JPH0867932A - 高電流密度メッキ用銅陽極 - Google Patents
高電流密度メッキ用銅陽極Info
- Publication number
- JPH0867932A JPH0867932A JP22734294A JP22734294A JPH0867932A JP H0867932 A JPH0867932 A JP H0867932A JP 22734294 A JP22734294 A JP 22734294A JP 22734294 A JP22734294 A JP 22734294A JP H0867932 A JPH0867932 A JP H0867932A
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- Japan
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- copper
- anode
- plating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキ表面に微小突起が生成することのない
高電流密度メッキ用銅陽極に関するものであり、この高
電流密度メッキ用銅陽極は、特にグラビア印刷用ドラム
へ銅メッキするための陽極として使用するものである。 【構成】 酸素：２０〜１００ｐｐｍ、Ｐ：３５０〜７
００ｐｐｍを含有し、残部：Ｃｕおよび不可避不純物か
らなる組成を有する含燐銅からなることを特徴とする。
高電流密度メッキ用銅陽極に関するものであり、この高
電流密度メッキ用銅陽極は、特にグラビア印刷用ドラム
へ銅メッキするための陽極として使用するものである。 【構成】 酸素：２０〜１００ｐｐｍ、Ｐ：３５０〜７
００ｐｐｍを含有し、残部：Ｃｕおよび不可避不純物か
らなる組成を有する含燐銅からなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、メッキ表面に微小突
起が生成することのない高電流密度メッキ用銅陽極に関
するものであり、この高電流密度メッキ用銅陽極は、特
にグラビア印刷用ドラムへ銅メッキするために使用する
銅陽極に関するものである。
起が生成することのない高電流密度メッキ用銅陽極に関
するものであり、この高電流密度メッキ用銅陽極は、特
にグラビア印刷用ドラムへ銅メッキするために使用する
銅陽極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、グラビア印刷用ドラムに銅メッ
キするには、酸素：２〜５ｐｐｍ、Ｐ：３５０〜７００
ｐｐｍを含有する含燐銅からなる銅陽極が使用され、１
０〜１５Ａ／ｄｍ2 の高電流密度でメッキしている。
キするには、酸素：２〜５ｐｐｍ、Ｐ：３５０〜７００
ｐｐｍを含有する含燐銅からなる銅陽極が使用され、１
０〜１５Ａ／ｄｍ2 の高電流密度でメッキしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の含燐銅
からなる銅陽極を使用して陰極側のグラビア印刷用ドラ
ム表面に高電流密度メッキを行うと、メッキされたグラ
ビア印刷用ドラムのメッキ層表面に直径約０．１〜１．
０ｍｍの微小突起が多数生成し、このグラビア印刷用ド
ラム表面に生成した微小突起は削り取らなければなら
ず、微小突起を平滑に削り取るには熟練と時間を要し、
微小突起が余り多く発生した場合は微小突起を平滑に削
り取るのに時間がかかり過ぎて破棄しなければならない
場合もあった。
からなる銅陽極を使用して陰極側のグラビア印刷用ドラ
ム表面に高電流密度メッキを行うと、メッキされたグラ
ビア印刷用ドラムのメッキ層表面に直径約０．１〜１．
０ｍｍの微小突起が多数生成し、このグラビア印刷用ド
ラム表面に生成した微小突起は削り取らなければなら
ず、微小突起を平滑に削り取るには熟練と時間を要し、
微小突起が余り多く発生した場合は微小突起を平滑に削
り取るのに時間がかかり過ぎて破棄しなければならない
場合もあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
かかる観点から、高電流密度で銅メッキしても銅メッキ
層表面に微小突起が生成することのない高電流密度メッ
キ方法を開発すべく研究を行った結果、従来の含燐銅か
らなる銅陽極成分に更に酸素を２０〜１００ｐｐｍを含
有する含燐銅からなる銅陽極を用いて高電流密度メッキ
を行うと、メッキ層表面に微小突起が生成することはな
いという知見を得たのである。
かかる観点から、高電流密度で銅メッキしても銅メッキ
層表面に微小突起が生成することのない高電流密度メッ
キ方法を開発すべく研究を行った結果、従来の含燐銅か
らなる銅陽極成分に更に酸素を２０〜１００ｐｐｍを含
有する含燐銅からなる銅陽極を用いて高電流密度メッキ
を行うと、メッキ層表面に微小突起が生成することはな
いという知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、酸素：２０〜１００ｐｐｍ、Ｐ：３
５０〜７００ｐｐｍを含有し、残部：Ｃｕおよび不可避
不純物からなる組成を有する含燐銅からなる例えばグラ
ビア印刷用ドラムへ銅メッキするための高電流密度メッ
キ用銅陽極に特徴を有するものである。
れたものであって、酸素：２０〜１００ｐｐｍ、Ｐ：３
５０〜７００ｐｐｍを含有し、残部：Ｃｕおよび不可避
不純物からなる組成を有する含燐銅からなる例えばグラ
ビア印刷用ドラムへ銅メッキするための高電流密度メッ
キ用銅陽極に特徴を有するものである。
【０００６】この発明のグラビア印刷用ドラムへ銅メッ
