JPH0863807A - 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 局部的な複屈折の異常を無くした光ディスク
用プラスチック基板の製造方法を提供する。 【構成】 光ディスク用プラスチック基板を射出成形に
よって成形した後、該光ディスク用プラスチック基板に
アニール処理を行なう光ディスク用プラスチック基板の
製造方法において、前記光ディスク用プラスチック基板
にアニール処理を行なうとき光ディスク用プラスチック
基板の自重を１点で受ける光ディスク用プラスチック基
板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ディスク用プラスチッ
ク基板の製造方法に関し、特にレーザー光のような光学
的手段によって情報の記録・再生を行う光ディスクに用
いられるプラスチック基板の製造方法における歪除去の
ために行なうアニール処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学的特性の変化により情報の記録又は
再生を行なう、いわゆる光ディスクの基板として一般的
にプラスチック基板が用いられている。このプラスチッ
ク基板は、軽量かつ加工が容易であり、低コストでの製
造が可能といった利点を有している。しかし、プラスチ
ック基板は、射出成形時の分子配向歪によって複屈折が
大きい欠点がある。このプラスチック基板の持つ欠点で
ある複屈折が大きいことが、記録再生信号の品質又はサ
ーボ信号の悪化をもたらし、光ディスクの品質において
問題となる。このため射出成形時の製造条件を最適化す
ることによって複屈折を低減させる努力がなされてい
る。

【０００３】また、この複屈折は、光ディスク製造にお
ける後の工程で受ける熱によって変動するため、射出成
形後光ディスク用プラスチック基板に対して、所定時間
加熱し歪を取り除き安定させる処理、いわゆるアニール
処理を行なうことが一般的である。

【０００４】図５は、従来におけるアニール処理時の光
ディスク用プラスチック基板の支持方法を示す概略図で
ある。光ディスク用プラスチック基板１１は保持ケース
１２に収納され、この状態で保管される。図５（Ａ）は
この支持保管状態を示す側面側、図５（Ｂ）は図５
（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。

【０００５】従来のアニール処理は、この状態で加熱炉
（オーブン）に入れられ所定時間一定温度で加熱し、そ
の後冷却又は徐冷を行なう。例えば、プラスチック基板
の材質がポリカーボネートである場合のアニール処理の
条件は１００℃前後の温度で２〜３時間加熱後徐冷され
る。

【０００６】また、他の支持方法として、特開平３−２
４８３４５号公報には、プラスチック基板に設けられた
中心孔に支持体を貫通し、その支持体でプラスチック基
板を支持する方法が開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示した従来のアニール処理の方法では、光ディスク用プ
ラスチック基板１１の自重が保持ケース１２の外周の２
点（１１ａ・１１ｂ）にかかる。この状態で加熱する
と、光ディスク用プラスチック基板１１と保持ケース１
２の熱膨張の違いとプラスチック基板の自重を２点で受
けていることによって、接触部１１ａと１１ｂに局部的
な力が加わる。

【０００８】もう少し詳しく説明すると、アニール処理
によって加熱されることで光ディスク用プラスチック基
板１１と保持ケース１２は熱膨張するが、光ディスク用
プラスチック基板の外径方向の熱膨張が大きいのに対し
て、保持ケース１２は全体的に熱膨張する。そのため、
接触部１１ａと１１ｂでは、光ディスク用プラスチック
基板１１と保持ケース１２との摩擦力により、光ディス
ク用プラスチック基板が逃げ場を失い、内周方向に光デ
ィスク用プラスチック基板１１の自重以上の局部的な力
が加わる。

【０００９】この接触部１１ａと１１ｂにおける局部的
な力によって、光ディスク用プラスチック基板１１の外
周部に複屈折が局部的に大きい部分が発生する。この局
部的な複屈折の大きい部分を有する光ディスク用プラス
チック基板１１を用いて光ディスクを製作した場合、記
録再生信号及びサーボ信号に不具合が発生するという問
題点があった。

【００１０】図６は、図５で示した従来の支持方法でア
ニール処理を行なった光ディスク用プラスチック基板１
１を用いて製作した光ディスクのサーボ信号を示したグ
ラフである。光ディスク用プラスチック基板の材質はポ
リカーボネートであり、アニール処理の条件は炉内温度
９０℃で３時間保持後、徐冷を行なったものである。サ
ーボ信号の測定は、実際の光ディスクドライブ装置でト
ラックジャンプ信号を１００％としたときのトラッキン
グ信号を比率で示したものであり、５．２５インチ光デ
ィスクの半径６１ｍｍ部分のグラフである。

