JPH0864650A - Ｆｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェーハの評価方法 - Google Patents
Ｆｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェーハの評価方法Info
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- JPH0864650A JPH0864650A JP6222431A JP22243194A JPH0864650A JP H0864650 A JPH0864650 A JP H0864650A JP 6222431 A JP6222431 A JP 6222431A JP 22243194 A JP22243194 A JP 22243194A JP H0864650 A JPH0864650 A JP H0864650A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＰＶ法を用いてシリコンウェーハのＦｅ−
Ｂ濃度を測定する場合、ウェーハ内部に酸素析出欠陥が
あると前記濃度を大幅に高く算出する。そこで、正確な
Ｆｅ−Ｂ濃度の測定を可能とするためのシリコンウェー
ハの評価方法を提供する。 【構成】 ＳＰＶ法を用いてｐ型シリコンウェーハの活
性化前後の少数キャリア拡散長Ｌb とＬa とを測定した
上、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の値を算出する。この値をＬ
b とＬb −Ｌa との相関を示すグラフから求めた定数Ｃ
と比較し、Ｃ未満であれば酸素析出ありと判断して濃度
計算から除外する。その他のウェーハについてのみ、Ｆ
ｅ−Ｂ濃度（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌa -2−Ｌb -2）
を演算する。これにより、酸素析出欠陥が高密度に発生
しているウェーハが混在しているロットであっても、Ｆ
ｅ−Ｂ濃度を正確に把握することができる。
Ｂ濃度を測定する場合、ウェーハ内部に酸素析出欠陥が
あると前記濃度を大幅に高く算出する。そこで、正確な
Ｆｅ−Ｂ濃度の測定を可能とするためのシリコンウェー
ハの評価方法を提供する。 【構成】 ＳＰＶ法を用いてｐ型シリコンウェーハの活
性化前後の少数キャリア拡散長Ｌb とＬa とを測定した
上、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の値を算出する。この値をＬ
b とＬb −Ｌa との相関を示すグラフから求めた定数Ｃ
と比較し、Ｃ未満であれば酸素析出ありと判断して濃度
計算から除外する。その他のウェーハについてのみ、Ｆ
ｅ−Ｂ濃度（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌa -2−Ｌb -2）
を演算する。これにより、酸素析出欠陥が高密度に発生
しているウェーハが混在しているロットであっても、Ｆ
ｅ−Ｂ濃度を正確に把握することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｆｅ−Ｂ濃度測定によ
るシリコンウェーハの評価方法に関する。
るシリコンウェーハの評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハに含まれるＦｅ−Ｂの
濃度測定方法として、従来から次の方法が知られてい
る。 （１）シリコンウェーハの表面にショットキー接合また
はｐ／ｎ接合を形成し、ＤＬＴＳ（ｄｅｅｐ ｌｅｖｅ
ｌ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）
によりＦｅ−Ｂが作る深い凖位の密度を測定する。 （２）シリコンウェーハの表面を、光照射による光学励
起あるいは２００°Ｃ加熱により活性化させ、この活性
化の前後におけるＦｅ−Ｂ解離などによる拡散長の変化
を測定し、前記測定値に基づいてＦｅ−Ｂの濃度を算出
する。この方法は、表面光起電力法（ｓｕｒｆａｃｅ
ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｍｅｔｈｏｄ、以下ＳＰＶ
法という）として知られている。
濃度測定方法として、従来から次の方法が知られてい
る。 （１）シリコンウェーハの表面にショットキー接合また
はｐ／ｎ接合を形成し、ＤＬＴＳ（ｄｅｅｐ ｌｅｖｅ
ｌ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）
によりＦｅ−Ｂが作る深い凖位の密度を測定する。 （２）シリコンウェーハの表面を、光照射による光学励
起あるいは２００°Ｃ加熱により活性化させ、この活性
