JPH086170B2 - ＴｉＮ系着色膜形成装置 - Google Patents
ＴｉＮ系着色膜形成装置Info
- Publication number
- JPH086170B2 JPH086170B2 JP61306731A JP30673186A JPH086170B2 JP H086170 B2 JPH086170 B2 JP H086170B2 JP 61306731 A JP61306731 A JP 61306731A JP 30673186 A JP30673186 A JP 30673186A JP H086170 B2 JPH086170 B2 JP H086170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- tin
- gas
- colored film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、耐蝕性に優れ、かつ、装飾性に優れたTiN
系着色膜を形成する装置に関する。
系着色膜を形成する装置に関する。
TiN膜は高硬度で耐蝕性に優れ、かつ、特有の金色を
しているため、工具の表面硬化処理、各種部品の装飾用
等に多用されている。このようなTiN膜は、その組成比
を僅かにずらせば黒紫色になり、組成中に炭素を取り込
めば赤紫色になる、と言うように、着色膜としての可能
性がある。しかしながら、現在使用されているTiN膜の
形成装置、たとえば、CVD装置や、イオンプレーティン
グ，スパッタリング等のPVD装置等では、耐蝕性に優れ
た着色膜を得ることが難しい。また、これらの装置で
は、着色を自由に制御することが難しい、と言う問題も
ある。
しているため、工具の表面硬化処理、各種部品の装飾用
等に多用されている。このようなTiN膜は、その組成比
を僅かにずらせば黒紫色になり、組成中に炭素を取り込
めば赤紫色になる、と言うように、着色膜としての可能
性がある。しかしながら、現在使用されているTiN膜の
形成装置、たとえば、CVD装置や、イオンプレーティン
グ，スパッタリング等のPVD装置等では、耐蝕性に優れ
た着色膜を得ることが難しい。また、これらの装置で
は、着色を自由に制御することが難しい、と言う問題も
ある。
本発明の目的は、耐蝕性に優れ、かつ、金色以外の装
飾性に優れたTiN系着色膜を得ることができ、しかも、
その色調を自由に制御することができるTiN系着色膜形
成装置を提供することである。
飾性に優れたTiN系着色膜を得ることができ、しかも、
その色調を自由に制御することができるTiN系着色膜形
成装置を提供することである。
本発明は、真空槽、前記真空槽内にTiを加熱蒸発させ
るための電子ビーム蒸発源、窒素イオンビームを発生さ
せるイオン銃を備え、前記真空槽内に前記電子ビーム蒸
発源に向き合うように基材が取り付けられるようになっ
ており、前記イオン銃がその銃口を前記基材に向けるよ
うに前記真空槽壁面に配置されているTiN系着色膜形成
装置であって、電圧の印加により前記窒素イオンビーム
のイオンの速度を変えるための電極、前記窒素イオンビ
ームとは別にガスを前記真空槽内に供給するためのガス
供給系をさらに備え、前記電極に電圧が印加されるこ
と、前記ガス供給系から前記ガスが前記真空槽内に供給
されることの少なくともいずれか一方により前記基材表
面に形成されるTiN膜を着色するようになっているTiN系
着色膜形成装置を提供する。
るための電子ビーム蒸発源、窒素イオンビームを発生さ
せるイオン銃を備え、前記真空槽内に前記電子ビーム蒸
発源に向き合うように基材が取り付けられるようになっ
ており、前記イオン銃がその銃口を前記基材に向けるよ
うに前記真空槽壁面に配置されているTiN系着色膜形成
装置であって、電圧の印加により前記窒素イオンビーム
のイオンの速度を変えるための電極、前記窒素イオンビ
ームとは別にガスを前記真空槽内に供給するためのガス
供給系をさらに備え、前記電極に電圧が印加されるこ
と、前記ガス供給系から前記ガスが前記真空槽内に供給
されることの少なくともいずれか一方により前記基材表
面に形成されるTiN膜を着色するようになっているTiN系
着色膜形成装置を提供する。
以下に、本発明を、その１実施例をあらわす第１図を
参照しつつ、詳しく説明する。
参照しつつ、詳しく説明する。
第１図にみるように、この装置は、真空槽１内に、Ti
を加熱蒸発させるための電子ビーム蒸発源２を備え、真
空槽１壁面には、窒素イオンビームを発生させるイオン
銃３を備えている。
を加熱蒸発させるための電子ビーム蒸発源２を備え、真
空槽１壁面には、窒素イオンビームを発生させるイオン
銃３を備えている。
真空槽１内には、前記電子ビーム蒸発源２に向き合う
ように基材４が取り付けられるようになっている。ま
た、前記イオン銃３は、そのような基材４に銃口を向け
るように、前記壁面に配置されている。
ように基材４が取り付けられるようになっている。ま
た、前記イオン銃３は、そのような基材４に銃口を向け
るように、前記壁面に配置されている。
