ12の材質は、
1000〜1500℃の焼成温度範囲にて、特に最高到達温度で
ある1500℃にても、形状／質が変化せず、焼成品に変形
を与えない材質であることが求められ、カーボンはこの
条件を満たすので好ましいものである。但し、カーボン
に限るものではなく、前述の条件を満たすものであれ
ば、セラミック、ＧＣ等も使用可能である。
1000〜1500℃の焼成温度範囲にて、特に最高到達温度で
ある1500℃にても、形状／質が変化せず、焼成品に変形
を与えない材質であることが求められ、カーボンはこの
条件を満たすので好ましいものである。但し、カーボン
に限るものではなく、前述の条件を満たすものであれ
ば、セラミック、ＧＣ等も使用可能である。
【００３３】尚、本実施例では、焼成時に、反応性のガ
スが発生する恐れがないのでカーボンを選択した。尚、
本実施例では、支持シャフト11が起立できる構造をもつ
ようにその一端部に鍔状にディスク状の底板10を取付け
ており、このように支持シャフト11の一端部に鍔状に底
板10を形成しておくことにより、起立させるのが容易と
なるが、底板10についてはディスク状に限るものではな
く、更には、例えば１枚の大型の底板に多数の支持シャ
フトを起立させて取付けるようにしてもよい。
スが発生する恐れがないのでカーボンを選択した。尚、
本実施例では、支持シャフト11が起立できる構造をもつ
ようにその一端部に鍔状にディスク状の底板10を取付け
ており、このように支持シャフト11の一端部に鍔状に底
板10を形成しておくことにより、起立させるのが容易と
なるが、底板10についてはディスク状に限るものではな
く、更には、例えば１枚の大型の底板に多数の支持シャ
フトを起立させて取付けるようにしてもよい。
【００３４】焼成炭素化工程の後は、焼成後のＧＣ基板
５’について、最終製品に必要な平坦度／面粗さを得る
ため、図２に示すように、ラッピング工程、チャンファ
ー加工工程、ポリッシング工程を行う。以上の工程を経
て、最終製品として、ＧＣ基板５’が得られる。次に第
２〜第４の実施例について説明する。
５’について、最終製品に必要な平坦度／面粗さを得る
ため、図２に示すように、ラッピング工程、チャンファ
ー加工工程、ポリッシング工程を行う。以上の工程を経
て、最終製品として、ＧＣ基板５’が得られる。次に第
２〜第４の実施例について説明する。
【００３５】これらの実施例では、焼成炭素化工程で用
いる焼成用支持装置（セッター）のスペーサ12として、
図６に示すように、支持シャフト11に挿入可能な中央孔
12ａを有し、外径Ｄ3 が硬化樹脂基板５の外径より大き
く、内径ｄ3 が焼成後の基板５’の内径より小さく、か
つその一方の面に硬化樹脂基板５の外径より外側の位置
に焼成後の基板５’の厚みと同等あるいはそれ以下の環
状凸部材12ｂを有するものを用いる。
いる焼成用支持装置（セッター）のスペーサ12として、
図６に示すように、支持シャフト11に挿入可能な中央孔
12ａを有し、外径Ｄ3 が硬化樹脂基板５の外径より大き
く、内径ｄ3 が焼成後の基板５’の内径より小さく、か
つその一方の面に硬化樹脂基板５の外径より外側の位置
に焼成後の基板５’の厚みと同等あるいはそれ以下の環
状凸部材12ｂを有するものを用いる。
【００３６】尚、図７の（ａ）〜（ｆ）に均一な荷重が
かかりうるスペーサ形状の例を示したが、第２〜第４の
実施例では、（ａ）のスペーサを用いた。また、環状凸
部材12ｂの形状は、図８の（ａ），（ｂ）に示すよう
に、連続体と切欠き体の両者を含むが、これらの実施例
では、（ａ）の連続体を用いた。 〔第２の実施例〕環状凸部材付きのスペーサを用いて、
寸法関係を以下に示すようにする以外は、第１の実施例
（図３及び図４）と同じにする。
かかりうるスペーサ形状の例を示したが、第２〜第４の
実施例では、（ａ）のスペーサを用いた。また、環状凸
部材12ｂの形状は、図８の（ａ），（ｂ）に示すよう
に、連続体と切欠き体の両者を含むが、これらの実施例
では、（ａ）の連続体を用いた。 〔第２の実施例〕環状凸部材付きのスペーサを用いて、
寸法関係を以下に示すようにする以外は、第１の実施例
（図３及び図４）と同じにする。
【００３７】支持シャフト11の径ｄ1 は、第１の実施例
と同じ18mmであるが、底板10の外径Ｄ1 は92mmである。
