JPH0851011A - 酸化物磁性材料 - Google Patents
酸化物磁性材料Info
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- JPH0851011A JPH0851011A JP6204525A JP20452594A JPH0851011A JP H0851011 A JPH0851011 A JP H0851011A JP 6204525 A JP6204525 A JP 6204525A JP 20452594 A JP20452594 A JP 20452594A JP H0851011 A JPH0851011 A JP H0851011A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな外部応力に対してもインダクタンスの
変化が小さく、外部磁場印加後のインダクタンスの低下
の少ない酸化物磁性材料を提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3 ５〜２４．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ
０〜３０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％を含まない）、残
部ＮｉＯからなる主成分に対し、ＳｉＯ2 ０〜１０ｗ
ｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）、Ｂｉ2Ｏ3 ０〜１
０ｗｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）を含有する酸化
物磁性材料、またはこれにＣｏ3Ｏ4を０〜０．５ｗｔ％
（但し、０ｗｔ％を含まない）含有する酸化物磁性材
料。
変化が小さく、外部磁場印加後のインダクタンスの低下
の少ない酸化物磁性材料を提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3 ５〜２４．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ
０〜３０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％を含まない）、残
部ＮｉＯからなる主成分に対し、ＳｉＯ2 ０〜１０ｗ
ｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）、Ｂｉ2Ｏ3 ０〜１
０ｗｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）を含有する酸化
物磁性材料、またはこれにＣｏ3Ｏ4を０〜０．５ｗｔ％
（但し、０ｗｔ％を含まない）含有する酸化物磁性材
料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＨＳ等の通信機器、
携帯型ＶＴＲ等の回路に使用されるエポキシ樹脂等で外
装した構造を有するインダクター用の磁心材料となる酸
化物磁性材料に関するものである。
携帯型ＶＴＲ等の回路に使用されるエポキシ樹脂等で外
装した構造を有するインダクター用の磁心材料となる酸
化物磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来技術】このインダクターとしては、磁心に巻線を
施した後、樹脂等でモールドされる場合があり、このよ
うな場合、コアに加わる応力によってインダクタンスが
低下するという問題点、また外部から一時的に加わる磁
界によってインダクタンスが低下するという問題点があ
った。例えば、特開平３―９３６６７号公報に示されて
いるように、２５〜４５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、０〜２０
ｍｏｌ％のＺｎＯ、残りがＮｉＯとＣｕＯであり、Ｎｉ
Ｏのモル比がＣｕＯのモル比よりも多いスピネル型組成
物であって、少量成分として０．１〜１２ｗｔ％のＢｉ
2Ｏ3及び０．０５〜４．０ｗｔ％のＳｉＯ2を含む材料
が１ＭＨｚ以上の高周波においても損失が少なく、かつ
外部からの加圧及び磁場印加に対するインダクタンスの
低下が少ない材料であることが提案されている。
施した後、樹脂等でモールドされる場合があり、このよ
うな場合、コアに加わる応力によってインダクタンスが
低下するという問題点、また外部から一時的に加わる磁
界によってインダクタンスが低下するという問題点があ
った。例えば、特開平３―９３６６７号公報に示されて
いるように、２５〜４５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、０〜２０
ｍｏｌ％のＺｎＯ、残りがＮｉＯとＣｕＯであり、Ｎｉ
Ｏのモル比がＣｕＯのモル比よりも多いスピネル型組成
物であって、少量成分として０．１〜１２ｗｔ％のＢｉ
2Ｏ3及び０．０５〜４．０ｗｔ％のＳｉＯ2を含む材料
が１ＭＨｚ以上の高周波においても損失が少なく、かつ
外部からの加圧及び磁場印加に対するインダクタンスの
低下が少ない材料であることが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この外部応力に対する
インダクタンスの変化、及び外部磁場印加後のインダク
タンスの低下に対して、更なる改良の要求があり、大き
な外部応力に対してもインダクタンスの変化が小さく、
外部磁場印加後のインダクタンスの低下の少ない酸化物
磁性材料を提供することを目的とする。
インダクタンスの変化、及び外部磁場印加後のインダク
タンスの低下に対して、更なる改良の要求があり、大き
な外部応力に対してもインダクタンスの変化が小さく、
外部磁場印加後のインダクタンスの低下の少ない酸化物
磁性材料を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｆｅ2Ｏ3 ５
〜２４．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０〜３０ｍｏｌ％（但
し、０ｍｏｌ％を含まない）、残部ＮｉＯからなる主成
分に対し、ＳｉＯ2 ０〜１０ｗｔ％（但し、０ｗｔ％
