JPH0870071A - 放熱装置 - Google Patents
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- JPH0870071A JPH0870071A JP6203614A JP20361494A JPH0870071A JP H0870071 A JPH0870071 A JP H0870071A JP 6203614 A JP6203614 A JP 6203614A JP 20361494 A JP20361494 A JP 20361494A JP H0870071 A JPH0870071 A JP H0870071A
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- semiconductor element
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱性を大きく低下させることなく、熱衝撃
試験などにおいても不良の発生を防止できる放熱装置を
提供する。 【構成】 窒化アルミなどによる絶縁基板１１上には回
路パターン１２を形成する。ＦＥＴトランジスタなどの
大電力用である半導体素子１３は、半田１４を用い、回
路パターン１２の所定の接続用パッド１２ａに搭載す
る。接続用パッド１２ａからは外部回路への引き出しパ
ターン１２ｂを形成する。回路パターン１２にはプレス
加工により引き出しパターン１２ｂの一部に絶縁基板１
１への非固着部１２ｃを設ける。絶縁基板１１の裏面に
は絶縁基板とほぼ同面積の裏面パターン１５が形成され
ており、半田１６を用いてヒートシンクベース１７上に
絶縁基板１１を固定する。その後ヒートシンクベース１
７を、ねじ１８によってヒートシンク１９にねじ止めす
る。
試験などにおいても不良の発生を防止できる放熱装置を
提供する。 【構成】 窒化アルミなどによる絶縁基板１１上には回
路パターン１２を形成する。ＦＥＴトランジスタなどの
大電力用である半導体素子１３は、半田１４を用い、回
路パターン１２の所定の接続用パッド１２ａに搭載す
る。接続用パッド１２ａからは外部回路への引き出しパ
ターン１２ｂを形成する。回路パターン１２にはプレス
加工により引き出しパターン１２ｂの一部に絶縁基板１
１への非固着部１２ｃを設ける。絶縁基板１１の裏面に
は絶縁基板とほぼ同面積の裏面パターン１５が形成され
ており、半田１６を用いてヒートシンクベース１７上に
絶縁基板１１を固定する。その後ヒートシンクベース１
７を、ねじ１８によってヒートシンク１９にねじ止めす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の実装さ
れた絶縁配線基板を搭載した放熱装置に関する。
れた絶縁配線基板を搭載した放熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＥＴなどの大電力半導体素子は、その
動作時において非常に高温となることから、いかに効率
よく放熱させるかが重要な課題である。近年において
は、窒化アルミなどの熱伝導性の良好な絶縁配線基板上
に直接、半導体素子を実装し、さらに絶縁配線基板をヒ
ートシンクに搭載するような構造がとられるようになっ
てきた。
動作時において非常に高温となることから、いかに効率
よく放熱させるかが重要な課題である。近年において
は、窒化アルミなどの熱伝導性の良好な絶縁配線基板上
に直接、半導体素子を実装し、さらに絶縁配線基板をヒ
ートシンクに搭載するような構造がとられるようになっ
てきた。
【０００３】図１８は従来の放熱装置の構造断面図を、
また図１９は平面図を示したものである。図中５１は窒
化アルミなどによる絶縁基板であり、この絶縁基板５１
上には銅箔により回路パターン５２を形成する。そして
ＦＥＴトランジスタなどの大電力用半導体素子５３は半
田５４を用いることにより、回路パターン５２中の所定
の接続用パッド５２ａに直接搭載する。接続用パッド５
２ａにはこれを外部回路へ引き出すためのパターン５２
ｂを一体形成する。また絶縁基板５１の裏面には絶縁基
板とほぼ同面積の銅箔の裏面パターン５５を形成し、半
田５６を用いヒートシンクベース５７上に絶縁基板５１
