JPH02270974A - 表面着色方法 - Google Patents
表面着色方法Info
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- JPH02270974A JPH02270974A JP8969989A JP8969989A JPH02270974A JP H02270974 A JPH02270974 A JP H02270974A JP 8969989 A JP8969989 A JP 8969989A JP 8969989 A JP8969989 A JP 8969989A JP H02270974 A JPH02270974 A JP H02270974A
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- JP
- Japan
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- film
- base material
- ions
- gaseous
- vacuum chamber
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- Pending
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- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、装身具、建材等の製品の装飾作業等に適用さ
れる金属表面の着色方法に関する。
れる金属表面の着色方法に関する。
従来、ステンレス鋼等の着色方法としては、Ｔｉｃ 、
ＴｉＮ等のセラミックス皮膜の蒸着方法か、チタン又
はステンレス本体に直接化学エツチングする方法があっ
た。
ＴｉＮ等のセラミックス皮膜の蒸着方法か、チタン又
はステンレス本体に直接化学エツチングする方法があっ
た。
従来方法のＴｉＮ、Ｔｉｃ皮膜を蒸着させる着色方法で
は、ＴｉＮは黄金色ＴｉＣは黒色の着色のみしかできな
い。またチタン及びステンレス鋼本体に直接化学エツチ
ングする方法では任意の色彩を得ることができるが、表
面の凹凸により金属光沢のような輝きにかける。
は、ＴｉＮは黄金色ＴｉＣは黒色の着色のみしかできな
い。またチタン及びステンレス鋼本体に直接化学エツチ
ングする方法では任意の色彩を得ることができるが、表
面の凹凸により金属光沢のような輝きにかける。
本発明は、従来着色方法の上記問題点を解決しようとす
るものである。
るものである。
本発明の表面着色方法は、基材表面にチタニウムを真空
蒸着させて皮膜を形成し友上、同皮膜表面を酸素又はア
セチレンガス雰囲気中でイオンボンバード処理すること
を特徴とする。
蒸着させて皮膜を形成し友上、同皮膜表面を酸素又はア
セチレンガス雰囲気中でイオンボンバード処理すること
を特徴とする。
本発明では、基材表面にチタニウム（以下Ｔｉと記す）
を真空蒸発させてＴｉ皮膜を形成する。
を真空蒸発させてＴｉ皮膜を形成する。
この皮膜に酸素又はアセチレン雰囲気中でイオンボンバ
ード処理することによって、着色ガスイオンがＴｉ皮膜
に打込まれる。このガスイオンの打込む深さとガスイオ
ンとＴｉとの結合状態とを制御することＫよって、種々
の色彩の皮膜が基板の表面に形成される。
ード処理することによって、着色ガスイオンがＴｉ皮膜
に打込まれる。このガスイオンの打込む深さとガスイオ
ンとＴｉとの結合状態とを制御することＫよって、種々
の色彩の皮膜が基板の表面に形成される。
まえ、本発明において、皮膜表面には凹凸がなく、金属
光沢をもった着色表面が得られる。
光沢をもった着色表面が得られる。
本発明の実施例における工程を第１図によって説明する
。
。
まず基材３を真空槽１内の所定の位置にセットする。つ
ぎに図示を省略した排気系１４４ｃよって真空槽１内を
排気し、真空度５ Ｘ １０−５ Ｔｏｒｒ程度の真空
状態とする。真空度が所定の値になったところで、ヒー
タ４により基板３を３５０℃〜５００℃に加熱する。
ぎに図示を省略した排気系１４４ｃよって真空槽１内を
排気し、真空度５ Ｘ １０−５ Ｔｏｒｒ程度の真空
状態とする。真空度が所定の値になったところで、ヒー
タ４により基板３を３５０℃〜５００℃に加熱する。
次に真空槽１内に配置されたルツボ２内にセットされた
金属Ｔｉ５を、ホロカン−ドアとルツボ２の間に電圧を
印加することＫよって蒸発させ同時にこのＴｉ蒸気をイ
オン化し、基材表面に真空蒸着を行なって皮膜を形成す
る。
金属Ｔｉ５を、ホロカン−ドアとルツボ２の間に電圧を
印加することＫよって蒸発させ同時にこのＴｉ蒸気をイ
オン化し、基材表面に真空蒸着を行なって皮膜を形成す
る。
以上の真空蒸着によってＴｉの蒸着が行なわれ九後、真
空槽内の圧力を５ Ｘ １０−５’ｌ’ｏｒｒ以下にす
る。真空槽ＩＫは、ニードル弁１０をもつ酸素ガスボン
ベ１１及びニードル弁１２をもってアセリレンガスボン
ベ１３がニードル弁８を介して接続されており、着色ガ
スとしての酸素ガス又はアセチレンガスな、前記５ Ｘ
１０ ＝Ｔｏｒｒ以下の真空槽１内に供給し、真空槽
】内の圧力を１．５Ｔｏｒｒとする。この状態で基材３
に５００Ｖの電圧を印加してグロー放電を発生させる。
空槽内の圧力を５ Ｘ １０−５’ｌ’ｏｒｒ以下にす
る。真空槽ＩＫは、ニードル弁１０をもつ酸素ガスボン
ベ１１及びニードル弁１２をもってアセリレンガスボン
ベ１３がニードル弁８を介して接続されており、着色ガ
スとしての酸素ガス又はアセチレンガスな、前記５ Ｘ
１０ ＝Ｔｏｒｒ以下の真空槽１内に供給し、真空槽
】内の圧力を１．５Ｔｏｒｒとする。この状態で基材３
に５００Ｖの電圧を印加してグロー放電を発生させる。
これＫよって、基材３上に形成されたＴｉ皮膜に着色ガ
スイオンとしての酸素イオン、炭素イオン等−が打込ま
れ、ガスイオン量によりＴｉ皮膜の深さ方向に着色ガス
イオンとＴｉとの結合が起り、その結合状態と深さとに
よって糧々の色彩の着色表面が得られる。
スイオンとしての酸素イオン、炭素イオン等−が打込ま
れ、ガスイオン量によりＴｉ皮膜の深さ方向に着色ガス
イオンとＴｉとの結合が起り、その結合状態と深さとに
よって糧々の色彩の着色表面が得られる。
上記工程による本発明の実施例について以下説明する。
（実施例１）
鋼の基材上にＴｉを１μｍ蒸着した後に１着色ガスとし
て酸素を使用してイオンボンバード処理をし、その処理
深さを１００〜２００又とした。
