JPH0865134A - バッファ回路 - Google Patents
バッファ回路Info
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- JPH0865134A JPH0865134A JP6193277A JP19327794A JPH0865134A JP H0865134 A JPH0865134 A JP H0865134A JP 6193277 A JP6193277 A JP 6193277A JP 19327794 A JP19327794 A JP 19327794A JP H0865134 A JPH0865134 A JP H0865134A
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- power supply
- base
- emitter
- supply terminal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0244—Stepped control
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3069—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output
- H03F3/3076—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output with symmetrical driving of the end stage
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- Amplifiers (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】出力信号のダイナミックレンジを最小値から最
大値まで可変とする。 【構成】トランジスタQ11,Q12は、差動アンプを
構成し、トランジスタQ13,Q14は、別の差動アン
プを構成する。トランジスタQ11,Q13のベ−ス
は、入力端子11に接続される。トランジスタQ12の
ベ−スは、電圧源15に接続され、トランジスタQ14
のベ−スは、電圧源16に接続される。トランジスタQ
13がオフの場合、電流源I2の電流は、トランジスタ
Q14を介してトランジスタQ16のエミッタに供給さ
れ、トランジスタQ11がオフの場合、電流源I1の電
流は、トランジスタQ15,Q12を介して流れる。従
って、電圧源15,16の電圧値を変化させることによ
り、出力信号VoutのダイナミックレンジをVEE
(最小値)からVCC(最大値)まで可変できる。
大値まで可変とする。 【構成】トランジスタQ11,Q12は、差動アンプを
構成し、トランジスタQ13,Q14は、別の差動アン
プを構成する。トランジスタQ11,Q13のベ−ス
は、入力端子11に接続される。トランジスタQ12の
ベ−スは、電圧源15に接続され、トランジスタQ14
のベ−スは、電圧源16に接続される。トランジスタQ
13がオフの場合、電流源I2の電流は、トランジスタ
Q14を介してトランジスタQ16のエミッタに供給さ
れ、トランジスタQ11がオフの場合、電流源I1の電
流は、トランジスタQ15,Q12を介して流れる。従
って、電圧源15,16の電圧値を変化させることによ
り、出力信号VoutのダイナミックレンジをVEE
(最小値)からVCC(最大値)まで可変できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特に1ビット・デジタ
ルアナログコンバ−タ(DAC)の出力信号が入力され
るバッファ回路に関する。
ルアナログコンバ−タ(DAC)の出力信号が入力され
るバッファ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図10は、従来のバッファ回路を示すも
のである。npn型バイポ−ラトランジスタQ1及びp
np型バイポ−ラトランジスタQ2のベ−スは、それぞ
れ入力端子11に接続されている。トランジスタQ1の
コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタは、定
電流源I1を介して接地端子13に接続されている。ト
ランジスタQ2のエミッタは、定電流源I2を介して電
源端子12に接続され、コレクタは、接地端子13に接
続されている。
のである。npn型バイポ−ラトランジスタQ1及びp
np型バイポ−ラトランジスタQ2のベ−スは、それぞ
れ入力端子11に接続されている。トランジスタQ1の
コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタは、定
電流源I1を介して接地端子13に接続されている。ト
ランジスタQ2のエミッタは、定電流源I2を介して電
源端子12に接続され、コレクタは、接地端子13に接
続されている。
【0003】また、npn型バイポ−ラトランジスタQ
3のベ−スは、トランジスタQ2のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ−
ラトランジスタQ4のベ−スは、トランジスタQ1のエ
ミッタに接続され、コレクタは、接地端子13に接続さ
れ、エミッタは、出力端子14に接続されている。
3のベ−スは、トランジスタQ2のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ−
ラトランジスタQ4のベ−スは、トランジスタQ1のエ
ミッタに接続され、コレクタは、接地端子13に接続さ
れ、エミッタは、出力端子14に接続されている。
【0004】図11は、図10のバッファ回路の入力信
号Vinと出力信号Voutの関係を示すものである。
まず、入力信号Vinの電位が、接地電位(0V)を基
準にしてVBEと(VCC−VBE)の間に存在する場
合、全てのトランジスタQ1〜Q4はオン状態である。
従って、出力信号Voutは、入力信号Vinの変化に
対してリニアに変化する。なお、VCCは、電源電位で
あり、VBEは、バイポ−ラトランジスタのオン電圧で
ある。
号Vinと出力信号Voutの関係を示すものである。
まず、入力信号Vinの電位が、接地電位(0V)を基
準にしてVBEと(VCC−VBE)の間に存在する場
合、全てのトランジスタQ1〜Q4はオン状態である。
従って、出力信号Voutは、入力信号Vinの変化に
対してリニアに変化する。なお、VCCは、電源電位で
あり、VBEは、バイポ−ラトランジスタのオン電圧で
ある。
【0005】次に、入力信号Vinの電位が、接地電位
(0V)を基準にして(VCC−VBE)を越えた場
合、トランジスタQ2のベ−ス・エミッタ間の電圧は、
オン電圧VBEよりも低くなるため、トランジスタQ2
は、オフ状態となる。従って、定電流源I2の電流は、
トランジスタQ3のベ−スに流れ込むため、トランジス
タQ3は、オン状態を維持する。
(0V)を基準にして(VCC−VBE)を越えた場
合、トランジスタQ2のベ−ス・エミッタ間の電圧は、
オン電圧VBEよりも低くなるため、トランジスタQ2
は、オフ状態となる。従って、定電流源I2の電流は、
トランジスタQ3のベ−スに流れ込むため、トランジス
タQ3は、オン状態を維持する。
【0006】一方、トランジスタQ4のベ−ス・エミッ
タ間の電圧は、オン電圧VBEよりも低くなるため、ト
ランジスタQ4は、オフ状態となる。従って、出力信号
Voutは、(VCC−VBE)の電位でクリップされ
る。
タ間の電圧は、オン電圧VBEよりも低くなるため、ト
ランジスタQ4は、オフ状態となる。従って、出力信号
Voutは、(VCC−VBE)の電位でクリップされ
る。
【0007】次に、入力信号Vinの電位が、接地電位
(0V)を基準にしてVBEよりも低くなった場合、ト
ランジスタQ1のベ−ス・エミッタ間の電圧は、オン電
圧VBEよりも低くなるため、トランジスタQ1は、オ
フ状態となる。従って、定電流源I1の電流は、全てト
ランジスタQ4のベ−スに流れ込むため、トランジスタ
Q4は、オン状態を維持する。
(0V)を基準にしてVBEよりも低くなった場合、ト
ランジスタQ1のベ−ス・エミッタ間の電圧は、オン電
圧VBEよりも低くなるため、トランジスタQ1は、オ
フ状態となる。従って、定電流源I1の電流は、全てト
ランジスタQ4のベ−スに流れ込むため、トランジスタ
Q4は、オン状態を維持する。
【0008】一方、トランジスタQ3のベ−ス・エミッ
タ間の電圧は、オン電圧VBEよりも低くなるため、ト
ランジスタQ3は、オフ状態となる。従って、出力信号
Voutは、VBEの電位でクリップされる。
タ間の電圧は、オン電圧VBEよりも低くなるため、ト
ランジスタQ3は、オフ状態となる。従って、出力信号
Voutは、VBEの電位でクリップされる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のバ
ッファ回路では、入力信号の電位Vinがトランジスタ
のオン電圧VBEよりも低くなると、出力信号の電位V
outがVBEでクリップしてしまい、かつ、入力信号
の電位Vinが(VCC−VBE)を越えると、出力信
号の電位Voutが(VCC−VBE)でクリップして
しまうという欠点がある。
ッファ回路では、入力信号の電位Vinがトランジスタ
のオン電圧VBEよりも低くなると、出力信号の電位V
outがVBEでクリップしてしまい、かつ、入力信号
の電位Vinが(VCC−VBE)を越えると、出力信
号の電位Voutが(VCC−VBE)でクリップして
しまうという欠点がある。
【0010】また、この欠点は、近年の低電源電圧にお
ける回路動作に支障をきたしている。即ち、出力信号の
電源利用効率が悪いことによる出力歪みを防止するため
には、入力信号を減衰させる必要がある。一方、入力信
号を減衰させると、SN比が悪化する欠点がある。
ける回路動作に支障をきたしている。即ち、出力信号の
電源利用効率が悪いことによる出力歪みを防止するため
には、入力信号を減衰させる必要がある。一方、入力信
号を減衰させると、SN比が悪化する欠点がある。
【0011】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、第一に、低い電源電圧でも動作が
可能であり、入力信号及び出力信号のダイナミックレン
ジが電源電圧と等しくできるバッファ回路を提供するこ
と、第二に、外部コントロ−ル信号により出力信号の振
幅を可変し得るリミッタ作用を付加し、任意の振幅の出
力信号を出力し得るバッファ回路を提供することであ
る。
もので、その目的は、第一に、低い電源電圧でも動作が
可能であり、入力信号及び出力信号のダイナミックレン
ジが電源電圧と等しくできるバッファ回路を提供するこ
と、第二に、外部コントロ−ル信号により出力信号の振
幅を可変し得るリミッタ作用を付加し、任意の振幅の出
力信号を出力し得るバッファ回路を提供することであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のバッファ回路は、入力端子に接続される入
力段及び出力端子に接続される出力段と、第1電源端子
と前記出力端子の間に直列に接続される第1電流源及び
第1スイッチ回路と、第2電源端子と前記出力端子の間
に直列に接続される第2電流源及び第2スイッチ回路
と、第1基準電圧源及び第1スイッチ制御部から構成さ
れ、前記入力端子の電圧が前記第1基準電圧源の電圧よ
りも小さい場合には、前記第1スイッチ回路を閉じて前
記第1電流源を前記出力端子に接続する第1電圧検出手
段と、第2基準電圧源及び第2スイッチ制御部から構成
され、前記入力端子の電圧が前記第2基準電圧源の電圧
よりも大きい場合には、前記第2スイッチ回路を閉じて
前記第2電流源を前記出力端子に接続する第2電圧検出
手段とを備えている。
め、本発明のバッファ回路は、入力端子に接続される入
力段及び出力端子に接続される出力段と、第1電源端子
と前記出力端子の間に直列に接続される第1電流源及び
第1スイッチ回路と、第2電源端子と前記出力端子の間
に直列に接続される第2電流源及び第2スイッチ回路
と、第1基準電圧源及び第1スイッチ制御部から構成さ
