JPH085325Y2 - 自動チョーク装置 - Google Patents

自動チョーク装置

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JPH085325Y2
JPH085325Y2 JP1990060267U JP6026790U JPH085325Y2 JP H085325 Y2 JPH085325 Y2 JP H085325Y2 JP 1990060267 U JP1990060267 U JP 1990060267U JP 6026790 U JP6026790 U JP 6026790U JP H085325 Y2 JPH085325 Y2 JP H085325Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、内燃機関のチョーク弁を自動的に制御する
自動チョーク装置に関するものである。
[従来の技術] 内燃機関の始動を支障なく行わせ、運転を安定に継続
させるために、機関の温度の応じてチョーク弁を調節し
て混合気の濃度を調節する必要がある。
第8図は内燃機関のシリンダヘッドの温度とチョーク
弁の開度との関係の一例を示したもので、機関の始動時
にシリンダヘッドの温度とチョーク弁の開度とが始動不
可能域にある場合には機関の始動を行わせるとができな
い。また機関の始動後にシリンダヘッドの温度とチョー
ク弁の開度とが継続運転不可能域にある場合には、機関
の運転を安定に継続させることができない。機関の始動
を支障なく行わせ、その後機関の運転を安定に継続させ
るためには、シリンダヘッドの温度及びチョーク弁の開
度が第8図の適正域に入るようにチョーク弁を制御する
必要がある。即ち機関の始動時及び始動後の暖気運転時
にはチョーク弁を閉じて機関に供給する混合気を濃く
し、暖気運転終了後にチョーク弁を開いて混合気を薄く
する必要がある。
チョーク弁の調節は手動により行っても良いが、最近
ではチョーク弁の調節を自動的に行わせる自動チョーク
装置が多く用いられるようになっている。特に屋外に設
置されて使用される汎用の内燃機関においては、機関を
始動した後暖気運転終了時まで作業者が機関を監視する
ことが困難であるため、始動後の暖気運転時にチョーク
弁を閉じて混合気を濃くし、暖気運転終了後にチョーク
弁を開いて混合気を薄くする自動チョーク装置が用いら
れている。
従来の自動チョーク装置は、バイメタルの伸縮を利用
して内燃機関の冷却水の温度、排気温度等に応じてチョ
ーク弁を動かすようになっている。
そのため、バイメタルの伸縮力でチョーク弁を全閉ま
たは全開位置まで変位させた後、更にバイメタルが温度
変化に反応して伸縮しようとした場合にバイメタルに機
械的なストレスがかかり、耐久性が低下するだけでな
く、同一温度におけるチョーク弁開度の再現性が悪くな
って動作が不正確になるという問題があった。またバイ
メタル自体が大きな熱容量を持っているため、応答性が
悪く、暖気運転の過程で内燃機関が不調になることがあ
った。
これらの問題を解決するため、実公平1−39881号に
見られるように、バイメタルの駆動力をチョーク弁に伝
達する機械系にダンパバネを挿入して、チョーク弁が全
閉位置または全開位置まで変位した後更にバイメタルが
変位しようとしたときに、その変位をダンパバネにより
吸収させるようにした自動チョーク装置が提案された。
[考案が解決しようとする課題] 上記のようにバイメタルの駆動力をチョーク弁に伝達
する機械系にダンパバネを挿入すれば、該ダンパバネに
より、バイメタルに加わる機械的なストレスを緩和する
ことができるため、耐久性を改善することができるが、
反面応答性が悪くなのを避けられなかった。
本考案の目的は、チョーク弁を駆動する手段として電
磁石を用いることにより、応答性及び耐久性を高め、常
に正確な動作を行わせることができるようにした自動チ
ョーク装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本考案は、内燃機関の気化器のチョーク弁を制御する
ために必要な制御条件に応じて該チョーク弁の開度を制
御する自動チョーク装置に関わるものである。
本考案においては、軸線方向に並ぶn個(nは2以上
の整数)の分割コイルに分割されて該n個の分割コイル
