JPH0851172A - セラミックパッケージ及び放熱基板 - Google Patents
セラミックパッケージ及び放熱基板Info
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- JPH0851172A JPH0851172A JP6184629A JP18462994A JPH0851172A JP H0851172 A JPH0851172 A JP H0851172A JP 6184629 A JP6184629 A JP 6184629A JP 18462994 A JP18462994 A JP 18462994A JP H0851172 A JPH0851172 A JP H0851172A
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- JP
- Japan
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- heat dissipation
- ceramic package
- thermal expansion
- thermal conductivity
- dissipation board
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックパッケージに適した熱伝導率及び
熱膨張係数を有すると共に、加工性に優れ、且つ、安価
な異形形状を有する放熱基板を提案する。 【構成】 銅が４０ｗｔ％となるようにモリブデン粉と
十分混合し、プレス成形後、水素中で１２５０℃×２時
間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚さ
１．２ｍｍと２．３ｍｍの板材を作製した。熱放熱基板
としての熱特性は、密度９．６ｇ／ｃｍ3 、熱伝導率２
３７ｗ／ｍ・ｋ、熱膨張係数９．１×１０-6／℃を得
た。この後、ニッケルめっきを施し、セラミックパッケ
ージの中の部品として組み立てた。図は、中央に凸部４
を形成し、ここに半導体チップ５を搭載する形式の異形
放熱基板１を示す。
熱膨張係数を有すると共に、加工性に優れ、且つ、安価
な異形形状を有する放熱基板を提案する。 【構成】 銅が４０ｗｔ％となるようにモリブデン粉と
十分混合し、プレス成形後、水素中で１２５０℃×２時
間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚さ
１．２ｍｍと２．３ｍｍの板材を作製した。熱放熱基板
としての熱特性は、密度９．６ｇ／ｃｍ3 、熱伝導率２
３７ｗ／ｍ・ｋ、熱膨張係数９．１×１０-6／℃を得
た。この後、ニッケルめっきを施し、セラミックパッケ
ージの中の部品として組み立てた。図は、中央に凸部４
を形成し、ここに半導体チップ５を搭載する形式の異形
放熱基板１を示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、即ち、半
導体チップを搭載するセラミックパッケージに関し、特
に、放熱基板を備えたセラミックパッケージに関する。
導体チップを搭載するセラミックパッケージに関し、特
に、放熱基板を備えたセラミックパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のセラミックパッケージで
は、素子及びその周辺から発生する熱を効率よく放散さ
せることが極めて重要であり、このため、セラミックパ
ッケージにはヒートシンクと呼ばれる放熱基板が組み込
まれているのが普通である。この放熱基板を構成する放
熱材料として、各種の放熱材料が検討され、現在もその
研究開発が継続されている。
は、素子及びその周辺から発生する熱を効率よく放散さ
せることが極めて重要であり、このため、セラミックパ
ッケージにはヒートシンクと呼ばれる放熱基板が組み込
まれているのが普通である。この放熱基板を構成する放
熱材料として、各種の放熱材料が検討され、現在もその
研究開発が継続されている。
【０００３】ユーザの種々の要求に応えるためには、様
々な形状を備えた放熱基板を用意しておくことが必要で
ある。様々な形状の放熱基板を用意するためには、単
に、矩形形状の放熱基板だけではなく、矩形以外の形状
（ここでは、異形形状）を備えた放熱基板をも用意して
おかなければならない。このように、異形形状の放熱基
板を用意するためには、各種の加工、例えば、打抜き、
プレス、段付き加工等がしやすい放熱材料であることが
望ましい、更に、セラミックパッケージに組み込まれる
異形放熱基板では、安価であることは、実用上きわめて
重要である。
々な形状を備えた放熱基板を用意しておくことが必要で
ある。様々な形状の放熱基板を用意するためには、単