れ、前記入力端子の電圧が前記第1基準電圧源の電圧よ
りも小さい場合には、前記第1スイッチ回路を閉じて前
記第1電流源を前記出力端子に接続する第1電圧検出手
段と、第2基準電圧源及び第2スイッチ制御部から構成
され、前記入力端子の電圧が前記第2基準電圧源の電圧
よりも大きい場合には、前記第2スイッチ回路を閉じて
前記第2電流源を前記出力端子に接続する第2電圧検出
手段とを備えている。
【0013】本発明のバッファ回路は、ベ−スが入力端
子に接続され、コレクタが第1電源端子に接続される第
1トランジスタと、前記第1トランジスタと共に差動ア
ンプを構成し、ベ−スが第1電圧源に接続され、コレク
タが出力端子に接続され、エミッタが前記第1トランジ
スタのエミッタに接続される第2トランジスタと、ベ−
スが前記入力端子に接続され、コレクタが第2電源端子
に接続される第3トランジスタと、前記第3トランジス
タと共に差動アンプを構成し、ベ−スが第2電圧源に接
続され、コレクタが前記出力端子に接続され、エミッタ
が前記第3トランジスタのエミッタに接続される第4ト
ランジスタと、前記第1及び第2トランジスタのエミッ
タと前記第2電源端子との間に接続される第1定電流源
と、前記第1電源端子と前記第3及び第4トランジスタ
のエミッタとの間に接続される第2定電流源と、ベ−ス
が前記第3及び第4トランジスタのエミッタに接続さ
れ、コレクタが前記第1電源端子に接続され、エミッタ
が前記出力端子に接続される第5トランジスタと、ベ−
スが前記第1及び第2トランジスタのエミッタに接続さ
れ、コレクタが前記第2電源端子に接続され、エミッタ
が前記出力端子に接続される第6トランジスタとを備え
ている。
子に接続され、コレクタが第1電源端子に接続される第
1トランジスタと、前記第1トランジスタと共に差動ア
ンプを構成し、ベ−スが第1電圧源に接続され、コレク
タが出力端子に接続され、エミッタが前記第1トランジ
スタのエミッタに接続される第2トランジスタと、ベ−
スが前記入力端子に接続され、コレクタが第2電源端子
に接続される第3トランジスタと、前記第3トランジス
タと共に差動アンプを構成し、ベ−スが第2電圧源に接
続され、コレクタが前記出力端子に接続され、エミッタ
が前記第3トランジスタのエミッタに接続される第4ト
ランジスタと、前記第1及び第2トランジスタのエミッ
タと前記第2電源端子との間に接続される第1定電流源
と、前記第1電源端子と前記第3及び第4トランジスタ
のエミッタとの間に接続される第2定電流源と、ベ−ス
が前記第3及び第4トランジスタのエミッタに接続さ
れ、コレクタが前記第1電源端子に接続され、エミッタ
が前記出力端子に接続される第5トランジスタと、ベ−
スが前記第1及び第2トランジスタのエミッタに接続さ
れ、コレクタが前記第2電源端子に接続され、エミッタ
が前記出力端子に接続される第6トランジスタとを備え
ている。
【0014】前記第1電圧源は、前記第2トランジスタ
のベ−スと前記第2電源端子との間に直列接続される第
1抵抗及び第7トランジスタから構成され、前記第2電
圧源は、前記第1電源端子と前記第4トランジスタのベ
−スとの間に直列接続される第2抵抗及び第8トランジ
スタから構成され、前記第1定電流源は、前記第7トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第9トランジ
スタから構成され、前記第2定電流源は、前記第8トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第10トラン
ジスタから構成され、前記第1及び第2抵抗の間に第3
定電流源をさらに備えている。
のベ−スと前記第2電源端子との間に直列接続される第
1抵抗及び第7トランジスタから構成され、前記第2電
圧源は、前記第1電源端子と前記第4トランジスタのベ
−スとの間に直列接続される第2抵抗及び第8トランジ
スタから構成され、前記第1定電流源は、前記第7トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第9トランジ
スタから構成され、前記第2定電流源は、前記第8トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第10トラン
ジスタから構成され、前記第1及び第2抵抗の間に第3
定電流源をさらに備えている。
【0015】前記第1電圧源は、ベ−ス及びコレクタが
前記第2トランジスタのベ−スに接続され、エミッタが
前記第2電源端子に接続される第7トランジスタから構
成され、前記第2電圧源は、エミッタが前記第1電源端
子に接続され、ベ−ス及びコレクタが前記第4トランジ
スタのベ−スに接続される第8トランジスタから構成さ
れ、前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成さ
れ、前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成
され、前記第2トランジスタのエミッタ面積は、前記第
9トランジスタのエミッタ面積のN(Nは1以上の数)
倍であり、前記第4トランジスタのエミッタ面積は、前
記第10トランジスタのエミッタ面積のN倍であり、前
記第7及び第8トランジスタの間に第3定電流源をさら
に備えている。
前記第2トランジスタのベ−スに接続され、エミッタが
前記第2電源端子に接続される第7トランジスタから構
成され、前記第2電圧源は、エミッタが前記第1電源端
子に接続され、ベ−ス及びコレクタが前記第4トランジ
スタのベ−スに接続される第8トランジスタから構成さ
れ、前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成さ
れ、前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成
され、前記第2トランジスタのエミッタ面積は、前記第
9トランジスタのエミッタ面積のN(Nは1以上の数)
倍であり、前記第4トランジスタのエミッタ面積は、前
記第10トランジスタのエミッタ面積のN倍であり、前
記第7及び第8トランジスタの間に第3定電流源をさら
に備えている。
【0016】前記第1電圧源は、前記第2トランジスタ
のベ−スと前記第2電源端子との間に直列接続される第
1抵抗及び第7トランジスタから構成され、前記第2電
圧源は、前記第1電源端子と前記第4トランジスタのベ
−スとの間に直列接続される第2抵抗及び第8トランジ
スタから構成され、前記第1定電流源は、前記第7トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第9トランジ
スタから構成され、前記第2定電流源は、前記第8トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第10トラン
ジスタから構成され、前記第1トランジスタのコレクタ
は、前記第2電圧源を介して前記第1電源端子に接続さ
れる。また、前記第1電源端子と前記第1電圧源の間に
接続される第4定電流源と、ベ−スが前記第1電圧源に
接続され、コレクタが前記第8及び第10トランジスタ
のベ−スに接続され、エミッタが前記第9トランジスタ
のコレクタに接続される第11トランジスタとをさらに
備えている。
のベ−スと前記第2電源端子との間に直列接続される第
1抵抗及び第7トランジスタから構成され、前記第2電
圧源は、前記第1電源端子と前記第4トランジスタのベ
−スとの間に直列接続される第2抵抗及び第8トランジ
スタから構成され、前記第1定電流源は、前記第7トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第9トランジ
スタから構成され、前記第2定電流源は、前記第8トラ
ンジスタとカレントミラ−回路を構成する第10トラン
ジスタから構成され、前記第1トランジスタのコレクタ
は、前記第2電圧源を介して前記第1電源端子に接続さ
れる。また、前記第1電源端子と前記第1電圧源の間に
接続される第4定電流源と、ベ−スが前記第1電圧源に
接続され、コレクタが前記第8及び第10トランジスタ
のベ−スに接続され、エミッタが前記第9トランジスタ
のコレクタに接続される第11トランジスタとをさらに
備えている。
【0017】前記第1電圧源は、ベ−ス及びコレクタが
前記第2トランジスタのベ−スに接続され、エミッタが
前記第2電源端子に接続される第7トランジスタから構
成され、前記第2電圧源は、エミッタが前記第1電源端
子に接続され、ベ−ス及びコレクタが前記第4トランジ
スタのベ−スに接続される第8トランジスタから構成さ
れ、前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成さ
れ、前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成
され、前記第1トランジスタのコレクタは、前記第2電
圧源を介して前記第1電源端子に接続される。また、前
記第1電源端子と前記第1電圧源の間に接続される第4
定電流源と、ベ−スが前記第1電圧源に接続され、コレ
クタが前記第8及び第10トランジスタのベ−スに接続
され、エミッタが前記第9トランジスタのコレクタに接
続される第11トランジスタとをさらに備え、前記第2
及び第11トランジスタのエミッタ面積は、前記第9ト
ランジスタのエミッタ面積のN(Nは1以上の数)倍で
あり、前記第4トランジスタのエミッタ面積は、前記第
10トランジスタのエミッタ面積のN倍である。
前記第2トランジスタのベ−スに接続され、エミッタが
前記第2電源端子に接続される第7トランジスタから構
成され、前記第2電圧源は、エミッタが前記第1電源端
子に接続され、ベ−ス及びコレクタが前記第4トランジ
スタのベ−スに接続される第8トランジスタから構成さ
れ、前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成さ
れ、前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレ
ントミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成
され、前記第1トランジスタのコレクタは、前記第2電
圧源を介して前記第1電源端子に接続される。また、前
記第1電源端子と前記第1電圧源の間に接続される第4
定電流源と、ベ−スが前記第1電圧源に接続され、コレ
クタが前記第8及び第10トランジスタのベ−スに接続
され、エミッタが前記第9トランジスタのコレクタに接
続される第11トランジスタとをさらに備え、前記第2
及び第11トランジスタのエミッタ面積は、前記第9ト
ランジスタのエミッタ面積のN(Nは1以上の数)倍で
あり、前記第4トランジスタのエミッタ面積は、前記第
10トランジスタのエミッタ面積のN倍である。
【0018】前記第1電圧源は、前記第2トランジスタ
のベ−スと前記第2電源端子との間に直列接続される第
1抵抗及び第7トランジスタから構成され、前記第2電
圧源は、前記第1電源端子と前記第4トランジスタのベ
−スとの間に直列接続される第2抵抗及び第8トランジ
スタから構成される。また、外部コントロ−ル信号によ
り電流の量を可変でき、前記電流を前記第2電圧源に供
給する可変電流源と、前記第8トランジスタと共にカレ
ントミラ−回路を構成し、前記電流を前記第1電圧源に
供給する第13トランジスタとをさらに備えている。
のベ−スと前記第2電源端子との間に直列接続される第
1抵抗及び第7トランジスタから構成され、前記第2電
圧源は、前記第1電源端子と前記第4トランジスタのベ
−スとの間に直列接続される第2抵抗及び第8トランジ
スタから構成される。また、外部コントロ−ル信号によ
り電流の量を可変でき、前記電流を前記第2電圧源に供
給する可変電流源と、前記第8トランジスタと共にカレ
ントミラ−回路を構成し、前記電流を前記第1電圧源に
供給する第13トランジスタとをさらに備えている。
【0019】
【作用】上記構成によれば、第1及び第2トランジスタ
で構成される差動アンプと第3及び第4トランジスタで
構成される差動アンプを有している。このため、出力信
号のダイナミックレンジを第1電源端子の電位から第2
電源端子の電位までとすることができる。
