JPH08511797A - 17−ハロゲノ−4−アザアンドロステン誘導体およびその製造方法 - Google Patents

17−ハロゲノ−4−アザアンドロステン誘導体およびその製造方法

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JPH08511797A JP7502609A JP50260995A JPH08511797A JP H08511797 A JPH08511797 A JP H08511797A JP 7502609 A JP7502609 A JP 7502609A JP 50260995 A JP50260995 A JP 50260995A JP H08511797 A JPH08511797 A JP H08511797A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、結合線----は一重結合または二重結合を示す)の新規4−アザアンドロステン誘導体に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 17−ハロゲノ−4−アザアンドロステン誘導体およびその製造方法 本発明は一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、 Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、 結合線----は一重結合または二重結合を示す) で示される新規4−アザアンドロステン誘導体に関する。 さらに、本発明は上記化合物の製造方法に関する。 一般式(I)の化合物は、5α−レダクターゼ酵素を阻害する化合物の製造に 有利に使用しうる。本合成目的のために、一般式(I)の化合物を、第一または 第二アルキルアミンと、好ましくはジメチルホルムアミド媒体中、一酸化炭素雰 囲気で、酢酸パラジウム(II)、トリフェニルホスフィンおよびトリエチルアミ ンの存在下に反応させ、次いで、所望により△16−17β−カルボキサミド誘導 体の二重結合を接触還元する。(実施例9および10参照。) 5α−レダクターゼ酵素のインヒビターは、テストステロンのジヒドロテスト ステロンへの転換を防げ、従って、それらはジヒドロテストステロン依存病、例 えば前立腺過形成、アクネ、脂漏および女性多毛症を治すのに有用でありうる。 デヒドロエピアンドロステロンの17−ヒドラゾン誘導体とヨウ素元素とをテ トラヒドロフラン中、トリエチルアミンの存在下に反応させることにより、17 −ヨード−アンドロスタ−5,16−ジエン−3β−オールが得られることは知 られている[J.Chem.Soc.,470−476頁(1962)]。同様の反応条件下 、出発原料としてプレグネノロン−20−ヒドラゾンを用いることにより、20 −ヨードプレグナ−5,20−ジエン−3β−オールを製造することができる。 塩基と水の役割を研究することによる上記方法のさらなる発展が他の引用文献 で検討されている[Tetrahedron Letters24,1605−1608頁(1983)]。本発 表によれば、同じくデヒドロエピアンドロステロンの17−ヒドラゾンが出発原 料として用いられるが、テトラメチルグアニジンが塩基として採用されている。 非ステロイドヒドラゾン誘導体の転換も例示されている。 ヒドラゾン誘導体とN−ブロモ−またはN−クロロコハク酸イミドとの反応が 刊行物[Chem.Pharm.Bull.Japan 11,1413−1417頁(1963)]中で検討されて おり、これによれば、エピアンドロステロンの17−ヒドラゾン誘導体が出発原 料として用いられ、これをN−ブロモ−またはN−クロロコハク酸イミドと反応 させる。本反応は数分で終了し、それは窒素の発生の停止によって観察できる。 反応混合物を水に注いだ後、抽出し、次いで生成した「塩化ビニル型」化合物を クロマトグラフィーまたは再結晶により精製する。 同様の方法はハンガリー特許第171,166号にも発表されている。この方法では 、アンドロスト−2−エン−17−オンのヒドラゾンを、N−ハロゲノコハク酸 イミドとピリジン中、−30℃と+20℃の間の温度で反応させて「塩化ビニル 型」最終生成物を得るものである。 本発明によれぱ、一般式(I)の新規化合物の製造は、 工程a)一般式(II): (式中、Rおよび結合線----は上記と同じ意味である) で示される化合物とヨウ素元素とを、ハロゲン化炭化水素または芳香族炭化水素 溶媒またはそれらの混合物中、またはエーテル型溶媒中、第3アミン塩基の存在 下で反応させて、Xとしてヨウ素を含む一般式(I)の化合物を得るか、または 工程b)一般式(II)(式中、Rおよび結合線 は上記の定義の通りである )で示される化合物とN−クロロ−またはN−ブロモコハク酸イミドとを、溶媒 として所望により1またはそれ以上のC1-4アルキル基(複数もあり)によって 置換されたピリジン中、−10℃〜+10℃の温度でそれぞれ反応させて、Xと して塩素または臭素を含む一般式(I)の化合物を得ること、を含む。 上記工程a)によれば、ヨウ素化は好ましくは室温で行う。反応終了後(窒素 ガス発生の停止により示される)、第3アミン塩基と過剰のヨウ素を、希塩酸水 溶液で、次いでチオ硫酸ナトリウムで処理することによって除去する。次いで溶 媒を留去し、得られた粗生成物をクロマトグラフィーおよび再結晶により精製す る。ヨウ素化反応は、好ましくはハロゲン化または芳香族炭化水素溶媒中、好ま しくはクロロホルム、ベンゼンまたはこれら溶媒の混合物またはエーテル型溶媒 、好ましくはテトラヒドロフラン中、第3アミン塩基、好ましくはトリエチルア ミンまたはテトラメチルグアニジンの存在下で、室温にて行う。 