に、矩形形状の放熱基板だけではなく、矩形以外の形状
（ここでは、異形形状）を備えた放熱基板をも用意して
おかなければならない。このように、異形形状の放熱基
板を用意するためには、各種の加工、例えば、打抜き、
プレス、段付き加工等がしやすい放熱材料であることが
望ましい、更に、セラミックパッケージに組み込まれる
異形放熱基板では、安価であることは、実用上きわめて
重要である。
【０００４】このように、加工性に優れ、このため、異
形に加工することが容易であり、しかも、安価なセラミ
ックパッケージに適した放熱基板が強く望まれている。
形に加工することが容易であり、しかも、安価なセラミ
ックパッケージに適した放熱基板が強く望まれている。
【０００５】ここで、異形形状の放熱基板には、後述す
る図に示すような様々な形状が想定されるが、切削、ス
リッティング、研摩等の加工法によることが多く、コス
トを低下する工夫をしても、これらの加工法を主とする
限り容易に行い難い。
る図に示すような様々な形状が想定されるが、切削、ス
リッティング、研摩等の加工法によることが多く、コス
トを低下する工夫をしても、これらの加工法を主とする
限り容易に行い難い。
【０００６】従来、セラミックパッケージのヒートシン
クは、セラミック（例えば、酸化アルミニウムの熱膨張
係数６．７×１０-6／℃）に近似することが望ましいと
されている。
クは、セラミック（例えば、酸化アルミニウムの熱膨張
係数６．７×１０-6／℃）に近似することが望ましいと
されている。
【０００７】しかしながら、セラミックパッケージとい
えども、半導体チップの周辺部材には、その設計上、熱
膨張係数が半導体チップの熱膨張係数（例えば、Ｓｉ
４．２×１０-6／℃）と比較してかなり大きいものを使
用することがある。
えども、半導体チップの周辺部材には、その設計上、熱
膨張係数が半導体チップの熱膨張係数（例えば、Ｓｉ
４．２×１０-6／℃）と比較してかなり大きいものを使
用することがある。
【０００８】このような状況を考慮すると、低廉価で加
工でき、熱伝導率が高く、且つ、熱放散に優れ、更に、
熱膨張係数が９×１０-6／℃以上の金属製異形ヒートシ
ンクを開発することは、セラミックパッケージの組立仕
様にフレキシブルに対応させることができるかぎとなる
技術といえるにもかかわらず、有効で、しかも、実用性
のある解決に至っていないのが実状である。
工でき、熱伝導率が高く、且つ、熱放散に優れ、更に、
熱膨張係数が９×１０-6／℃以上の金属製異形ヒートシ
ンクを開発することは、セラミックパッケージの組立仕
様にフレキシブルに対応させることができるかぎとなる
技術といえるにもかかわらず、有効で、しかも、実用性
のある解決に至っていないのが実状である。
【０００９】ここで、銅は、熱伝導率が３８０ｗ／ｍ・
ｋときわめて高く、加工性にも優れているが、熱膨張係
数が１７．３×１０-6／℃と大きすぎ、適切でない。ま
た、コバールは、熱膨張係数が５．３×１０-6／℃で加
工性も程々でよく用いられているが、熱伝導率が１７ｗ
／ｍ・ｋ程度で、適切でない。
ｋときわめて高く、加工性にも優れているが、熱膨張係
数が１７．３×１０-6／℃と大きすぎ、適切でない。ま
た、コバールは、熱膨張係数が５．３×１０-6／℃で加
工性も程々でよく用いられているが、熱伝導率が１７ｗ
／ｍ・ｋ程度で、適切でない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従
来、セラミックパッケージ用の放熱基板に使用されてい
る材料は、熱伝導率、熱膨張係数、加工性（打抜き、切
断、プレス、段付け、せん断、パンチ穴あけ、曲げ加
工、スリッティング、切削又は研摩）及びコストの諸点
で、各種の異形の放熱基板を作製することに不向きであ
ることが判明した。
来、セラミックパッケージ用の放熱基板に使用されてい
る材料は、熱伝導率、熱膨張係数、加工性（打抜き、切
断、プレス、段付け、せん断、パンチ穴あけ、曲げ加
工、スリッティング、切削又は研摩）及びコストの諸点
で、各種の異形の放熱基板を作製することに不向きであ
ることが判明した。
【００１１】そこで、本発明の目的は、前記従来の技術
の欠点を改良し、熱膨張係数が銅の１７．３×１０-6／
℃より小さい一定範囲内で、熱伝導率が銅の３８０ｗ／
ｍ・ｋから程遠くない一定以上で、加工性に優れ、安価
な異形形状放熱基板を提供することである。
の欠点を改良し、熱膨張係数が銅の１７．３×１０-6／
℃より小さい一定範囲内で、熱伝導率が銅の３８０ｗ／
ｍ・ｋから程遠くない一定以上で、加工性に優れ、安価
な異形形状放熱基板を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、一般的な
金属の加工法を基礎に加工条件を鋭意選定することによ