で構成される差動アンプと第3及び第4トランジスタで
構成される差動アンプを有している。このため、出力信
号のダイナミックレンジを第1電源端子の電位から第2
電源端子の電位までとすることができる。
【0020】従って、入力信号を減衰させる必要がな
く、出力信号に出力歪みが生じることもない。また、入
出力信号のダイナミックレンジをほぼ第1電源端子の電
位から第2電源端子の電位までとすることができ、従来
より取り扱える信号の振幅を大きくできるため、SN比
が良好になり、低い電源電圧でも動作が可能となる。
く、出力信号に出力歪みが生じることもない。また、入
出力信号のダイナミックレンジをほぼ第1電源端子の電
位から第2電源端子の電位までとすることができ、従来
より取り扱える信号の振幅を大きくできるため、SN比
が良好になり、低い電源電圧でも動作が可能となる。
【0021】また、外部コントロ−ル信号により可変電
流源の電流値を可変させ、第1及び第2電圧源が発生す
る電圧を変化させることにより、出力信号のダイナミッ
クレンジを可変できるため、デジタル信号などを取り扱
う際に、デジタル信号の振幅の制御が容易になり、か
つ、ミュ−ト操作も可能になる。
流源の電流値を可変させ、第1及び第2電圧源が発生す
る電圧を変化させることにより、出力信号のダイナミッ
クレンジを可変できるため、デジタル信号などを取り扱
う際に、デジタル信号の振幅の制御が容易になり、か
つ、ミュ−ト操作も可能になる。
【0022】また、第1及び第2電圧源を抵抗とトラン
ジスタにより構成し、又は、第2及び第4トランジスタ
のエミッタ面積をN倍とすることで、第1及び第2定電
流源が飽和するのを防止している。
ジスタにより構成し、又は、第2及び第4トランジスタ
のエミッタ面積をN倍とすることで、第1及び第2定電
流源が飽和するのを防止している。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明のバッフ
ァ回路を詳細に説明する。図1は、本発明のバッファ回
路の概念図を示すものである。入力信号は、入力段11
に入力され、出力信号は、出力段(例えばSEPP)1
2から出力される。
ァ回路を詳細に説明する。図1は、本発明のバッファ回
路の概念図を示すものである。入力信号は、入力段11
に入力され、出力信号は、出力段(例えばSEPP)1
2から出力される。
【0024】第1電圧検出手段は、スイッチ制御部13
aと基準電圧源14aから構成されている。スイッチ制
御部13aは、スイッチ回路15aを制御する。このス
イッチ回路15aは、電流源16aを出力端子17に接
続し又は切り離す。
aと基準電圧源14aから構成されている。スイッチ制
御部13aは、スイッチ回路15aを制御する。このス
イッチ回路15aは、電流源16aを出力端子17に接
続し又は切り離す。
【0025】第2電圧検出手段は、スイッチ制御部13
bと基準電圧源14bから構成されている。スイッチ制
御部13bは、スイッチ回路15bを制御する。このス
イッチ回路15bは、電流源16bを出力端子17に接
続し又は切り離す。
bと基準電圧源14bから構成されている。スイッチ制
御部13bは、スイッチ回路15bを制御する。このス
イッチ回路15bは、電流源16bを出力端子17に接
続し又は切り離す。
【0026】入力信号の電圧(接地電位を基準とする)
が基準電圧源14aの基準電圧(接地電位を基準とす
る)V1よりも小さくなると、スイッチ制御部13a
は、スイッチ回路15aを閉じるように制御し、電流源
16aを出力端子17に接続する。また、入力信号の電
圧が基準電圧源14bの基準電圧(接地電位を基準とす
る)V2よりも大きくなると、スイッチ制御部13b
は、スイッチ回路15bを閉じるように制御し、電流源
16bを出力端子17に接続する。
が基準電圧源14aの基準電圧(接地電位を基準とす
る)V1よりも小さくなると、スイッチ制御部13a
は、スイッチ回路15aを閉じるように制御し、電流源
16aを出力端子17に接続する。また、入力信号の電
圧が基準電圧源14bの基準電圧(接地電位を基準とす
る)V2よりも大きくなると、スイッチ制御部13b
は、スイッチ回路15bを閉じるように制御し、電流源
16bを出力端子17に接続する。
【0027】これにより、低い電源電圧でも動作が可能
であり、入力信号及び出力信号のダイナミックレンジを
電源電圧に等しくできる。また、基準電圧源14a,1
4bが発生する基準電圧を可変にすることにより、出力
信号のダイナミックレンジを可変とすることができる。
であり、入力信号及び出力信号のダイナミックレンジを
電源電圧に等しくできる。また、基準電圧源14a,1
4bが発生する基準電圧を可変にすることにより、出力
信号のダイナミックレンジを可変とすることができる。
【0028】図2は、図1のバッファ回路の第1及び第
2電圧検出手段の一例を示したものである。即ち、スイ
ッチ制御部13a,13bは、差動アンプから構成さ
れ、基準電圧源14a,14bは、定電源から構成され
ている。 [A] 図3は、本発明の第1実施例に係わるバッファ
回路を示している。
2電圧検出手段の一例を示したものである。即ち、スイ
ッチ制御部13a,13bは、差動アンプから構成さ
れ、基準電圧源14a,14bは、定電源から構成され
ている。 [A] 図3は、本発明の第1実施例に係わるバッファ
回路を示している。
【0029】npn型バイポ−ラトランジスタQ11,
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、例えば正電位を供給する電源端子12に接続され、
エミッタは、定電流源I1を介して例えば接地電位を供
給する電源端子13に接続されている。
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、例えば正電位を供給する電源端子12に接続され、
エミッタは、定電流源I1を介して例えば接地電位を供
給する電源端子13に接続されている。
【0030】トランジスタQ12のベ−スは、電圧源1
5に接続され、コレクタは、出力端子14に接続され、
エミッタは、定電流源I1を介して電源端子13に接続
されている。
5に接続され、コレクタは、出力端子14に接続され、
エミッタは、定電流源I1を介して電源端子13に接続
されている。
【0031】pnp型バイポ−ラトランジスタQ13,
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2を介して電源端子12に接続されている。
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2を介して電源端子12に接続されている。
【0032】トランジスタQ14のベ−スは、電圧源1
6に接続され、コレクタは、出力端子14に接続され、
エミッタは、定電流源I2を介して電源端子12に接続
されている。
6に接続され、コレクタは、出力端子14に接続され、
エミッタは、定電流源I2を介して電源端子12に接続
されている。
【0033】電圧源15は、トランジスタQ12のベ−
スと電源端子13間に電圧V1を印加し、電圧源16
は、トランジスタQ14のベ−スと電源端子12間に電
圧V2を印加する。即ち、トランジスタQ12のベ−ス
電位は、V1となり、トランジスタQ14のベ−ス電位
は、(VCC−V2)となる。
スと電源端子13間に電圧V1を印加し、電圧源16
は、トランジスタQ14のベ−スと電源端子12間に電
圧V2を印加する。即ち、トランジスタQ12のベ−ス
電位は、V1となり、トランジスタQ14のベ−ス電位
は、(VCC−V2)となる。
【0034】なお、電圧源15,16の電圧V1,V2
は、出力信号Voutの振幅の最大値を決めるものであ
る。npn型バイポ−ラトランジスタQ15のベ−ス
は、トランジスタQ13,Q14のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ−
ラトランジスタQ16のベ−スは、トランジスタQ1
1,Q12のエミッタに接続され、コレクタは、電源端
子13に接続され、エミッタは、出力端子14に接続さ
れている。
は、出力信号Voutの振幅の最大値を決めるものであ
る。npn型バイポ−ラトランジスタQ15のベ−ス
は、トランジスタQ13,Q14のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ−
ラトランジスタQ16のベ−スは、トランジスタQ1
1,Q12のエミッタに接続され、コレクタは、電源端
子13に接続され、エミッタは、出力端子14に接続さ
れている。
【0035】図4は、図1のバッファ回路の入力信号V
inと出力信号Voutの関係を示すものである。な
お、電源端子12の電位VCCは、正電位とし、電源端
子13の電位は、接地電位とする。また、電圧源15の
電圧V1は、(1)式の条件を満たし、電圧源16の電
圧V2は、(2)式の条件を満たしているものとする。
inと出力信号Voutの関係を示すものである。な
お、電源端子12の電位VCCは、正電位とし、電源端
子13の電位は、接地電位とする。また、電圧源15の
電圧V1は、(1)式の条件を満たし、電圧源16の電
圧V2は、(2)式の条件を満たしているものとする。
【0036】 (VCC/2)>V1≧VBE …(1) (VCC/2)>V2≧VBE …(2) (a) まず、入力信号Vinの電位が接地電位(0V)
とトランジスタQ12のベ−ス電位(V1)との間にあ
る場合(V1>Vin>0)を考える。
とトランジスタQ12のベ−ス電位(V1)との間にあ
る場合(V1>Vin>0)を考える。
【0037】この場合、差動アンプを構成するトランジ
スタQ11,Q12のうち、トランジスタQ11は、オ
フ状態、トランジスタQ12は、オン状態となる。ま
た、差動アンプを構成するトランジスタQ13,Q14
のうち、トランジスタQ13は、オン状態、トランジス
タQ14は、オフ状態となる。
スタQ11,Q12のうち、トランジスタQ11は、オ
フ状態、トランジスタQ12は、オン状態となる。ま
た、差動アンプを構成するトランジスタQ13,Q14
のうち、トランジスタQ13は、オン状態、トランジス
タQ14は、オフ状態となる。
【0038】従って、定電流源I1による電流は、電源
端子12からトランジスタQ15,Q12を介して電源
端子13に流れる。つまり、トランジスタQ15は、エ
ミッタフォロアとなるため、入力信号Vinの瞬時値
は、トランジスタQ13,Q15を介して、出力信号V
outとして出力される。
端子12からトランジスタQ15,Q12を介して電源
端子13に流れる。つまり、トランジスタQ15は、エ
ミッタフォロアとなるため、入力信号Vinの瞬時値
は、トランジスタQ13,Q15を介して、出力信号V
outとして出力される。
【0039】この時、出力端子14から出力される出力
信号Voutの最低電圧は、トランジスタQ15によっ
てトランジスタQ12が飽和状態になるまでである。従
って、出力信号Voutの最低電圧Vout(min)
は、(3)式のようになる。
信号Voutの最低電圧は、トランジスタQ15によっ
てトランジスタQ12が飽和状態になるまでである。従
って、出力信号Voutの最低電圧Vout(min)
は、(3)式のようになる。
【0040】 Vout(min)=(V1−VBE) …(3) (但し、トランジスタQ12の飽和電圧は0とする。) なお、上記(3)式によれば、V1=VBEのときにV
out(min)=0Vとなり、出力信号Voutの振
幅は、接地電位(0V)まで確保することができる。但
し、V1<VBEのときは、トランジスタQ12がオン
することはないので、出力信号Voutは従来と同じ波
形になり、V1≧(VCC/2)のときは、トランジス
タQ11はオンすることはないので、トランジスタQ1
1,Q16を介する出力信号分はなく、そのとき(VC
C/2)>V2ならば、トランジスタQ13,Q15を
介し、信号は出力される。
out(min)=0Vとなり、出力信号Voutの振
幅は、接地電位(0V)まで確保することができる。但
し、V1<VBEのときは、トランジスタQ12がオン
することはないので、出力信号Voutは従来と同じ波
形になり、V1≧(VCC/2)のときは、トランジス
タQ11はオンすることはないので、トランジスタQ1