て酸素を使用してイオンボンバード処理をし、その処理
深さを１００〜２００又とした。
この結果、金色に着色された表面が得られた。
（実施例２）
鋼の基材上にＴｉ １に１μｍ蒸着した後に、着色ガス
として酸素を使用してイオンボンバード処理金し、その
処理深場を４００〜５００Ｘとした。この結果、青色に
着色された表面が得られた。
として酸素を使用してイオンボンバード処理金し、その
処理深場を４００〜５００Ｘとした。この結果、青色に
着色された表面が得られた。
（実施例３）
鋼の基材上にＴｉを１μｍ蒸着した後に、着色ガスとし
て酸素を使用してイオンボンバード処理をし、その処理
深さを７００〜５ｓｏＸとした。この結果、黄色に°着
色された表面が得られた。
て酸素を使用してイオンボンバード処理をし、その処理
深さを７００〜５ｓｏＸとした。この結果、黄色に°着
色された表面が得られた。
（実施例４）
鋼の基材上に、Ｔｉを５ｏｏｏＸ蒸着した後に、着色ガ
スとしてアセチレンを使用してイオンボンバード処理を
し、その処理深さを５ｏｏｏＸとした。この結果、Ｔｉ
が炭素イオンと結合したことにより、黒っぽい銀色に着
色された表面が得られた。
スとしてアセチレンを使用してイオンボンバード処理を
し、その処理深さを５ｏｏｏＸとした。この結果、Ｔｉ
が炭素イオンと結合したことにより、黒っぽい銀色に着
色された表面が得られた。
なお、基材として、ステンレス鋼板及び一般鋼板を用い
たところ、共に同様な色彩を得ることができた。
たところ、共に同様な色彩を得ることができた。
上記実施例は、−の基材を用いているが、本発明は真空
装着によってＴｉ皮膜が形成される他の金属、非金属の
基材に適用することができる。
装着によってＴｉ皮膜が形成される他の金属、非金属の
基材に適用することができる。
以上の説明したように、本発明は、真空蒸着によって、
基材表面にＴｉ皮膜を形成した上、着色ガス雰囲気中で
同皮膜にイオンボンバードを行なうことによって、皮膜
に打込まれる着色ガスイオン量によりＴｉ皮膜の深さ方
向に着色ガスイオンがＴｉと給合し、その結合状態と深
さを制御することＫより各種の任意な色彩のＴｉ皮膜を
基材の表面に形成することができる５
基材表面にＴｉ皮膜を形成した上、着色ガス雰囲気中で
同皮膜にイオンボンバードを行なうことによって、皮膜
に打込まれる着色ガスイオン量によりＴｉ皮膜の深さ方
向に着色ガスイオンがＴｉと給合し、その結合状態と深
さを制御することＫより各種の任意な色彩のＴｉ皮膜を
基材の表面に形成することができる５
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例に用いられる装置の概略の構
成を示す説明図である。 １・・・真空槽、 ２・・・ルツボ、 ３・・・基材
、４・・・ヒータ、 ５・・・金属チタニウム。 ７・・・ホロカソード、 ８・・・ニードル弁、１０
・・・ニードル弁、 １１・・・酸素ガスボンベ。 １２・・・ニードル弁。 １３・・・アセチレンガスボンベ。 代理人 弁理士 坂 間 暁 外２毛屑１ス
成を示す説明図である。 １・・・真空槽、 ２・・・ルツボ、 ３・・・基材
、４・・・ヒータ、 ５・・・金属チタニウム。 ７・・・ホロカソード、 ８・・・ニードル弁、１０
・・・ニードル弁、 １１・・・酸素ガスボンベ。 １２・・・ニードル弁。 １３・・・アセチレンガスボンベ。 代理人 弁理士 坂 間 暁 外２毛屑１ス
Claims (1)
- 基材表面にチタニウムを真空蒸着させて皮膜を形成した
上、同皮膜表面を酸素又はアセチレンガス雰囲気中でイ
オンボンバード処理することを特徴とする表面着色方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969989A JPH02270974A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 表面着色方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969989A JPH02270974A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 表面着色方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02270974A true JPH02270974A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=13978019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8969989A Pending JPH02270974A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 表面着色方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02270974A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8269931B2 (en) | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US8946864B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-02-03 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP8969989A patent/JPH02270974A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8269931B2 (en) | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9048179B2 (en) | 2009-09-14 | 2015-06-02 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US8946864B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-02-03 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
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