を固定する。その後、ヒートシンクベース５７はねじ５
８によってヒートシンク５９にねじ止めする。
また図１９は平面図を示したものである。図中５１は窒
化アルミなどによる絶縁基板であり、この絶縁基板５１
上には銅箔により回路パターン５２を形成する。そして
ＦＥＴトランジスタなどの大電力用半導体素子５３は半
田５４を用いることにより、回路パターン５２中の所定
の接続用パッド５２ａに直接搭載する。接続用パッド５
２ａにはこれを外部回路へ引き出すためのパターン５２
ｂを一体形成する。また絶縁基板５１の裏面には絶縁基
板とほぼ同面積の銅箔の裏面パターン５５を形成し、半
田５６を用いヒートシンクベース５７上に絶縁基板５１
を固定する。その後、ヒートシンクベース５７はねじ５
８によってヒートシンク５９にねじ止めする。
【０００４】このような構造により、動作中に発生した
半導体素子５３の熱は、半田５４、絶縁基板５１、裏面
パターン５５、半田５６、ヒートシンクベース５７、ヒ
ートシンク５９を通じて放射する。よって、放熱性に優
れた放熱装置を得ることができる。
半導体素子５３の熱は、半田５４、絶縁基板５１、裏面
パターン５５、半田５６、ヒートシンクベース５７、ヒ
ートシンク５９を通じて放射する。よって、放熱性に優
れた放熱装置を得ることができる。
【０００５】しかし上記した構造では、接続用パッド５
２ａと引き出しパターン５２ｂとによる回路パターンと
半導体素子５３との熱膨脹係数が違うために熱衝撃試験
などを行なうと、半導体素子５３に応力が加わる。さら
に各部材間の熱膨脹係数の差によって、絶縁基板に反り
も発生するために、半導体素子にクラックが発生してい
た。従来においては−３０℃〜８５℃，３０分／３０分
の条件で、１００サイクル程度経過した時点でクラック
が発生しており、そこでクラック発生原因の詳細を探る
べく、熱応力解析を行なった。
２ａと引き出しパターン５２ｂとによる回路パターンと
半導体素子５３との熱膨脹係数が違うために熱衝撃試験
などを行なうと、半導体素子５３に応力が加わる。さら
に各部材間の熱膨脹係数の差によって、絶縁基板に反り
も発生するために、半導体素子にクラックが発生してい
た。従来においては−３０℃〜８５℃，３０分／３０分
の条件で、１００サイクル程度経過した時点でクラック
が発生しており、そこでクラック発生原因の詳細を探る
べく、熱応力解析を行なった。
【０００６】図２０は熱応力解析のモデル図であり、絶
縁基板６１上に回路パターン６２を形成しており、その
パターン６２上に半導体素子６３を直接搭載したものを
解析の対象としている。
縁基板６１上に回路パターン６２を形成しており、その
パターン６２上に半導体素子６３を直接搭載したものを
解析の対象としている。
【０００７】図２１は図２０のモデルに基づいて解析さ
れた半導体素子の応力分布を示す。図は回路パターン６
２への接合面側から見たもので、図のＡ〜Ｄは図２０中
のものに対応している。この解析結果から、半導体素子
の絶縁基板側角部に応力が集中していることがわかる。
その中でも特に半導体素子周囲に大面積の回路パターン
が形成されている領域の半導体素子の角部に大きな応力
が加わっており、この角部がクラック発生の起点となっ
ていると考えられる。
れた半導体素子の応力分布を示す。図は回路パターン６
２への接合面側から見たもので、図のＡ〜Ｄは図２０中
のものに対応している。この解析結果から、半導体素子
の絶縁基板側角部に応力が集中していることがわかる。
その中でも特に半導体素子周囲に大面積の回路パターン
が形成されている領域の半導体素子の角部に大きな応力
が加わっており、この角部がクラック発生の起点となっ
ていると考えられる。
【０００８】このことから、半導体素子の周囲に大面積
の回路パターンを形成しなければ、半導体素子に加わる
応力を低下させることができ、クラックを防止できる。
しかし、半導体素子が直接搭載されている回路パターン
からは、外部回路との接続のための引き出しパターンが
必要であり、クラックの発生を免れることができなかっ
た。
の回路パターンを形成しなければ、半導体素子に加わる
応力を低下させることができ、クラックを防止できる。
しかし、半導体素子が直接搭載されている回路パターン
からは、外部回路との接続のための引き出しパターンが