スペーサ12（図６）の内径（中央孔12ａの内径）ｄ
3 は、第１の実施例と同じ19mmである。スペーサ12の外
径Ｄ3 は、底板10の外径と同じ92mmである。
と同じ18mmであるが、底板10の外径Ｄ1 は92mmである。
スペーサ12（図６）の内径（中央孔12ａの内径）ｄ
3 は、第１の実施例と同じ19mmである。スペーサ12の外
径Ｄ3 は、底板10の外径と同じ92mmである。
【００３８】また、スペーサ12の片側の外周部につける
環状凸部材12ｂは、硬化樹脂基板の外径（88mm）より大
きい89mmの位置から、外側に 1.5mm幅を持ったものであ
り、その高さＨは 0.3mmである。更に、支持シャフト11
及びスペーサ12の材質は、焼成炉の最高到達温度（例え
ば1500℃）にても基板に変形を与えないカーボン（グラ
ファイト）（東洋炭素（株）製 ＩＧ−４３）である。
環状凸部材12ｂは、硬化樹脂基板の外径（88mm）より大
きい89mmの位置から、外側に 1.5mm幅を持ったものであ
り、その高さＨは 0.3mmである。更に、支持シャフト11
及びスペーサ12の材質は、焼成炉の最高到達温度（例え
ば1500℃）にても基板に変形を与えないカーボン（グラ
ファイト）（東洋炭素（株）製 ＩＧ−４３）である。
【００３９】このスペーサを用いて積層すると、硬化樹
脂基板全てに均一な荷重がかかる。そのため、これらを
焼成すると、焼成後得られたＧＣ基板は、硬化樹脂基板
と同様に実質的に反りのない焼成基板であった。これら
の焼成基板を、最終製品に必要な平坦度／面粗さにする
ために、図２に示すような、ラッピング工程、チャンフ
ァー加工工程、ポリッシング工程を行い、最終製品にし
た。
脂基板全てに均一な荷重がかかる。そのため、これらを
焼成すると、焼成後得られたＧＣ基板は、硬化樹脂基板
と同様に実質的に反りのない焼成基板であった。これら
の焼成基板を、最終製品に必要な平坦度／面粗さにする
ために、図２に示すような、ラッピング工程、チャンフ
ァー加工工程、ポリッシング工程を行い、最終製品にし
た。
【００４０】上記のような焼成用支持装置を用いた基板
は、実質的に反りがないことから、ラッピング工程を短
時間で終えることができた。 〔第３の実施例〕支持シャフト及びスペーサの材質をＳ
ｉＣ（京セラ（株）製 ＳＣ−２２１）にする以外は、
第２の実施例と同じにして、ＧＣ基板を得た。
は、実質的に反りがないことから、ラッピング工程を短
時間で終えることができた。 〔第３の実施例〕支持シャフト及びスペーサの材質をＳ
ｉＣ（京セラ（株）製 ＳＣ−２２１）にする以外は、
第２の実施例と同じにして、ＧＣ基板を得た。
【００４１】その結果、得られたＧＣ基板は実質的に反
りのないものであった。 〔第４の実施例〕スペーサの材質をＧＣにする以外は、
第２の実施例と同じにして、ＧＣ基板を得た。その結
果、得られたＧＣ基板は実質的に反りのないものであっ
た。そのため、ラッピング工程の時間を著しく短縮でき
た。
りのないものであった。 〔第４の実施例〕スペーサの材質をＧＣにする以外は、
第２の実施例と同じにして、ＧＣ基板を得た。その結
果、得られたＧＣ基板は実質的に反りのないものであっ
た。そのため、ラッピング工程の時間を著しく短縮でき
た。
【００４２】〔比較例〕上記と同様に得られたディスク
状の硬化樹脂を、セッターと呼ばれるカーボン（黒鉛）
製の平板（ 400mm× 700mm×20mm）に互いに接触しない
ように並べ、その上に別の平板を載せ、同様に硬化樹脂
を並べ、順次積層し、同条件で焼成し、ＧＣ基板を得
た。この結果、硬化樹脂そのものにも厚み差がある上、
平板にも厚み差があるため、部分的に反ったものが得ら
れた。
状の硬化樹脂を、セッターと呼ばれるカーボン（黒鉛）
製の平板（ 400mm× 700mm×20mm）に互いに接触しない
ように並べ、その上に別の平板を載せ、同様に硬化樹脂
を並べ、順次積層し、同条件で焼成し、ＧＣ基板を得
た。この結果、硬化樹脂そのものにも厚み差がある上、
平板にも厚み差があるため、部分的に反ったものが得ら
れた。
【００４３】特に反りの大きいＧＣ基板の平坦度は悪い
ことから、その反りを除去することになり、ラッピング
工程での削り代を多くとることになった。しかも、有効