り、後述する本発明の熱伝導率及び熱膨張係数を有する
材料は、打抜き、切断、プレス、段付け、せん断、パン
チ穴あけ又は曲げ加工の可能であることを確認した。ま
た、切消又は研摩の内、少なくとも切削をせずに異形に
加工できる放熱材料を使用すれば、当然の帰結として、
コストの大幅低減が可能となり、低廉価な異形ヒートシ
ンクを有するセラミックパッケージを組み立てることが
できる。
金属の加工法を基礎に加工条件を鋭意選定することによ
り、後述する本発明の熱伝導率及び熱膨張係数を有する
材料は、打抜き、切断、プレス、段付け、せん断、パン
チ穴あけ又は曲げ加工の可能であることを確認した。ま
た、切消又は研摩の内、少なくとも切削をせずに異形に
加工できる放熱材料を使用すれば、当然の帰結として、
コストの大幅低減が可能となり、低廉価な異形ヒートシ
ンクを有するセラミックパッケージを組み立てることが
できる。
【００１３】本発明によれば、前記課題を解決するた
め、銅及びモリブデンの粉末を混合し、焼結し、圧延し
て形成され、熱伝導率が２００ｗ／ｍ・ｋ以上で、熱膨
張係数が９〜１６×１０-6／℃（好ましくは、９〜１３
ｘ１０-6/ ℃）で、打抜き、切断、プレス、段付け、せ
ん断、パンチ穴あけ又は曲げ加工の内の１種又は２種以
上の組合せにより、異形に加工された放熱基板を組み込
まれるセラミックパッケージが得られる。
め、銅及びモリブデンの粉末を混合し、焼結し、圧延し
て形成され、熱伝導率が２００ｗ／ｍ・ｋ以上で、熱膨
張係数が９〜１６×１０-6／℃（好ましくは、９〜１３
ｘ１０-6/ ℃）で、打抜き、切断、プレス、段付け、せ
ん断、パンチ穴あけ又は曲げ加工の内の１種又は２種以
上の組合せにより、異形に加工された放熱基板を組み込
まれるセラミックパッケージが得られる。
【００１４】
【実施例】本発明の３つの実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１５】まず、実施例１から説明する。
【００１６】銅が４０ｗｔ％となるようにモリブデン粉
と十分混合し、プレス成形後、水素中で１２５０℃×２
時間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚
さ１．２ｍｍと２．３ｍｍの板材を作製した。
と十分混合し、プレス成形後、水素中で１２５０℃×２
時間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚
さ１．２ｍｍと２．３ｍｍの板材を作製した。
【００１７】厚さ１．２ｍｍの板について金型打抜きプ
レスにより、図１及び図２の平板状異形放熱基板１を得
た。なお、２は丸み、３は切り欠きである。
レスにより、図１及び図２の平板状異形放熱基板１を得
た。なお、２は丸み、３は切り欠きである。
【００１８】また、厚さ２．３ｍｍの板について矩形に
打抜いた後、４隅に丸みを付け、異形形状とした後、切
削により図３の凸部４について加工したところ、モリブ
デン圧延機の４〜５倍の速度で、また、無酸素銅にほぼ
近似した速度で加工できた。
打抜いた後、４隅に丸みを付け、異形形状とした後、切
削により図３の凸部４について加工したところ、モリブ
デン圧延機の４〜５倍の速度で、また、無酸素銅にほぼ
近似した速度で加工できた。
【００１９】よって、いずれも加工コストについては、
きわめて低廉価な方法で異形形状の放熱基板を製作でき
た。
きわめて低廉価な方法で異形形状の放熱基板を製作でき
た。
【００２０】放熱基板として重要な熱特性は、本実施例
の板材についてはいずれも、密度９．６ｇ／ｃｍ3 、熱
膨張係数９．１×１０-6／℃、熱伝導率２３７ｗ／ｍ・
ｋを得ることができ、ユーザーの要求に応えるものであ
った。
の板材についてはいずれも、密度９．６ｇ／ｃｍ3 、熱
膨張係数９．１×１０-6／℃、熱伝導率２３７ｗ／ｍ・
ｋを得ることができ、ユーザーの要求に応えるものであ
った。
【００２１】この後、ニッケルめっきを施し、セラミッ
クパッケージの中の部品として組み立てた。セラミック
パッケージとしては、種々の構成があるが、放熱基板を
半導体チップに直接に接触させるものや、リッド（キャ
ップ）として用いるもの、金属製放熱基板としてのリッ
ドに、熱膨張差を踏まえた上に敢えて半導体チップを接
合し、パッケージ全体の熱バランス等の設計上の整合を
図るものもある。
クパッケージの中の部品として組み立てた。セラミック
パッケージとしては、種々の構成があるが、放熱基板を
半導体チップに直接に接触させるものや、リッド（キャ
ップ）として用いるもの、金属製放熱基板としてのリッ
ドに、熱膨張差を踏まえた上に敢えて半導体チップを接
合し、パッケージ全体の熱バランス等の設計上の整合を
図るものもある。
【００２２】ここで、図４は、中央に凸部４を形成し、