上記工程b)によれば、好ましくは、Xとしてそれぞれ塩素または臭素を含む 一般式(I)の化合物は、一般式(II)の化合物をピリジンに溶解し、次いで上 記溶液に、−10℃〜+10℃の温度で、N−クロロ−またはN−ブロモコハク 酸イミドをそれぞれ少しずつ加えることにより製造される。窒素ガス発生の停止 によっ て示される反応の終了後、粗生成物は水を加えることにより沈殿させ、濾過し、 ピリジンがなくなるまで水で洗浄し、乾燥し、クロマトグラフィー、ついで再結 晶により精製する。N−クロローまたはN−ブロモコハク酸イミドによるハロゲ ン化は、それぞれ好ましくは0℃で実施する。 本発明による方法において、出発原料として用いる一般式(II)の17−ヒド ラゾン誘導体は以下のように製造される。 4−アザ−5α−アンドロスタン−3,17−ジオン、4−アザアンドロスト −5−エン−3,17−ジオンまたは4−メチル−4−アザ−5α−アンドロス タン−3,17−ジオン[引用文献、J.Pharm.Sci.63,19〜23頁(1974) ;J.Med.Chem.27,1690頁(1984);J.Org.Chem.46,1442〜1446頁(1981) から公知]をそれぞれアルコールに溶解後、この溶液にトリエチルアミンとヒド ラジンヒドラートを加え、得られる反応混合物を還流下に沸騰させる。反応終了 後、過剰のヒドラジンヒドラートとトリエチルアミンを(反応混合物を元の容量 の約1/10まで蒸発させることにより)留去する。残査は水を加えることによ り沈殿させ、沈殿物を濾取し、中性になるまで水で洗浄し、乾燥する。得られた 粗生成物は何ら精製することなく一般式(I)の化合物の製造に用いることがで きる。 本発明は、以下の実施例により詳細に説明されるが、これに限定されるもので はない。 実施例1 17−ヒドラゾノ−4−アザ−5α−アンドロスタン−3−オンの製造 エタノール100ml中に4−アザ−5α−アンドロスタン−3,17−ジオン 10g(0.0346モル)を含む懸濁液に、トリエチルアミン14ml(0.1モ ル)とヒドラジンヒドラート50ml(1.0モル)を加え、混合物を還流下3時 間沸騰させる。(反応の進行は薄層クロマトグラフィーにより追跡する)反応終 了後、反応混合物を冷却し、溶液を元の容量の1/10まで蒸発させ、約10倍 容量の水を加えることにより生成物を沈殿させる。沈殿物を堆積させた後、濾過 し、水で 中性になるまで洗浄、乾燥し、標題化合物を得る。収量:9.44g(90%) 、融点:254−258℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.86(s,3H,18− CH3),0.93(s,3H,19−CH3),2.41(m,2H,H−2),3 .07(dd,1H,H−5),4.77(br,2H,NH2),5.74(br,1H ,NH)。 実施例2 17−ヒドラゾノ−4−アザアンドロスト−5−エン−3−オンの製造 4−アザアンドロスト−5−エン−3,17−ジオンを出発物質として用いる 以外、実施例1に記載される方法に従って標題化合物を得る。収率:35%、融 点:379−382℃。 IR(KBr)ν:1633(C=C),1661(C=N),1693(C=O),3200( NH),3350(NH2)cm-1。 実施例3 17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスタン−3−オン の製造 出発物質として4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスタン−3,17−ジ オンを用いる以外、実施例1に記載される方法に従って標題化合物を得る。収率 :75%、融点:211−218℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.86(s,3H,18− CH3),0.91(s,3H,19−CH3),2.93(s,3H,N−CH3) ,3.05[dd(J=3.6;J=12.6),1H,H−5],4.78(v br, 2H,NH2)。 実施例4 17−ヨード−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3−オンの製造 1:1クロロホルム/ベンゼン混合物1200ml中に17−ヒドラゾノ−4−アザ −5α−アンドロスタン−3−オン9.1g(0.03モル)を溶解し、トリエチ ルアミン90mlを加えた後、ベンゼン110mlに溶解したヨウ素11.4g(0. 045モル)を上記溶液に滴下しながら加える。反応混合物を室温でさらに60 −9 0分間撹拌する。(反応の進行は薄層クロマトグラフィーにより追跡する。)反 応の終了後、得られた溶液をクロロホルム500mlで希釈し、10%水性塩酸溶 液、水、5%水性チオ硫酸ナトリウム溶液、水、5%水性炭酸水素ナトリウム溶 液、最後に水で連続的に洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥する。減圧下に溶 媒を蒸発させた後、残査を溶出液として初めにクロロホルム、次いで95:5ク ロロホルム/アセトン混合液を用いることによるシリカゲルカラム上のクロマト グラフィーにより精製する。得られた生成物をエタノールから再結晶して標題化 合物を得る。収量:5.9g(50%)、融点:278−282℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.73(s,3H,18− CH3),0.91(s,3H,19−CH3),3.1(dd,1H,H−5),6 .18(m,1H,H−16),6.9(br,1H,NH)。 