キするための高電流密度メッキ用銅陽極に含まれるＰ：
３５０〜７００ｐｐｍは、従来のグラビア印刷用ドラム
へ銅メッキするための高電流密度メッキ用銅陽極に含ま
れる燐の量と同じであるが、酸素濃度が２０ｐｐｍ未満
ではメッキ層表面に微小突起が発生するようになるので
好ましくなく、一方、酸素濃度が１００ｐｐｍを越える
と水素脆化して加工することができなくなるばかりでな
く、粒界に沿っての溶解が早く、メッキ中に銅陽極から
金属銅の著しい脱落が生じるようになるので好ましくな
い。したがって、酸素の含有量は２０〜１００ｐｐｍに
定めた。酸素の含有量の一層好ましい範囲は３０〜７０
ｐｐｍであり、さらに一層好ましい範囲は３５〜６０ｐ
ｐｍである。
キするための高電流密度メッキ用銅陽極に含まれるＰ：
３５０〜７００ｐｐｍは、従来のグラビア印刷用ドラム
へ銅メッキするための高電流密度メッキ用銅陽極に含ま
れる燐の量と同じであるが、酸素濃度が２０ｐｐｍ未満
ではメッキ層表面に微小突起が発生するようになるので
好ましくなく、一方、酸素濃度が１００ｐｐｍを越える
と水素脆化して加工することができなくなるばかりでな
く、粒界に沿っての溶解が早く、メッキ中に銅陽極から
金属銅の著しい脱落が生じるようになるので好ましくな
い。したがって、酸素の含有量は２０〜１００ｐｐｍに
定めた。酸素の含有量の一層好ましい範囲は３０〜７０
ｐｐｍであり、さらに一層好ましい範囲は３５〜６０ｐ
ｐｍである。
【０００７】この発明のＰ：３５０〜７００ｐｐｍ、酸
素：２０〜１００ｐｐｍを含有する高電流密度メッキ用
含燐銅陽極は、まず、純度：９９．９９％以上の電気銅
をシャフト炉または電気炉で溶解し、得られた溶湯を保
持炉に注入し、保持炉において所定の成分組成となるよ
うにＰを添加し、さらに溶湯に酸素を吹き込んで酸素含
有量を高めた後、ただちに鋳造し、所定の大きさのイン
ゴットを作製し、このインゴットを押し出し加工して丸
棒を作製し、この丸棒を鍛造または転造し、ボール、チ
ップ、板に成形したのち、急冷し、酸洗することにより
作製される。
素：２０〜１００ｐｐｍを含有する高電流密度メッキ用
含燐銅陽極は、まず、純度：９９．９９％以上の電気銅
をシャフト炉または電気炉で溶解し、得られた溶湯を保
持炉に注入し、保持炉において所定の成分組成となるよ
うにＰを添加し、さらに溶湯に酸素を吹き込んで酸素含
有量を高めた後、ただちに鋳造し、所定の大きさのイン
ゴットを作製し、このインゴットを押し出し加工して丸
棒を作製し、この丸棒を鍛造または転造し、ボール、チ
ップ、板に成形したのち、急冷し、酸洗することにより
作製される。
【０００８】
【実施例】まず、純度：９９．９９％以上の電気銅を用
意し、この電気銅をＣＯ＋Ｎ2 雰囲気のシャフト炉で溶
解し、得られた溶湯を保持炉に注入し、保持炉において
表１に示される組成となるようにＰを添加し、さらに表
１に示される組成となるように溶湯に酸素を吹き込んで
酸素含有量を高めた後、ただちに鋳造して所定の大きさ
のインゴットを作製し、このインゴットを押し出し加工
して外径：４２ｍｍの丸棒を作製し、この丸棒を転造し
て直径：４５ｍｍを有し、表１に示される組成の本発明
高電流密度メッキ用含燐銅陽極（以下、本発明陽極銅ボ
ールという）１〜７および比較高電流密度メッキ用含燐
銅陽極（以下、比較陽極銅ボールという）１〜２を作製
した。
意し、この電気銅をＣＯ＋Ｎ2 雰囲気のシャフト炉で溶
解し、得られた溶湯を保持炉に注入し、保持炉において
表１に示される組成となるようにＰを添加し、さらに表
１に示される組成となるように溶湯に酸素を吹き込んで
酸素含有量を高めた後、ただちに鋳造して所定の大きさ
のインゴットを作製し、このインゴットを押し出し加工
して外径：４２ｍｍの丸棒を作製し、この丸棒を転造し
て直径：４５ｍｍを有し、表１に示される組成の本発明
高電流密度メッキ用含燐銅陽極（以下、本発明陽極銅ボ
ールという）１〜７および比較高電流密度メッキ用含燐
銅陽極（以下、比較陽極銅ボールという）１〜２を作製
した。
【０００９】一方、比較のために、Ｐを添加したのち溶
湯に酸素を吹き込むことなく低酸素濃度のインゴットを
作製し、このインゴットを押し出し加工して外径：４２
ｍｍの丸棒を作製し、この丸棒を転造して直径：４５ｍ
ｍを有し、表１に示される組成の従来高電流密度メッキ
用含燐銅陽極（以下、従来陽極銅ボールという）を作製
した。
湯に酸素を吹き込むことなく低酸素濃度のインゴットを
作製し、このインゴットを押し出し加工して外径：４２
ｍｍの丸棒を作製し、この丸棒を転造して直径：４５ｍ
ｍを有し、表１に示される組成の従来高電流密度メッキ
用含燐銅陽極（以下、従来陽極銅ボールという）を作製
した。
【００１０】これら本発明陽極銅ボール１〜７、比較陽
極銅ボール１〜２および従来陽極銅ボールを酸洗したの
ち、図１に示されるように陽極銅ボールＡをＴｉ製バス
ケット２に充填して銅陽極を作製し、さらに縦：１００
ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：１ｍｍの陰極Ａｌ板１を
用意し、これらを図１に示されるように、温度：４５℃
に保持されたメッキ浴に固定し、スターラー４により回
転子５を回転してメッキ浴３を攪拌しながら電流密度：
１４Ａ／ｄｍ2 の直流電流を７２時間通電し、厚さ：
４．５ｍｍの銅メッキ層を形成した。この様にして得ら
れた銅メッキ板の中央部のメッキ層表面に微小突起が発
生したか否かを観察し、その結果を表１に示した。
極銅ボール１〜２および従来陽極銅ボールを酸洗したの
ち、図１に示されるように陽極銅ボールＡをＴｉ製バス