が直列に接続されたソレノイドコイルと、n個の分割コ
イルの少なくとも1つが励磁されたときに前記ソレノイ
ドコイル内に吸引されるように設けられたプランジャ
と、プランジャをソレノイドコイルによる吸引力に抗す
る方向に付勢する復帰ばねとを備えて、ソレノイドコイ
ルが励磁されたときにチョーク弁を閉位置側に変位させ
るようにプランジャがチョーク弁に連結された電磁石
と、n個の分割コイルの直列回路の一端と接地間、及び
該直列回路の分割コイルどうしの接続点のそれぞれと接
地間とそれぞれ接続されたn個の半導体スイッチと、n
個の分割コイルの直列回路の他端と接地間に直流電圧を
印加する直流電源と、制御条件に応じてチョーク弁を所
定の開度の位置に変位させるようにn個の半導体スイッ
チをオンオフ制御する励磁制御装置とが設けられる。
[作用] 上記のように、ソレノイドコイルが複数の分割コイル
に分割された電磁石のプランジャによりチョーク弁を駆
動するように構成すると、電磁石の分割コイルの励磁を
制御することにより、プランジャを必要な量だけ変位さ
せてチョーク弁を所定の開度位置まで変位させることが
できるため、チョーク弁の駆動系に無駄な駆動力が加わ
るのを防いで、機械系の耐久性を高めることができる。
また上記のように、ソレノイドコイルを直列接続され
たn個の分割コイルに分割して、n個の分割コイルの直
列回路の一端と接地間、及び該直列回路の分割コイルど
うしの接続点のそれぞれと接地間にそれぞれn個の半導
体スイッチを接続し、制御条件に応じてチョーク弁を所
定の開度の位置に変位させるようにn個の半導体スイッ
チをオンオフ制御する励磁制御装置を設けると、n個の
半導体スイッチを順次導通させることにより、プランジ
ャを段階的に変位させてチョーク弁を所定の開度位置ま
で段階的に変位させることができる。また、各分割コイ
ルの励磁電流を連続的に変化させるように各半導体スイ
ッチをオンオフ制御することにより、プランジャを連続
的に変化させて、チョーク弁の開度を連続的に変位させ
ることもできる。このように本考案によれば、半導体ス
イッチの制御の仕方によりチョーク弁の開度を段階的に
変化させたり、連続的に変化させたりすることができる
ため、チョーク弁の操作に多様性をもたせて、より適確
な制御を行なわせることができる。
また上記のように構成すると、チョーク弁の位置は分
割コイルの励磁の仕方により定まるため、同一温度にお
ける再現性を高めることができ、常に正確な動作を行わ
せることができる。
更に電磁石は励磁されれば瞬時に動作するため、バイ
メタルを用いる場合に比べて応答性を高めることができ
る。
[実施例] 以下添付図面を参照して本考案の実施例を説明する。
第1図ないし第4図は本考案の実施例を示したもの
で、第1図は全体的な構成を示し、第2図は本実施例で
用いる電磁石の構成を示している。また第3図は分割コ
イルを励磁る回路の一例を示し、第4図はプランジャの
各位置においてプランジャ及び復帰ばねがそれぞれ発生
する力を示した線図である。
第1図において1は気化器本体で、その一端にフラン
ジ2を有し、内側に吸気路3を有している。気化器本体
の吸気路内の上流側にはチョーク弁軸4が取り付けら
れ、このチョーク弁軸4にチョーク弁5が取り付けられ
ている。チョーク弁軸4にはチョークレバー6が取り付
けられ、このチョークレバーを操作することによりチョ
ーク弁5を操作することになっている。
吸気路3の下流側にはスロットル弁軸7が取り付けら
れ、このスロットル弁軸7にスロットル弁8が取り付け
られている。スロットル弁軸7にスロットルレバー9が
取り付けられ、このスロットルレバーによりスットル弁
8が操作される。
上記の各部により気化器が構成されている。図示の状
態ではチョーク弁5が全閉位置にあり、この状態では空
気の供給量が最大限絞られるため、混合気の濃度が最も
高くなる。図示の状態からチョークレバー6が時計方向
に回動させられるとチョーク弁5が全開位置に向けて回
動していき、混合気が薄くなっていく。
第1図において10は、チョーク弁5の操作する電磁石
で、この電磁石はソレノイド11と、ソレノイド11が励磁
されたときに該ソレノイド内に吸引されるプランジャ12
と、プランジャ12をソレノイドによる吸引力に抗する方
向に付勢する復帰ばね13とからなっている。
第2図に示したように、本実施例のソレノイド11は、