上記反応でトリエチルアミンの代わりに同量のテトラメチルグアニジンを用い ることにより、上で示したのと同じ物理特性の標題化合物が65%の収率で得ら れる。 実施例5 17−ヨード−4−アザアンドロスタ−5,16−ジエン−3−オンの製造 出発物質として17−ヒドラゾノ−4−アザアンドロスト−5−エン−3−オ ンを用いる以外、実施例4に記載の方法に従って標題化合物を得る。収率:57 %、融点:227−230℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.78(s,3H,18− CH3),1.13(s,3H,19−CH3),4.9[dd(J=2.4;J=5. 1),1H,H−6],6.15[dd(J=3.2;J=1.7),1H,H−1 6],8.27(br,1H,NH)。 実施例6 17−ヨード−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3 −オンの製造 17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスタン−3−オン を出発物質として用い、反応をベンゼン中で実施する以外、実施例4に記載の方 法に従う。標題化合物が52%の収率、融点:176−181℃で得られる。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.74(s,3H,18− CH3),0.92(s,3H,19−CH3),2.94(s,3H,N−CH3) ,3.07[dd(J=3.7;J=12.6),1H,H−5],6.13[dd( J=3.2;J=1.7),1H,H−16]。 実施例7 17−クロロ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3 −オンの製造 無水ピリジン40ml中17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アン ドロスタン−3−オン4g(0.0126モル)を含む溶液を0℃に冷却し、激し く撹拌しながらピリジン40ml中N−クロロコハク酸イミド3.2g(0.024 モル)の溶液を滴下しながら加える。激しい窒素ガス発生の停止後、反応混合物 をさらに15分間撹拌し、次いで水800mlに滴下する。沈殿物を静置後、粗生 成物を濾取し、中性になるまで水で洗浄し、減圧下、室温で五酸化リン上で乾燥 する。得られた粗生成物を、溶出液としてクロロホルムを用いるシリカゲルカラ ム上のクロマトグラフィーにより精製する。石油エーテルから蒸発残査を再結晶 後、標題化合物が2.15g(53%)の収量、融点:139−140℃で得られ る。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.88(s,3H,18− CH3),0.93(s,3H,19−CH3),2.89(s,3H,N−CH3) ,3.0(dd,1H,H−5),5.53(m,1H,H−16)。 実施例8 17−ブロモ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3 −オンの製造 出発物質として17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロス タン−3−オンおよび反応物としてN−ブロモコハク酸イミドを用いて、実施例 7に記載の方法に従って標題化合物を得る。収率:55%、融点:159−16 1℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.82(s,3H,18− CH3),0.91(s,3H,19−CH3),2.86(s,3H,N−CH3) ,3.0(dd,1H,H−5),5.68(m,1H,H−16)。 実施例9 3−オキソ−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−17β−(N−第 3級ブチルカルボキサミド)の製造 ジメチルホルムアミド150ml中、17−ヨード−4−アザ−5α−アンドロ スト−16−エン−3−オン3.99g(0.01モル)を含む溶液に、酢酸パラ ジウム(II)0.224g(0.001モル)、トリフェニルホスフィン0.524 g(0.002モル)、トリエチルアミン10mlおよび第3級ブチルアミン15ml (0.14モル)を加えて、混合物を一酸化炭素下、60℃で90−120分間 加熱する。(反応の進行は薄層およびガスクロマトグラフィーにより追跡する。 )反応終了後、アミンとジメチルホルムアミドを減圧下に留去し、次いで残査を クロロホルム150mlに溶解し、続けて、水、5%水性塩酸溶液、水性飽和炭酸 水素ナトリウム溶液および水性飽和塩化ナトリウム溶液で中性になるまで洗浄し 、最後に無水硫酸ナトリウム上で乾燥する。溶媒を蒸発させた後、残査を溶出液 として酢酸エチルを用いて、シリカゲルカラム上のクロマトグラフィーにより精 製して標題化合物を得る。収量:3.16g(85%)、融点:292−297℃1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.93(s,3H,19− CH3),1.0(s,3H,18−CH3),1.4(s,3H,C(CH33), 2.15(m,2H,H−15a+H−15b),2.4(m,2H,H−2),3. 