必要であり、クラックの発生を免れることができなかっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の放熱装置におい
ては絶縁基板上の、半導体素子が搭載される接続用パッ
ドと前記接続用パッドからの引き出しパターンからなる
回路パターンと半導体素子との熱膨脹係数の違いによ
り、熱衝撃試験などを行なうと前記半導体素子にクラッ
クが発生していた。
ては絶縁基板上の、半導体素子が搭載される接続用パッ
ドと前記接続用パッドからの引き出しパターンからなる
回路パターンと半導体素子との熱膨脹係数の違いによ
り、熱衝撃試験などを行なうと前記半導体素子にクラッ
クが発生していた。
【００１０】この発明は、放熱性を大きく低下させるこ
となく、熱衝撃試験などにおいても不良の発生しない放
熱装置を提供することを目的とする。
となく、熱衝撃試験などにおいても不良の発生しない放
熱装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の放熱装置においては、熱伝導性の絶縁基
板と、前記絶縁基板の第１の面に固着した配線パターン
と、前記配線パターンの所望箇所に接続した発熱性の電
子部品と、前記絶縁基板の第２の面に結合したヒートシ
ンクと、前記電子部品が搭載された前記パターン周囲の
所望箇所に熱応力を吸収する熱応力吸収部とからなるこ
とを特徴とする。
に、この発明の放熱装置においては、熱伝導性の絶縁基
板と、前記絶縁基板の第１の面に固着した配線パターン
と、前記配線パターンの所望箇所に接続した発熱性の電
子部品と、前記絶縁基板の第２の面に結合したヒートシ
ンクと、前記電子部品が搭載された前記パターン周囲の
所望箇所に熱応力を吸収する熱応力吸収部とからなるこ
とを特徴とする。
【００１２】また、熱伝導性の絶縁基板と、前記絶縁基
板の第１の面に固着した配線パターンと、前記配線パタ
ーンの所望箇所に接続した発熱性の電子部品と、前記絶
縁基板の第２の面に結合したヒートシンクと、前記電子
部品の発熱による熱応力を受ける前記パターンと電気的
に関係付けられるパターンとの間に接続した電子部品と
からなることを特徴とする。
板の第１の面に固着した配線パターンと、前記配線パタ
ーンの所望箇所に接続した発熱性の電子部品と、前記絶
縁基板の第２の面に結合したヒートシンクと、前記電子
部品の発熱による熱応力を受ける前記パターンと電気的
に関係付けられるパターンとの間に接続した電子部品と
からなることを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記手段により、半導体素子の接続用パッドか
らの引き出しパターンによって半導体素子に加わる応力
は緩和され、熱衝撃試験などにおいても信頼性が高く、
且つ放熱性も従来とほぼ同等の放熱装置を得ることがで
きる。
らの引き出しパターンによって半導体素子に加わる応力
は緩和され、熱衝撃試験などにおいても信頼性が高く、
且つ放熱性も従来とほぼ同等の放熱装置を得ることがで
きる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して詳細に説明する。図１はこの発明の実施例について
説明した放熱装置の構造断面図である。また図２は平面
図を示したものである。
して詳細に説明する。図１はこの発明の実施例について
説明した放熱装置の構造断面図である。また図２は平面
図を示したものである。
【００１５】１１は窒化アルミなどにより形成される絶
縁基板であり、この基板１１上には銅箔などにより回路
パターン１２を設ける。そして、ＦＥＴトランジスタな
どの大電力用半導体素子１３は半田１４を用い、回路パ
ターン１２を構成する接続用パッド１２ａに直接搭載し
て接続する。接続用パッド１２ａは外部回路との接続の
ため引き出しパターン１２ｂを形成する。このとき回路
パターン１２にはプレス加工などの手段を用い、引き出
しパターン１２ｂの一部に絶縁基板１１への非固着部１
２ｃを形成する。非固着部１２ｃはその断面がコの字状
にして非固着部を形成している。また絶縁基板１１の裏
面には絶縁基板とほぼ同面積の裏面パターン１５を形成
し、半田１６を用いてヒートシンクベース１７上に絶縁
基板１１を固定する。その後ヒートシンクベース１７