1,Q16を介する出力信号分はなく、そのとき(VC
C/2)>V2ならば、トランジスタQ13,Q15を
介し、信号は出力される。
【0041】(b) 次に、入力信号Vinの電位がトラ
ンジスタQ12のベ−ス電位(V1)とトランジスタQ
14のベ−ス電位(VCC−V2)との間にある場合
(VCC−V2>Vin>V1)を考える。
ンジスタQ12のベ−ス電位(V1)とトランジスタQ
14のベ−ス電位(VCC−V2)との間にある場合
(VCC−V2>Vin>V1)を考える。
【0042】この場合、差動アンプを構成するトランジ
スタQ11,Q12のうち、トランジスタQ11は、オ
ン状態、トランジスタQ12は、オフ状態となる。ま
た、差動アンプを構成するトランジスタQ13,Q14
のうち、トランジスタQ13は、オン状態、トランジス
タQ14は、オフ状態となる。
スタQ11,Q12のうち、トランジスタQ11は、オ
ン状態、トランジスタQ12は、オフ状態となる。ま
た、差動アンプを構成するトランジスタQ13,Q14
のうち、トランジスタQ13は、オン状態、トランジス
タQ14は、オフ状態となる。
【0043】即ち、トランジスタQ15,Q16は、オ
ン状態となり、このバッファ回路は、シングルエンデド
プッシュプル(SEPP)回路となる。従って、入力信
号Vinの瞬時値は、トランジスタQ11,Q16,Q
13,Q15を介して、出力信号Voutとして出力さ
れる。
ン状態となり、このバッファ回路は、シングルエンデド
プッシュプル(SEPP)回路となる。従って、入力信
号Vinの瞬時値は、トランジスタQ11,Q16,Q
13,Q15を介して、出力信号Voutとして出力さ
れる。
【0044】(c) 次に、入力信号Vinの電位がトラ
ンジスタQ14のベ−ス電位(VCC−V2)と電源電
位(VCC)との間にある場合(VCC>Vin>VC
C−V2)を考える。
ンジスタQ14のベ−ス電位(VCC−V2)と電源電
位(VCC)との間にある場合(VCC>Vin>VC
C−V2)を考える。
【0045】この場合、差動アンプを構成するトランジ
スタQ11,Q12のうち、トランジスタQ11は、オ
ン状態、トランジスタQ12は、オフ状態となる。ま
た、差動アンプを構成するトランジスタQ13,Q14
のうち、トランジスタQ13は、オフ状態、トランジス
タQ14は、オン状態となる。
スタQ11,Q12のうち、トランジスタQ11は、オ
ン状態、トランジスタQ12は、オフ状態となる。ま
た、差動アンプを構成するトランジスタQ13,Q14
のうち、トランジスタQ13は、オフ状態、トランジス
タQ14は、オン状態となる。
【0046】従って、定電流源I2による電流は、電源
端子12からトランジスタQ14,Q16を介して電源
端子13に流れる。つまり、トランジスタQ16は、エ
ミッタフォロアとなるため、入力信号Vinの瞬時値
は、トランジスタQ11,Q16を介して、出力信号V
outとして出力される。
端子12からトランジスタQ14,Q16を介して電源
端子13に流れる。つまり、トランジスタQ16は、エ
ミッタフォロアとなるため、入力信号Vinの瞬時値
は、トランジスタQ11,Q16を介して、出力信号V
outとして出力される。
【0047】この時、出力端子14から出力される出力
信号Voutの最高電圧は、トランジスタQ16によっ
てトランジスタQ14が飽和状態になるまでである。従
って、出力信号Voutの最高電圧Vout(max)
は、(4)式のようになる。
信号Voutの最高電圧は、トランジスタQ16によっ
てトランジスタQ14が飽和状態になるまでである。従
って、出力信号Voutの最高電圧Vout(max)
は、(4)式のようになる。
【0048】 Vout(max)=(VCC−V2+VBE) …(4) (但し、トランジスタQ14の飽和電圧は0とする。) なお、上記(4)式によれば、V2=VBEのときにV
out(max)=VCCとなり、出力信号Voutの
振幅は、電源電位(VCC)まで確保することができ
る。但し、V2<VBEのときは、トランジスタQ14
はオンすることはないので、出力信号Voutは従来と
同じ波形になり、V2≧(VCC/2)のときは、トラ
ンジスタQ13はオンすることはないので、トランジス
タQ13,Q15を介する出力信号分はなく、そのとき
(VCC/2)>V1ならば、トランジスタQ11,Q
16を介し、信号は出力される。
out(max)=VCCとなり、出力信号Voutの
振幅は、電源電位(VCC)まで確保することができ
る。但し、V2<VBEのときは、トランジスタQ14
はオンすることはないので、出力信号Voutは従来と
同じ波形になり、V2≧(VCC/2)のときは、トラ
ンジスタQ13はオンすることはないので、トランジス
タQ13,Q15を介する出力信号分はなく、そのとき
(VCC/2)>V1ならば、トランジスタQ11,Q
16を介し、信号は出力される。
【0049】特に、V1≧(VCC/2)+VBE,V
2≧(VCC/2)+VBEのときは、常にトランジス
タQ12又はトランジスタQ14の少なくとも1つが飽
和してしまうので、入力信号に対する出力信号Vout
は出力されない。
2≧(VCC/2)+VBEのときは、常にトランジス
タQ12又はトランジスタQ14の少なくとも1つが飽
和してしまうので、入力信号に対する出力信号Vout
は出力されない。
【0050】上記構成のバッファ回路によれば、低い電
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。
【0051】即ち、電源端子12の電位がVCC(正電
位)、電源端子13の電位が0Vである場合には、V
1,V2=VBEのときに出力信号Voutのダイナミ
ックレンジが最大、即ち電源電圧と等しくなり、V1,
V2=(VCC/2)+VBEのときに最小、即ち零と
なる。 [B] 図5は、本発明の第2実施例に係わるバッファ
回路を示している。
位)、電源端子13の電位が0Vである場合には、V
1,V2=VBEのときに出力信号Voutのダイナミ
ックレンジが最大、即ち電源電圧と等しくなり、V1,
V2=(VCC/2)+VBEのときに最小、即ち零と
なる。 [B] 図5は、本発明の第2実施例に係わるバッファ
回路を示している。
【0052】このバッファ回路の特徴は、電圧源15を
npn型バイポ−ラトランジスタQ17及び抵抗R1に
より構成し、電圧源16をpnp型バイポ−ラトランジ
スタQ18及び抵抗R2により構成し、定電流源I1を
npn型バイポ−ラトランジスタQ19により構成し、
定電流源I2をpnp型バイポ−ラトランジスタQ20
により構成した点にある。
npn型バイポ−ラトランジスタQ17及び抵抗R1に
より構成し、電圧源16をpnp型バイポ−ラトランジ
スタQ18及び抵抗R2により構成し、定電流源I1を
npn型バイポ−ラトランジスタQ19により構成し、
定電流源I2をpnp型バイポ−ラトランジスタQ20
により構成した点にある。
【0053】以下、本実施例のバッファ回路の構成につ
いて説明する。npn型バイポ−ラトランジスタQ1
1,Q12は、差動アンプを構成している。トランジス
タQ11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレク
タは、例えば正電位を供給する電源端子12に接続さ
れ、エミッタは、定電流源I1であるnpn型バイポ−
ラトランジスタQ19のコレクタに接続されている。ト
ランジスタQ19のエミッタは、例えば接地電位を供給
する電源端子13に接続されている。
いて説明する。npn型バイポ−ラトランジスタQ1
1,Q12は、差動アンプを構成している。トランジス
タQ11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレク
タは、例えば正電位を供給する電源端子12に接続さ
れ、エミッタは、定電流源I1であるnpn型バイポ−
ラトランジスタQ19のコレクタに接続されている。ト
ランジスタQ19のエミッタは、例えば接地電位を供給
する電源端子13に接続されている。
【0054】トランジスタQ12のベ−スは、電圧源1
5を構成する抵抗R1の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I1で
あるトランジスタQ19のコレクタに接続されている。
抵抗R1の他端は、npn型バイポ−ラトランジスタQ
17のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
5を構成する抵抗R1の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I1で
あるトランジスタQ19のコレクタに接続されている。
抵抗R1の他端は、npn型バイポ−ラトランジスタQ
17のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
【0055】pnp型バイポ−ラトランジスタQ13,
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、電源端子12に接続されている。
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、電源端子12に接続されている。
【0056】トランジスタQ14のベ−スは、電圧源1
6を構成する抵抗R2の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I2で
あるトランジスタQ20のコレクタに接続されている。
抵抗R2の他端は、pnp型バイポ−ラトランジスタQ
18のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
6を構成する抵抗R2の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I2で
あるトランジスタQ20のコレクタに接続されている。
抵抗R2の他端は、pnp型バイポ−ラトランジスタQ
18のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
【0057】定電流源I3は、抵抗R1の一端と抵抗R
2の一端の間に接続されている。npn型バイポ−ラト
ランジスタQ15のベ−スは、トランジスタQ13,Q
14のエミッタに接続され、コレクタは、電源端子12
に接続され、エミッタは、出力端子14に接続されてい
る。pnp型バイポ−ラトランジスタQ16のベ−ス
は、トランジスタQ11,Q12のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子13に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。
2の一端の間に接続されている。npn型バイポ−ラト
ランジスタQ15のベ−スは、トランジスタQ13,Q
14のエミッタに接続され、コレクタは、電源端子12
に接続され、エミッタは、出力端子14に接続されてい
る。pnp型バイポ−ラトランジスタQ16のベ−ス
は、トランジスタQ11,Q12のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子13に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。
【0058】上記構成のバッファ回路において、定電流
源I3による定電流をI、抵抗R1の抵抗値をR1、抵
抗R2の抵抗値をR2、トランジスタQ17,Q18の
ベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジス
タQ12のベ−スに印加される電位は、VBE+(R1
×I)となり、トランジスタQ14のベ−スに印加され
る電位は、VCC−{VBE+(R2×I)}となる。
源I3による定電流をI、抵抗R1の抵抗値をR1、抵
抗R2の抵抗値をR2、トランジスタQ17,Q18の
ベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジス
タQ12のベ−スに印加される電位は、VBE+(R1
×I)となり、トランジスタQ14のベ−スに印加され