イオン銃３の銃口前方には、このイオン銃３の銃口口
径よりも僅かに大きい径、たとえば、30〜50mm程度の径
のリング状の外部電極５が取り付けられている。この外
部電極５は、電圧が印加されることでイオン銃３より照
射されるイオンの速度を変えるためのものである。
径よりも僅かに大きい径、たとえば、30〜50mm程度の径
のリング状の外部電極５が取り付けられている。この外
部電極５は、電圧が印加されることでイオン銃３より照
射されるイオンの速度を変えるためのものである。
真空槽１には、前記イオン銃３に窒素ガスを供給する
ための、ガスボンベ６やニードル弁９等からなるガス供
給系Ａとは別に、ガスボンベ7,8やニードル弁10等から
なるガス供給系Ｂが設けられており、それによって真空
槽１内にガスを供給し得るようになっている。
ための、ガスボンベ６やニードル弁９等からなるガス供
給系Ａとは別に、ガスボンベ7,8やニードル弁10等から
なるガス供給系Ｂが設けられており、それによって真空
槽１内にガスを供給し得るようになっている。
以上のような装置を使用した、TiN系着色膜の形成法
の１例を以下に説明する。
の１例を以下に説明する。
まず、基材４を真空槽１内の所定の位置にセットす
る。つぎに、図にはあらわしていない排気系によって真
空槽１内の空気を排気し、真空度２×10-3Pa程度の真空
状態とする。
る。つぎに、図にはあらわしていない排気系によって真
空槽１内の空気を排気し、真空度２×10-3Pa程度の真空
状態とする。
真空度が所定の値になったところで、イオン銃３にガ
スボンベ６より窒素ガスを供給し、窒素イオンビーム11
を発生させて、基材４表面をイオンボンバード処理す
る。イオンボンバード処理の条件は、本発明では特に限
定されないが、ここでは、イオン銃３の加速電圧0.5〜2
keV,基材位置における電流密度40μA/cm2以上の条件で
数分間処理を行った。
スボンベ６より窒素ガスを供給し、窒素イオンビーム11
を発生させて、基材４表面をイオンボンバード処理す
る。イオンボンバード処理の条件は、本発明では特に限
定されないが、ここでは、イオン銃３の加速電圧0.5〜2
keV,基材位置における電流密度40μA/cm2以上の条件で
数分間処理を行った。
このイオンボンバード処理は、上記窒素ガスでなく、
Arガス等の希ガス類で行われるようであっても構わな
い。
Arガス等の希ガス類で行われるようであっても構わな
い。
そのあと、イオンボンバード処理が窒素イオンビーム
で行われている場合にはその照射を続け、前記希ガス類
のイオンビームで行われている場合には、窒素イオンビ
ームに切り換える。
で行われている場合にはその照射を続け、前記希ガス類
のイオンビームで行われている場合には、窒素イオンビ
ームに切り換える。
つぎに、電子ビーム蒸発源２のツルボ2a内にセットさ
れた金属チタニウム（以下「Ti」と記す）12に、フィラ
メント2bより電子ビーム2cを照射して溶融させる。そう
すると、溶融したTiが蒸発し、蒸発流13となって基材４
表面に到達する。その際、図にみるように、このTiの蒸
発流13と窒素イオンビーム11とが、基材４の表面付近で
交差しており、そこで、以下のような反応が行われる。
れた金属チタニウム（以下「Ti」と記す）12に、フィラ
メント2bより電子ビーム2cを照射して溶融させる。そう
すると、溶融したTiが蒸発し、蒸発流13となって基材４
表面に到達する。その際、図にみるように、このTiの蒸
発流13と窒素イオンビーム11とが、基材４の表面付近で
交差しており、そこで、以下のような反応が行われる。
2Ti＋N2 +＋e-→2TiN なお、第１図中、14は、Tiの蒸発速度を測定するため
のセンサ、15はこのセンサによる蒸発速度の測定値に基
づいてTi蒸発源２のフィラメント2bを制御するためのレ
ーンコントローラである。これらを設置しておけば、そ
れによってTiの蒸発速度を、あらかじめ設定された値に
することが可能となる。
のセンサ、15はこのセンサによる蒸発速度の測定値に基
づいてTi蒸発源２のフィラメント2bを制御するためのレ
ーンコントローラである。これらを設置しておけば、そ
れによってTiの蒸発速度を、あらかじめ設定された値に
することが可能となる。
Tiの蒸発速度や窒素イオンビームの電流密度等の条件
は、本発明では特に限定されないが、この装置では、Ti
の蒸発速度が、前記センサ14による測定値、すなわち、
基材４表面における膜形成速度に換算して１〜10Å/se
c,窒素イオンビームの電流密度を20〜200μA/cm2程度の
範囲内で選定する。
は、本発明では特に限定されないが、この装置では、Ti
の蒸発速度が、前記センサ14による測定値、すなわち、
基材４表面における膜形成速度に換算して１〜10Å/se
c,窒素イオンビームの電流密度を20〜200μA/cm2程度の
範囲内で選定する。
通常の条件で形成されるTiNは、金色を呈している
が、その組成比を僅かにずらしてやれば、前述したよう
に黒紫色となる。本発明の装置では、そのように組成比