化の前後におけるＦｅ−Ｂ解離などによる拡散長の変化
を測定し、前記測定値に基づいてＦｅ−Ｂの濃度を算出
する。この方法は、表面光起電力法（ｓｕｒｆａｃｅ
ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｍｅｔｈｏｄ、以下ＳＰＶ
法という）として知られている。
【０００３】前記ＳＰＶ法によるシリコンウェーハのＦ
ｅ−Ｂ濃度測定の手順概要を図４に示す。まず、所定の
処理が施されたＦｅ−Ｂ結合状態のシリコンウェーハを
用意し（ステップ１１）、シリコンウェーハの少数キャ
リアの拡散長Ｌb を測定する（ステップ１２）。次に、
シリコンウェーハを２００°Ｃ加熱などによりＦｅ−Ｂ
→Ｆｅint ＋Ｂsub となる解離を生じさせた後、室温ま
で急冷し（ステップ１３）、解離状態の少数キャリア拡
散長Ｌa を測定し（ステップ１４）、前記Ｌb，Ｌa か
らＦｅ−Ｂ濃度を算出する（ステップ１５）。このとき
のＦｅ−Ｂ濃度の計算式は、〔Ｆｅ−Ｂ〕≒１×１０16
（Ｌa -2−Ｌb -2）である。ここで、Ｆｅ−Ｂ濃度の単
位はｃｍ-3、Ｌa およびＬb の単位はμｍである。この
方法により、Ｆｅ−Ｂ濃度を高感度（１０8 ｃｍ-3オー
ダ）に測定することができる。
ｅ−Ｂ濃度測定の手順概要を図４に示す。まず、所定の
処理が施されたＦｅ−Ｂ結合状態のシリコンウェーハを
用意し（ステップ１１）、シリコンウェーハの少数キャ
リアの拡散長Ｌb を測定する（ステップ１２）。次に、
シリコンウェーハを２００°Ｃ加熱などによりＦｅ−Ｂ
→Ｆｅint ＋Ｂsub となる解離を生じさせた後、室温ま
で急冷し（ステップ１３）、解離状態の少数キャリア拡
散長Ｌa を測定し（ステップ１４）、前記Ｌb，Ｌa か
らＦｅ−Ｂ濃度を算出する（ステップ１５）。このとき
のＦｅ−Ｂ濃度の計算式は、〔Ｆｅ−Ｂ〕≒１×１０16
（Ｌa -2−Ｌb -2）である。ここで、Ｆｅ−Ｂ濃度の単
位はｃｍ-3、Ｌa およびＬb の単位はμｍである。この
方法により、Ｆｅ−Ｂ濃度を高感度（１０8 ｃｍ-3オー
ダ）に測定することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術には次のような問題点がある。すなわち、 （１）ＤＬＴＳにおいては、ショットキー接合またはｐ
／ｎ接合の形成および濃度測定に長時間を要し、たとえ
ば真空蒸着による接合形成に１時間、更に１点の濃度測
定に１時間以上というように多大な工数を必要としてい
る。 （２）ＳＰＶ法においては、ウェーハ内部に酸素析出欠
陥などが高密度に発生しているシリコンウェーハに対し
て、Ｆｅ−Ｂ濃度を実際の値よりも大幅に高く算出す
る。図３は、ＤＬＴＳによるＦｅ−Ｂ濃度とＳＰＶ法に
よるＦｅ−Ｂ濃度との相関を示すグラフで、酸素ドナー
消去のための６５０°Ｃ前後の熱処理や１０００°Ｃ前
後の一段熱処理を施したウェーハ、イントリンシックゲ
ッタリング構造を付与するため２ステップの熱処理を施
したウェーハ、裏面にポリシリコンを形成させたウェー
ハ、エピタキシャルウェーハなどでは前記両者の測定値
がほぼ一致している。しかし、酸素析出欠陥が高密度に
発生しているシリコンウェーハ（図中の△印）の場合
は、ＤＬＴＳによるＦｅ−Ｂ濃度に比べてＳＰＶ法によ
るＦｅ−Ｂ濃度が著しく高い値になっている。すなわ
ち、シリコンウェーハの厚さ方向におけるキャリアの再
結合中心（酸素析出欠陥、Ｆｅ−Ｂ、格子間のＦｅな
ど）の分布が均一でない場合には、少数キャリアの拡散
長Ｌa 、Ｌb を正確に求めることができない。たとえ
ば、多段熱処理によりイントリンシックゲッタリングの
ための微小欠陥を形成および成長させたシリコンウェー
ハでは、両側の表面に無欠陥層が形成されており、酸素
析出欠陥などの欠陥分布が不均一な構造となっているの
で、前記無欠陥層の影響を受ける拡散長Ｌa 、Ｌb を測
定することになる。また、無欠陥層をエッチングなどに
より除去し、再結合中心の厚さ方向における分布の均一
性を確保したとしても、欠陥が高密度に発生しているシ
リコンウェーハでは２００°Ｃ加熱などにより活性化す
る再結合中心がＦｅ−Ｂ以外にも存在するためである。
来の技術には次のような問題点がある。すなわち、 （１）ＤＬＴＳにおいては、ショットキー接合またはｐ
／ｎ接合の形成および濃度測定に長時間を要し、たとえ
ば真空蒸着による接合形成に１時間、更に１点の濃度測
定に１時間以上というように多大な工数を必要としてい
る。 （２）ＳＰＶ法においては、ウェーハ内部に酸素析出欠
陥などが高密度に発生しているシリコンウェーハに対し
て、Ｆｅ−Ｂ濃度を実際の値よりも大幅に高く算出す
る。図３は、ＤＬＴＳによるＦｅ−Ｂ濃度とＳＰＶ法に
よるＦｅ−Ｂ濃度との相関を示すグラフで、酸素ドナー
消去のための６５０°Ｃ前後の熱処理や１０００°Ｃ前
後の一段熱処理を施したウェーハ、イントリンシックゲ
