JPH0864967A - 多層プリント配線板及びマルチチップモジュール基板及びその製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板及びマルチチップモジュール基板及びその製造方法Info
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- JPH0864967A JPH0864967A JP7141411A JP14141195A JPH0864967A JP H0864967 A JPH0864967 A JP H0864967A JP 7141411 A JP7141411 A JP 7141411A JP 14141195 A JP14141195 A JP 14141195A JP H0864967 A JPH0864967 A JP H0864967A
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- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
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- H—ELECTRICITY
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- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温耐性のプラスチックと金属製導電路とか
ら成る層状結合体を有する多層プリント配線板及びマル
チチップモジュール基板が有効な湿気遮断物を有するよ
うに形成する。 【構成】 プラスチック層に水浸透係数＜１．１・１９
-13ｍ2／ｓの非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から成
る薄層を備え、このａ−Ｃ：Ｈ層が硬−軟−硬の硬度偏
差を備えている。
ら成る層状結合体を有する多層プリント配線板及びマル
チチップモジュール基板が有効な湿気遮断物を有するよ
うに形成する。 【構成】 プラスチック層に水浸透係数＜１．１・１９
-13ｍ2／ｓの非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から成
る薄層を備え、このａ−Ｃ：Ｈ層が硬−軟−硬の硬度偏
差を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温耐性のプラスチッ
クから成る少なくとも１つの層状結合体及び金属製導電
路を有する多層プリント配線板及びマルチチップモジュ
ール基板とその製造方法に関する。
クから成る少なくとも１つの層状結合体及び金属製導電
路を有する多層プリント配線板及びマルチチップモジュ
ール基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチチップモジュール（ＭＣＭ）はメ
モリ及び論理モジュールのような集積回路を互いに及び
その周辺回路と結合したデバイスである。このデバイス
により短縮された電流路は比較的少ない信号走行時間及
び比較的高いクロック周波数を可能にする。マルチチッ
プモジュールは多層加工法で製造され、その際基板の材
料としてセラミックス又はシリコンを使用することがで
きる。更に基板としてはセラミックス材と同様に多層構
造を有することのできるプリント配線板も使用すること
ができる。２５まで及びそれ以上の導電層からなる基板
上にある本来のマイクロ配線は、ポリイミドのような有
機性誘電体により互いに絶縁されている銅製導線から成
る。１つの銅製導電路面から次の導電路面へのスルーホ
ールは個々の銅層を電気的に接続する（これに関しては
「アイ・イー・イー・スペクトルム（ＩＥＥＥ Ｓｐｅ
ｋｔｒｕｍ）」、第２７巻（１９９０年）、第３号、第
３４〜３６頁、４６〜４８頁、「ハイブリッド・エレク
トロニクスに関する国際ジャーナル（Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ｆｏｒ ＨｙｂｒｉｄＭ
ｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）」第１３巻（１９９
０年）、第４号、第９１〜９９頁、「ファウ・デー・イ
ー・ベリヒテ（ＶＤＩ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ）」第９３３
号（１９９１年）第２６５〜２８３頁参照）。
モリ及び論理モジュールのような集積回路を互いに及び
その周辺回路と結合したデバイスである。このデバイス
により短縮された電流路は比較的少ない信号走行時間及
び比較的高いクロック周波数を可能にする。マルチチッ
プモジュールは多層加工法で製造され、その際基板の材
料としてセラミックス又はシリコンを使用することがで
きる。更に基板としてはセラミックス材と同様に多層構
造を有することのできるプリント配線板も使用すること
ができる。２５まで及びそれ以上の導電層からなる基板
上にある本来のマイクロ配線は、ポリイミドのような有
機性誘電体により互いに絶縁されている銅製導線から成
る。１つの銅製導電路面から次の導電路面へのスルーホ
ールは個々の銅層を電気的に接続する（これに関しては
「アイ・イー・イー・スペクトルム（ＩＥＥＥ Ｓｐｅ
ｋｔｒｕｍ）」、第２７巻（１９９０年）、第３号、第
３４〜３６頁、４６〜４８頁、「ハイブリッド・エレク
トロニクスに関する国際ジャーナル（Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ｆｏｒ ＨｙｂｒｉｄＭ
ｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）」第１３巻（１９９
０年）、第４号、第９１〜９９頁、「ファウ・デー・イ
ー・ベリヒテ（ＶＤＩ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ）」第９３３
号（１９９１年）第２６５〜２８３頁参照）。
【０００３】有機性誘電体は誘電率が低いことからセラ
ミックス製絶縁層よりも高いクロック・レートを可能に
する。この高いクロック・レートは将来的に益々必要と
なってきている。そのためとりわけポリイミド及びポリ
ベンゾシクロブテンのような高温耐性の有機性ポリマー
が使用される。それというのもこれらは電気的要件（低
い誘電率、低い損失角）及び熱的要件（ろう付け処理の
際の安定性）と十分に合致するからである。
ミックス製絶縁層よりも高いクロック・レートを可能に
する。この高いクロック・レートは将来的に益々必要と
なってきている。そのためとりわけポリイミド及びポリ
ベンゾシクロブテンのような高温耐性の有機性ポリマー
が使用される。それというのもこれらは電気的要件（低
い誘電率、低い損失角）及び熱的要件（ろう付け処理の
際の安定性）と十分に合致するからである。
【０００４】ポリイミドのような高温耐性の有機性誘電
体は外界の湿気から約４質量％までの水分を吸収する性
質がある（ハンマーシュミット（Ａ．Ｈａｍｍｅｒｓｃ
ｈｍｉｄｔ）他による「ポリイミドに関する第１回欧州
技術シンポジウム（１ｓｔＥｕｒｏｐｅａｎ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ Ｐｏｌｙｉｍｉ
ｄｅｓ）」１９８９年５月１０日〜１１日、於フランス
国モンペリエ参照）。しかしそれによって電気的特性、
とりわけ誘電率は悪影響を蒙る。これはまたデバイス全
体のスイッチング特性（クロック周波数）に悪影響を及
ぼす。更に湿気によりマルチチップモジュールの内部に
腐食現象を発生するかこれを促進しかねない。
体は外界の湿気から約４質量％までの水分を吸収する性
質がある（ハンマーシュミット（Ａ．Ｈａｍｍｅｒｓｃ
ｈｍｉｄｔ）他による「ポリイミドに関する第１回欧州
技術シンポジウム（１ｓｔＥｕｒｏｐｅａｎ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ Ｐｏｌｙｉｍｉ
ｄｅｓ）」１９８９年５月１０日〜１１日、於フランス
国モンペリエ参照）。しかしそれによって電気的特性、
とりわけ誘電率は悪影響を蒙る。これはまたデバイス全
