JPH07249666A - シリコンウェーハの鉄濃度測定方法 - Google Patents
シリコンウェーハの鉄濃度測定方法Info
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- JPH07249666A JPH07249666A JP6809194A JP6809194A JPH07249666A JP H07249666 A JPH07249666 A JP H07249666A JP 6809194 A JP6809194 A JP 6809194A JP 6809194 A JP6809194 A JP 6809194A JP H07249666 A JPH07249666 A JP H07249666A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 欠陥を高密度に発生しているシリコンウェー
ハの鉄濃度を正確にかつ簡便に測定可能な方法を提供す
る。 【構成】 ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ−Ｂ結合
状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活性化してＦｅint
＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャリアの拡散長Ｌａ
とを表面光起電圧法により測定し、測定値に基づく値の
差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄濃度測定方
法において、初めに活性化後急冷した状態の拡散長Ｌａ
を測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Ｌｂ１を測定
し、これら測定値に基づく値の差よりｐ型シリコンウェ
ーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求める。また、欠陥層
が、無欠陥層をエッチングで除去して露出する欠陥層で
ある。
ハの鉄濃度を正確にかつ簡便に測定可能な方法を提供す
る。 【構成】 ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ−Ｂ結合
状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活性化してＦｅint
＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャリアの拡散長Ｌａ
とを表面光起電圧法により測定し、測定値に基づく値の
差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄濃度測定方
法において、初めに活性化後急冷した状態の拡散長Ｌａ
を測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Ｌｂ１を測定
し、これら測定値に基づく値の差よりｐ型シリコンウェ
ーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求める。また、欠陥層
が、無欠陥層をエッチングで除去して露出する欠陥層で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの鉄
濃度測定方法に係り、特に欠陥を高密度に発生している
シリコンウェーハの鉄濃度測定方法に関する。
濃度測定方法に係り、特に欠陥を高密度に発生している
シリコンウェーハの鉄濃度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハの鉄濃度測定方
法は、次の方法が知られている。 （イ）シリコンウェーハ表面にショットキー接合又はＰ
／Ｎ接合を形成し、ＤＬＴＳ法（Ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ
ｔｒａｎｇｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒｏ ｓｃｏｐｅ法）
によりＦｅが作る深い準位の密度を測定する。この方法
は、例えばＤｉａｇｎｏｓｔｉｃ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
ｓ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（１８０ｔｈ ＥＣＳ
Ｍｅｅｔｉｎｇ、ｐ．１１３〜１１８（１９９１）、
Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｉｎ１９９２）において示されて
いる。
法は、次の方法が知られている。 （イ）シリコンウェーハ表面にショットキー接合又はＰ
／Ｎ接合を形成し、ＤＬＴＳ法（Ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ
ｔｒａｎｇｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒｏ ｓｃｏｐｅ法）
によりＦｅが作る深い準位の密度を測定する。この方法
は、例えばＤｉａｇｎｏｓｔｉｃ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
ｓ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（１８０ｔｈ ＥＣＳ
Ｍｅｅｔｉｎｇ、ｐ．１１３〜１１８（１９９１）、
Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｉｎ１９９２）において示されて
いる。
【０００３】（ロ）シリコンウェーハの表面を、光照射
による光学励起または２００℃加熱により活性化させ、
この活性化の前後における、鉄ーボロン解離等による拡
散長変化を測定し、これに基づき鉄の濃度を定量する表
面光起電圧法（Ｓｕｒｆａｃｅ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａ
ｇｅ法、以下ＳＰＶ法という。）が知られており、例え
ばＳＰＶ法による重金属汚染測定（ワークショップ資