ッタリング構造を付与するため２ステップの熱処理を施
したウェーハ、裏面にポリシリコンを形成させたウェー
ハ、エピタキシャルウェーハなどでは前記両者の測定値
がほぼ一致している。しかし、酸素析出欠陥が高密度に
発生しているシリコンウェーハ（図中の△印）の場合
は、ＤＬＴＳによるＦｅ−Ｂ濃度に比べてＳＰＶ法によ
るＦｅ−Ｂ濃度が著しく高い値になっている。すなわ
ち、シリコンウェーハの厚さ方向におけるキャリアの再
結合中心（酸素析出欠陥、Ｆｅ−Ｂ、格子間のＦｅな
ど）の分布が均一でない場合には、少数キャリアの拡散
長Ｌa 、Ｌb を正確に求めることができない。たとえ
ば、多段熱処理によりイントリンシックゲッタリングの
ための微小欠陥を形成および成長させたシリコンウェー
ハでは、両側の表面に無欠陥層が形成されており、酸素
析出欠陥などの欠陥分布が不均一な構造となっているの
で、前記無欠陥層の影響を受ける拡散長Ｌa 、Ｌb を測
定することになる。また、無欠陥層をエッチングなどに
より除去し、再結合中心の厚さ方向における分布の均一
性を確保したとしても、欠陥が高密度に発生しているシ
リコンウェーハでは２００°Ｃ加熱などにより活性化す
る再結合中心がＦｅ−Ｂ以外にも存在するためである。
【０００５】本発明は、酸素析出欠陥の有無によってＳ
ＰＶ法によるシリコンウェーハのＦｅ−Ｂ濃度が大幅に
異なる値を示すことに着目してなされたもので、前記欠
陥の有無を識別することによって正確なＦｅ−Ｂ濃度の
測定を可能とするＦｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェ
ーハの評価方法を提供することを目的としている。
ＰＶ法によるシリコンウェーハのＦｅ−Ｂ濃度が大幅に
異なる値を示すことに着目してなされたもので、前記欠
陥の有無を識別することによって正確なＦｅ−Ｂ濃度の
測定を可能とするＦｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェ
ーハの評価方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＦｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェ
ーハの評価方法は、ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ
−Ｂ結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌb と、活性化し
てＦｅint ＋Ｂsub に解離後急冷した状態の少数キャリ
アの拡散長Ｌa とをＳＰＶ法を用いて測定し、これらの
測定値の差からＦｅ−Ｂ濃度を求めるシリコンウェーハ
のＦｅ−Ｂ濃度測定において、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の
値がＬb とＬb −Ｌa との相関を示すグラフから求めた
所定の値に満たない場合は、前記ウェーハに酸素析出欠
陥があるものと判定してＦｅ−Ｂ濃度の算出を中止し、
その他のウェーハに対してのみＦｅ−Ｂ濃度を算出する
ことを特徴としている。
め、本発明に係るＦｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェ
ーハの評価方法は、ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ
−Ｂ結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌb と、活性化し
てＦｅint ＋Ｂsub に解離後急冷した状態の少数キャリ
アの拡散長Ｌa とをＳＰＶ法を用いて測定し、これらの
測定値の差からＦｅ−Ｂ濃度を求めるシリコンウェーハ
のＦｅ−Ｂ濃度測定において、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の
値がＬb とＬb −Ｌa との相関を示すグラフから求めた
所定の値に満たない場合は、前記ウェーハに酸素析出欠
陥があるものと判定してＦｅ−Ｂ濃度の算出を中止し、
その他のウェーハに対してのみＦｅ−Ｂ濃度を算出する
ことを特徴としている。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、ＳＰＶ法を用いてｐ型シリ
コンウェーハの活性化前後の少数キャリア拡散長Ｌb と
Ｌa とを測定した上、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の値を算出
し、この値をＬb とＬb −Ｌa との相関を示すグラフか
ら求めた所定の値と比較して酸素析出の有無を選別する
ことにしたので、Ｆｅ−Ｂ濃度の算出対象ウェーハは酸