を含まない）、Ｂｉ2Ｏ3 ０〜１０ｗｔ％（但し、０ｗ
ｔ％を含まない）を含有する酸化物磁性材料である。ま
た本発明は、上記材料に、Ｃｏ3Ｏ4を０〜０．５ｗｔ％
（但し、０ｗｔ％を含まない）含有するものである。
〜２４．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０〜３０ｍｏｌ％（但
し、０ｍｏｌ％を含まない）、残部ＮｉＯからなる主成
分に対し、ＳｉＯ2 ０〜１０ｗｔ％（但し、０ｗｔ％
を含まない）、Ｂｉ2Ｏ3 ０〜１０ｗｔ％（但し、０ｗ
ｔ％を含まない）を含有する酸化物磁性材料である。ま
た本発明は、上記材料に、Ｃｏ3Ｏ4を０〜０．５ｗｔ％
（但し、０ｗｔ％を含まない）含有するものである。
【０００５】
【作用】本発明は、Ｆｅ2Ｏ3の含有量が２４．５ｍｏｌ
％以下であることが、外部磁場印加後のインダクタンス
の低下が少ないことを見出したものである。本発明にお
いて、各成分を限定した理由は以下の通りである。Ｆｅ
2Ｏ3の含有量は、２４．５ｍｏｌ％を越えると、磁場印
加後のインダクタンスの低下が大きくなり、５ｍｏｌ％
より少ないと、透磁率が１．５以下となり、磁性体とし
て役立たない。ＣｕＯが３０ｍｏｌ％を越えると、透磁
率が焼成条件で敏感に変動し、特性の再現性が悪い。Ｓ
ｉＯ2は、１０ｗｔ％を越えると焼結性が悪くなり、製
品の強度が低下する。Ｂｉ2Ｏ3は、１０ｗｔ％を越える
と透磁率が大幅に低下する。Ｃｏ3Ｏ4が０．５ｗｔ％を
越えると、磁場劣化が大きくなる。
％以下であることが、外部磁場印加後のインダクタンス
の低下が少ないことを見出したものである。本発明にお
いて、各成分を限定した理由は以下の通りである。Ｆｅ
2Ｏ3の含有量は、２４．５ｍｏｌ％を越えると、磁場印
加後のインダクタンスの低下が大きくなり、５ｍｏｌ％
より少ないと、透磁率が１．５以下となり、磁性体とし
て役立たない。ＣｕＯが３０ｍｏｌ％を越えると、透磁
率が焼成条件で敏感に変動し、特性の再現性が悪い。Ｓ
ｉＯ2は、１０ｗｔ％を越えると焼結性が悪くなり、製
品の強度が低下する。Ｂｉ2Ｏ3は、１０ｗｔ％を越える
と透磁率が大幅に低下する。Ｃｏ3Ｏ4が０．５ｗｔ％を
越えると、磁場劣化が大きくなる。
【０００６】
【実施例】Ｆｅ2Ｏ3 ２０．０ｍｏｌ％、ＣｕＯ ２．
５ｍｏｌ％、ＮｉＯ ７７．５ｍｏｌ％の主成分に、Ｓ
ｉＯ2 ０．６ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3 ４．０ｗｔ％、Ｃｏ3
Ｏ4 ０．１ｗｔ％を含有させた原料を混合し、９００
℃で２時間仮焼した後、振動ミル、アトライタで粉砕
し、１．０〜１．５μｍのフェライト粉末を作成した。
これを造粒し、３０φのトロイダル形状の成形体と、角
棒（５×５×１５ｍｍ）の成形体を得た。これを大気中
１０５０℃で２時間焼成し試料を作成した。これを実姉
例１とする。
５ｍｏｌ％、ＮｉＯ ７７．５ｍｏｌ％の主成分に、Ｓ
ｉＯ2 ０．６ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3 ４．０ｗｔ％、Ｃｏ3
Ｏ4 ０．１ｗｔ％を含有させた原料を混合し、９００
℃で２時間仮焼した後、振動ミル、アトライタで粉砕
し、１．０〜１．５μｍのフェライト粉末を作成した。
これを造粒し、３０φのトロイダル形状の成形体と、角
棒（５×５×１５ｍｍ）の成形体を得た。これを大気中
１０５０℃で２時間焼成し試料を作成した。これを実姉
例１とする。
【０００７】焼成した３０φのトロイダルコアは、透磁
率、Ｑ、相対温度係数（αμｒ）、焼結密度の測定に用
いた。角棒は、２×２×１０ｍｍに加工し、消磁した
後、直径０．１ｍｍの被膜導線を４０ターン密巻に巻線
を施し、応力特性の測定を行った。この応力特性は、５
ｋｇ／ｍｍ2、１０ｋｇ／ｍｍ2の圧力をかけて、圧力を
かける前のインダクタンスをＬ１とし、軸方向に上記の
荷重を加えた状態でインダクタンスを測定し、Ｌ２と
し、（Ｌ２―Ｌ１）／Ｌ１＊１００により変化率（％）
とした。また、磁場特性については、１０ｋｇ／ｍｍ2
の荷重を加えた状態で１００ｍＴの磁界を瞬間的に加
え、外部磁界を取り去った後インダクタンスを測定し、
Ｌ３とし、（Ｌ３−Ｌ２）／Ｌ１＊１００により変化率
（％）とした。
率、Ｑ、相対温度係数（αμｒ）、焼結密度の測定に用
いた。角棒は、２×２×１０ｍｍに加工し、消磁した
後、直径０．１ｍｍの被膜導線を４０ターン密巻に巻線
を施し、応力特性の測定を行った。この応力特性は、５
ｋｇ／ｍｍ2、１０ｋｇ／ｍｍ2の圧力をかけて、圧力を
かける前のインダクタンスをＬ１とし、軸方向に上記の
荷重を加えた状態でインダクタンスを測定し、Ｌ２と
し、（Ｌ２―Ｌ１）／Ｌ１＊１００により変化率（％）
とした。また、磁場特性については、１０ｋｇ／ｍｍ2
の荷重を加えた状態で１００ｍＴの磁界を瞬間的に加
え、外部磁界を取り去った後インダクタンスを測定し、
Ｌ３とし、（Ｌ３−Ｌ２）／Ｌ１＊１００により変化率
（％）とした。
【０００８】また、表１に示す組成比にて、上記実施例
１と同様にして各試料を作成し、特性を評価した。各試
料の特性を表２に示す。
１と同様にして各試料を作成し、特性を評価した。各試
料の特性を表２に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】この表１、２からわかるとおり、本発明の
実姉例は、加圧特性では従来例と大差ないが、磁場特性
において、従来例に比較し、大幅に改善されている。ま
た本発明では、添加物としてＰｂＯを添加しても良い、
この場合、ＰｂＯは焼結促進に有効であるが、１０ｗｔ
％を越えると透磁率が大幅に低下するため、１０ｗｔ％
以下が望ましい。
実姉例は、加圧特性では従来例と大差ないが、磁場特性
において、従来例に比較し、大幅に改善されている。ま
た本発明では、添加物としてＰｂＯを添加しても良い、
この場合、ＰｂＯは焼結促進に有効であるが、１０ｗｔ
％を越えると透磁率が大幅に低下するため、１０ｗｔ％
以下が望ましい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、外部応力を受けたとき
にインダクタンスの変化が少なく、しかも外部磁界の影
響によるインダクタンスの低下が極めて少ない磁性材料