体のスイッチング特性（クロック周波数）に悪影響を及
ぼす。更に湿気によりマルチチップモジュールの内部に
腐食現象を発生するかこれを促進しかねない。
【０００５】現在有機性誘電体を有するマルチチップモ
ジュールには湿気遮断物は施されていない。即ちカプセ
ル化、空調領域内への収容及び一層当り６０μｍまでの
層厚によって湿気を遮断することは必ずしも必要とされ
ない。しかし一層当り５〜２０μｍの層厚の誘電体を有
する新規の構想並びに低コスト用ではこのような保護は
必要である。
ジュールには湿気遮断物は施されていない。即ちカプセ
ル化、空調領域内への収容及び一層当り６０μｍまでの
層厚によって湿気を遮断することは必ずしも必要とされ
ない。しかし一層当り５〜２０μｍの層厚の誘電体を有
する新規の構想並びに低コスト用ではこのような保護は
必要である。
【０００６】有機性誘電体（３面までの導電路及び１〜
２μｍの層厚の誘電体）を有する多層構造の集積回路の
場合、湿気の変動時に生じる誘電率の変化を抑制するた
めに平坦化された誘電体を窒化シリコン（いわゆる窒化
プラズマ）から成る湿気遮断の作用をする層で覆う（こ
れに関しては「エレクトロニクス用ポリマー材料（Ｐｏ
ｌｙｍｅｒｗｅｒｋｓｔｏｆｆ ｆｕｅｒ ｄｉｅ Ｅ
ｌｅｋｔｒｏｎｉｋ）の専門会議、１９８７年１０月１
４〜１６日、於ドイツ国ビュルツブルグの議事録（１９
８７年）、第１５３〜１６５頁参照）。しかし窒化シリ
コンはいわゆる０．２５μｍ以下の層厚では脆性である
という欠点を有する。更に必要とされる窒化シリコンの
構造化（接触パッドの露出）のためには、その下にある
ポリイミドのような有機性誘電体をＯ2による反応性イ
オンエッチング又は湿式エッチングで構造化するのとは
違う他のエッチングプロセス（フッ素によるエッチン
グ）を使用しなければならない。
２μｍの層厚の誘電体）を有する多層構造の集積回路の
場合、湿気の変動時に生じる誘電率の変化を抑制するた
めに平坦化された誘電体を窒化シリコン（いわゆる窒化
プラズマ）から成る湿気遮断の作用をする層で覆う（こ
れに関しては「エレクトロニクス用ポリマー材料（Ｐｏ
ｌｙｍｅｒｗｅｒｋｓｔｏｆｆ ｆｕｅｒ ｄｉｅ Ｅ
ｌｅｋｔｒｏｎｉｋ）の専門会議、１９８７年１０月１
４〜１６日、於ドイツ国ビュルツブルグの議事録（１９
８７年）、第１５３〜１６５頁参照）。しかし窒化シリ
コンはいわゆる０．２５μｍ以下の層厚では脆性である
という欠点を有する。更に必要とされる窒化シリコンの
構造化（接触パッドの露出）のためには、その下にある
ポリイミドのような有機性誘電体をＯ2による反応性イ
オンエッチング又は湿式エッチングで構造化するのとは
違う他のエッチングプロセス（フッ素によるエッチン
グ）を使用しなければならない。
【０００７】窒化シリコンに関係する欠点を回避するた
めに集積回路に非晶質水素含有炭素をコーティングとし
て使用することが既に公知である（これに関しては欧州
特許出願公開第０３８１１０９号明細書参照）。しかし
この場合圧縮応力により不所望の影響を蒙る恐れがあ
る。
めに集積回路に非晶質水素含有炭素をコーティングとし
て使用することが既に公知である（これに関しては欧州
特許出願公開第０３８１１０９号明細書参照）。しかし
この場合圧縮応力により不所望の影響を蒙る恐れがあ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に記載した形式のプラスチック層を含む多層プリント配
線板及びマルチチップモジュール基板が有効な湿気遮断
物を有するように形成することにある。
に記載した形式のプラスチック層を含む多層プリント配
線板及びマルチチップモジュール基板が有効な湿気遮断
物を有するように形成することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、プラスチックに水浸透係数＜１．１・１０-13ｍ2／
ｓの非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から成る薄層を
備え、このａ−Ｃ：Ｈ層が硬度に関して偏差を有してい
ることにより解決される。
り、プラスチックに水浸透係数＜１．１・１０-13ｍ2／