【００１１】図６で示すように、従来の支持方法でのア
ニール処理では、サーボ信号において周方向に局部的な
異常が発生する。このような複屈折異常の部分では記録
再生信号にも影響を与える。この異常部分は図５の接触
部１１ａ及び１１ｂに対応している。なお、このような
異常部分は、従来の支持方法によるアニール処理におい
て、すべての光ディスク用プラスチック基板で発生する
わけではなく、接触部１１ａ及び１１ｂでの摩擦係数
と、光ディスク用プラスチック基板１１と保持ケース１
２の寸法的なクリアランスが関係し、実際の発生率は２
〜５％である。

【００１２】前述の特開平３−２４８３４５号公報に示
される従来例においては、係る問題点は解決されている
が、反面アニール処理を行うための作業に非常に手間が
掛かるという新たな欠点を生じている。また、特開平３
−２４８３４５号公報においては、図５に示す様に、従
来のアニール方法で発生する局部的な複屈折異常は、デ
ィスク端から記録エリアの外周までの距離が４ｍｍあれ
ば問題とならないとされているが、係る問題点において
は、記録再生信号よりもサーボ信号への影響が大きく、
実際には上記の通り２〜５％の光ディスクが不良とな
る。

【００１３】光ディスクが今後更に発展し、市場に広く
受け入れられるためには低価格で提供することが必須で
あり、光ディスク製造における歩留の向上と対策が手間
をかけず簡単にとれる事が必要である。

【００１４】本発明は、このような問題点に鑑みて、光
ディスク用プラスチック基板のアニール処理に際して、
光ディスク用プラスチック基板の自重を１点で受けるこ
とにより、局部的な複屈折の異常を無くした光ディスク
用プラスチック基板を製造する方法を提供することを目
的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、光ディ
スク用プラスチック基板を射出成形によって成形した
後、該光ディスク用プラスチック基板にアニール処理を
行なう光ディスク用プラスチック基板の製造方法におい
て、前記光ディスク用プラスチック基板にアニール処理
を行なうとき光ディスク用プラスチック基板の自重を１
点で受けることを特徴とする光ディスク用プラスチック
基板の製造方法である。

【００１６】本発明に係る製造方法によれば、光ディス
ク用プラスチック基板のアニール処理の際、光ディスク
用プラスチック基板の自重を従来例に示す様に２点で受
けることを避けて１点で支持することによって、熱膨張
と摩擦力による局部的な力が光ディスク用プラスチック
基板に働かなくなり、常に自重のみで支持され、局部的
な複屈折の異常の発生を防止することができる。

【００１７】

【実施例】以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明する。なお、これによって本発明が限定されるもの
ではない。

【００１８】図１、図２及び図３はそれぞれ本発明の実
施例１、実施例２及び実施例３を示す。これらの図面に
おいて、１は光ディスク用プラスチック基板、２は光デ
ィスク用プラスチック基板１を保持する保持ケース、３
は光ディスク用プラスチック基板１を保持ケース２との
接触を避けるために光ディスク用プラスチック基板１を
浮かせるためのスペーサー、４は光ディスク用プラスチ
ック基板１と保持ケース２を天地逆にした状態でアニー
ル処理する際に光ディスク用プラスチック基板を支持す
るための支持部材、５は光ディスク用プラスチック基板
１と保持ケース２を横にした状態でアニール処理する際
に光ディスク用プラスチック基板が保持ケース２の外側
にでないようにするための役割を果たすストッパーで、
加熱炉壁面または隣の保持ケースの底面部を示す。

【００１９】図４は、本発明における支持方法でアニー
ル処理を行なった光ディスク用プラスチック基板１を用
いて製作した光ディスクのサーボ信号を示したグラフで
ある。図５は、従来における光ディスク用プラスチック
基板の支持方法を示す。図６は、従来の支持方法でアニ
ール処理を行なったプラスチック基板１１を用いて製作
した光ディスクのサーボ信号を示したグラフである。

【００２０】実施例１ 図１に示す実施例は本発明の特徴を最も良く表わす図面
であり、図１（Ａ）は光ディスク用プラスチック基板１
を保持ケース２で保持した場合の側面図、図１（Ｂ）
は、第１図（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【００２１】図１におけるアニール処理では、図５で示
した保持ケースに保管された光ディスク用プラスチック
基板を加熱炉（オーブン）に投入する際に、加熱炉内に
すでに設置されたスペーサー３の上に乗せることよって
光ディスク用プラスチック基板１の自重を保持ケース２
の底辺部２点で受けることを避け、光ディスク用プラス
チック基板１の自重をスペーサー３との１点で受けアニ
ール処理を行なうことができる。