樹脂製のボビン14に巻回された2つの分割コイルI及び
IIかなるソレノイドコイルと、ヨーク15とからなってい
る。ボビン14は、胴部14aと、該胴部の両端に設けられ
たつば部14b及び14cと、これらのつば部14b,14cの間を
仕切るように設けられた仕切り壁14dとを有し、つば部1
4bと仕切り壁14dとの間及びつば部14cと仕切り壁14dと
の間にそれぞれ分割コイルI及びIIが同方向に巻回され
ている。胴部14aの内側を軸線方向に貫通させて孔14eが
設けられ、この孔内に鉄等の磁性材料からなるプランジ
ャ12が嵌合されている。
ヨーク15は、分割コイルI及びIIからなるソレノイド
コイルを外側から囲むように設けられた周壁部15aと、
ボビンの内側の孔14eのつば14b側(チョーク弁と反対
側)の端部に対向するように設けられた端部壁15bとを
有し、周壁部15aの外周部に対のブラケット16,16が突設
されている。これらのブラケットに設けられた孔に挿入
されたネジ17,17により電磁石11が所定の取り付け箇所
に固定される。
この実施例では、チョーク弁5と反対側に位置する分
割コイルIの軸線方向長さL1が分割コイルIIの軸線方向
長さL2よりも大きく設定され、コイルIの巻数がコイル
IIの巻数より多く設定されている。
プランジャ12の一端12A寄りの部分にばね受け用のつ
ば部12aが設けられいて、このつば部とボビン14のつば
部14cとの間にコイルスプリングからなる復帰ばね13が
配設されている。
プランジャ12の一端にはリンク取付け孔12bが設けら
れ、この取付け孔12bに連結リンク18の一端に取り付け
られたピン19が嵌合されている。連結リンク18の他端は
チョークレバー6の先端に設けられた孔に嵌合されてい
る。
プランジャ12はその他端12Bの端面がヨークの端部壁1
5bに当接する全閉位置と、他端12Bの端面とヨークの端
部壁15bとの間に所定の間隔dが形成される全開位置と
の間を変位し得るようになっており、プランジャの全開
位置は、チョークレバー6側に設けられた図示しないス
トッパにより規制されるようになっている。プランジャ
のストロークdはチョーク弁5の回動量に応じて適宜に
設定される。
第3図は上記の分割コイルI及びIIの励磁を制御する
回路の一例を示したもので、コイルI及びIIは互いに直
列に接続されている。コイルIのコイルIIと反対側の端
子(コイルI及びIIの直列回路の一端)は、エミッタを
接地したNPNトランジスタTr1のコウレタに接続され、コ
イルI及びIIどうしの接続点にエミッタを接地したNPN
トランジスタTr2のコレクタに接続されている。コイル
I及びIIの両端にはそれぞれ、アノードをトランジスタ
Tr1のコレクタ側に向けたダイオードD1及びアノードを
トランジスタTr2のコレクタ側に向けたダイオードD2が
並列に接続され、コイルIIのコイルIと反対側の端子
(コイルI及びIIの直列回路の他端)と接地間に負極側
の出力端子が接地された直流電源Eの出力電圧が印加さ
れている。
CCはトランジスタTr1及びTr2のオンオフを制御する励
磁制御装置で、この励磁制御装置CCには内燃機関の回転
数[rpm]、吸気温度、シリンダ温度等の制御条件の検
出値が入力され、各制御条件の検出値に応じて励磁制御
装置CCからトランジスタTr1またはTr2にベース電流が与
えられるようになっている。トランジスタTr1にベース
電流が与えられると該トランジスタTr1が導通し、電源
Eから分割コイルI及びIIの双方に励磁電流が流れる。
トランジスタTr2にベース電流が与えられると該トラン
ジスタが導通して分割コイルIIのみに励磁電流が流れ
る。
尚第3図に示した例では、機関のシリンダの温度の他
に、機関の回転数と吸気温度とが制御条件として励磁制
御装置CCに入力されているが、励磁制御装置に入力する
制御条件は任意である。
第4図に示した曲線は、トランジスタTr1を導通さ
せて分割コイルI及びIIの双方に一定の励磁電流を流し
たときにプランジャの各位置Xにおいて得られる力を示
したもので、プランジャ12の他端12Bの端面がヨークの
端部壁15bに近付くにしたがって、即ち全閉位置に近付
くにしたがって端部壁15bの磁気吸引力が増大するた
め、プランジャの発生力が急激に上昇する。この上昇カ