体積及び全積載重量に占めるスペーサの比率が高いこと
から、その焼成能力は、著しく悪いものであった。尚、
図７の（ａ）〜（ｆ）に均一な荷重がかかりうるスペー
サ形状の例を示したが、これからわかるように、環状凸
部材12ｂは、スペーサの片側の面に設けてもよいし、両
側の面に設けてもよい。また、環状凸部材12ｂは、硬化
樹脂基板の外径より外側の位置に設ける他、焼成後の基
板の内径より内側の位置に設けてもよく、更に両方に設
けてもよい。
ことから、その反りを除去することになり、ラッピング
工程での削り代を多くとることになった。しかも、有効
体積及び全積載重量に占めるスペーサの比率が高いこと
から、その焼成能力は、著しく悪いものであった。尚、
図７の（ａ）〜（ｆ）に均一な荷重がかかりうるスペー
サ形状の例を示したが、これからわかるように、環状凸
部材12ｂは、スペーサの片側の面に設けてもよいし、両
側の面に設けてもよい。また、環状凸部材12ｂは、硬化
樹脂基板の外径より外側の位置に設ける他、焼成後の基
板の内径より内側の位置に設けてもよく、更に両方に設
けてもよい。
【００４４】また、環状凸部材12ｂの形状は、図８の
（ａ），（ｂ）に示すように、連続体でも切欠き体でも
よい。
（ａ），（ｂ）に示すように、連続体でも切欠き体でも
よい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るＧＣ基
板の製造方法及び焼成用支持装置によれば、起立させた
支持シャフトに硬化樹脂とスペーサとを交互に挿入して
積層し、この状態で焼成炉に入れて焼成することによ
り、焼成用支持装置（支持シャフト及びスペーサ）の全
体積及び全重量を従来の平板型のものの全体積及び全重
量より大幅に減少させることができ、これにより焼成炉
の能力を充分に活用して、１回の焼成でより多くの基板
を焼成できるという効果が得られる。
板の製造方法及び焼成用支持装置によれば、起立させた
支持シャフトに硬化樹脂とスペーサとを交互に挿入して
積層し、この状態で焼成炉に入れて焼成することによ
り、焼成用支持装置（支持シャフト及びスペーサ）の全
体積及び全重量を従来の平板型のものの全体積及び全重
量より大幅に減少させることができ、これにより焼成炉
の能力を充分に活用して、１回の焼成でより多くの基板
を焼成できるという効果が得られる。
【００４６】また、支持シャフトに挿入するだけで硬化
樹脂基板の動きを規制できるので、セットが容易である
と共に、基板の厚みばらつきに影響されることなく、他
の硬化樹脂基板との接触による融着を防止できるという
効果も得られる。また、スペーサの外径を焼成前の基板
の外径と同等あるいはそれ以上とし、かつ内径を焼成後
の基板の内径と同等あるいはそれ以下とすることによ
り、焼成の前後のいずれにおいても、他の基板との接触
による融着を確実に防止できるという効果が得られる。
樹脂基板の動きを規制できるので、セットが容易である
と共に、基板の厚みばらつきに影響されることなく、他
の硬化樹脂基板との接触による融着を防止できるという
効果も得られる。また、スペーサの外径を焼成前の基板
の外径と同等あるいはそれ以上とし、かつ内径を焼成後
の基板の内径と同等あるいはそれ以下とすることによ
り、焼成の前後のいずれにおいても、他の基板との接触
による融着を確実に防止できるという効果が得られる。
【００４７】また、スペーサに硬化樹脂固定用の環状凸
部材を設けることにより、積層した硬化樹脂とスペーサ
とがずれることがないため、全ての硬化樹脂に均一な荷
重がかかることになる。その結果、不均一荷重が原因で
あった反りが実質的にない焼成後の基板が得られる。ま
た、スペーサの材質をカーボン、セラミック、ＧＣにす
ることにより、スペーサの平坦度並びに平行度がかなり
精度よく得られるために、焼成時にスペーサの反りの転
写が起こらなくなっただけでなく、得られた基板もほと
んど反りがなく、著しくラッピング工程の時間が削減で
きるという効果も得られる。
部材を設けることにより、積層した硬化樹脂とスペーサ
とがずれることがないため、全ての硬化樹脂に均一な荷
重がかかることになる。その結果、不均一荷重が原因で
あった反りが実質的にない焼成後の基板が得られる。ま
た、スペーサの材質をカーボン、セラミック、ＧＣにす