料、１９９３年１１月１６日、日本エー・ディー・イー
株式会社）において示されている。図５に、このＳＰＶ
法によるシリコンウェーハの鉄濃度測定の手順概要（ス
テップ４１〜ステップ４５）を示す。まず所定の処理後
（ａｓ ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ）のＦｅ−Ｂ結合状態のシ
リコンウェーハが用意され（ステップ４１）、シリコン
ウェーハの少数キャリアの拡散長Ｌｂを表面光起電圧法
により測定し（ステップ４２）、次にシリコンウェーハ
を２００℃加熱等により、Ｆｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂとな
る解離を生じさせた後に、シリコンウェーハを室温まで
急冷し（ステップ４３）、解離状態の少数キャリアの拡
散長Ｌａを測定し（ステップ４４）、鉄濃度を算出する
（ステップ４５）。この鉄濃度［Ｆｅ］は、［Ｆｅ］≒
１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ-2）より算出される。ここ
で、鉄濃度［Ｆｅ］の単位はｃｍ-3、ＬａおよびＬｂの
単位はμｍである。この方法により、鉄濃度を高感度
（１０8 ｃｍ-3オーダー）に測定可能としている。
による光学励起または２００℃加熱により活性化させ、
この活性化の前後における、鉄ーボロン解離等による拡
散長変化を測定し、これに基づき鉄の濃度を定量する表
面光起電圧法（Ｓｕｒｆａｃｅ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａ
ｇｅ法、以下ＳＰＶ法という。）が知られており、例え
ばＳＰＶ法による重金属汚染測定（ワークショップ資
料、１９９３年１１月１６日、日本エー・ディー・イー
株式会社）において示されている。図５に、このＳＰＶ
法によるシリコンウェーハの鉄濃度測定の手順概要（ス
テップ４１〜ステップ４５）を示す。まず所定の処理後
（ａｓ ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ）のＦｅ−Ｂ結合状態のシ
リコンウェーハが用意され（ステップ４１）、シリコン
ウェーハの少数キャリアの拡散長Ｌｂを表面光起電圧法
により測定し（ステップ４２）、次にシリコンウェーハ
を２００℃加熱等により、Ｆｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂとな
る解離を生じさせた後に、シリコンウェーハを室温まで
急冷し（ステップ４３）、解離状態の少数キャリアの拡
散長Ｌａを測定し（ステップ４４）、鉄濃度を算出する
（ステップ４５）。この鉄濃度［Ｆｅ］は、［Ｆｅ］≒
１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ-2）より算出される。ここ
で、鉄濃度［Ｆｅ］の単位はｃｍ-3、ＬａおよびＬｂの
単位はμｍである。この方法により、鉄濃度を高感度
（１０8 ｃｍ-3オーダー）に測定可能としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には次のような問題点がある。すなわち、（イ）
においては、接合形成およびＤＬＴＳ測定に長い時間を
要し、例えば、真空蒸着による接合形成に１時間、さら
に１点のＤＬＴＳ測定時間が１時間以上と多大な工数を
必要とする問題がある。次に、（ロ）においては、酸素
析出誘起欠陥等の欠陥が高密度の発生しているシリコン
ウェーハでは、鉄濃度［Ｆｅ］を実際よりも大きな値と
して算出する問題がある。すなわち、シリコンウェーハ
厚さ方向におけるキャリアの再結合中心（酸素析出誘起
欠陥、Ｆｅ−Ｂ、格子間のＦｅなど）の分布が均一でな
い場合には、正確な少数キャリアの拡散長Ｌａ、Ｌｂが
求められない。例えば、３ステップＩＧ（内部ゲッタリ
ング）処理を施したシリコンウェーハでは、両端面部に
無欠陥層を形成しており、酸素析出誘起欠陥等の欠陥の
分布が不均一な構造となるので、無欠陥層の影響を受け
る拡散長Ｌａ、Ｌｂを測定することになる。また、無欠
陥層をエッチング等により除去し、再結合中心の厚さ方
向における分布の均一性を確保したとしても、欠陥が高
密度に発生しているシリコンウェーハでは、２００℃加
熱などにより活性化する再結合中心が、Ｆｅ−Ｂ以外に
も存在するためである。
来技術には次のような問題点がある。すなわち、（イ）
においては、接合形成およびＤＬＴＳ測定に長い時間を
要し、例えば、真空蒸着による接合形成に１時間、さら
に１点のＤＬＴＳ測定時間が１時間以上と多大な工数を
必要とする問題がある。次に、（ロ）においては、酸素
析出誘起欠陥等の欠陥が高密度の発生しているシリコン
ウェーハでは、鉄濃度［Ｆｅ］を実際よりも大きな値と
して算出する問題がある。すなわち、シリコンウェーハ
厚さ方向におけるキャリアの再結合中心（酸素析出誘起
欠陥、Ｆｅ−Ｂ、格子間のＦｅなど）の分布が均一でな
い場合には、正確な少数キャリアの拡散長Ｌａ、Ｌｂが
求められない。例えば、３ステップＩＧ（内部ゲッタリ
ング）処理を施したシリコンウェーハでは、両端面部に
無欠陥層を形成しており、酸素析出誘起欠陥等の欠陥の
分布が不均一な構造となるので、無欠陥層の影響を受け
る拡散長Ｌａ、Ｌｂを測定することになる。また、無欠
陥層をエッチング等により除去し、再結合中心の厚さ方
向における分布の均一性を確保したとしても、欠陥が高
密度に発生しているシリコンウェーハでは、２００℃加
熱などにより活性化する再結合中心が、Ｆｅ−Ｂ以外に
も存在するためである。
【０００５】本発明は、上記従来技術の問題点に着目
し、酸素析出誘起欠陥等の欠陥を高密度に発生している
シリコンウェーハの鉄濃度を正確にかつ簡便に測定可能
なシリコンウェーハの鉄濃度測定方法を提供することを
目的とする。
し、酸素析出誘起欠陥等の欠陥を高密度に発生している
シリコンウェーハの鉄濃度を正確にかつ簡便に測定可能
なシリコンウェーハの鉄濃度測定方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るシリコンウェーハの鉄濃度測定方法に
おいて、第１発明は、ｐ型シリコンウェーハにおけるＦ