ｓの非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から成る薄層を
備え、このａ−Ｃ：Ｈ層が硬度に関して偏差を有してい
ることにより解決される。
【００１０】本発明による多層プリント配線板及びマル
チチップモジュール基板は、緊密でピンホールのない十
分水を通さないａ−Ｃ：Ｈ層を有するものである。更に
このａ−Ｃ：Ｈ層は高温耐性のポリマーに良好に接着す
ることにおいて優れており、１０18Ωｃｍまでの導電率
並びに１〜２．７ｅＶの光学エネルギーギャップを有す
る。このａ−Ｃ：Ｈ層の他の利点はその構造化能にあ
る。即ち窒化シリコンとは異なり非晶質水素含有炭素で
はその下にある誘電体の構造化（シリコン含有フォトレ
ジストのＯ2／ＲＩＥ）の場合と同じプロセスを使用で
きる。
チチップモジュール基板は、緊密でピンホールのない十
分水を通さないａ−Ｃ：Ｈ層を有するものである。更に
このａ−Ｃ：Ｈ層は高温耐性のポリマーに良好に接着す
ることにおいて優れており、１０18Ωｃｍまでの導電率
並びに１〜２．７ｅＶの光学エネルギーギャップを有す
る。このａ−Ｃ：Ｈ層の他の利点はその構造化能にあ
る。即ち窒化シリコンとは異なり非晶質水素含有炭素で
はその下にある誘電体の構造化（シリコン含有フォトレ
ジストのＯ2／ＲＩＥ）の場合と同じプロセスを使用で
きる。
【００１１】圧縮応力の不所望な影響はａ−Ｃ：Ｈ層の
硬度偏差により減少され、その際プラスチック層に境を
接するａ−Ｃ：Ｈ層の範囲はその外側の範囲よりも軟ら
かい、即ち硬度が低い。この場合ポリマーに類似したａ
−Ｃ：Ｈから成る軟らかい範囲はａ−Ｃ：Ｈ層のより硬
い範囲の応力緩衝の作用をする。
硬度偏差により減少され、その際プラスチック層に境を
接するａ−Ｃ：Ｈ層の範囲はその外側の範囲よりも軟ら
かい、即ち硬度が低い。この場合ポリマーに類似したａ
−Ｃ：Ｈから成る軟らかい範囲はａ−Ｃ：Ｈ層のより硬
い範囲の応力緩衝の作用をする。
【００１２】ａ−Ｃ：Ｈ層が硬−軟−硬の硬度偏差を有
していることは特に有利である。従ってこの場合プラス
チック層に隣接する範囲はそれに続く範囲よりも硬度が
高い。この下方の硬い方の範囲によりａ−Ｃ：Ｈ層とプ
ラスチック層との間に緊密な結合が形成される。即ちこ
の範囲は接着剤の作用をする。
していることは特に有利である。従ってこの場合プラス
チック層に隣接する範囲はそれに続く範囲よりも硬度が
高い。この下方の硬い方の範囲によりａ−Ｃ：Ｈ層とプ
ラスチック層との間に緊密な結合が形成される。即ちこ
の範囲は接着剤の作用をする。
【００１３】
【実施例】ａ−Ｃ：Ｈ層の厚さは一般に約０．１〜５μ
ｍである。個々の範囲は偏差の型（軟−硬又は硬−軟−
硬）に関係なく、主として以下の厚さを有する。 −下方の硬い範囲：５〜１００ｎｍ −軟らかい範囲：１００〜１０００ｎｍ −上方の硬い範囲：２００〜４０００ｎｍ
ｍである。個々の範囲は偏差の型（軟−硬又は硬−軟−
硬）に関係なく、主として以下の厚さを有する。 −下方の硬い範囲：５〜１００ｎｍ −軟らかい範囲：１００〜１０００ｎｍ −上方の硬い範囲：２００〜４０００ｎｍ
【００１４】プラスチック層は一般にポリイミド又はポ
リベンズオキサゾールから成る。
リベンズオキサゾールから成る。
【００１５】本発明による多層プリント配線板又はマル
チチップモジュール基板の製造にはプラスチック層上
に、即ち層状のプラスチックと導電路との結合から成る
プラスチック上にガス状炭化水素の高周波プラズマ析出
により硬度偏差を有する薄いａ−Ｃ：Ｈ層を析出する。
有利にはプラズマ析出はラジオ周波数（ＲＦ）により、
即ち０．１〜１００ＭＨｚの範囲の周波数で行われる。
しかしこの析出は更にマイクロ波によって、即ち０．１
〜１０００ＧＨｚの範囲の周波数でも実施可能である。
チチップモジュール基板の製造にはプラスチック層上
に、即ち層状のプラスチックと導電路との結合から成る
プラスチック上にガス状炭化水素の高周波プラズマ析出
により硬度偏差を有する薄いａ−Ｃ：Ｈ層を析出する。
有利にはプラズマ析出はラジオ周波数（ＲＦ）により、
即ち０．１〜１００ＭＨｚの範囲の周波数で行われる。