ケット２に充填して銅陽極を作製し、さらに縦：１００
ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：１ｍｍの陰極Ａｌ板１を
用意し、これらを図１に示されるように、温度：４５℃
に保持されたメッキ浴に固定し、スターラー４により回
転子５を回転してメッキ浴３を攪拌しながら電流密度：
１４Ａ／ｄｍ2 の直流電流を７２時間通電し、厚さ：
４．５ｍｍの銅メッキ層を形成した。この様にして得ら
れた銅メッキ板の中央部のメッキ層表面に微小突起が発
生したか否かを観察し、その結果を表１に示した。
【００１１】
【表１】 （＊印は、この発明の範囲から外れた値を示す）
【００１２】表１に示される結果から、本発明陽極銅ボ
ール１〜７をＴｉ製バスケットに充填して作製した銅陽
極を使用して得られたメッキ層表面に微小突起の発生は
見られなかったが、従来陽極銅ボールをＴｉ製バスケッ
トに充填して作製した銅陽極を使用して得られたメッキ
層表面には微小突起が発生することが分かる。また、酸
素濃度が多すぎる比較陽極銅ボール１をＴｉ製バスケッ
トに充填して作製した銅陽極を使用すると、メッキ中に
比較陽極銅ボール１からＣｕが著しく脱落して好ましく
なく、さらに酸素濃度が少なすぎる比較陽極銅ボール２
を使用すると、従来陽極銅ボールと同様にメッキ層表面
に微小突起が発生するので好ましくないことが分かる。
ール１〜７をＴｉ製バスケットに充填して作製した銅陽
極を使用して得られたメッキ層表面に微小突起の発生は
見られなかったが、従来陽極銅ボールをＴｉ製バスケッ
トに充填して作製した銅陽極を使用して得られたメッキ
層表面には微小突起が発生することが分かる。また、酸
素濃度が多すぎる比較陽極銅ボール１をＴｉ製バスケッ
トに充填して作製した銅陽極を使用すると、メッキ中に
比較陽極銅ボール１からＣｕが著しく脱落して好ましく
なく、さらに酸素濃度が少なすぎる比較陽極銅ボール２
を使用すると、従来陽極銅ボールと同様にメッキ層表面
に微小突起が発生するので好ましくないことが分かる。
【００１３】
【発明の効果】上述のように、この発明の高酸素濃度を
有する高電流密度メッキ用含燐銅陽極を使用して形成し
たメッキ層には、従来の低酸素濃度を有する高電流密度
メッキ用含燐銅陽極を使用して形成したメッキ層のよう
に、表面には微小突起が発生せず、したがって、研削処
理を施す必要もないので、生産性が向上し、産業上優れ
た効果をもたらすものである。
有する高電流密度メッキ用含燐銅陽極を使用して形成し
たメッキ層には、従来の低酸素濃度を有する高電流密度
メッキ用含燐銅陽極を使用して形成したメッキ層のよう
に、表面には微小突起が発生せず、したがって、研削処
理を施す必要もないので、生産性が向上し、産業上優れ
た効果をもたらすものである。
【図１】この発明の高電流密度メッキ用含燐銅陽極を使
用して陰極Ａｌ板に銅メッキ層を形成する方法を示す概
略図である。
用して陰極Ａｌ板に銅メッキ層を形成する方法を示す概
略図である。
１ 陰極Ａｌ板、 ２ Ｔｉ製バスケット ３ メッキ浴、 ４ スターラ ５ 回転子、 Ａ 陽極銅ボール、
Claims (2)
- 【請求項１】 酸素：２０〜１００ｐｐｍ、Ｐ：３５０
〜７００ｐｐｍを含有し、残部：Ｃｕおよび不可避不純
物からなる組成を有する含燐銅からなることを特徴とす
る高電流密度メッキ用銅陽極。 - 【請求項２】 酸素：２０〜１００ｐｐｍ、Ｐ：３５０
〜７００ｐｐｍを含有し、残部：Ｃｕおよび不可避不純
物からなる組成を有する含燐銅からなることを特徴とす
るグラビア印刷用ドラムへ銅メッキするための高電流密
度メッキ用銅陽極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22734294A JPH0867932A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 高電流密度メッキ用銅陽極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22734294A JPH0867932A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 高電流密度メッキ用銅陽極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867932A true JPH0867932A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16859307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22734294A Pending JPH0867932A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 高電流密度メッキ用銅陽極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0867932A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1249518A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-16 | Climeta-Metall GmbH & Co. KG | Verwendung von im wesentlichen sauerstofffreiem, dendritischem und unbeschichtetem Kupfer zur galvanischen Beschichtung von Druckzylindern |