ｅ−Ｂ結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活性化し
てＦｅint ＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャリアの
拡散長Ｌａとを表面光起電圧法により測定し、測定値に
基づく値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄
濃度測定方法において、初めに活性化後急冷した状態の
拡散長Ｌａを測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Ｌ
ｂ１を測定し、これら測定値に基づく値の差よりｐ型シ
リコンウェーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求めること
を特徴とする。第２発明は、ｐ型シリコンウェーハにお
けるＦｅ−Ｂ結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活
性化してＦｅint ＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャ
リアの拡散長Ｌａとを表面光起電圧法により測定し、測
定値に基づく値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェー
ハの鉄濃度測定方法において、初めに活性化後急冷し、
再結合し、再結合状態の拡散長Ｌｂ１を測定し、再度活
性化後急冷した状態の拡散長Ｌａ１を測定し、これら測
定値に基づく値の差よりｐ型シリコンウェーハの高密度
な欠陥層の鉄濃度を求めることを特徴とする。第３発明
は、第１発明または第２発明において、前記欠陥層が、
無欠陥層をエッチングで除去して露出する欠陥層であ
る。
め、本発明に係るシリコンウェーハの鉄濃度測定方法に
おいて、第１発明は、ｐ型シリコンウェーハにおけるＦ
ｅ−Ｂ結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活性化し
てＦｅint ＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャリアの
拡散長Ｌａとを表面光起電圧法により測定し、測定値に
基づく値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄
濃度測定方法において、初めに活性化後急冷した状態の
拡散長Ｌａを測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Ｌ
ｂ１を測定し、これら測定値に基づく値の差よりｐ型シ
リコンウェーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求めること
を特徴とする。第２発明は、ｐ型シリコンウェーハにお
けるＦｅ−Ｂ結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活
性化してＦｅint ＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャ
リアの拡散長Ｌａとを表面光起電圧法により測定し、測
定値に基づく値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェー
ハの鉄濃度測定方法において、初めに活性化後急冷し、
再結合し、再結合状態の拡散長Ｌｂ１を測定し、再度活
性化後急冷した状態の拡散長Ｌａ１を測定し、これら測
定値に基づく値の差よりｐ型シリコンウェーハの高密度
な欠陥層の鉄濃度を求めることを特徴とする。第３発明
は、第１発明または第２発明において、前記欠陥層が、
無欠陥層をエッチングで除去して露出する欠陥層であ
る。
【０００７】
【作用】上記構成による本発明の作用を説明する。高密
度な欠陥層を有するシリコンウェーハの拡散長Ｌａを測
定後、Ｆｅ−Ｂに再結合状態でＳＰＶ法により拡散長Ｌ
ｂ１を測定するので、Ｆｅ−Ｂ以外にも存在する再結合
中心の影響を排除して、鉄およびボロンについての少数
キャリアの拡散長Ｌａ、Ｌｂ１の変化を正確に測定可能
とする。すなわち、欠陥が高密度に発生しているシリコ
ンウェーハでは、Ｆｅ−Ｂ以外に酸素析出誘起欠陥、格
子間のＦｅ等の再結合中心が存在し、２００℃加熱など
により活性化するすると共に、Ｆｅ−Ｂ（不活性状態）
へ再結合する放置後も活性状態にある。したがって、本
発明は、Ｆｅ−Ｂ以外の再結合中心の影響を排除して、
正確な測定が可能となる。これにより得られる（Ｌａ-2
−Ｌｂ１-2）に定数を乗じて鉄濃度を求めるので正確な
値となる。
度な欠陥層を有するシリコンウェーハの拡散長Ｌａを測
定後、Ｆｅ−Ｂに再結合状態でＳＰＶ法により拡散長Ｌ
ｂ１を測定するので、Ｆｅ−Ｂ以外にも存在する再結合
中心の影響を排除して、鉄およびボロンについての少数
キャリアの拡散長Ｌａ、Ｌｂ１の変化を正確に測定可能
とする。すなわち、欠陥が高密度に発生しているシリコ
ンウェーハでは、Ｆｅ−Ｂ以外に酸素析出誘起欠陥、格
子間のＦｅ等の再結合中心が存在し、２００℃加熱など
により活性化するすると共に、Ｆｅ−Ｂ（不活性状態）
へ再結合する放置後も活性状態にある。したがって、本
発明は、Ｆｅ−Ｂ以外の再結合中心の影響を排除して、
正確な測定が可能となる。これにより得られる（Ｌａ-2
−Ｌｂ１-2）に定数を乗じて鉄濃度を求めるので正確な
値となる。
【０００８】さらに、拡散長Ｌｂ１の測定後、拡散長Ｌ
ａ１を測定することにより、測定すべき多数のシリコン
ウェーハをまとめて活性化処理後、比較的長時間となる
Ｆｅ−Ｂへの再結合もまとめて行い、その後個々に比較
的短時間となる拡散長Ｌｂ１、Ｌａ１の測定を行うの
で、トータルの測定工数低減に有用である。さらには、
３ステップＩＧ処理等が施され、両端面部に無欠陥層を
形成するシリコンウェーハ等の場合、エッチングにより
無欠陥層を除去して欠陥層を露出させるので、ＳＰＶ法
による測定部分の欠陥分布は均一となり、上記と同様に
正確な測定が可能となる。
ａ１を測定することにより、測定すべき多数のシリコン
ウェーハをまとめて活性化処理後、比較的長時間となる
Ｆｅ−Ｂへの再結合もまとめて行い、その後個々に比較