素析出のないものに限定される。従って、酸素析出欠陥
が高密度に発生しているウェーハが混在しているロット
であっても、Ｆｅ−Ｂ濃度を正確に把握することができ
る。
コンウェーハの活性化前後の少数キャリア拡散長Ｌb と
Ｌa とを測定した上、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の値を算出
し、この値をＬb とＬb −Ｌa との相関を示すグラフか
ら求めた所定の値と比較して酸素析出の有無を選別する
ことにしたので、Ｆｅ−Ｂ濃度の算出対象ウェーハは酸
素析出のないものに限定される。従って、酸素析出欠陥
が高密度に発生しているウェーハが混在しているロット
であっても、Ｆｅ−Ｂ濃度を正確に把握することができ
る。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係るＦｅ−Ｂ濃度測定によ
るシリコンウェーハの評価方法の実施例について、図面
を参照して説明する。図１は、ＳＰＶ法を用いてシリコ
ンウェーハのＦｅ−Ｂ濃度を測定する際に、濃度演算の
制御を実行するフローチャートである。図中、各ステッ
プの左端に記載した数字はステップ番号を示す。本実施
例の適用対象は、ボロンをドーパントとするｐ型のシリ
コンウェーハであり、ウェーハの抵抗率はＳＰＶ法によ
るＦｅ−Ｂ濃度測定に適当な０．０５Ω・ｃｍ程度以上
であることが望ましい。
るシリコンウェーハの評価方法の実施例について、図面
を参照して説明する。図１は、ＳＰＶ法を用いてシリコ
ンウェーハのＦｅ−Ｂ濃度を測定する際に、濃度演算の
制御を実行するフローチャートである。図中、各ステッ
プの左端に記載した数字はステップ番号を示す。本実施
例の適用対象は、ボロンをドーパントとするｐ型のシリ
コンウェーハであり、ウェーハの抵抗率はＳＰＶ法によ
るＦｅ−Ｂ濃度測定に適当な０．０５Ω・ｃｍ程度以上
であることが望ましい。
【０００９】Ｆｅ−Ｂが結合状態のシリコンウェーハに
対して、ステップ１で少数キャリア拡散長を測定し、そ
の値Ｌb を記憶する。このシリコンウェーハを２００°
Ｃに加熱して活性化させ、Ｆｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂsub
となる解離を生じさせた後、室温まで急冷する。そし
て、ステップ２で解離状態の少数キャリア拡散長を測定
し、その値Ｌa を記憶する。２００°Ｃ加熱に代えてシ
リコンウェーハの表面に光を照射し、光学励起させても
よい。次に、ステップ３で前記測定値Ｌb およびＬa
と、あらかじめ設定した定数Ｃとを読み込む。前記定数
Ｃは、図２に示すように酸素析出のないシリコンウェー
ハと、酸素析出のあるシリコンウェーハとについてそれ
ぞれ少数キャリア拡散長Ｌb とＬb −Ｌa との相関を求
めた上、このグラフからＣ＝（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb とし
て算出した定数である。そして、ステップ３で読み込ん
だＬb とＬb −Ｌa から（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の演算を
行う（ステップ４）。ステップ５で（Ｌb −Ｌa ）／Ｌ
b の演算結果と定数Ｃとを比較し、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌ
b ＜Ｃであればステップ６に移り、ウェーハのＦｅ−Ｂ
濃度演算を中止してステップ１に戻る。このウェーハに
は酸素析出欠陥があるものと判定して分離し、次のウェ
ーハの測定を開始する。また、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb ≧
Ｃであればステップ７でＦｅ−Ｂ濃度を演算する。Ｆｅ
−Ｂ濃度の演算式は、〔Ｆｅ−Ｂ（ｃｍ-3）〕≒１×１
０16（Ｌa -2−Ｌb -2）である。最後にステップ８で前
記演算結果を記録し、ステップ１に戻る。
対して、ステップ１で少数キャリア拡散長を測定し、そ
の値Ｌb を記憶する。このシリコンウェーハを２００°
Ｃに加熱して活性化させ、Ｆｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂsub
となる解離を生じさせた後、室温まで急冷する。そし
て、ステップ２で解離状態の少数キャリア拡散長を測定
し、その値Ｌa を記憶する。２００°Ｃ加熱に代えてシ
リコンウェーハの表面に光を照射し、光学励起させても
よい。次に、ステップ３で前記測定値Ｌb およびＬa
と、あらかじめ設定した定数Ｃとを読み込む。前記定数
Ｃは、図２に示すように酸素析出のないシリコンウェー
ハと、酸素析出のあるシリコンウェーハとについてそれ
ぞれ少数キャリア拡散長Ｌb とＬb −Ｌa との相関を求