しかしこの析出は更にマイクロ波によって、即ち０．１
〜１０００ＧＨｚの範囲の周波数でも実施可能である。
【００１６】ガス状炭化水素としては有利には、アルカ
ン即ちメタン、エタン及びプロパンのような飽和脂肪族
の炭化水素か、又はベンゼン及びベンゼン誘導体のよう
な芳香族炭化水素を蒸気状の状態で用いる。その他にエ
タン及びプロパン又はアセチレンのようなアルケン及び
アルキン、即ち不飽和脂肪族の炭化水素を、また更にシ
クロアルカン、即ちシクロヘキサンのような飽和環状炭
化水素も使用可能である。
ン即ちメタン、エタン及びプロパンのような飽和脂肪族
の炭化水素か、又はベンゼン及びベンゼン誘導体のよう
な芳香族炭化水素を蒸気状の状態で用いる。その他にエ
タン及びプロパン又はアセチレンのようなアルケン及び
アルキン、即ち不飽和脂肪族の炭化水素を、また更にシ
クロアルカン、即ちシクロヘキサンのような飽和環状炭
化水素も使用可能である。
【００１７】析出されたａ−Ｃ：Ｈ層の硬度即ち硬度偏
差は高周波出力又はセルフバイアス電圧を介して制御さ
れる。それには偏差の型に関係なく次の析出条件を遵守
すべきである。 −下方の硬い範囲：−４００〜−１２００Ｖ −軟らかい範囲：−１００〜−２００Ｖ −上方の硬い範囲：−４００〜−９００Ｖ
差は高周波出力又はセルフバイアス電圧を介して制御さ
れる。それには偏差の型に関係なく次の析出条件を遵守
すべきである。 −下方の硬い範囲：−４００〜−１２００Ｖ −軟らかい範囲：−１００〜−２００Ｖ −上方の硬い範囲：−４００〜−９００Ｖ
【００１８】接着を仲介する作用をするａ−Ｃ：Ｈ層の
下方の硬い範囲を析出するには、高いエネルギーのイオ
ンを例えば約−９００Ｖで約１０秒間の短時間で析出す
る析出条件で加工が行われる。更に中央の軟らかい範囲
の析出は約−１５０Ｖで行われ、上方の硬い範囲の析出
は約−４５０Ｖ又は約−８００Ｖで行われる。
下方の硬い範囲を析出するには、高いエネルギーのイオ
ンを例えば約−９００Ｖで約１０秒間の短時間で析出す
る析出条件で加工が行われる。更に中央の軟らかい範囲
の析出は約−１５０Ｖで行われ、上方の硬い範囲の析出
は約−４５０Ｖ又は約−８００Ｖで行われる。
【００１９】ａ−Ｃ：Ｈ層を析出する前に更に接着性を
改善する作用をするアルゴン又は酸素プラズマ中での表
面処理を行うと有利である。アルゴンによる前処理は有
利には−５００〜−１２００Ｖのセルフバイアス電圧で
２〜１８０秒間、酸素による前処理は−５００〜−１０
００Ｖのセルフバイアス電圧で１〜２０秒間行うと有利
である。アルゴンプラズマ中での処理は例えば約−９０
０Ｖで３０秒間、酸素プラズマ中での処理は例えば約−
８００Ｖで１０秒間行われる。
改善する作用をするアルゴン又は酸素プラズマ中での表
面処理を行うと有利である。アルゴンによる前処理は有
利には−５００〜−１２００Ｖのセルフバイアス電圧で
２〜１８０秒間、酸素による前処理は−５００〜−１０
００Ｖのセルフバイアス電圧で１〜２０秒間行うと有利
である。アルゴンプラズマ中での処理は例えば約−９０
０Ｖで３０秒間、酸素プラズマ中での処理は例えば約−
８００Ｖで１０秒間行われる。
【００２０】ａ−Ｃ：Ｈ層を形成するには例えば平行板
装置を有するＲＦ励起によるプラズマ析出のための装置
が使用される。この装置内には反応ガスとしてメタン
（ＣＨ4）が０．２バールの圧力で導入される。被覆す
べきＭＣＭ基板は整合ユニットを介して高周波送信機
（１３．５６ＭＨｚ）と接続されている２つの電極の小
さい方（陰極）の上にある。両方の電極（陰極：陽極）
の面比は１：０．５以下である。
装置を有するＲＦ励起によるプラズマ析出のための装置
が使用される。この装置内には反応ガスとしてメタン
（ＣＨ4）が０．２バールの圧力で導入される。被覆す
べきＭＣＭ基板は整合ユニットを介して高周波送信機
（１３．５６ＭＨｚ）と接続されている２つの電極の小
さい方（陰極）の上にある。両方の電極（陰極：陽極）
の面比は１：０．５以下である。
【００２１】ａ−Ｃ：Ｈ層で被覆するにはまず（１０秒
間）−９００Ｖのセルフバイアス電圧を生じる析出出力
が選択される。その際硬いａ−Ｃ：Ｈ層が生じる。引続