的短時間となる拡散長Ｌｂ１、Ｌａ１の測定を行うの
で、トータルの測定工数低減に有用である。さらには、
３ステップＩＧ処理等が施され、両端面部に無欠陥層を
形成するシリコンウェーハ等の場合、エッチングにより
無欠陥層を除去して欠陥層を露出させるので、ＳＰＶ法
による測定部分の欠陥分布は均一となり、上記と同様に
正確な測定が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明に係るシリコンウェーハの鉄
濃度測定方法の実施例につき、図面を参照しつつ詳述す
る。図１に本実施例のシリコンウェーハの鉄濃度測定の
手順概要（ステップ２１〜ステップ２７）、図２に図１
の主要ステップでのシリコンウェーハの状態概要を示
す。図２において、（ａ）は鉄濃度測定対象のシリコン
ウェーハ、（ｂ）はエッチングで除去後のシリコンウェ
ーハ、（ｃ）は拡散長Ｌａの測定、（ｄ）は拡散長Ｌｂ
１の測定を示す。
濃度測定方法の実施例につき、図面を参照しつつ詳述す
る。図１に本実施例のシリコンウェーハの鉄濃度測定の
手順概要（ステップ２１〜ステップ２７）、図２に図１
の主要ステップでのシリコンウェーハの状態概要を示
す。図２において、（ａ）は鉄濃度測定対象のシリコン
ウェーハ、（ｂ）はエッチングで除去後のシリコンウェ
ーハ、（ｃ）は拡散長Ｌａの測定、（ｄ）は拡散長Ｌｂ
１の測定を示す。
【００１０】まず、ステップ２１および図２（ａ）にお
いて、本実施例の適用対象となるシリコンウェーハ１０
は、ボロンをドーパントとするｐ型のシリコンウェーハ
１０であり、厚さ方向の内部に欠陥層１を有するととも
に、両端面には無欠陥層２が形成されている。この欠陥
層１は、酸素析出誘起欠陥等の欠陥を高密度に、例えば
通常高密度と言われる１０7 ／ｃｍ3 程度以上に有して
いる。このシリコンウェーハ１０は、チョクラルスキー
（ＣＺ）法、あるいは新しいＣＺ法である、磁界下引上
げ（ＭＣＺ）法、リチャージ引上げ（ＲＣＣＺ）法、連
続チャージ引上げ（ＣＣＣＺ）法等により単結晶化され
たインゴットを、スライス等のウェーハ加工により鏡面
研磨ウェーハとした後、３ステップＩＧ処理を施してあ
る。なお、シリコンウェーハ１０は、内部、全体あるい
は一部に高密度な欠陥層１を有するものであれば良いの
で、エピタキシャル層、埋込み層など、半導体デバイス
用に施される構成を有してよく、ＩＧ処理も２ステップ
ＩＧ処理など必要に応じた熱処理条件などで処理されて
よく、さらにはＩＧ処理を施さないものでもよい。ま
た、後述するＳＰＶ法測定により、シリコンウェーハ１
０の欠陥層１の鉄濃度を測定する関係から、欠陥層１の
厚さは測定深さとなる厚さ、通常は２００μｍ程度以上
が好ましく、同様な理由から欠陥層１の抵抗率は０．０
５Ω・ｃｍ程度以上が好ましい。
いて、本実施例の適用対象となるシリコンウェーハ１０
は、ボロンをドーパントとするｐ型のシリコンウェーハ
１０であり、厚さ方向の内部に欠陥層１を有するととも
に、両端面には無欠陥層２が形成されている。この欠陥
層１は、酸素析出誘起欠陥等の欠陥を高密度に、例えば
通常高密度と言われる１０7 ／ｃｍ3 程度以上に有して
いる。このシリコンウェーハ１０は、チョクラルスキー
（ＣＺ）法、あるいは新しいＣＺ法である、磁界下引上
げ（ＭＣＺ）法、リチャージ引上げ（ＲＣＣＺ）法、連
続チャージ引上げ（ＣＣＣＺ）法等により単結晶化され
たインゴットを、スライス等のウェーハ加工により鏡面
研磨ウェーハとした後、３ステップＩＧ処理を施してあ
る。なお、シリコンウェーハ１０は、内部、全体あるい
は一部に高密度な欠陥層１を有するものであれば良いの
で、エピタキシャル層、埋込み層など、半導体デバイス
用に施される構成を有してよく、ＩＧ処理も２ステップ
ＩＧ処理など必要に応じた熱処理条件などで処理されて
よく、さらにはＩＧ処理を施さないものでもよい。ま
た、後述するＳＰＶ法測定により、シリコンウェーハ１
０の欠陥層１の鉄濃度を測定する関係から、欠陥層１の
厚さは測定深さとなる厚さ、通常は２００μｍ程度以上
が好ましく、同様な理由から欠陥層１の抵抗率は０．０
５Ω・ｃｍ程度以上が好ましい。
【００１１】次に、ステップ２２および図２（ｂ）に示
すように、欠陥層１を露出させる目的で、シリコンウェ
ーハ１０の無欠陥層２など欠陥層１とは欠陥密度が異な
る部分を化学エッチングにより除去する。確実に欠陥層
１を露出するために、欠陥層１表面の一部までエッチン
グしてもよい。ここで使用されるエッチング液は、フッ
酸と硝酸の混液、またはフッ酸と硝酸に水あるいは酢酸
を加えた混液など、一般的なシリコン用エッチング液が
使用される。このエッチング後のシリコンウェーハ１０
は平滑な鏡面状態が好ましく、フッ酸と硝酸に水あるい
は酢酸を加えた混液で、温度制御と攪拌を行うことが好
ましい。なお、後述するＳＰＶ法による測定は、露出し
た欠陥層１を測定するので、エッチングにて除去する無
欠陥層２は、片面だけでもよい。本ステップの前から、
露出する高密度な欠陥層１を有するシリコンウェーハ１
０の場合は、本ステップを省略してよいことはいうまで
もない。
すように、欠陥層１を露出させる目的で、シリコンウェ
ーハ１０の無欠陥層２など欠陥層１とは欠陥密度が異な
る部分を化学エッチングにより除去する。確実に欠陥層
１を露出するために、欠陥層１表面の一部までエッチン
グしてもよい。ここで使用されるエッチング液は、フッ
酸と硝酸の混液、またはフッ酸と硝酸に水あるいは酢酸
を加えた混液など、一般的なシリコン用エッチング液が
使用される。このエッチング後のシリコンウェーハ１０
は平滑な鏡面状態が好ましく、フッ酸と硝酸に水あるい
は酢酸を加えた混液で、温度制御と攪拌を行うことが好
ましい。なお、後述するＳＰＶ法による測定は、露出し
た欠陥層１を測定するので、エッチングにて除去する無
欠陥層２は、片面だけでもよい。本ステップの前から、
露出する高密度な欠陥層１を有するシリコンウェーハ１
０の場合は、本ステップを省略してよいことはいうまで
もない。
【００１２】次に、ステップ２３において、まず活性化
処理が施される。この活性化処理は、光照射による光学
励起、加熱炉等により、欠陥層１の測定対象となる領域
の鉄ーボロンが解離する状態に活性化する。この解離が