をずらすことを、以下の２法のうち少なくとも一方によ
って行っている。
が、その組成比を僅かにずらしてやれば、前述したよう
に黒紫色となる。本発明の装置では、そのように組成比
をずらすことを、以下の２法のうち少なくとも一方によ
って行っている。
第１の方法は、前記電極５に電圧を印加することであ
る。電極５に電圧を印加することによって窒素イオンビ
ームのイオンの速度を変える。この方法は、窒素イオン
の速度を変えてやれば、基材４表面に到達するN2 +イオ
ンの単位時間当たりの量が変化することを利用してい
る。たとえば、外部電極５に＋100〜＋200V程度の正の
電圧を印加して窒素イオンを減速してやれば、N2 +イオ
ンの単位時間当たりの量が減ることになり、膜組成をTi
側にずらすことができるようになる。
る。電極５に電圧を印加することによって窒素イオンビ
ームのイオンの速度を変える。この方法は、窒素イオン
の速度を変えてやれば、基材４表面に到達するN2 +イオ
ンの単位時間当たりの量が変化することを利用してい
る。たとえば、外部電極５に＋100〜＋200V程度の正の
電圧を印加して窒素イオンを減速してやれば、N2 +イオ
ンの単位時間当たりの量が減ることになり、膜組成をTi
側にずらすことができるようになる。
第２の方法は、前記イオン銃３に窒素ガスを供給する
ガス供給系Ａとは別のガス供給系Ｂの窒素ガスボンベ８
より、真空槽１内に１〜10SCCM程度の窒素ガスを供給
し、それによって、基材４表面付近でのTiとＮとの比率
を変化させる方法である。
ガス供給系Ａとは別のガス供給系Ｂの窒素ガスボンベ８
より、真空槽１内に１〜10SCCM程度の窒素ガスを供給
し、それによって、基材４表面付近でのTiとＮとの比率
を変化させる方法である。
以上の方法は、いずれか一方を行うようであってもよ
いし。両者が併用されるようであっても構わない。色の
調整は、前記窒素イオンの速度やガス供給系Ｂからの窒
素ガス供給量を変えることで行ってもよいし、前記Tiの
蒸発速度を変化させることで行うようであってもよい。
いし。両者が併用されるようであっても構わない。色の
調整は、前記窒素イオンの速度やガス供給系Ｂからの窒
素ガス供給量を変えることで行ってもよいし、前記Tiの
蒸発速度を変化させることで行うようであってもよい。
以上のような、この実施例によれば、基材４表面に形
成されるTiN膜中のTiとＮの組成比をずらすことで、主
として黒紫色の発色をさせることが可能となる。しか
も、本発明の装置を用いた方法で得られるTiN膜は、そ
れ自体、イオンビームエネルギーの効果によって密着
性，緻密性等に優れたものであるため、高い耐蝕性を得
ることもできる。
成されるTiN膜中のTiとＮの組成比をずらすことで、主
として黒紫色の発色をさせることが可能となる。しか
も、本発明の装置を用いた方法で得られるTiN膜は、そ
れ自体、イオンビームエネルギーの効果によって密着
性，緻密性等に優れたものであるため、高い耐蝕性を得
ることもできる。
なお、ガス供給系Ｂより供給されるガスを、たとえ
ば、メタン，アセチレン等の炭化水素系ガスにすると、
基材４表面に形成されるTiN膜中に微量の炭素が取り込
まれてTiCN膜ができ、赤紫色に着色させることができ
る。この際、色の調整は、ガスボンベ９からの前記炭化
水素ガスの供給量を変えることで行ってもよいし、先の
実施例と同様に、窒素イオンの速度やTiの蒸発速度を変
化させることで行うようであってもよい。
ば、メタン，アセチレン等の炭化水素系ガスにすると、
基材４表面に形成されるTiN膜中に微量の炭素が取り込
まれてTiCN膜ができ、赤紫色に着色させることができ
る。この際、色の調整は、ガスボンベ９からの前記炭化
水素ガスの供給量を変えることで行ってもよいし、先の
実施例と同様に、窒素イオンの速度やTiの蒸発速度を変
化させることで行うようであってもよい。
このようにして得られたTiCN膜も、先の黒紫色TiN膜
同様、それ自体、イオンビームエネルギーの効果によっ
て密着性，緻密性等に優れたものであるため、高い耐蝕
性を得ることができる。
同様、それ自体、イオンビームエネルギーの効果によっ
て密着性，緻密性等に優れたものであるため、高い耐蝕
性を得ることができる。
なお、これまでは、第１図の装置を用いた、以上の実
施例にもとづいてのみ、本発明のTiN系着色膜形成装置
を説明してきたが、本発明は第１図に示す実施例の装置
に限定されるものではない。要するに、真空槽内に基材
を配置して窒素イオンビームを照射しつつTiを蒸発さ
せ、前記基材表面にTiN膜を形成するにあたり、電圧の
印加により前記窒素イオンビームのイオンの速度が可変
となるように電極を設置するとともに、この窒素イオン
ビームとは別にガスを前記真空槽内に供給し得るように
しておき、これらを用いることにより基材表面に形成さ
れるTiN系着色膜を着色するようになっているのであれ
ば、その他の構成は特に限定されないのである。
施例にもとづいてのみ、本発明のTiN系着色膜形成装置
を説明してきたが、本発明は第１図に示す実施例の装置