を得ることが出来る。これにより、チップインダクター
として用いられた場合、巻線後の樹脂モールドによる応
力に対してインダクタンスの変化が少なく、しかも自動
装着機などを使用した場合の磁石による吸着を受けた場
合のインダクタンスの低下の少ないチップインダクター
を得ることが出来、産業上有益である。
にインダクタンスの変化が少なく、しかも外部磁界の影
響によるインダクタンスの低下が極めて少ない磁性材料
を得ることが出来る。これにより、チップインダクター
として用いられた場合、巻線後の樹脂モールドによる応
力に対してインダクタンスの変化が少なく、しかも自動
装着機などを使用した場合の磁石による吸着を受けた場
合のインダクタンスの低下の少ないチップインダクター
を得ることが出来、産業上有益である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/28 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｆｅ2Ｏ3 ５〜２４．５ｍｏｌ％、Ｃｕ
Ｏ ０〜３０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％を含まな
い）、残部ＮｉＯからなる主成分に対し、ＳｉＯ2 ０
〜１０ｗｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）、Ｂｉ2Ｏ3
０〜１０ｗｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）を含有
することを特徴とする酸化物磁性材料。 - 【請求項２】 請求項１において、Ｃｏ3Ｏ4を０〜０．
５ｗｔ％（但し、０ｗｔ％を含まない）含有することを
特徴とする酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204525A JPH0851011A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204525A JPH0851011A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851011A true JPH0851011A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16491984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6204525A Pending JPH0851011A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0851011A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183659B1 (en) | 1998-10-23 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Ferrite oxide magnetic material |
| EP1201621A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | TDK Corporation | Magnetic ferrite material and inductor |
| CN102122557A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-07-13 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低磁铁氧体材料及其制造方法 |
| JP2018052793A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163911A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-27 | Hitachi Metals Ltd | High frequency magnetic material |
| JPH0391209A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Hitachi Ferrite Ltd | チップインダクタ |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP6204525A patent/JPH0851011A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163911A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-27 | Hitachi Metals Ltd | High frequency magnetic material |
| JPH0391209A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Hitachi Ferrite Ltd | チップインダクタ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183659B1 (en) | 1998-10-23 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Ferrite oxide magnetic material |
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| CN102122557A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-07-13 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低磁铁氧体材料及其制造方法 |
| JP2018052793A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
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