る電位は、VCC−{VBE+(R2×I)}となる。
【0059】即ち、図1の電圧源15の電圧V1がVB
E+(R1×I)、V2がVBE+(R2×I)に対応
していることになる。なお、抵抗R1は、定電流源I
1、即ちトランジスタQ19が飽和状態になるのを防止
するためのものであり、抵抗R2は、定電流源I2、即
ちトランジスタQ20が飽和状態になるのを防止するた
めのものである。
E+(R1×I)、V2がVBE+(R2×I)に対応
していることになる。なお、抵抗R1は、定電流源I
1、即ちトランジスタQ19が飽和状態になるのを防止
するためのものであり、抵抗R2は、定電流源I2、即
ちトランジスタQ20が飽和状態になるのを防止するた
めのものである。
【0060】上記構成のバッファ回路によれば、低い電
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [C] 図6は、本発明の第3実施例に係わるバッファ
回路を示している。
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [C] 図6は、本発明の第3実施例に係わるバッファ
回路を示している。
【0061】このバッファ回路の特徴は、電圧源15を
npn型バイポ−ラトランジスタQ17により構成し、
電圧源16をpnp型バイポ−ラトランジスタQ18に
より構成し、定電流源I1をnpn型バイポ−ラトラン
ジスタQ19により構成し、定電流源I2をpnp型バ
イポ−ラトランジスタQ20により構成し、トランジス
タQ12,Q14のエミッタ面積をN倍にした点にあ
る。
npn型バイポ−ラトランジスタQ17により構成し、
電圧源16をpnp型バイポ−ラトランジスタQ18に
より構成し、定電流源I1をnpn型バイポ−ラトラン
ジスタQ19により構成し、定電流源I2をpnp型バ
イポ−ラトランジスタQ20により構成し、トランジス
タQ12,Q14のエミッタ面積をN倍にした点にあ
る。
【0062】以下、本実施例のバッファ回路の構成につ
いて説明する。npn型バイポ−ラトランジスタQ1
1,Q12は、差動アンプを構成している。トランジス
タQ11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレク
タは、例えば正電位を供給する電源端子12に接続さ
れ、エミッタは、定電流源I1であるnpn型バイポ−
ラトランジスタQ19のコレクタに接続されている。ト
ランジスタQ19のエミッタは、例えば接地電位を供給
する電源端子13に接続されている。
いて説明する。npn型バイポ−ラトランジスタQ1
1,Q12は、差動アンプを構成している。トランジス
タQ11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレク
タは、例えば正電位を供給する電源端子12に接続さ
れ、エミッタは、定電流源I1であるnpn型バイポ−
ラトランジスタQ19のコレクタに接続されている。ト
ランジスタQ19のエミッタは、例えば接地電位を供給
する電源端子13に接続されている。
【0063】トランジスタQ12のベ−スは、電圧源1
5を構成するnpn型バイポ−ラトランジスタQ17の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I1であるトラ
ンジスタQ19のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
5を構成するnpn型バイポ−ラトランジスタQ17の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I1であるトラ
ンジスタQ19のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
【0064】pnp型バイポ−ラトランジスタQ13,
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、電源端子12に接続されている。
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、電源端子12に接続されている。
【0065】トランジスタQ14のベ−スは、電圧源1
6を構成するpnp型バイポ−ラトランジスタQ18の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I2であるトラ
ンジスタQ20のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
6を構成するpnp型バイポ−ラトランジスタQ18の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I2であるトラ
ンジスタQ20のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
【0066】定電流源I3は、トランジスタQ17のコ
レクタとトランジスタQ18のコレクタの間に接続され
ている。npn型バイポ−ラトランジスタQ15のベ−
スは、トランジスタQ13,Q14のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ−
ラトランジスタQ16のベ−スは、トランジスタQ1
1,Q12のエミッタに接続され、コレクタは、電源端
子13に接続され、エミッタは、出力端子14に接続さ
れている。
レクタとトランジスタQ18のコレクタの間に接続され
ている。npn型バイポ−ラトランジスタQ15のベ−
スは、トランジスタQ13,Q14のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ−
ラトランジスタQ16のベ−スは、トランジスタQ1
1,Q12のエミッタに接続され、コレクタは、電源端
子13に接続され、エミッタは、出力端子14に接続さ
れている。
【0067】上記構成のバッファ回路において、定電流
源I3による定電流をI、トランジスタQ17,Q18
のベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジ
スタQ12のベ−スに印加される電位は、VBEとな
り、トランジスタQ14のベ−スに印加される電位は、
VCC−VBEとなる。
源I3による定電流をI、トランジスタQ17,Q18
のベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジ
スタQ12のベ−スに印加される電位は、VBEとな
り、トランジスタQ14のベ−スに印加される電位は、
VCC−VBEとなる。
【0068】即ち、図1の電圧源15の電圧V1,V2
が、共にVBEに対応していることになる。つまり、出
力信号Voutのダイナミックレンジを電源電圧と等し
くすることができる。
が、共にVBEに対応していることになる。つまり、出
力信号Voutのダイナミックレンジを電源電圧と等し
くすることができる。
【0069】なお、トランジスタQ12のエミッタ面積
をN倍にしてあるのは、定電流源I1、即ちトランジス
タQ19が飽和状態になるのを防止するためのものであ
り、トランジスタQ14のエミッタ面積をN倍にしてあ
るのは、定電流源I2、即ちトランジスタQ20が飽和
状態になるのを防止するためのものである。
をN倍にしてあるのは、定電流源I1、即ちトランジス
タQ19が飽和状態になるのを防止するためのものであ
り、トランジスタQ14のエミッタ面積をN倍にしてあ
るのは、定電流源I2、即ちトランジスタQ20が飽和
状態になるのを防止するためのものである。
【0070】上記構成のバッファ回路によれば、低い電
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [D] 図7は、本発明の第4実施例に係わるバッファ
回路を示している。
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [D] 図7は、本発明の第4実施例に係わるバッファ
回路を示している。
【0071】このバッファ回路の特徴は、第2実施例の
バッファ回路と比較すると、定電流源I3を電源端子1
2側に設けて定電流源I4とした点にある。以下、本実
施例のバッファ回路の構成について説明する。
バッファ回路と比較すると、定電流源I3を電源端子1
2側に設けて定電流源I4とした点にある。以下、本実
施例のバッファ回路の構成について説明する。
【0072】npn型バイポ−ラトランジスタQ11,
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電圧源16を構成する抵抗R2の一端に接続され、
エミッタは、定電流源I1であるnpn型バイポ−ラト
ランジスタQ19のコレクタに接続されている。トラン
ジスタQ19のエミッタは、例えば接地電位を供給する
電源端子13に接続されている。
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電圧源16を構成する抵抗R2の一端に接続され、
エミッタは、定電流源I1であるnpn型バイポ−ラト
ランジスタQ19のコレクタに接続されている。トラン
ジスタQ19のエミッタは、例えば接地電位を供給する
電源端子13に接続されている。
【0073】トランジスタQ12のベ−スは、電圧源1
5を構成する抵抗R1の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I1で
あるトランジスタQ19のコレクタに接続されている。
抵抗R1の他端は、npn型バイポ−ラトランジスタQ
17のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
5を構成する抵抗R1の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I1で
あるトランジスタQ19のコレクタに接続されている。
抵抗R1の他端は、npn型バイポ−ラトランジスタQ
17のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
【0074】pnp型バイポ−ラトランジスタQ13,
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、例えば正電位を供給する電源端子12に接続されて
いる。
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、例えば正電位を供給する電源端子12に接続されて
いる。
【0075】トランジスタQ14のベ−スは、電圧源1
6を構成する抵抗R2の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I2で
あるトランジスタQ20のコレクタに接続されている。
抵抗R2の他端は、pnp型バイポ−ラトランジスタQ
18のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
6を構成する抵抗R2の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I2で
あるトランジスタQ20のコレクタに接続されている。
抵抗R2の他端は、pnp型バイポ−ラトランジスタQ
18のベ−ス及びコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
【0076】定電流源I4は、電源端子12と抵抗R1
の一端の間に接続されている。npn型バイポ−ラトラ
ンジスタQ15のベ−スは、トランジスタQ13,Q1
4のエミッタに接続され、コレクタは、電源端子12に
接続され、エミッタは、出力端子14に接続されてい
る。pnp型バイポ−ラトランジスタQ16のベ−ス
は、トランジスタQ11,Q12のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子13に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。
の一端の間に接続されている。npn型バイポ−ラトラ
ンジスタQ15のベ−スは、トランジスタQ13,Q1
4のエミッタに接続され、コレクタは、電源端子12に