ーブはヨーク及びプランジャの形状等により相違する。
プランジャ12が半開位置Dから全開位置の範囲にあると
きには、ヨークの端部壁15bとプランジャ12との間の磁
気吸引力による発生力がほとんどないため、コイル長さ
がL1+L2の単一ソレノイド内にプランジャを挿入した場
合の特性に近くなる。
第4図において曲線は、トランジスタTr2を導通さ
せて分割コイルIIのみに一定の励磁電流を流したときに
プランジャの各位置で発生する力を示したもので、プラ
ンジャの可動範囲の全域で単一ソレノイドの特性に近い
特性が得られる。
第4図の直線は復帰ばね13の特性で、この復帰ばね
により得られる力は、プランジャの可動範囲の全域で、
コイルI,IIの双方を励磁した場合の発生力より下回って
いる。
コイルI及びIIの双方に励磁電流を流したときのプラ
ンジャの停止位置は、全閉位置(トランジスタTr1の導
通時)と全開位置(トランジスタTr1及びTr2の遮断時)
の2点である。またコイルIIのみに励磁電流を流したと
きには、プランジャの発生力と復帰ばね13の付勢力とが
釣り合う半開位置(D点)でプランジャが停止する。
従って、この実施例においてプランジャの停止位置
は、全閉位置、半開位置D及び全開位置の3位置であ
る。
励磁制御装置CCによる制御内容は機関により異なる
が、暖気運転時には少なくともチョーク弁の開度が常に
第8図に適正範囲に入るように、シリンダ温度の検出値
に応じてトランジスタTr1またはTr2にベース電流を与え
ることによりチョーク弁の開度を制御する。
また機関の定常運転時においても、一般に機関の回転
数が低い領域では混合気を濃くし、回転数が高い領域で
は混合気を薄くすることが必要とされるため、機関の回
転数に応じてトランジスタTr1,Tr2をオンオフさせるこ
とにより、チョーク弁の開度を制御することもできる。
更に、機関の吸気温度が低いときに混合気を濃くし、
吸気温度が高いときに混合気を薄くするようにチョーク
弁の開度を制御することもできる。
トランジスタTr1及びTr2のオンオフ制御は例えばマイ
クロコンピュータを用いることにより行うことができ
る。マイクロコンピュータを用いてトランジスタTr1及
びTr2のオンオフ制御を行う場合、励磁制御装置CCは、
各制御条件を検知するセンサの出力を設定値と比較して
その比較の結果からいずれのトランジスタを導通させる
かの判断を行う手段と、この手段により決定されたトラ
ンジスタにベース電流を与えることを指示する指令手段
と、所定のトランジスタにベース電流を与えることを指
示する信号が出力されたときに所定のトランジスタにベ
ース電流を流すインターフェース回路とにより構成する
ことができる。
マイクロコンピュータを用いて、チョーク弁の開度を
制御するようにトランジスタTr1及びTr2のオンオフ制御
する場合の制御アルゴリズムの一例を第9図に示した。
この制御アルゴリズムでは、機関の始動時にシリンダの
温度tcが第8図に示した設定温度tc1以下のときにチョ
ーク弁を全閉状態にし、シリンダ温度tが設定温度tc1
以上設定温度tc2未満のときにチョーク弁を半開状態に
し、シリンダ温度tcが設定温度tc2以上になったときに
チョーク弁を全開状態にするようにチョーク弁開度を制
御している。
また機関が始動した後は吸気温度taが設定温度ta1よ
りも低く、機関の回転数Nが設定回転数Nsよりも低いと
きチョーク弁を半開状態にし、吸気温度taが設定温度ta
1よりも高く、機関の回転数Nが設定値Ns以上になって
いるときにチョーク弁を全開状態にするように制御して
いる。
第9図に示した例では、機関の始動時にシリンダ温度
に応じてチョーク弁を制御し、機関の始動後に吸気温度
及び機関の回転速度に応じてチョーク弁を制御するよう
にしたが、機関始動時にシリンダ温度に加えて吸気温度
を制御条件に入れることもできる。例えばシリンダ温度
が設定値以下で吸気温度が設定値以下の場合のみ、それ
ぞれの温度に応じてチョーク弁を全閉状態または半開状
態にする制御を行い、シリンダ温度が設定値以上の場合
または吸気温度が設定値以上ある場合にはチョーク弁を
全開位置に保持するように制御することもできる。
更に機関が始動した後の制御において、機関の回転速
度及び吸気温度に加えてシリンダ温度を制御条件に入れ
ることもできる。
また機関の始動後、シリンダの温度を監視することに