めた上、このグラフからＣ＝（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb とし
て算出した定数である。そして、ステップ３で読み込ん
だＬb とＬb −Ｌa から（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb の演算を
行う（ステップ４）。ステップ５で（Ｌb −Ｌa ）／Ｌ
b の演算結果と定数Ｃとを比較し、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌ
b ＜Ｃであればステップ６に移り、ウェーハのＦｅ−Ｂ
濃度演算を中止してステップ１に戻る。このウェーハに
は酸素析出欠陥があるものと判定して分離し、次のウェ
ーハの測定を開始する。また、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb ≧
Ｃであればステップ７でＦｅ−Ｂ濃度を演算する。Ｆｅ
−Ｂ濃度の演算式は、〔Ｆｅ−Ｂ（ｃｍ-3）〕≒１×１
０16（Ｌa -2−Ｌb -2）である。最後にステップ８で前
記演算結果を記録し、ステップ１に戻る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｆ
ｅ−Ｂが結合状態および解離状態における少数キャリア
拡散長Ｌb ，Ｌa をそれぞれＳＰＶ法を用いて測定し、
（Ｌb−Ｌa ）／Ｌb の値がＬb とＬb −Ｌa との相関
を示すグラフから求めた所定の値以上のウェーハ、すな
わち酸素析出欠陥のないウェーハのみを選別してＦｅ−
Ｂ濃度演算の対象としたので、酸素析出欠陥が高密度に
発生しているウェーハが混在していても、Ｆｅ−Ｂ濃度
を正確に把握することができる。
ｅ−Ｂが結合状態および解離状態における少数キャリア
拡散長Ｌb ，Ｌa をそれぞれＳＰＶ法を用いて測定し、
（Ｌb−Ｌa ）／Ｌb の値がＬb とＬb −Ｌa との相関
を示すグラフから求めた所定の値以上のウェーハ、すな
わち酸素析出欠陥のないウェーハのみを選別してＦｅ−
Ｂ濃度演算の対象としたので、酸素析出欠陥が高密度に
発生しているウェーハが混在していても、Ｆｅ−Ｂ濃度
を正確に把握することができる。
【図１】ＳＰＶ法を用いてシリコンウェーハのＦｅ−Ｂ
濃度を測定する際に、濃度演算の制御を実行するフロー
チャートである。
濃度を測定する際に、濃度演算の制御を実行するフロー
チャートである。
【図２】酸素析出のないシリコンウェーハと酸素析出の
あるシリコンウェーハとについて、それぞれ活性化前後
の少数キャリア拡散長Ｌb ，Ｌa を測定し、前記Ｌb と
Ｌb −Ｌa との相関を示した図である。
あるシリコンウェーハとについて、それぞれ活性化前後
の少数キャリア拡散長Ｌb ，Ｌa を測定し、前記Ｌb と
Ｌb −Ｌa との相関を示した図である。
【図３】ＤＬＴＳによるＦｅ−Ｂ濃度とＳＰＶ法による
Ｆｅ−Ｂ濃度との相関を示すグラフである。
Ｆｅ−Ｂ濃度との相関を示すグラフである。
【図４】ＳＰＶ法によるシリコンウェーハのＦｅ−Ｂ濃
度測定の手順概要を示す図である。
度測定の手順概要を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ−Ｂ
結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌb と、活性化してＦ
ｅint ＋Ｂsub に解離後急冷した状態の少数キャリアの
拡散長Ｌa とを表面光起電力法を用いて測定し、これら
の測定値の差からＦｅ−Ｂ濃度を求めるシリコンウェー
ハのＦｅ−Ｂ濃度測定において、（Ｌb −Ｌa ）／Ｌb
の値がＬb とＬb −Ｌa との相関を示すグラフから求め
た所定の値に満たない場合は、前記ウェーハに酸素析出
欠陥があるものと判定してＦｅ−Ｂ濃度の算出を中止
し、その他のウェーハに対してのみＦｅ−Ｂ濃度を算出
することを特徴とするＦｅ−Ｂ濃度測定によるシリコン
ウェーハの評価方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222431A JPH0864650A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Ｆｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェーハの評価方法 |
| TW084112410A TW328627B (en) | 1994-08-24 | 1995-11-22 | Method of evaluating silicon wafers by measuring the Fe-B concentration |