接続され、エミッタは、出力端子14に接続されてい
る。pnp型バイポ−ラトランジスタQ16のベ−ス
は、トランジスタQ11,Q12のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、電源端子13に接続され、エミッタ
は、出力端子14に接続されている。
【0077】また、npn型バイポ−ラトランジスタQ
21のベ−スは、電圧源15を構成する抵抗R1の一端
に接続され、コレクタは、トランジスタQ18,Q20
のベ−スに接続され、エミッタは、定電流源I1を構成
するトランジスタQ19のコレクタに接続されている。
21のベ−スは、電圧源15を構成する抵抗R1の一端
に接続され、コレクタは、トランジスタQ18,Q20
のベ−スに接続され、エミッタは、定電流源I1を構成
するトランジスタQ19のコレクタに接続されている。
【0078】トランジスタQ21は、トランジスタQ1
1がオフ状態のときにおいても、トランジスタQ13の
エミッタに電流を供給するために設けられたものであ
る。即ち、トランジスタQ11がオフ状態でも、トラン
ジスタQ21がオン状態であるため、トランジスタQ1
3,Q20はオン状態になる。
1がオフ状態のときにおいても、トランジスタQ13の
エミッタに電流を供給するために設けられたものであ
る。即ち、トランジスタQ11がオフ状態でも、トラン
ジスタQ21がオン状態であるため、トランジスタQ1
3,Q20はオン状態になる。
【0079】上記構成のバッファ回路において、定電流
源I4による定電流をI、抵抗R1の抵抗値をR1、抵
抗R2の抵抗値をR2、トランジスタQ17,Q18の
ベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジス
タQ12のベ−スに印加される電位は、VBE+(R1
×I)となり、トランジスタQ14のベ−スに印加され
る電位は、VCC−{VBE+(R2×I)}となる。
源I4による定電流をI、抵抗R1の抵抗値をR1、抵
抗R2の抵抗値をR2、トランジスタQ17,Q18の
ベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジス
タQ12のベ−スに印加される電位は、VBE+(R1
×I)となり、トランジスタQ14のベ−スに印加され
る電位は、VCC−{VBE+(R2×I)}となる。
【0080】即ち、図1の電圧源15の電圧V1がVB
E+(R1×I)、V2がVBE+(R2×I)に対応
していることになる。なお、抵抗R1は、定電流源I
1、即ちトランジスタQ19が飽和状態になるのを防止
するためのものであり、抵抗R2は、定電流源I2、即
ちトランジスタQ20が飽和状態になるのを防止するた
めのものである。
E+(R1×I)、V2がVBE+(R2×I)に対応
していることになる。なお、抵抗R1は、定電流源I
1、即ちトランジスタQ19が飽和状態になるのを防止
するためのものであり、抵抗R2は、定電流源I2、即
ちトランジスタQ20が飽和状態になるのを防止するた
めのものである。
【0081】上記構成のバッファ回路によれば、低い電
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [E] 図8は、本発明の第5実施例に係わるバッファ
回路を示している。
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [E] 図8は、本発明の第5実施例に係わるバッファ
回路を示している。
【0082】このバッファ回路の特徴は、第3実施例の
バッファ回路と比較すると、定電流源I3を電源端子1
2側に設けて定電流源I4とした点にある。以下、本実
施例のバッファ回路の構成について説明する。
バッファ回路と比較すると、定電流源I3を電源端子1
2側に設けて定電流源I4とした点にある。以下、本実
施例のバッファ回路の構成について説明する。
【0083】npn型バイポ−ラトランジスタQ11,
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電圧源16を構成するpnp型バイポ−ラトランジ
スタQ18のベ−ス及びコレクタに接続され、エミッタ
は、定電流源I1であるnpn型バイポ−ラトランジス
タQ19のコレクタに接続されている。トランジスタQ
19のエミッタは、例えば接地電位を供給する電源端子
13に接続されている。
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電圧源16を構成するpnp型バイポ−ラトランジ
スタQ18のベ−ス及びコレクタに接続され、エミッタ
は、定電流源I1であるnpn型バイポ−ラトランジス
タQ19のコレクタに接続されている。トランジスタQ
19のエミッタは、例えば接地電位を供給する電源端子
13に接続されている。
【0084】トランジスタQ12のベ−スは、電圧源1
5を構成するnpn型バイポ−ラトランジスタQ17の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I1であるトラ
ンジスタQ19のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
5を構成するnpn型バイポ−ラトランジスタQ17の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I1であるトラ
ンジスタQ19のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ17のエミッタは、電源端子13に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ19のベ−スに接続されてい
る。
【0085】pnp型バイポ−ラトランジスタQ13,
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、電源端子12に接続されている。
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2であるpnp型バイポ−ラトランジスタQ20のコレ
クタに接続されている。トランジスタQ20のエミッタ
は、電源端子12に接続されている。
【0086】トランジスタQ14のベ−スは、電圧源1
6を構成するpnp型バイポ−ラトランジスタQ18の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I2であるトラ
ンジスタQ20のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
6を構成するpnp型バイポ−ラトランジスタQ18の
ベ−ス及びコレクタに接続され、コレクタは、出力端子
14に接続され、エミッタは、定電流源I2であるトラ
ンジスタQ20のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ18のエミッタは、電源端子12に接続され、ベ
−スは、トランジスタQ20のベ−スに接続されてい
る。
【0087】定電流源I4は、電源端子12とトランジ
スタQ17のコレクタの間に接続されている。npn型
バイポ−ラトランジスタQ15のベ−スは、トランジス
タQ13,Q14のエミッタに接続され、コレクタは、
電源端子12に接続され、エミッタは、出力端子14に
接続されている。pnp型バイポ−ラトランジスタQ1
6のベ−スは、トランジスタQ11,Q12のエミッタ
に接続され、コレクタは、電源端子13に接続され、エ
ミッタは、出力端子14に接続されている。
スタQ17のコレクタの間に接続されている。npn型
バイポ−ラトランジスタQ15のベ−スは、トランジス
タQ13,Q14のエミッタに接続され、コレクタは、
電源端子12に接続され、エミッタは、出力端子14に
接続されている。pnp型バイポ−ラトランジスタQ1
6のベ−スは、トランジスタQ11,Q12のエミッタ
に接続され、コレクタは、電源端子13に接続され、エ
ミッタは、出力端子14に接続されている。
【0088】また、npn型バイポ−ラトランジスタQ
21のベ−スは、電圧源15を構成するトランジスタQ
17のベ−スに接続され、コレクタは、トランジスタQ
18,Q20のベ−スに接続され、エミッタは、定電流
源I1を構成するトランジスタQ19のコレクタに接続
されている。
21のベ−スは、電圧源15を構成するトランジスタQ
17のベ−スに接続され、コレクタは、トランジスタQ
18,Q20のベ−スに接続され、エミッタは、定電流
源I1を構成するトランジスタQ19のコレクタに接続
されている。
【0089】トランジスタQ21は、トランジスタQ1
1がオフ状態のときにおいても、トランジスタQ13の
エミッタに電流を供給するために設けられたものであ
る。即ち、トランジスタQ11がオフ状態でも、トラン
ジスタQ21がオン状態であるため、トランジスタQ1
3,Q20はオン状態になる。
1がオフ状態のときにおいても、トランジスタQ13の
エミッタに電流を供給するために設けられたものであ
る。即ち、トランジスタQ11がオフ状態でも、トラン
ジスタQ21がオン状態であるため、トランジスタQ1
3,Q20はオン状態になる。
【0090】上記構成のバッファ回路において、定電流
源I4による定電流をI、トランジスタQ17,Q18
のベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジ
スタQ12のベ−スに印加される電位は、VBEとな
り、トランジスタQ14のベ−スに印加される電位は、
VCC−VBEとなる。
源I4による定電流をI、トランジスタQ17,Q18
のベ−ス・エミッタ間電圧をVBEとすると、トランジ
スタQ12のベ−スに印加される電位は、VBEとな
り、トランジスタQ14のベ−スに印加される電位は、
VCC−VBEとなる。
【0091】即ち、図1の電圧源15の電圧V1,V2
が、共にVBEに対応していることになる。つまり、出
力信号Voutのダイナミックレンジを電源電圧と等し
くすることができる。
が、共にVBEに対応していることになる。つまり、出
力信号Voutのダイナミックレンジを電源電圧と等し
くすることができる。
【0092】なお、トランジスタQ12のエミッタ面積
をN倍にしてあるのは、定電流源I1、即ちトランジス
タQ19が飽和状態になるのを防止するためのものであ
り、トランジスタQ14のエミッタ面積をN倍にしてあ
るのは、定電流源I2、即ちトランジスタQ20が飽和
状態になるのを防止するためのものである。
をN倍にしてあるのは、定電流源I1、即ちトランジス
タQ19が飽和状態になるのを防止するためのものであ
り、トランジスタQ14のエミッタ面積をN倍にしてあ
るのは、定電流源I2、即ちトランジスタQ20が飽和
状態になるのを防止するためのものである。
【0093】上記構成のバッファ回路によれば、低い電
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [F] 図9は、本発明の第6実施例に係わるバッファ
回路を示している。
源電圧でも動作が可能であり、入力信号及び出力信号の
ダイナミックレンジを電源電圧と等しくすることができ
る。また、電圧源の電圧値を所定の値に設定することに
より、任意の振幅の出力信号を出力し得るバッファ回路
を提供することができる。 [F] 図9は、本発明の第6実施例に係わるバッファ
回路を示している。
【0094】この実施例の特徴は、外部コントロ−ル信
号を入力する端子を設け、当該外部コントロ−ル信号に
より任意の振幅の出力信号を出力し得る点にある。この
バッファ回路の構成について説明する。
号を入力する端子を設け、当該外部コントロ−ル信号に
より任意の振幅の出力信号を出力し得る点にある。この
バッファ回路の構成について説明する。
【0095】npn型バイポ−ラトランジスタQ11,
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、例えば正電位を供給する電源端子12に接続され、
エミッタは、定電流源I1を介して例えば接地電位を供
給する電源端子13に接続されている。