より暖気運転の完了を検出するようにして、暖気運転が
完了するまでの間のみ吸気温度及び(または)回転速度
に応じてチョーク弁の制御を行い、暖気運転が完了した
後はチョーク弁の制御を停止させるようにすることもで
きる。
この場合暖気運転時の制御条件をシリンダの温度のみ
とするともできる。
要するに機関の特性、使用場所等に応じて所定の制御
条件を定めて、機関の始動時、暖気運転時及び定常運転
時に種々の制御を行わせることができ、励磁制御装置CC
の構成はその制御内容に応じて適宜に変更することがで
きる。
上記の実施例では、マイクロコンピュータにより分割
コイルの励磁を制御するとしたが、制御条件を検知する
センサの出力に応じて各半導体スイッチ(上記の例では
トランジスタ)にトリガ信号を与える回路により励磁制
御装置CCを構成することもできる。
上記の実施例では、チョーク弁を全閉、半開及び全開
の3位置に制御するようにしたが、ソレノイドコイルの
分割数nを更に多くすることにより、更に細かくチョー
ク弁の開度を制御することもできる。
一例としてn=4とした場合の電磁石の構成例を第5
図に示し、この電磁石の励磁を制御する回路の構成例を
第6図に示した。この例では、ボビンのつば部14aと14b
との間が仕切り壁14d1〜14d3により4つのコイル巻回部
分に分けられ、これら4つのコイル巻回部分にそれぞれ
4つの分割コイルI〜IVが同方向に巻回されている。コ
イルI〜IVは番号順に直列接続され、コルルIのコイル
IIと反対側の端子(コイルI〜IVの直列回路の一端)に
エミッタが接地されたNPNトランジスタTr1のコレクタが
接続されている。コイルI及びIIどうしの接続点、コイ
ルII及びIIIどうしの接続点、コイルIII及びIVどうしの
接続点にそれぞれ、エミッタが接地されたNPNトランジ
スタTr2,Tr3及びTr4のコレクタが接続され、コイルI〜
IVの直列回路の他端と接地間に負極側の出力端子が接地
された電流電源Eの出力電圧が印加されている。コイル
I〜IVの両端にはそれぞれ、トランジスタTr1〜Tr4のコ
レクタにアノードが接続されたダイオードD1〜D4が並列
接続されている。トランジスタTr1〜Tr4には励磁制御装
置CCからベース電流が与えられている。
第5図に示した電磁石の発生力とプランジャ位置との
関係を第7図に示した。第7図において曲線はトラン
ジスタTr1のみを導通させてコイルI〜IVの全てに一定
の励磁電流を流した場合の特性を示し、曲線はトラン
ジスタTr2のみを導通させてコイルII〜IVに一定の励磁
電流を流した場合の特性を示している。曲線はトラン
ジスタTr3のみを導通させてコイルIII,IVに一定の電流
を流した場合の特性を示し、曲線はトランジスタTr4
のみを導通させてコイルIVのみに一定の電流を流した場
合の特性を示している。直線は復帰ばねの付勢力を示
している。
分割コイルI〜IVの全てを励磁したときには、曲線
のようにプランジャ位置の全域で電磁石の発生力が復帰
ばねの付勢力(直線)りも大きいため、プランジャ12
は全閉位置まで吸引される。またコイルII〜IVを励磁し
た場合には、曲線と復帰ばねの特性を示す直線との
交点Pでプランジャが停止し、コイルIII及びIVを励磁
した場合には、曲線と直線との交点Qでプランジャ
が停止する。コイルIVのみを励磁した場合には、曲線
と直線との交点Rでプランジャが停止する。即ちこの
例ではプランジャが、全閉位置、P点、Q点、R点及び
全開位置の5つの位置で停止する。従ってこの電磁石を
用いれば、第2図の電磁石を用いる場合に比べてチョー
ク弁の開度をより細かく調節することができ、より精密
な制御を行わせたり、制御に多様性をもたせたりするこ
とができる。
上記の各実施例では、分割コイルを励磁する際に流す
電流を一定として、プランジャの位置を段階的に変化さ
せるようにしたが、各分割コイルに流す電流を連続的に
変化させるように各分割コイルの励磁電流をオンオフ制
御する半導体スイッチを制御することにより、プランジ
ャの位置をそのストロークの全領域で、または特定の領
域で連続的に変化させる使い方をすることもできる。
[考案の効果] 以上のように、本考案によれば、チョーク弁を操作す
る駆動源として電磁石を用い、該電磁石のコイルを複数
の分割コイルに分割して該分割コイルの励磁を制御する