完了あるいは完了と見なせる状態になった後に急冷す
る。すなわち、活性化はＦｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂとなる
解離が生じる状態とするものであり、解離温度となる約
２００℃以上が好ましく、さらにＦｅint の過飽和な固
溶による欠陥層１の表面などへの析出を防止するため、
約２００℃〜約２２０℃がより好ましい。上記解離は、
２００℃で３分程度で完了すると言われており、活性化
状態の保持は、シリコンウェーハ１０の厚さにもよる
が、３０分程度以内が好ましい。この活性化保持後、シ
リコンウェーハ１０をＦｅ−Ｂへの再結合速度が小さい
温度域、一般的には室温程度に急冷する。ステップ２４
および図２（ｃ）に示すように、上記急冷後、欠陥層１
を露出したシリコンウェーハ１０は、短時間内にＳＰＶ
法による測定装置３にて、Ｆｅint ＋Ｂとなる解離状態
１ａの欠陥層１の表面１ｃから、少数キャリアの拡散長
Ｌａが測定される。
処理が施される。この活性化処理は、光照射による光学
励起、加熱炉等により、欠陥層１の測定対象となる領域
の鉄ーボロンが解離する状態に活性化する。この解離が
完了あるいは完了と見なせる状態になった後に急冷す
る。すなわち、活性化はＦｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂとなる
解離が生じる状態とするものであり、解離温度となる約
２００℃以上が好ましく、さらにＦｅint の過飽和な固
溶による欠陥層１の表面などへの析出を防止するため、
約２００℃〜約２２０℃がより好ましい。上記解離は、
２００℃で３分程度で完了すると言われており、活性化
状態の保持は、シリコンウェーハ１０の厚さにもよる
が、３０分程度以内が好ましい。この活性化保持後、シ
リコンウェーハ１０をＦｅ−Ｂへの再結合速度が小さい
温度域、一般的には室温程度に急冷する。ステップ２４
および図２（ｃ）に示すように、上記急冷後、欠陥層１
を露出したシリコンウェーハ１０は、短時間内にＳＰＶ
法による測定装置３にて、Ｆｅint ＋Ｂとなる解離状態
１ａの欠陥層１の表面１ｃから、少数キャリアの拡散長
Ｌａが測定される。
【００１３】続いて、ステップ２５において、解離した
Ｆｅint ＋ＢがＦｅ−Ｂへ再結合するまでシリコンウェ
ーハ１０を放置する。この放置は、解離温度より低い温
度で保持されれば良いが、室温では１週間程度で、８０
℃では２０分程度で、再結合がほぼ完了すると言われて
おり、室温〜１００℃程度で、２０分〜１週間程度が好
ましく、作業上の効率を考慮して、８０〜１００℃程度
がより好ましい場合もある。ステップ２６および図２
（ｄ）に示すように、放置後、Ｆｅ−Ｂへ再結合したシ
リコンウェーハ１０は、測定装置３で測定可能な温度、
一般的には室温程度で、Ｆｅ−Ｂに再結合状態１ｂの欠
陥層１の表面１ｃから、測定装置３にて少数キャリアの
拡散長Ｌｂ１が測定される。
Ｆｅint ＋ＢがＦｅ−Ｂへ再結合するまでシリコンウェ
ーハ１０を放置する。この放置は、解離温度より低い温
度で保持されれば良いが、室温では１週間程度で、８０
℃では２０分程度で、再結合がほぼ完了すると言われて
おり、室温〜１００℃程度で、２０分〜１週間程度が好
ましく、作業上の効率を考慮して、８０〜１００℃程度
がより好ましい場合もある。ステップ２６および図２
（ｄ）に示すように、放置後、Ｆｅ−Ｂへ再結合したシ
リコンウェーハ１０は、測定装置３で測定可能な温度、
一般的には室温程度で、Ｆｅ−Ｂに再結合状態１ｂの欠
陥層１の表面１ｃから、測定装置３にて少数キャリアの
拡散長Ｌｂ１が測定される。
【００１４】次に、ステップ２７において、以上により
測定された拡散長Ｌａ、Ｌｂ１に基づき、欠陥層１の鉄
濃度［Ｆｅ］が求められるが、一般的には、鉄濃度［Ｆ
ｅ］＝定数×（Ｌａ -2−Ｌｂ１-2）となる。さらに、
ＤＬＴＳ法での鉄濃度等を参考にして、鉄濃度［Ｆｅ］
（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ１-2）が得ら
れ、ここでＬａ、Ｌｂ１の単位はμｍである。
測定された拡散長Ｌａ、Ｌｂ１に基づき、欠陥層１の鉄
濃度［Ｆｅ］が求められるが、一般的には、鉄濃度［Ｆ
ｅ］＝定数×（Ｌａ -2−Ｌｂ１-2）となる。さらに、
ＤＬＴＳ法での鉄濃度等を参考にして、鉄濃度［Ｆｅ］
（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ１-2）が得ら
れ、ここでＬａ、Ｌｂ１の単位はμｍである。
【００１５】本実施例で測定する拡散長Ｌａ、Ｌｂ１と
従来のＳＰＶ法で測定する拡散長Ｌａ、Ｌｂとの違いを
図３で説明する。すなわち、従来技術では、高密度な欠
陥層１を露出するシリコンウェーハ１０（図２（ｂ）参
照）と仮定した場合、時間Ｔ0 でＦｅ−Ｂ結合状態にお
ける少数キャリアの拡散長Ｌｂを測定し、次に活性化に
よりＦｅint ＋Ｂへ解離した状態（時間Ｔ1 ）で少数キ
ャリアの拡散長Ｌａを測定し、鉄濃度［Ｆｅ］（ｃ
ｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ-2）を求めている。
一方、本発明においては、活性化によりＦｅint ＋Ｂへ
解離した状態（時間Ｔ1 ）で少数キャリアの拡散長Ｌａ
を測定し、放置によりＦｅ−Ｂへ再結合状態（時間
Ｔ2 ）で少数キャリアの拡散長Ｌｂ１を測定し、鉄濃度
［Ｆｅ］（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ１-2）
を求める。図から明らかなように、測定する拡散長Ｌａ
は同じ値となるが、拡散長Ｌｂと拡散長Ｌｂ１とは異な
る値である。なお、従来技術で、欠陥層と異なる密度の
層、例えば無欠陥層などを表面に形成する状態のシリコ
ンウェーハの場合は、測定される拡散長Ｌａ、Ｌｂには
目的以外の層も含むので、より精度が落ちる。
従来のＳＰＶ法で測定する拡散長Ｌａ、Ｌｂとの違いを
図３で説明する。すなわち、従来技術では、高密度な欠
陥層１を露出するシリコンウェーハ１０（図２（ｂ）参
照）と仮定した場合、時間Ｔ0 でＦｅ−Ｂ結合状態にお
ける少数キャリアの拡散長Ｌｂを測定し、次に活性化に
よりＦｅint ＋Ｂへ解離した状態（時間Ｔ1 ）で少数キ