に限定されるものではない。要するに、真空槽内に基材
を配置して窒素イオンビームを照射しつつTiを蒸発さ
せ、前記基材表面にTiN膜を形成するにあたり、電圧の
印加により前記窒素イオンビームのイオンの速度が可変
となるように電極を設置するとともに、この窒素イオン
ビームとは別にガスを前記真空槽内に供給し得るように
しておき、これらを用いることにより基材表面に形成さ
れるTiN系着色膜を着色するようになっているのであれ
ば、その他の構成は特に限定されないのである。
本発明のTiN系着色膜形成装置は、真空槽、前記真空
槽内にTiを加熱蒸発させるための電子ビーム蒸発源、窒
素イオンビームを発生させるイオン銃を備え、前記真空
槽内に前記電子ビーム蒸発源に向き合うように基材が取
り付けられるようになっており、前記イオン銃がその銃
口を前記基材に向けるように前記真空槽壁面に配置され
ているTiN系着色膜形成装置であって、電圧の印加によ
り前記窒素イオンビームのイオンの速度を変えるための
電極、前記窒素イオンビームとは別にガスを前記真空槽
内に供給するためのガス供給系をさらに備え、前記電極
に電圧が印加されること、前記ガス供給系から前記ガス
が前記真空槽内に供給されることの少なくともいずれか
一方により前記基材表面に形成されるTiN膜を着色する
ようになっているため、耐蝕性に優れるだけでなく、金
色以外の装飾性に優れたTiN系着色膜を得ることでき
る。しかも、電極に電圧を印加したり、および／また
は、ガス供給系から窒素イオンビームとは別にガスを真
空槽内に供給したりすることを選択的に行うことができ
るため、その着色、すなわち色調を自由に制御すること
ができるようになっており、非常に有用である。
槽内にTiを加熱蒸発させるための電子ビーム蒸発源、窒
素イオンビームを発生させるイオン銃を備え、前記真空
槽内に前記電子ビーム蒸発源に向き合うように基材が取
り付けられるようになっており、前記イオン銃がその銃
口を前記基材に向けるように前記真空槽壁面に配置され
ているTiN系着色膜形成装置であって、電圧の印加によ
り前記窒素イオンビームのイオンの速度を変えるための
電極、前記窒素イオンビームとは別にガスを前記真空槽
内に供給するためのガス供給系をさらに備え、前記電極
に電圧が印加されること、前記ガス供給系から前記ガス
が前記真空槽内に供給されることの少なくともいずれか
一方により前記基材表面に形成されるTiN膜を着色する
ようになっているため、耐蝕性に優れるだけでなく、金
色以外の装飾性に優れたTiN系着色膜を得ることでき
る。しかも、電極に電圧を印加したり、および／また
は、ガス供給系から窒素イオンビームとは別にガスを真
空槽内に供給したりすることを選択的に行うことができ
るため、その着色、すなわち色調を自由に制御すること
ができるようになっており、非常に有用である。
第１図は、本発明の装置の１実施例を説明する説明図で
ある。 １……真空槽、４……基材、５……外部電極、８……窒
素ガスボンベ、９……炭化水素ガスボンベ、11……窒素
イオンビーム、13……Ti蒸発流、Ｂ……ガス供給系
ある。 １……真空槽、４……基材、５……外部電極、８……窒
素ガスボンベ、９……炭化水素ガスボンベ、11……窒素
イオンビーム、13……Ti蒸発流、Ｂ……ガス供給系
Claims (2)
- 【請求項１】真空槽、前記真空槽内にTiを加熱蒸発させ
るための電子ビーム蒸発源、窒素イオンビームを発生さ
せるイオン銃を備え、前記真空槽内に前記電子ビーム蒸
発源に向き合うように基材が取り付けられるようになっ
ており、前記イオン銃がその銃口を前記基材に向けるよ
うに前記真空槽壁面に配置されているTiN系着色膜形成
装置であって、電圧の印加により前記窒素イオンビーム
のイオンの速度を変えるための電極、前記窒素イオンビ
ームとは別にガスを前記真空槽内に供給するためのガス
供給系をさらに備え、前記電極に電圧が印加されるこ
と、前記ガス供給系から前記ガスが前記真空槽内に供給
されることの少なくともいずれか一方により前記基材表
面に形成されるTiN膜を着色するようになっているTiN系
着色膜形成装置。 - 【請求項２】前記ガス供給系が、炭化水素系ガスを前記
真空槽内に供給するようになっている特許請求の範囲第
１項に記載のTiN系着色膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306731A JPH086170B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ＴｉＮ系着色膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306731A JPH086170B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ＴｉＮ系着色膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63161155A