ることにより、スペーサの平坦度並びに平行度がかなり
精度よく得られるために、焼成時にスペーサの反りの転
写が起こらなくなっただけでなく、得られた基板もほと
んど反りがなく、著しくラッピング工程の時間が削減で
きるという効果も得られる。
【図１】 樹脂合成工程から焼成炭素化工程までのＧＣ
基板製造プロセスを示す図
基板製造プロセスを示す図
【図２】 ラッピング工程から製品完成までのＧＣ基板
製造プロセスを示す図
製造プロセスを示す図
【図３】 焼成炭素化工程で用いる支持シャフトを示す
図
図
【図４】 焼成炭素化工程で用いるスペーサを示す図
【図５】 焼成炭素化工程での積層方法を示す図
【図６】 他の実施例として環状凸部材付きスペーサを
示す図
示す図
【図７】 環状凸部材付きスペーサの各種形状を示す図
【図８】 環状凸部材の各種形状を示す図
【図９】 従来のＧＣ基板製造プロセスを示す図
【図10】 従来の焼成方法について示す図
５ ディスク状硬化樹脂（硬化樹脂基板） ５’焼成後のＧＣ基板 10 底板 11 支持シャフト 12 スペーサ 12ａ 中央孔 12ｂ 環状凸部材
Claims (8)
- 【請求項１】中央孔を有するディスク状の硬化樹脂を焼
成して炭素化することより記録媒体用ガラス状炭素基板
を製造するに際し、ディスク状の硬化樹脂の中央孔に挿
入可能な支持シャフトと、この支持シャフトに挿入可能
な中央孔を有するディスク状のスペーサとを用いて、起
立させた支持シャフトに硬化樹脂とスペーサとを交互に
挿入して積層し、この状態で焼成炉に入れて焼成するこ
とを特徴とする記録媒体用ガラス状炭素基板の製造方
法。 - 【請求項２】中央孔を有するディスク状の硬化樹脂を焼
成して炭素化することより記録媒体用ガラス状炭素基板
を製造するに際して用いられ、ディスク状の硬化樹脂の
中央孔に挿入可能な起立させた支持シャフトと、この支
持シャフトに挿入可能な中央孔を有するディスク状のス
ペーサとからなる焼成用支持装置。 - 【請求項３】前記スペーサの外径はディスク状の硬化樹
脂の外径と同等あるいはそれ以上であり、かつ内径は焼
成後の基板の内径と同等あるいはそれ以下であることを
特徴とする請求項２記載の焼成用支持装置。 - 【請求項４】中央孔を有するディスク状の硬化樹脂を焼
成して炭素化することより記録媒体用ガラス状炭素基板
を製造するに際し、ディスク状の硬化樹脂の中央孔に挿
入可能な支持シャフトと、この支持シャフトに挿入可能
な中央孔を有し、外径がディスク状の硬化樹脂の外径よ
り大きく、内径が焼成後の基板の内径より小さく、かつ
その少なくとも一方の面にディスク状の硬化樹脂の外径
より外側の位置と焼成後の基板の内径より内側の位置と
の少なくとも一方に焼成後の基板の厚みと同等あるいは
それ以下の環状凸部材を有するディスク状のスペーサと
を用いて、起立させた支持シャフトに硬化樹脂とスペー
サとを交互に挿入して積層し、この状態で焼成炉に入れ
て焼成することを特徴とする記録媒体用ガラス状炭素基
板の製造方法。 - 【請求項５】中央孔を有するディスク状の硬化樹脂を焼
成して炭素化することより記録媒体用ガラス状炭素基板
を製造するに際して用いられ、ディスク状の硬化樹脂の
中央孔に挿入可能な起立させた支持シャフトと、この支
持シャフトに挿入可能な中央孔を有し、外径がディスク
状の硬化樹脂の外径より大きく、内径が焼成後の基板の
内径より小さく、かつその少なくとも一方の面にディス
ク状の硬化樹脂の外径より外側の位置と焼成後の基板の
内径より内側の位置との少なくとも一方に焼成後の基板
の厚みと同等あるいはそれ以下の環状凸部材を有するデ
ィスク状のスペーサとからなる焼成用支持装置。 - 【請求項６】支持シャフト及びスペーサのうち少なくと
もスペーサが、カーボン製であることを特徴とする請求
項２、請求項３、請求項５のいずれか１つに記載の焼成
用支持装置。 - 【請求項７】支持シャフト及びスペーサのうち少なくと
もスペーサが、セラミック製であることを特徴とする請
求項２、請求項３、請求項５のいずれか１つに記載の焼
成用支持装置。 - 【請求項８】支持シャフト及びスペーサのうち少なくと
もスペーサが、ガラス状炭素製であることを特徴とする
請求項２、請求項３、請求項５のいずれか１つに記載の