ャリアの拡散長Ｌａを測定し、鉄濃度［Ｆｅ］（ｃ
ｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ-2）を求めている。
一方、本発明においては、活性化によりＦｅint ＋Ｂへ
解離した状態（時間Ｔ1 ）で少数キャリアの拡散長Ｌａ
を測定し、放置によりＦｅ−Ｂへ再結合状態（時間
Ｔ2 ）で少数キャリアの拡散長Ｌｂ１を測定し、鉄濃度
［Ｆｅ］（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ-2−Ｌｂ１-2）
を求める。図から明らかなように、測定する拡散長Ｌａ
は同じ値となるが、拡散長Ｌｂと拡散長Ｌｂ１とは異な
る値である。なお、従来技術で、欠陥層と異なる密度の
層、例えば無欠陥層などを表面に形成する状態のシリコ
ンウェーハの場合は、測定される拡散長Ｌａ、Ｌｂには
目的以外の層も含むので、より精度が落ちる。
【００１６】この違いは、従来技術では、２００℃加熱
で、Ｆｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂ以外の変化は無いと仮定し
ていることによる。すなわち、高密度に酸素析出誘起欠
陥等を発生しているシリコンウェーハでは、Ｆｅ−Ｂ以
外の再結合中心（酸素析出誘起欠陥、格子間のＦｅな
ど）が存在し、拡散長Ｌｂ測定時にはＦｅ−Ｂ以外の再
結合中心は不活性であるが、２００℃加熱等の活性化処
理により、このＦｅ−Ｂ以外の再結合中心も活性化す
る。従って、従来技術の拡散長ＬｂにはＦｅ−Ｂ以外の
再結合中心の変化も含んでいる。一方、本発明の拡散長
Ｌｂ１はＦｅ−Ｂのみの変化を測定しており、正確な鉄
濃度が得られる。
で、Ｆｅ−Ｂ→Ｆｅint ＋Ｂ以外の変化は無いと仮定し
ていることによる。すなわち、高密度に酸素析出誘起欠
陥等を発生しているシリコンウェーハでは、Ｆｅ−Ｂ以
外の再結合中心（酸素析出誘起欠陥、格子間のＦｅな
ど）が存在し、拡散長Ｌｂ測定時にはＦｅ−Ｂ以外の再
結合中心は不活性であるが、２００℃加熱等の活性化処
理により、このＦｅ−Ｂ以外の再結合中心も活性化す
る。従って、従来技術の拡散長ＬｂにはＦｅ−Ｂ以外の
再結合中心の変化も含んでいる。一方、本発明の拡散長
Ｌｂ１はＦｅ−Ｂのみの変化を測定しており、正確な鉄
濃度が得られる。
【００１７】次に、本発明に係わる別の実施例に関し、
図４に示す本実施例のシリコンウェーハの鉄濃度測定の
手順概要（ステップ３１〜ステップ３８）、図２および
図３で説明する。本実施例は、基本的には上述の実施例
と同じであるが、少数キャリアの拡散長Ｌａを時間Ｔ3
で測定する点が異なる。すなわち、化学エッチングによ
り欠陥層１を露出したシリコンウェーハ１０を（ステッ
プ３１、３２）、上述実施例と同様に、ＦｅーＢが解離
する状態に活性化させ、この解離が完了あるいは完了と
見なせる状態になった後に急冷する（ステップ３３）
が、拡散長は測定しない。その後、解離したＦｅint ＋
ＢがＦｅ−Ｂへ再結合するまでシリコンウェーハ１０を
放置し（ステップ３４）、次にステップ３５で上述実施
例と同様に少数キャリアの拡散長Ｌｂ１を測定（時間Ｔ
2 ）する。次に、再度ＦｅーＢが解離する状態に活性化
させ、この解離が完了あるいは完了と見なせる状態にな
った後に急冷し（ステップ３６）、上述実施例と同様に
拡散長Ｌａ１を測定し（ステップ３７）、鉄濃度［Ｆ
ｅ］（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ１-2−Ｌｂ１-2）を
求める（ステップ３８）。なお、拡散長Ｌａ１と上述実
施例の拡散長Ｌａとは、測定する時間は異なるが、値は
同じである。
図４に示す本実施例のシリコンウェーハの鉄濃度測定の
手順概要（ステップ３１〜ステップ３８）、図２および
図３で説明する。本実施例は、基本的には上述の実施例
と同じであるが、少数キャリアの拡散長Ｌａを時間Ｔ3
で測定する点が異なる。すなわち、化学エッチングによ
り欠陥層１を露出したシリコンウェーハ１０を（ステッ
プ３１、３２）、上述実施例と同様に、ＦｅーＢが解離
する状態に活性化させ、この解離が完了あるいは完了と
見なせる状態になった後に急冷する（ステップ３３）
が、拡散長は測定しない。その後、解離したＦｅint ＋
ＢがＦｅ−Ｂへ再結合するまでシリコンウェーハ１０を
放置し（ステップ３４）、次にステップ３５で上述実施
例と同様に少数キャリアの拡散長Ｌｂ１を測定（時間Ｔ
2 ）する。次に、再度ＦｅーＢが解離する状態に活性化
させ、この解離が完了あるいは完了と見なせる状態にな
った後に急冷し（ステップ３６）、上述実施例と同様に
拡散長Ｌａ１を測定し（ステップ３７）、鉄濃度［Ｆ
ｅ］（ｃｍ-3）≒１×１０16（Ｌａ１-2−Ｌｂ１-2）を
求める（ステップ３８）。なお、拡散長Ｌａ１と上述実
施例の拡散長Ｌａとは、測定する時間は異なるが、値は
同じである。
【００１８】本実施例にて求められる鉄濃度［Ｆｅ］は
上述実施例と同じであるが、多数のシリコンウェーハ１
０の鉄濃度を測定する場合等に有用である。すなわち、
化学エッチング処理後の多数のシリコンウェーハ１０を
同時に活性化させ、急冷後放置して再結合させ、個々に
拡散長Ｌｂ１および拡散長Ｌａ１を測定する。したがっ
て、活性化処理が一回増加するが、放置して再結合させ
るのが一回で良いので、多数のシリコンウェーハの鉄濃
度を測定する場合は、作業時間が大幅に低減される。
上述実施例と同じであるが、多数のシリコンウェーハ１
０の鉄濃度を測定する場合等に有用である。すなわち、
化学エッチング処理後の多数のシリコンウェーハ１０を
同時に活性化させ、急冷後放置して再結合させ、個々に
拡散長Ｌｂ１および拡散長Ｌａ１を測定する。したがっ
て、活性化処理が一回増加するが、放置して再結合させ
るのが一回で良いので、多数のシリコンウェーハの鉄濃
度を測定する場合は、作業時間が大幅に低減される。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、高密度な欠陥層を有す
るシリコンウェーハを加熱し、Ｆｅ−Ｂを解離後急冷
し、ＳＰＶ法により拡散長Ｌａを測定し、次に解離した
鉄とボロンがＦｅ−Ｂへ再結合後、拡散長Ｌｂ１をＳＰ