08[dd,(J=4.5;J=7.0),1H,H−5],5.48(br s,1H ,NH),5.6(br s,1H,NH),6.18[dd(J=1.7;J=1. 4),1H,H−16]。 実施例10 3−オキソ−4−アザ−5α−アンドロスタン−17β−(N−第3級ブチル カルボキサミド)の製造 水6mlにパラジウム炭素触媒1gを含む懸濁液を、ギ酸40ml中3−オキソ− 4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−17β−(N−第3級ブチルカル ボキサミド)1gを含む溶液を窒素雰囲気下に加える。不均一混合物を室温で4 −5時間撹拌する。反応の進行は薄層クロマトグラフィーにより追跡する。反応 が終了したのち、触媒を溜去し、クロロホルム/メタノールの1:1の混合物で 洗浄する。混合した溶液を蒸発乾固させた後、残査を水で粉砕し、沈殿を濾過し 、水で洗浄して標題化合物を得る。収率:90%、融点:283−286℃。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セーレシュ、ヤーノシュ ハンガリー、ハー―1096ブタペスト、ハル レル・ウー82番 (72)発明者 ロヴァシュネー、マルシャイ・マーリア ハンガリー、ハー―1145ブダペスト、ウィ ヴィデーク・テール5番 (72)発明者 バログ、ガーボル ハンガリー、ハー―1181ブダペスト、チョ ントヴァーリ・カー・テー・ウー18番

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、 Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、 結合線----は一重結合または二重結合を示す) で示される新規4−アザアンドロステン誘導体。 2.17−ヨード−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3−オン、 17−ヨード−4−アザーアンドロスタ−5,16−ジエン−3−オン、 17−ヨード−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3 −オン、 17−クロロ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3 −オンおよび17−ブロモ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16 −エン−3−オン からなる群から選択される化合物。 3.一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、 Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、 結合線----は一重結合または二重結合を示す)の新規4−アザアンドロステン 誘導体の製造方法であって、 工程a)一般式(II): (式中、Rおよび結合線----は上記と同じ意味である)で示される化合物とヨウ 素元素とを、ハロゲン化炭化水素または芳香族炭化水素溶媒中またはそれらの混 合物中、またはエーテル型溶媒中、第3アミン塩基の存在下で反応させて、Xと してヨウ素を含む一般式(I)で示される化合物を得ること、または、 工程b)一般式(II)(式中、Rおよび結合線----は上記と同じ意味である) で示される化合物とN−クロロ−またはN−ブロモーコハク酸イミドとを、溶媒 として所望により1個またはそれ以上のC1-4アルキル基で置換されたピリジン 中、−10℃〜+10℃の温度で、それぞれ反応させて、Xとして塩素または臭 素を含む一般式(I)で示される化合物を得ること、 を特徴とする方法。 4.工程a)において、ハロゲン化炭化水素溶媒としてクロロホルムを、芳香 族溶媒としてベンゼンを、またはエーテル型溶媒としてテトラヒドロフランを用 いることを含む、請求項3記載の方法。 5.工程a)において、第3アミン塩基としてトリエチルアミンまたはテトラ メチルグアニジンを用いることを含む、請求項3または4記載の方法。 6.工程b)において、溶媒としてピリジンを用いることを含む、請求項3記 載の方法。 7.工程b)において、反応を0℃で実施することを含む、請求項3または6 記載の方法。 8.工程a)において、出発原料として17−ヒドラゾノ−4−アザ−5α− アンドロスタン−3−オン、17−ヒドラゾノ−4−アザアンドロスト−5−エ ン−3−オンまたは17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロ スタン−3−オンをそれぞれ用いることを含む、17−ヨード−4−アザ−5α −アンドロスト−16−エン−3−オン、17−ヨード−4−アザアンドロスタ −5,16−ジエン−3−オンまたは17−ヨード−4−メチル−4−アザ−5 α−アンドロスト−16−エン−3−オンの製造のための請求項3〜5のいずれ か1項記載の方法。 9.工程b)において、出発原料として17−ヒドラゾノ−4−メチル−4− アザ−5α−アンドロスタン−3−オンを用いることを含む、17−クロロ−4 −メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3−オンまたは17− ブロモ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3−オンの 製造のための請求項3、6および7のいずれか1項記載の方法。
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