Q12は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
11のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、例えば正電位を供給する電源端子12に接続され、
エミッタは、定電流源I1を介して例えば接地電位を供
給する電源端子13に接続されている。
【0096】トランジスタQ12のベ−スは、電圧源1
5を構成する抵抗R1の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I1を
介して電源端子13に接続されている。
5を構成する抵抗R1の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I1を
介して電源端子13に接続されている。
【0097】pnp型バイポ−ラトランジスタQ13,
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2を介して電源端子12に接続されている。
Q14は、差動アンプを構成している。トランジスタQ
13のベ−スは、入力端子11に接続され、コレクタ
は、電源端子13に接続され、エミッタは、定電流源I
2を介して電源端子12に接続されている。
【0098】トランジスタQ14のベ−スは、電圧源1
6を構成する抵抗R2の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I2を
介して電源端子12に接続されている。
6を構成する抵抗R2の一端に接続され、コレクタは、
出力端子14に接続され、エミッタは、定電流源I2を
介して電源端子12に接続されている。
【0099】抵抗R1の他端は、npn型バイポ−ラト
ランジスタQ17のベ−ス及びコレクタに接続されてい
る。トランジスタQ17のエミッタは、電源端子13に
接続されている。また、抵抗R2の他端は、pnp型バ
イポ−ラトランジスタQ18のベ−ス及びコレクタに接
続されている。トランジスタQ18のエミッタは、電源
端子12に接続されている。
ランジスタQ17のベ−ス及びコレクタに接続されてい
る。トランジスタQ17のエミッタは、電源端子13に
接続されている。また、抵抗R2の他端は、pnp型バ
イポ−ラトランジスタQ18のベ−ス及びコレクタに接
続されている。トランジスタQ18のエミッタは、電源
端子12に接続されている。
【0100】電圧源15は、トランジスタQ12のベ−
スと電源端子13間に電圧V1を印加し、電圧源16
は、トランジスタQ14のベ−スと電源端子12間に電
圧V2を印加する。なお、電圧源15,16の電圧V
1,V2は、出力信号Voutの振幅の最大値を決める
ものである。
スと電源端子13間に電圧V1を印加し、電圧源16
は、トランジスタQ14のベ−スと電源端子12間に電
圧V2を印加する。なお、電圧源15,16の電圧V
1,V2は、出力信号Voutの振幅の最大値を決める
ものである。
【0101】npn型バイポ−ラトランジスタQ15の
ベ−スは、トランジスタQ13,Q14のエミッタに接
続され、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッ
タは、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ
−ラトランジスタQ16のベ−スは、トランジスタQ1
1,Q12のエミッタに接続され、コレクタは、電源端
子13に接続され、エミッタは、出力端子14に接続さ
れている。
ベ−スは、トランジスタQ13,Q14のエミッタに接
続され、コレクタは、電源端子12に接続され、エミッ
タは、出力端子14に接続されている。pnp型バイポ
−ラトランジスタQ16のベ−スは、トランジスタQ1
1,Q12のエミッタに接続され、コレクタは、電源端
子13に接続され、エミッタは、出力端子14に接続さ
れている。
【0102】また、npn型バイポ−ラトランジスタQ
22のベ−スは、制御端子17に接続され、エミッタ
は、抵抗R3を介して電源端子13に接続され、コレク
タは、電圧源16の抵抗R2の一端に接続されている。
なお、外部コントロ−ル信号は、制御端子17に入力さ
れる。
22のベ−スは、制御端子17に接続され、エミッタ
は、抵抗R3を介して電源端子13に接続され、コレク
タは、電圧源16の抵抗R2の一端に接続されている。
なお、外部コントロ−ル信号は、制御端子17に入力さ
れる。
【0103】pnp型バイポ−ラトランジスタQ23の
ベ−スは、トランジスタQ18のベ−スに接続され、エ
ミッタは、電源端子12に接続され、コレクタは、電圧
源15の抵抗R1の一端に接続されている。なお、トラ
ンジスタQ18,Q23は、カレントミラ−回路を構成
している。
ベ−スは、トランジスタQ18のベ−スに接続され、エ
ミッタは、電源端子12に接続され、コレクタは、電圧
源15の抵抗R1の一端に接続されている。なお、トラ
ンジスタQ18,Q23は、カレントミラ−回路を構成
している。
【0104】上記構成のバッファ回路によれば、外部コ
ントロ−ル信号の電位を変化させることにより、電流源
(トランジスタQ22)に流れる電流の値を変化させる
ことができる。
ントロ−ル信号の電位を変化させることにより、電流源
(トランジスタQ22)に流れる電流の値を変化させる
ことができる。
【0105】つまり、トランジスタQ22に流れる電流
をI、トランジスタQ17,Q18のベ−ス・エミッタ
間電圧をVBEとすると、トランジスタQ12のベ−ス
に印加される電位は、VBE+(R1×I)となり、ト
ランジスタQ14のベ−スに印加される電位は、VCC
−{VBE+(R2×I)}となる。
をI、トランジスタQ17,Q18のベ−ス・エミッタ
間電圧をVBEとすると、トランジスタQ12のベ−ス
に印加される電位は、VBE+(R1×I)となり、ト
ランジスタQ14のベ−スに印加される電位は、VCC
−{VBE+(R2×I)}となる。
【0106】即ち、電圧源15の電圧V1は、VBE+
(R1×I)となり、電圧源16の電圧V2は、VBE
+(R2×I)となる。つまり、外部コントロ−ル信号
により電流値Iを変化させることにより、出力信号Vo
utのダイナミックレンジを任意の値に設定することが
できる。従って、デジタル信号などを取り扱う際に、デ
ジタル信号の振幅の制御が容易になり、かつ、ミュ−ト
操作も可能になる。
(R1×I)となり、電圧源16の電圧V2は、VBE
+(R2×I)となる。つまり、外部コントロ−ル信号
により電流値Iを変化させることにより、出力信号Vo
utのダイナミックレンジを任意の値に設定することが
できる。従って、デジタル信号などを取り扱う際に、デ
ジタル信号の振幅の制御が容易になり、かつ、ミュ−ト
操作も可能になる。
【0107】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のバッフ
ァ回路によれば、次のような効果を奏する。出力信号V
outのダイナミックレンジを電源電圧に等しくするこ
とができる。従って、入力信号Vinを減衰させる必要
がなく、出力信号に出力歪みが生じることもない。ま
た、入出力信号のダイナミックレンジを電源電圧に等し
くできるため、従来よりも取り扱う信号の振幅を大きく
とることができるので、SN比が良好になり、低い電源
電圧でも動作が可能となる。
ァ回路によれば、次のような効果を奏する。出力信号V
outのダイナミックレンジを電源電圧に等しくするこ
とができる。従って、入力信号Vinを減衰させる必要
がなく、出力信号に出力歪みが生じることもない。ま
た、入出力信号のダイナミックレンジを電源電圧に等し
くできるため、従来よりも取り扱う信号の振幅を大きく
とることができるので、SN比が良好になり、低い電源
電圧でも動作が可能となる。
【0108】また、電圧源の電圧V1,V2を変化させ
ることにより、出力信号Voutのダイナミックレンジ
を可変できるため、デジタル信号などを取り扱う際に、
デジタル信号の振幅の制御が容易になり、かつ、ミュ−
ト操作も可能になる。さらに、外部コントロ−ル信号に
より出力信号のダイナミックレンジを可変することもで
きる。
ることにより、出力信号Voutのダイナミックレンジ
を可変できるため、デジタル信号などを取り扱う際に、
デジタル信号の振幅の制御が容易になり、かつ、ミュ−
ト操作も可能になる。さらに、外部コントロ−ル信号に
より出力信号のダイナミックレンジを可変することもで
きる。
【図1】本発明のバッファ回路の概念を示すブロック
図。
図。
【図2】図1の第1及び第2電圧検出手段の具体例を示
す図。
す図。
【図3】本発明の第1実施例に係わるバッファ回路を示
す回路図。
す回路図。
【図4】図1のバッファ回路の入出力信号の波形を示す
波形図。
波形図。
【図5】本発明の第2実施例に係わるバッファ回路を示
す回路図。
す回路図。
【図6】本発明の第3実施例に係わるバッファ回路を示
す回路図。
す回路図。
【図7】本発明の第4実施例に係わるバッファ回路を示
す回路図。
す回路図。
【図8】本発明の第5実施例に係わるバッファ回路を示
す回路図。
す回路図。
【図9】本発明の第6実施例に係わるバッファ回路を示
す回路図。
す回路図。
【図10】従来のバッファ回路を示す回路図。
【図11】図10のバッファ回路の入出力信号の波形を
示す波形図。
示す波形図。
11 …入力端子、 12,13 …電源端子、 14 …出力端子、 15,16 …電圧源、 17 …制御端子、 Q1〜Q4,Q11〜Q22 …バイポ−ラトランジス
タ、 I1〜I4 …定電流源、 R1,R2 …抵抗。
タ、 I1〜I4 …定電流源、 R1,R2 …抵抗。
Claims (7)
- 【請求項1】 入力端子に接続される入力段及び出力端
子に接続される出力段と、 第1電源端子と前記出力端子の間に直列に接続される第
1電流源及び第1スイッチ回路と、 第2電源端子と前記出力端子の間に直列に接続される第
2電流源及び第2スイッチ回路と、 第1基準電圧源及び第1スイッチ制御部から構成され、
前記入力端子の電圧が前記第1基準電圧源の電圧よりも
小さい場合には、前記第1スイッチ回路を閉じて前記第
1電流源を前記出力端子に接続する第1電圧検出手段
と、 第2基準電圧源及び第2スイッチ制御部から構成され、
前記入力端子の電圧が前記第2基準電圧源の電圧よりも
大きい場合には、前記第2スイッチ回路を閉じて前記第
2電流源を前記出力端子に接続する第2電圧検出手段と
を具備することを特徴とするバッファ回路。 - 【請求項2】 ベ−スが入力端子に接続され、コレクタ
が第1電源端子に接続される第1トランジスタと、 前記第1トランジスタと共に差動アンプを構成し、ベ−
スが第1電圧源に接続され、コレクタが出力端子に接続
され、エミッタが前記第1トランジスタのエミッタに接
続される第2トランジスタと、 ベ−スが前記入力端子に接続され、コレクタが第2電源
端子に接続される第3トランジスタと、 前記第3トランジスタと共に差動アンプを構成し、ベ−
スが第2電圧源に接続され、コレクタが前記出力端子に
接続され、エミッタが前記第3トランジスタのエミッタ
に接続される第4トランジスタと、 前記第1及び第2トランジスタのエミッタと前記第2電
源端子との間に接続される第1定電流源と、 前記第1電源端子と前記第3及び第4トランジスタのエ
ミッタとの間に接続される第2定電流源と、 ベ−スが前記第3及び第4トランジスタのエミッタに接
続され、コレクタが前記第1電源端子に接続され、エミ
ッタが前記出力端子に接続される第5トランジスタと、 ベ−スが前記第1及び第2トランジスタのエミッタに接
続され、コレクタが前記第2電源端子に接続され、エミ
ッタが前記出力端子に接続される第6トランジスタとを
具備することを特徴とするバッファ回路。 - 【請求項3】 請求項1に記載のバッファ回路におい
て、 前記第1電圧源は、前記第2トランジスタのベ−スと前
記第2電源端子との間に直列接続される第1抵抗及び第
7トランジスタから構成され、前記第2電圧源は、前記
第1電源端子と前記第4トランジスタのベ−スとの間に
直列接続される第2抵抗及び第8トランジスタから構成
され、 前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成され、