Ｖ法により測定する、又は、先に拡散長Ｌｂ１を測定
後、拡散長Ｌａ１を測定し、これらから（Ｌａ-2−Ｌｂ
１-2）又は（Ｌａ１-2−Ｌｂ１-2）を求め、これに定
数、例えば約１×１０16を乗じて鉄濃度を求める。した
がって、Ｆｅ−Ｂ以外の再結合中心の影響を排除して拡
散長を測定するので、正確な鉄濃度が測定される。ま
た、先に拡散長Ｌｂ１を測定する場合には、比較的長時
間を要する放置処理で多数のシリコンウェーハを１度に
処理するので、工数低減が可能となり、コスト低減に寄
与する。さらに、鉄濃度測定方法は、必要に応じてシリ
コンウェーハの無欠陥層等をエッチングで除去して欠陥
層を露出させ、ＳＰＶ法により拡散長を測定するので、
高度な熟練技術を必要とせず、簡便な測定方法である。
以上により、シリコンウェーハの鉄による汚染度を正確
かつ簡便に測定可能とするので、製造工程中あるいは製
造後のシリコンウェーハの清浄度等の品質評価が的確に
かつ容易に行われる。
るシリコンウェーハを加熱し、Ｆｅ−Ｂを解離後急冷
し、ＳＰＶ法により拡散長Ｌａを測定し、次に解離した
鉄とボロンがＦｅ−Ｂへ再結合後、拡散長Ｌｂ１をＳＰ
Ｖ法により測定する、又は、先に拡散長Ｌｂ１を測定
後、拡散長Ｌａ１を測定し、これらから（Ｌａ-2−Ｌｂ
１-2）又は（Ｌａ１-2−Ｌｂ１-2）を求め、これに定
数、例えば約１×１０16を乗じて鉄濃度を求める。した
がって、Ｆｅ−Ｂ以外の再結合中心の影響を排除して拡
散長を測定するので、正確な鉄濃度が測定される。ま
た、先に拡散長Ｌｂ１を測定する場合には、比較的長時
間を要する放置処理で多数のシリコンウェーハを１度に
処理するので、工数低減が可能となり、コスト低減に寄
与する。さらに、鉄濃度測定方法は、必要に応じてシリ
コンウェーハの無欠陥層等をエッチングで除去して欠陥
層を露出させ、ＳＰＶ法により拡散長を測定するので、
高度な熟練技術を必要とせず、簡便な測定方法である。
以上により、シリコンウェーハの鉄による汚染度を正確
かつ簡便に測定可能とするので、製造工程中あるいは製
造後のシリコンウェーハの清浄度等の品質評価が的確に
かつ容易に行われる。
【図１】本発明に係る実施例のシリコンウェーハの鉄濃
度測定の手順概要を説明する図である。
度測定の手順概要を説明する図である。
【図２】図１の主要ステップでのシリコンウェーハの状
態概要を示す図である。
態概要を示す図である。
【図３】本発明に係る実施例で測定する拡散長と従来技
術に係るＳＰＶ法で測定する拡散長との違いを説明する
図である。
術に係るＳＰＶ法で測定する拡散長との違いを説明する
図である。
【図４】本発明に係わる別の実施例のシリコンウェーハ
の鉄濃度測定の手順概要を説明する図である。
の鉄濃度測定の手順概要を説明する図である。
【図５】従来技術に係るＳＰＶ法によるシリコンウェー
ハの鉄濃度測定の手順概要を説明する図である。
ハの鉄濃度測定の手順概要を説明する図である。
１ 欠陥層、２ 無欠陥層、３ ＳＰＶ法による測定装
置、１０ シリコンウェーハ、Ｌａ、Ｌａ１、Ｌｂ、Ｌ
ｂ１ 拡散長。
置、１０ シリコンウェーハ、Ｌａ、Ｌａ１、Ｌｂ、Ｌ
ｂ１ 拡散長。
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ−Ｂ
結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活性化してＦｅ
int ＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャリアの拡散長
Ｌａとを表面光起電圧法により測定し、測定値に基づく
値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄濃度測
定方法において、初めに活性化後急冷した状態の拡散長
Ｌａを測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Ｌｂ１を
測定し、これら測定値に基づく値の差よりｐ型シリコン
ウェーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求めることを特徴
とするシリコンウェーハの鉄濃度測定方法。 - 【請求項２】 ｐ型シリコンウェーハにおけるＦｅ−Ｂ
結合状態の少数キャリアの拡散長Ｌｂと活性化してＦｅ
int ＋Ｂに解離後急冷した状態の少数キャリアの拡散長
Ｌａとを表面光起電圧法により測定し、測定値に基づく
値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄濃度測
定方法において、初めに活性化後急冷し、再結合し、再
結合状態の拡散長Ｌｂ１を測定し、再度活性化後急冷し
た状態の拡散長Ｌａ１を測定し、これら測定値に基づく
値の差よりｐ型シリコンウェーハの高密度な欠陥層の鉄
濃度を求めることを特徴とするシリコンウェーハの鉄濃
度測定方法。 - 【請求項３】 前記欠陥層が、無欠陥層をエッチングで
除去して露出する欠陥層であることを特徴とする請求項
１又は２記載のシリコンウェーハの鉄濃度測定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6809194A JPH07249666A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | シリコンウェーハの鉄濃度測定方法 |
| TW084109546A TW348289B (en) | 1994-03-11 | 1995-09-12 | Method of measuring a Fe concentration of a silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6809194A JPH07249666A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | シリコンウェーハの鉄濃度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249666A true JPH07249666A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13363726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6809194A Pending JPH07249666A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | シリコンウェーハの鉄濃度測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249666A (ja) |