凸部４に半導体チップ５を搭載する形式の異形放熱基板
１を用いたものを示し、一方、図５は、パッケージのリ
ッドとして、周縁に凸部４を形成された異形放熱基板１
を用いたものを示す。これら凸部はプレスにより簡単に
形成することができ、いずれも、異形放熱基板として適
用できることがわかった。
凸部４に半導体チップ５を搭載する形式の異形放熱基板
１を用いたものを示し、一方、図５は、パッケージのリ
ッドとして、周縁に凸部４を形成された異形放熱基板１
を用いたものを示す。これら凸部はプレスにより簡単に
形成することができ、いずれも、異形放熱基板として適
用できることがわかった。
【００２３】次に、実施例２を説明する。
【００２４】銅が５０ｗｔ％となるようにモリブデン粉
と十分混合し、プレス成形後、水素中で１２００℃×２
時間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚
さ１．０ｍｍの板材を作製した。
と十分混合し、プレス成形後、水素中で１２００℃×２
時間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚
さ１．０ｍｍの板材を作製した。
【００２５】金型打抜きプレスにより、図１、図２、図
６及び図７の外周矩形部を加工した。
６及び図７の外周矩形部を加工した。
【００２６】また、図６の異形放熱基板１は、その四端
にプレス加工で穴６をあけたものであり、図７の異形放
熱基板１は、その中央にプレス又はチャックすることに
よる曲げ加工で曲げ凸状部７を設けたものである。
にプレス加工で穴６をあけたものであり、図７の異形放
熱基板１は、その中央にプレス又はチャックすることに
よる曲げ加工で曲げ凸状部７を設けたものである。
【００２７】熱特性は、密度９．５ｇ／ｃｍ3 、熱膨張
係数１１．０×１０-6／℃、熱伝導率２５３ｗ／ｍ・ｋ
を得ることができ、実施例１と同様に評価をし、有用性
を確認できた。
係数１１．０×１０-6／℃、熱伝導率２５３ｗ／ｍ・ｋ
を得ることができ、実施例１と同様に評価をし、有用性
を確認できた。
【００２８】続いて、実施例３を説明する。
【００２９】銅が６０ｗｔ％となるようにモリブデン粉
と十分混合、プレス成形後、水素中で１１５０℃×２時
間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚さ
１．５ｍｍの板材を作製した。
と十分混合、プレス成形後、水素中で１１５０℃×２時
間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚さ
１．５ｍｍの板材を作製した。
【００３０】半導体チップの搭載のために、ヒートシン
クの一部を凸部４にしたり（図３）、ボンディングワイ
ヤ用パッドを０．１〜０．１５ｍｍ凸部にしたもので一
体プレス加工ができれば、加工コストの低減に寄与でき
るが、前記厚さ１．５ｍｍの板材に金型プレスによる塑
性加工を施したところ、図３、図８及び図９の異形放熱
基板１が得られた。
クの一部を凸部４にしたり（図３）、ボンディングワイ
ヤ用パッドを０．１〜０．１５ｍｍ凸部にしたもので一
体プレス加工ができれば、加工コストの低減に寄与でき
るが、前記厚さ１．５ｍｍの板材に金型プレスによる塑
性加工を施したところ、図３、図８及び図９の異形放熱
基板１が得られた。
【００３１】また、図８における凹部８の体積が大きい
場合には、凹部８の板厚方向への片端部に凸部が発生す
ることが生じ、異形放熱基板１全体では、前記発生する
凸部を吸収することができない。このときは、この実施
例に係る板材は、加工性が極めて良いため、凸部を切削
により除去することもできる。このように、この実施例
における板材は、切削加工もできるため、結局は、異形
放熱基板１を安価に製作することができた。
場合には、凹部８の板厚方向への片端部に凸部が発生す
ることが生じ、異形放熱基板１全体では、前記発生する
凸部を吸収することができない。このときは、この実施
例に係る板材は、加工性が極めて良いため、凸部を切削
により除去することもできる。このように、この実施例
における板材は、切削加工もできるため、結局は、異形
放熱基板１を安価に製作することができた。
【００３２】実施例３に係る板材の熱特性は、密度９．
４ｇ／ｃｍ3 、熱膨張係数１２．３×１０-6／℃、熱伝
導率２７２ｗ／ｍ・ｋを得ることができ、実施例１と同
様に評価をし、有用性を確認できた。
４ｇ／ｃｍ3 、熱膨張係数１２．３×１０-6／℃、熱伝
導率２７２ｗ／ｍ・ｋを得ることができ、実施例１と同
様に評価をし、有用性を確認できた。
【００３３】異形放熱基板の加工性の目安として、モリ
ブデンに銅を４０％、５０％、及び６０％含有させた粉
末を焼結することによって得られた複合材の硬度及びエ
リクセン値を下記の表１に示す。