き−１５０Ｖのセルフバイアス電圧が生じる程度に出力
を低下させる。約１２分後に生じた軟らかいａ−Ｃ：Ｈ
層の層厚は約０．２μｍとなる。次いで出力を−８００
Ｖのセルフバイアス電圧まで高める。この出力では新た
に硬い、即ち約７分以下で０．５μｍの厚さのａ−Ｃ：
Ｈ層が析出される。このａ−Ｃ：Ｈの範囲は＜１．１・
１０−13 ｍ2／ｓの水浸透係数を有し、殆ど水を通さな
い。
間）−９００Ｖのセルフバイアス電圧を生じる析出出力
が選択される。その際硬いａ−Ｃ：Ｈ層が生じる。引続
き−１５０Ｖのセルフバイアス電圧が生じる程度に出力
を低下させる。約１２分後に生じた軟らかいａ−Ｃ：Ｈ
層の層厚は約０．２μｍとなる。次いで出力を−８００
Ｖのセルフバイアス電圧まで高める。この出力では新た
に硬い、即ち約７分以下で０．５μｍの厚さのａ−Ｃ：
Ｈ層が析出される。このａ−Ｃ：Ｈの範囲は＜１．１・
１０−13 ｍ2／ｓの水浸透係数を有し、殆ど水を通さな
い。
【００２２】この基板の前処理は同じ装置内で行われる
と有利である。それにはアルゴン又は酸素を０．２バー
ルの圧力で導入し、例えば−８００Ｖでプラズマを発生
させる。時間はアルゴンで１２０秒間、酸素で２０秒間
である。アルゴンプラズマ中での前処理では引続き高周
波送信機を切らずにアルゴンの貫流を中止し、同時にメ
タンを補給し、その際貫流は０．２バールの圧力が生じ
るように調整する。酸素プラズマでの作動の場合前処理
を終了後酸素供給を中止し、更に約１０-3ｍバールで排
気し、その後メタンを０．２バールの圧力で導入する。
と有利である。それにはアルゴン又は酸素を０．２バー
ルの圧力で導入し、例えば−８００Ｖでプラズマを発生
させる。時間はアルゴンで１２０秒間、酸素で２０秒間
である。アルゴンプラズマ中での前処理では引続き高周
波送信機を切らずにアルゴンの貫流を中止し、同時にメ
タンを補給し、その際貫流は０．２バールの圧力が生じ
るように調整する。酸素プラズマでの作動の場合前処理
を終了後酸素供給を中止し、更に約１０-3ｍバールで排
気し、その後メタンを０．２バールの圧力で導入する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｇ 7511−4Ｅ
Claims (7)
- 【請求項１】 高温耐性のプラスチックと金属製導電路
とから成る少なくとも１つの層状結合体を有する多層プ
リント配線板及びマルチチップモジュール基板におい
て、プラスチックが水浸透係数＜１．１・１０-13ｍ2／
ｓの非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から成る薄層を
備えており、ａ−Ｃ：Ｈ層が硬度に関して偏差を有して
いることを特徴とする多層プリント配線板及びマルチチ
ップモジュール基板。 - 【請求項２】 非晶質水素含有炭素が硬−軟−硬の層偏
差を有することを特徴とする請求項１記載の多層プリン
ト配線板及びマルチチップモジュール基板。 - 【請求項３】 ａ−Ｃ：Ｈ層が０．１〜５μｍの厚さを
有することを特徴とする請求項１又は２記載の多層プリ
ント配線板及びマルチチップモジュール基板。 - 【請求項４】 層状のプラスチックと導電路の結合体の
プラスチック上にガス状炭化水素の高周波プラズマ析出
により硬度偏差を有する薄いａ−Ｃ：Ｈ層を析出するこ
とを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の多層プ
リント配線板及びマルチチップモジュール基板の製造方
法。 - 【請求項５】 プラズマ析出がラジオ周波数により行わ
れることを特徴とする請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】 炭化水素としてアルカン又は芳香族炭化
水素を使用することを特徴とする請求項４又は５記載の
方法。 - 【請求項７】 ａ−Ｃ：Ｈを析出する前にアルゴン又は
酸素プラズマ中で表面処理することを特徴とする請求項
４ないし６の１つに記載の方法。
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