ようにしたので、プランジャを必要な量だけ変位させて
チョーク弁を所定の開度位置まで変位させることができ
る。従って、チョーク弁の駆動系に無駄な駆動力が加わ
ることがなく、機械系の耐久性を高めることができる利
点がある。
また本考案によれば、チョーク弁の位置が分割コイル
の励磁の仕方により定まるため、同一温度における再現
性を高めることができ、常に正常な動作を行わせること
ができる利点がある。
更に本考案によれば、電磁石の励磁によりチョーク弁
を瞬時に動作させることができるため、バイメタルを用
いる場合に比べて応答性を高めることができる。
また本考案によれば、ソレノイドコイルを直列接続さ
れたn個の分割コイルに分割して、n個の分割コイルの
直列回路の一端と接地間、及び該直列回路の分割コイル
どうしの接続点のそれぞれと接地間にそれぞれn個の半
導体スイッチを接続し、制御条件に応じてチョーク弁を
所定の開度の位置に変位させるようにn個の半導体スイ
ッチをオンオフ制御する励磁制御装置を設けたので、n
個の半導体スイッチを順次導通させることにより、プラ
ンジャを段階的に変位させてチョーク弁を所定の開度位
置まで段階的に変位させたり、各分割コイルの励磁電流
を連続的に変化させるように各半導体スイッチをオンオ
フ制御することにより、プランジャを連続的に変化させ
て、チョーク弁の開度を連続的に変位させたりすること
ができる。このように本考案によれば、半導体スイッチ
の制御の仕方によりチョーク弁の開度を段階的に変化さ
せたり、連続的に変化させたりすることがきるため、チ
ョーク弁の操作に多様性をもたせて、より適確な制御を
行なわせることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例の全体的な構成を示した構成
図、第2図は本実施例で用いる電磁石の構成を示した断
面図、第3図は分割コイルを励磁する回路の一例を示し
た回路図、第4図はプランジャの各位置においてプラン
ジャ及び復帰ばねがそれぞれ発生する力を示した線図、
第5図は本考案の他の実施例で用いる電磁石の構成を示
した断面図、第6図は分割コイルを励磁する回路の一例
を示した回路図、第7図はプランジャの各位置において
プランジャ及び復帰ばねがそれぞれ発生する力を示した
線図、第8図は機関のチョーク弁開度及びシリンダヘッ
ドの温度と始動不可能域及び適正域との関係を示した線
図、第9図は本考案の実施例で用いる制御装置の制御ア
ルゴリズムを示したフローチャートである。 1…気化器本体、5…チョーク弁、10…電磁石、11…ソ
レノイド、12…プランジャ、13…復帰ばね、14…ボビ
ン、15…ヨーク、I〜IV…分割コイル、18…連結リン
ク、Tr1〜Tr4…トランジスタ、CC…励磁制御装置。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】内燃機関の気化器のチョーク弁を制御する
    ために必要な制御条件に応じて該チョーク弁の開度を制
    御する自動チョーク装置において、 軸線方向に並ぶn個(nは2以上の整数)の分割コイル
    に分割されて該n個の分割コイルが直列に接続されたソ
    レノイドコイルと、前記n個の分割コイルの少なくとも
    1つが励磁されたときに前記ソレノイドコイル内に吸引
    されるように設けられたプランジャと、前記プランジャ
    を前記ソレノイドコイルによる吸引力に抗する方向に付
    勢する復帰ばねとを備えていて、前記ソレノイドコイル
    が励磁されたときにチョーク弁を閉位置側に変位させる
    ように前記プランジャがチョーク弁に連結されている電
    磁石と、 前記n個の分割コイルの直列回路の一端と接地間、及び
    該直列回路の分割コイルどうしの接続点のそれぞれと接
    地間にそれぞれ接続されたn個の半導体スイッチと、 前記n個の分割コイルの直列回路の他端と接地間に直流
    電圧を印加する直流電源と、 前記制御条件に応じて前記チョーク弁を所定の開度の位
    置に変位させるように前記n個の半導体スイッチをオン
    オフ制御する励磁制御装置とを具備したことを特徴とす
    る自動チョーク装置。
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