ブデンに銅を４０％、５０％、及び６０％含有させた粉
末を焼結することによって得られた複合材の硬度及びエ
リクセン値を下記の表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１から、上記した複合材は複合材である
にもかかわらず、エリクセン値として４以上を示すこと
が判る。
にもかかわらず、エリクセン値として４以上を示すこと
が判る。
【００３６】なお、銅３５ｗｔ％の複合圧延材も試みた
ところ、熱伝導率が２００ｗ／ｍ・ｋには到達しなかっ
たものの、熱膨張係数は８．４×１０-6／℃であり、諸
加工の内少なくとも打抜きは可能であり、切断も同様に
優れていることが判明した。
ところ、熱伝導率が２００ｗ／ｍ・ｋには到達しなかっ
たものの、熱膨張係数は８．４×１０-6／℃であり、諸
加工の内少なくとも打抜きは可能であり、切断も同様に
優れていることが判明した。
【００３７】また、マイクロ波等に係る個別半導体レー
ザ素子９用ヒートンシンクでも、酸化ベリリウムより熱
膨張係数が若干大きい銅４０ｗｔ％モリブデン複合材即
ち実施例１の異形放熱基板１で、組み立て設計条件が整
えば、本発明は、対応可能となり、これを図１０に示
す。
ザ素子９用ヒートンシンクでも、酸化ベリリウムより熱
膨張係数が若干大きい銅４０ｗｔ％モリブデン複合材即
ち実施例１の異形放熱基板１で、組み立て設計条件が整
えば、本発明は、対応可能となり、これを図１０に示
す。
【００３８】
【発明の効果】半導体素子を搭載するパッケージ、特に
信頼性の点で優れているセラミックパッケージは、量産
コストが高ければ、汎用化して産業の発達に寄与すると
いう究極の目標を時として妨げる。
信頼性の点で優れているセラミックパッケージは、量産
コストが高ければ、汎用化して産業の発達に寄与すると
いう究極の目標を時として妨げる。
【００３９】本発明は、前述した構成により、熱伝導率
が一定値以上で、熱膨張係数が一定の範囲内で、加工性
に優れ、コストが低廉価な異形放熱基板を組み込まれる
セラミックパッケージを提供することができ、利便性の
著しい向上が図れる。
が一定値以上で、熱膨張係数が一定の範囲内で、加工性
に優れ、コストが低廉価な異形放熱基板を組み込まれる
セラミックパッケージを提供することができ、利便性の
著しい向上が図れる。
【図１】本発明の実施例１及び実施例２における第１の
異形放熱基板の正面図である。
異形放熱基板の正面図である。
【図２】本発明の実施例１及び実施例２における第２の
異形放熱基板の正面図である。
異形放熱基板の正面図である。
【図３】本発明の実施例１における第３の及び実施例３
における第１の異形放熱基板の正面図及び断面図であ
る。
における第１の異形放熱基板の正面図及び断面図であ
る。
【図４】本発明の実施例１における半導体チップを搭載
された第４の異形放熱基板の断面図である。
された第４の異形放熱基板の断面図である。
【図５】本発明の実施例１におけるパッケージのリッド
として用いられた第５の異形放熱基板の断面図である。
として用いられた第５の異形放熱基板の断面図である。
【図６】本発明の実施例２における第３の異形放熱基板
の正面図及び断面図である。
の正面図及び断面図である。
【図７】本発明の実施例２における第４の異形放熱基板
の正面図及び断面図である。
の正面図及び断面図である。
【図８】本発明の実施例３における第２の異形放熱基板
の正面図及び断面図である。
の正面図及び断面図である。
【図９】本発明の実施例３における第３の異形放熱基板
の正面図及び断面図である。
の正面図及び断面図である。
【図１０】本発明の実施例１における半導体レーザ素子
を搭載された第６の異形放熱基板の斜視図である。
を搭載された第６の異形放熱基板の斜視図である。
１ 異形放熱基板 ２ 丸み ３ 切り欠き ４ 凸部 ５ 半導体チップ ６ 穴 ７ 曲げ凸状部 ８ 凹部 ９ 半導体レーザ素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ (72)発明者 土井 良彦 東京都葛飾区青戸六丁目40番１号 東京タ ングステン株式会社東京製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置を搭載するのに使用されるセ
ラミックパッケージにおいて、銅及びモリブデンの粉末
を混合し、焼結し、圧延して形成され、２００ｗ／ｍ・
ｋ以上の熱伝導率、９〜１６×１０-6／℃の熱膨張係数
を備え、且つ、異形形状に加工された放熱基板を具備し
ていることを特徴とするセラミックパッケージ。 - 【請求項２】 セラミックパッケージに使用される放熱
基板において、銅及びモリブデンの粉末を混合し、焼結
し、圧延して形成され、熱伝導率が２００ｗ／ｍ・ｋ以