【００２２】スペーサー３は、光ディスク用プラスチッ
ク基板１の自重を外周１点で受けられるものであればど
のようなものでもよく、本実施例では、ポリカーボネー
トの厚さ１０ｍｍの板材を保持ケース２の底面開口部に
合わせて加工したものを用いた。

【００２３】図１における状態に射出成形後の光ディス
ク用プラスチック基板を保持した後、炉内温度９０℃で
３時間保持後、徐冷を行うアニール条件でアニール処理
した。そのアニール処理した５．２５インチ光ディスク
の半径６１ｍｍ部分のサーボ信号を図４に示す。サーボ
信号の測定は、実際の光ディスクドライブ装置でトラッ
クジャンプ信号を１００％としたときのトラッキング信
号を比率で示したものである。外周から４ｍｍで図６の
従来サーボ信号と比較して明らかに局部的な異常が改善
された。なお、光ディスク用プラスチック基板最外周に
至るまで複屈折の異常は見られなかった。

【００２４】実施例２ 図２は本発明の第２の実施例を示す。射出成形後の光デ
ィスク用プラスチック基板を図２における状態に保持
し、すなわち光ディスク用プラスチック基板１と保持ケ
ース２を天地を逆にして、光ディスク用プラスチック基
板１の自重を支持部材４の１点で受けアニール処理を行
なうことにより、底面部に開口部の無い保持ケースでも
実施例１と同様の効果を得ることができる。

【００２５】支持部材４は、光ディスク用プラスチック
基板１と保持ケース２を天地を逆にした際、光ディスク
用プラスチック基板１の自重を１点で受けられるようも
のであればどのようなものでもよい。

【００２６】実施例３ 図３は本発明の第３の実施例を示す。図３におけるアニ
ール処理は、光ディスク用プラスチック基板１と保持ケ
ース２を横にして、光ディスク用プラスチック基板１の
自重を保持ケース２の側面での１点で受けアニール処理
を行なうことにより、部材を使用しないで実施例１と同
様の効果を得ることができる。

【００２７】図３の５はストッパーで、光ディスク用プ
ラスチック基板１と保持ケース２を横にした際、光ディ
スク用プラスチック基板１が保持ケース２の外側にでな
いようにする役割を果たせばよく、加熱炉壁面または隣
の保持ケース底面部でもよい。

【００２８】以上３つの実施例はいずれにおいても顕著
な局部的な複屈折異常の改善が見られ、各実施例で得ら
れた光ディスク用プラスチック基板１００個のサンプル
のテストの結果、局部的な複屈折異常不良０％の効果を
確認した。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、光ディスク用プラスチ
ック基板のアニール処理時に光ディスク用プラスチック
基板の自重を１点で受けるようにした事で、光ディスク
用プラスチック基板の局部的な複屈折異常を無くし、複
屈折の均一な光ディスク用プラスチック基板を得ること
ができる。

【００３０】その光ディスク用プラスチック基板を用い
て作製した光ディスクは記録再生信号及びサーボ信号に
局所的な変化のない光ディスクとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるアニール処理時の光ディスク用
プラスチック基板の支持方法の一例を示す概略図であ
る。

【図２】本発明におけるアニール処理時の光ディスク用
プラスチック基板の支持方法の他の例を示す概略図であ
る。

【図３】本発明におけるアニール処理時の光ディスク用
プラスチック基板の支持方法の他の例を示す概略図であ
る。

【図４】本発明で製作された光ディスクの外周部におけ
るサーボ信号の周方向分布を示すグラフである。

【図５】従来例のアニール処理時の光ディスク用プラス
チック基板の支持方法を示す概略図である。

【図６】図５に対応する従来例の光ディスクの外周部に
おけるサーボ信号の周方向分布を示すグラフである。

【符号の説明】

１，１１ 光ディスク用プラスチック基板 ２，１２ 保持ケース ３ スペーサー ４ 支持部材 ５ ストッパー １１ａ，１１ｂ 接触部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ディスク用プラスチック基板を射出成
   形によって成形した後、該光ディスク用プラスチック基
   板にアニール処理を行なう光ディスク用プラスチック基
   板の製造方法において、前記光ディスク用プラスチック
   基板にアニール処理を行なうとき光ディスク用プラスチ
   ック基板の自重を１点で受けることを特徴とする光ディ
   スク用プラスチック基板の製造方法。