| CN1093572C (zh) * | 1998-08-18 | 2002-10-30 | 广东南方特种铜材有限公司 | 一种铜磷阳极的生产方法 |
| US6783611B2 (en) | 2001-03-13 | 2004-08-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Phosphorized copper anode for electroplating |
| JP2007262456A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Hitachi Cable Ltd | 銅めっきの陽電極用銅ボール、めっき装置、銅めっき方法、及びプリント基板の製造方法 |
| JP2008163454A (ja) * | 2007-11-21 | 2008-07-17 | Nikko Kinzoku Kk | 電気銅めっき用含リン銅アノード及びその製造方法 |
| CN100453667C (zh) * | 2003-04-01 | 2009-01-21 | 安徽铜都铜业股份有限公司铜材厂 | 一种阳极磷铜合金材料的加工方法 |
| JP2011122174A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Materials Corp | 電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、その製造方法および電気銅メッキ方法 |
| CN105506340A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-20 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铜磷合金阳极的制备方法 |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP22734294A patent/JPH0867932A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1093572C (zh) * | 1998-08-18 | 2002-10-30 | 广东南方特种铜材有限公司 | 一种铜磷阳极的生产方法 |
| US6783611B2 (en) | 2001-03-13 | 2004-08-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Phosphorized copper anode for electroplating |
| KR100815141B1 (ko) * | 2001-03-13 | 2008-03-19 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 전기도금용 인함유동 양극 |
| EP1249518A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-16 | Climeta-Metall GmbH & Co. KG | Verwendung von im wesentlichen sauerstofffreiem, dendritischem und unbeschichtetem Kupfer zur galvanischen Beschichtung von Druckzylindern |
| EP1249518B1 (de) * | 2001-04-10 | 2008-03-05 | Umicore Climeta Sas | Verwendung von im wesentlichen sauerstofffreiem, dendritischem und unbeschichtetem Kupfer zur galvanischen Beschichtung von Druckzylindern |
| CN100453667C (zh) * | 2003-04-01 | 2009-01-21 | 安徽铜都铜业股份有限公司铜材厂 | 一种阳极磷铜合金材料的加工方法 |
| JP2007262456A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Hitachi Cable Ltd | 銅めっきの陽電極用銅ボール、めっき装置、銅めっき方法、及びプリント基板の製造方法 |
| JP2008163454A (ja) * | 2007-11-21 | 2008-07-17 | Nikko Kinzoku Kk | 電気銅めっき用含リン銅アノード及びその製造方法 |
| JP2011122174A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Materials Corp | 電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、その製造方法および電気銅メッキ方法 |
| CN105506340A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-20 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铜磷合金阳极的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030603 |