前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成さ
れ、 前記第1及び第2抵抗の間に第3定電流源をさらに具備
することを特徴とするバッファ回路。 - 【請求項4】 請求項1に記載のバッファ回路におい
て、 前記第1電圧源は、ベ−ス及びコレクタが前記第2トラ
ンジスタのベ−スに接続され、エミッタが前記第2電源
端子に接続される第7トランジスタから構成され、前記
第2電圧源は、エミッタが前記第1電源端子に接続さ
れ、ベ−ス及びコレクタが前記第4トランジスタのベ−
スに接続される第8トランジスタから構成され、 前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成され、
前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成さ
れ、 前記第2トランジスタのエミッタ面積は、前記第9トラ
ンジスタのエミッタ面積のN(Nは1以上の数)倍であ
り、前記第4トランジスタのエミッタ面積は、前記第1
0トランジスタのエミッタ面積のN倍であり、 前記第1及び第2抵抗の間に第3定電流源をさらに具備
することを特徴とするバッファ回路。 - 【請求項5】 請求項1に記載のバッファ回路におい
て、 前記第1電圧源は、前記第2トランジスタのベ−スと前
記第2電源端子との間に直列接続される第1抵抗及び第
7トランジスタから構成され、前記第2電圧源は、前記
第1電源端子と前記第4トランジスタのベ−スとの間に
直列接続される第2抵抗及び第8トランジスタから構成
され、 前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成され、
前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成さ
れ、 前記第1トランジスタのコレクタは、前記第2電圧源を
介して前記第1電源端子に接続され、 前記第1電源端子と前記第1電圧源の間に接続される第
4定電流源と、ベ−スが前記第1電圧源に接続され、コ
レクタが前記第8及び第10トランジスタのベ−スに接
続され、エミッタが前記第9トランジスタのコレクタに
接続される第11トランジスタとをさらに具備すること
を特徴とするバッファ回路。 - 【請求項6】 請求項1に記載のバッファ回路におい
て、 前記第1電圧源は、ベ−ス及びコレクタが前記第2トラ
ンジスタのベ−スに接続され、エミッタが前記第2電源
端子に接続される第7トランジスタから構成され、前記
第2電圧源は、エミッタが前記第1電源端子に接続さ
れ、ベ−ス及びコレクタが前記第4トランジスタのベ−
スに接続される第8トランジスタから構成され、 前記第1定電流源は、前記第7トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第9トランジスタから構成され、
前記第2定電流源は、前記第8トランジスタとカレント
ミラ−回路を構成する第10トランジスタから構成さ
れ、 前記第1トランジスタのコレクタは、前記第2電圧源を
介して前記第1電源端子に接続され、 前記第1電源端子と前記第1電圧源の間に接続される第
4定電流源と、ベ−スが前記第1電圧源に接続され、コ
レクタが前記第8及び第10トランジスタのベ−スに接
続され、エミッタが前記第9トランジスタのコレクタに
接続される第11トランジスタとをさらに具備し、 前記第2及び第11トランジスタのエミッタ面積は、前
記第9トランジスタのエミッタ面積のN(Nは1以上の
数)倍であり、前記第4トランジスタのエミッタ面積
は、前記第10トランジスタのエミッタ面積のN倍であ
ることを特徴とするバッファ回路。 - 【請求項7】 請求項1に記載のバッファ回路におい
て、 前記第1電圧源は、前記第2トランジスタのベ−スと前
記第2電源端子との間に直列接続される第1抵抗及び第
7トランジスタから構成され、前記第2電圧源は、前記
第1電源端子と前記第4トランジスタのベ−スとの間に
直列接続される第2抵抗及び第8トランジスタから構成
され、 外部コントロ−ル信号により電流の量を可変でき、前記
電流を前記第2電圧源に供給する可変電流源と、前記第
8トランジスタと共にカレントミラ−回路を構成し、前
記電流を前記第1電圧源に供給する第13トランジスタ
とをさらに具備することを特徴とするバッファ回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19327794A JP3340250B2 (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | バッファ回路 |
| KR1019950025112A KR100188367B1 (ko) | 1994-08-17 | 1995-08-16 | 넓은 동적 범위를 갖는 버퍼 회로 |
| DE69517562T DE69517562T2 (de) | 1994-08-17 | 1995-08-17 | Pufferschaltung mit breitem dynamischen Bereich |
| EP95305751A EP0697766B1 (en) | 1994-08-17 | 1995-08-17 | Buffer circuit with wide dynamic range |
| US08/968,064 US5994942A (en) | 1994-08-17 | 1997-11-12 | Buffer circuit with wide dynamic range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19327794A JP3340250B2 (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | バッファ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0865134A true JPH0865134A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3340250B2 JP3340250B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=16305266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19327794A Expired - Fee Related JP3340250B2 (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | バッファ回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5994942A (ja) |
| EP (1) | EP0697766B1 (ja) |
| JP (1) | JP3340250B2 (ja) |
| KR (1) | KR100188367B1 (ja) |
| DE (1) | DE69517562T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152680A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Freescale Semiconductor Inc | 増幅回路 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970008907A (ko) * | 1995-07-25 | 1997-02-24 | 가네꼬 히사시 | A/d 변환기에서 최적 다이나믹 레인지를 유지하기 위한 a/d 변환기의 기준 레벨 조정 회로 및 방법 |
| IT1288121B1 (it) * | 1996-07-01 | 1998-09-10 | Ausimont Spa | Copolimeri termoplastici del vinilidenfluoruro (vdf) |
| US6373295B2 (en) * | 1999-06-21 | 2002-04-16 | Semiconductor Components Industries Llc | Rail-to-rail driver for use in a regulator, and method |
| ITMI991515A1 (it) | 1999-07-09 | 2001-01-09 | Ausimont Spa | Co polimeri peralogenati termoprocessabili del clorotrifluoroetilene |
| ITMI991514A1 (it) | 1999-07-09 | 2001-01-09 | Ausimont Spa | Co polimeri peralogenati termoprocessabili del clorotrifluoroetilene |
| US6469562B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-10-22 | Jun-Ren Shih | Source follower with Vgs compensation |
| US6494986B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Externally excited multiple torroidal plasma source |
| US6348126B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
| JP3666423B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2005-06-29 | 日本電気株式会社 | 駆動回路 |
| US7358192B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for in-situ film stack processing |
| JP2009178926A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Seiko Epson Corp | 容量性負荷の駆動回路及び液体吐出装置 |
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- 1994-08-17 JP JP19327794A patent/JP3340250B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-16 KR KR1019950025112A patent/KR100188367B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-17 DE DE69517562T patent/DE69517562T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-17 EP EP95305751A patent/EP0697766B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0697766B1 (en) | 2000-06-21 |
| EP0697766A1 (en) | 1996-02-21 |
| US5994942A (en) | 1999-11-30 |
| DE69517562D1 (de) | 2000-07-27 |
| DE69517562T2 (de) | 2001-03-08 |
| KR100188367B1 (ko) | 1999-06-01 |
| JP3340250B2 (ja) | 2002-11-05 |
| KR960009414A (ko) | 1996-03-22 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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