上で、熱膨張係数が９〜１６×１０-6／℃で、打抜き、
切断、プレス、段付け、せん断、パンチ穴あけ、曲げ加
工の内の１種又は２種以上の加工を組合せにより、異形
に加工されていることを特徴とする放熱基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184629A JP2973170B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | セラミックパッケージ及び放熱基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184629A JP2973170B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | セラミックパッケージ及び放熱基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851172A true JPH0851172A (ja) | 1996-02-20 |
| JP2973170B2 JP2973170B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=16156579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6184629A Expired - Lifetime JP2973170B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | セラミックパッケージ及び放熱基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2973170B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480659B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2005-04-07 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 복합 재료 |
| US6998180B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-02-14 | Plansee Aktiengesellschaft | Package with a substrate of high thermal conductivity |
| DE10251411B4 (de) * | 2002-10-16 | 2010-02-18 | Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung, umfassend eine elektronische Schaltung mit mindestens einem Halbleitermodul |
| KR101944756B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2019-02-01 | 세일전자 주식회사 | 전자부품 방열 기판 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243436A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Nisshin Steel Co Ltd | 半導体パッケージ用放熱部材の製造方法 |
| JPH0613494A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
| JPH0677365A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Toho Kinzoku Kk | 放熱基板材料 |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP6184629A patent/JP2973170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| KR101944756B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2019-02-01 | 세일전자 주식회사 | 전자부품 방열 기판 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2973170B2 (ja) | 1999-11-08 |
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