| US08/603,083 US5742176A (en) | 1994-08-24 | 1996-02-20 | Method of measuring a Fe-B concentration of a silicon wafer |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222431A JPH0864650A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Ｆｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェーハの評価方法 |
| US08/603,083 US5742176A (en) | 1994-08-24 | 1996-02-20 | Method of measuring a Fe-B concentration of a silicon wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864650A true JPH0864650A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=26524880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6222431A Pending JPH0864650A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Ｆｅ−Ｂ濃度測定によるシリコンウェーハの評価方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5742176A (ja) |
| JP (1) | JPH0864650A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281331A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Sumco Corp | 少数キャリア拡散長測定方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2012049345A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度分析方法および分析装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002086960A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the preparation of a silicon wafer having stabilized oxygen precipitates |
| US6607927B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-08-19 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for monitoring in-line copper contamination |
| US20040010394A1 (en) * | 2002-07-15 | 2004-01-15 | Seh America, Inc. | Systems, methods and computer program products for determining contaminant concentrations in semiconductor materials |
| JP4416566B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-02-17 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 不純物金属濃度測定の方法 |
| JP4743010B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-08-10 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの表面欠陥評価方法 |
| JP5103745B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-12-19 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 高周波ダイオードおよびその製造方法 |
| CN108140592B (zh) * | 2015-10-07 | 2022-08-02 | 胜高股份有限公司 | p型硅晶圆中的Fe浓度测量方法 |
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