| TW (1) | TW348289B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386688B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-02 | 주식회사 실트론 | 단결정 실리콘 웨이퍼 검사 방법 |
| KR20040022999A (ko) * | 2002-09-10 | 2004-03-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 오염의 인-라인 모니터링 장비 및 웨이퍼 오염측정 방법 |
| KR100499176B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 오염 측정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| JP2005191315A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2011054784A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 |
| JP2011233761A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法およびボロンドープｐ型シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2011243784A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度測定方法および測定装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2012049344A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 |
| JP2012049345A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度分析方法および分析装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 |
-
1994
- 1994-03-11 JP JP6809194A patent/JPH07249666A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-12 TW TW084109546A patent/TW348289B/zh active
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386688B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-02 | 주식회사 실트론 | 단결정 실리콘 웨이퍼 검사 방법 |
| KR20040022999A (ko) * | 2002-09-10 | 2004-03-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 오염의 인-라인 모니터링 장비 및 웨이퍼 오염측정 방법 |
| KR100499176B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 오염 측정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| JP2005191315A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2011054784A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 |
| JP2011233761A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法およびボロンドープｐ型シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2011243784A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度測定方法および測定装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2012049344A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 |
| JP2012049345A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sumco Corp | ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度分析方法および分析装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 |
| EP2423956A3 (en) * | 2010-08-27 | 2014-04-23 | Sumco Corporation | Method of analyzing iron concentration of boron-doped p-type silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW348289B (en) | 1998-12-21 |
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