JPS63161155A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH086170B2 true JPH086170B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=17960620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61306731A Expired - Lifetime JPH086170B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ＴｉＮ系着色膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH086170B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2675439B2 (ja) * | 1991-01-11 | 1997-11-12 | 三洋電機株式会社 | 高機能薄膜の形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149159A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Outer accessory for watch |
| JPH0635651B2 (ja) * | 1985-02-15 | 1994-05-11 | 日新電機株式会社 | 窒化チタン薄膜形成方法 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61306731A patent/JPH086170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63161155A (ja) | 1988-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5346600A (en) | Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials | |
| JP3386484B2 (ja) | コーティングされた高耐摩耗性工具および高耐摩耗性工具に物理的にコーティングを施す方法 | |
| JP2836876B2 (ja) | 物理的な蒸着の二重被覆を行う装置および方法 | |
| US4415421A (en) | Process for manufacturing ornamental parts and ion plating apparatus to be used therefor | |
| GB2055403A (en) | Method for depositing hard wear-resistant coatings on substrates | |
| JP2840502B2 (ja) | 高機能材料膜形成方法 | |
| KR0148355B1 (ko) | 고용체 층으로 피복된 작업편, 그 제조방법, 작업편의 용도, 및 상기 방법을 실시하기 위한 장치 | |
| JPH086170B2 (ja) | ＴｉＮ系着色膜形成装置 | |
| JPS6196721A (ja) | 被膜形成方法 | |
| JPH0686657B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2744069B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPS6352108B2 (ja) | ||
| JP2857743B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| JPS63161156A (ja) | 硬質青色薄膜およびその製造方法 | |
| JPH02270974A (ja) | 表面着色方法 | |
| JP3291088B2 (ja) | 被膜形成方法 | |
| JP2634487B2 (ja) | イオンプレーティングによる耐摩耗性被膜形成法 | |
| KR100295618B1 (ko) | 이온빔을이용한고진공마그네트론스퍼터링방법 | |
| JPS6053113B2 (ja) | 被膜の形成方法 | |
| JP2703419B2 (ja) | 高機能材料膜 | |
| JP3464998B2 (ja) | イオンプレーティング装置及びイオンプレーティングによる蒸着膜の膜厚と組成分布を制御する方法 | |
| JP2840335B2 (ja) | 高機能性被膜の形成方法 | |
| JPS60131964A (ja) | 膜被覆物の製造方法 | |
| JP2636577B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JPH01168857A (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 |