焼成用支持装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6170929A JPH0850720A (ja) | 1994-06-01 | 1994-07-22 | 記録媒体用ガラス状炭素基板の製造方法及び焼成用支持装置 |
| US08/454,628 US5613848A (en) | 1994-06-01 | 1995-05-31 | Process for the production of glass-like carbon substrates for use as recording media and a setter for use in the process |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12032594 | 1994-06-01 | ||
| JP6-120325 | 1994-06-01 | ||
| JP6170929A JPH0850720A (ja) | 1994-06-01 | 1994-07-22 | 記録媒体用ガラス状炭素基板の製造方法及び焼成用支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850720A true JPH0850720A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=26457932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6170929A Pending JPH0850720A (ja) | 1994-06-01 | 1994-07-22 | 記録媒体用ガラス状炭素基板の製造方法及び焼成用支持装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5613848A (ja) |
| JP (1) | JPH0850720A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD457271S1 (en) | 2000-12-01 | 2002-05-14 | Nina J Jackson | Hair band holder |
| JP6697902B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-05-27 | 株式会社三井ハイテック | トレイ及び熱処理方法 |
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Family Cites Families (4)
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| US3948594A (en) * | 1974-10-21 | 1976-04-06 | The Joseph Dixon Crucible Company | Ceramic refractory setter |
| DE2636348A1 (de) * | 1976-08-12 | 1978-02-16 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von reinem, elementarem halbleitermaterial |
| JPS6246909A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 炭素質薄板の製造法 |
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-
1994
- 1994-07-22 JP JP6170929A patent/JPH0850720A/ja active Pending
-
1995
- 1995-05-31 US US08/454,628 patent/US5613848A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5613848A (en) | 1997-03-25 |
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