は、ねじ１８によってヒートシンク１９にねじ止めす
る。
縁基板であり、この基板１１上には銅箔などにより回路
パターン１２を設ける。そして、ＦＥＴトランジスタな
どの大電力用半導体素子１３は半田１４を用い、回路パ
ターン１２を構成する接続用パッド１２ａに直接搭載し
て接続する。接続用パッド１２ａは外部回路との接続の
ため引き出しパターン１２ｂを形成する。このとき回路
パターン１２にはプレス加工などの手段を用い、引き出
しパターン１２ｂの一部に絶縁基板１１への非固着部１
２ｃを形成する。非固着部１２ｃはその断面がコの字状
にして非固着部を形成している。また絶縁基板１１の裏
面には絶縁基板とほぼ同面積の裏面パターン１５を形成
し、半田１６を用いてヒートシンクベース１７上に絶縁
基板１１を固定する。その後ヒートシンクベース１７
は、ねじ１８によってヒートシンク１９にねじ止めす
る。
【００１６】このような構造により、大電力用の半導体
素子１３が発熱したことにより引き出しパターン１２ｂ
に発生されたパターン１２ｂの平面方向に対する熱応力
は、非固着部１２ｃにより緩和させることができるた
め、熱応力によるクラックの発生を防止できる。実験の
結果、従来−３０℃〜８５℃、３０分／３０分という条
件での熱衝撃時に、１００サイクルで発生していた半導
体素子のクラックを、３００サイクル経過後においても
クラックの発生を防止できた。
素子１３が発熱したことにより引き出しパターン１２ｂ
に発生されたパターン１２ｂの平面方向に対する熱応力
は、非固着部１２ｃにより緩和させることができるた
め、熱応力によるクラックの発生を防止できる。実験の
結果、従来−３０℃〜８５℃、３０分／３０分という条
件での熱衝撃時に、１００サイクルで発生していた半導
体素子のクラックを、３００サイクル経過後においても
クラックの発生を防止できた。
【００１７】非固着部は、この発明の第１の他の実施例
を説明する図３の断面図に示すように、引き出しパター
ン１２ｂの全体をプレス加工により、絶縁基板１１に固
着させない構造を非固着部１２ｃａとしても、同様の効
果を得ることができる。
を説明する図３の断面図に示すように、引き出しパター
ン１２ｂの全体をプレス加工により、絶縁基板１１に固
着させない構造を非固着部１２ｃａとしても、同様の効
果を得ることができる。
【００１８】図４はこの発明の第２の他の実施例を説明
するための断面図である。この実施例では引き出しパタ
ーン１２ｂの絶縁基板面をエッチング加工することによ
り、絶縁基板１１に固着させない構造の非固着部１２ｃ
ｄとし、図３と同様の効果を得ることができる。また、
この発明の第３の他の実施例の断面図を示す図５では、
引き出しパターン１２ｂとの接合面と対向する絶縁基板
１１に、段差を設けて形成した非固着部１２ｃｅによっ
ても、同様の効果を得ることができる。
するための断面図である。この実施例では引き出しパタ
ーン１２ｂの絶縁基板面をエッチング加工することによ
り、絶縁基板１１に固着させない構造の非固着部１２ｃ
ｄとし、図３と同様の効果を得ることができる。また、
この発明の第３の他の実施例の断面図を示す図５では、
引き出しパターン１２ｂとの接合面と対向する絶縁基板
１１に、段差を設けて形成した非固着部１２ｃｅによっ
ても、同様の効果を得ることができる。
【００１９】図６はこの発明の第４の他の実施例を説明
するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔によ
り回路パターン１２を形成する。半導体素子１３は回路
パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに直接搭載
し、接続用パッド１２ａからは外部回路へ引き出す引き
出しパターン１２ｂを形成する。引き出しパターン１２
ｂにはスリット１２ｄを設ける。このスリット１２ｄに
より引き出しパターン１２ｂによって発生する熱応力は
緩和させることができ、熱衝撃時に発生していた半導体
素子のクラックを防止することができる。また、このと
きこの発明の第５の他の実施例を示す図７のように、ス
リットの代りにミシン目１２ｅを形成しても同様の効果
が得られる。
するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔によ
り回路パターン１２を形成する。半導体素子１３は回路
パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに直接搭載
し、接続用パッド１２ａからは外部回路へ引き出す引き
出しパターン１２ｂを形成する。引き出しパターン１２
ｂにはスリット１２ｄを設ける。このスリット１２ｄに
より引き出しパターン１２ｂによって発生する熱応力は
緩和させることができ、熱衝撃時に発生していた半導体
素子のクラックを防止することができる。また、このと
きこの発明の第５の他の実施例を示す図７のように、ス
リットの代りにミシン目１２ｅを形成しても同様の効果
が得られる。
【００２０】図８はこの発明の第６の他の実施例を説明
するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔など
により回路パターン１２が設けられており、半導体素子
１３は回路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａ
に直接搭載し、接続用パッド１２ａからは外部回路への
引き出しパターン１２ｂを形成する。このとき接続用パ
ッド１２ａには、搭載された半導体素子１３の周囲の少
なくとも半導体素子の角部にはスリット２７ａ〜２７ｄ
を設ける。このことによって引き出しパターン１２ｂに
よって生じる熱応力はこのスリット２７ａ〜２７ｄによ
って緩和されるため、熱衝撃時に発生していた半導体素
子１３のクラックを防止することができる。
するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔など
により回路パターン１２が設けられており、半導体素子
１３は回路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａ
に直接搭載し、接続用パッド１２ａからは外部回路への
引き出しパターン１２ｂを形成する。このとき接続用パ
ッド１２ａには、搭載された半導体素子１３の周囲の少
なくとも半導体素子の角部にはスリット２７ａ〜２７ｄ
を設ける。このことによって引き出しパターン１２ｂに
よって生じる熱応力はこのスリット２７ａ〜２７ｄによ
って緩和されるため、熱衝撃時に発生していた半導体素
子１３のクラックを防止することができる。
【００２１】また、スリットは、この発明の第７の他の
実施例を示す図９のように、最低限、電気的接続のとれ
るパターンだけを残して、ほぼ完全に半導体素子１３を
取り囲むスリット２７´ように形成してもよい。
実施例を示す図９のように、最低限、電気的接続のとれ
るパターンだけを残して、ほぼ完全に半導体素子１３を
取り囲むスリット２７´ように形成してもよい。
【００２２】図１０はこの発明の第８の他の実施例を説
明するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔に
より回路パターン１２を形成する。半導体素子１３は回
路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに直接搭
載し、接続用パッド１２ａからは外部回路への引き出し
パターン１２ｂを形成する。このとき接続用パッド１２
ａにおけるハッチングで示す引き出しパターン１２ｂの
延長領域１２ｆには、半導体素子１３の配置を行わな
い。このことによって、引き出しパターン１２ｂによっ
て生じる熱応力は、直接半導体素子１３には加わらない
ため、熱衝撃時に発生していた半導体素子のクラックを
防止することができる。
明するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔に
より回路パターン１２を形成する。半導体素子１３は回
路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに直接搭
載し、接続用パッド１２ａからは外部回路への引き出し
パターン１２ｂを形成する。このとき接続用パッド１２
ａにおけるハッチングで示す引き出しパターン１２ｂの
延長領域１２ｆには、半導体素子１３の配置を行わな
い。このことによって、引き出しパターン１２ｂによっ
て生じる熱応力は、直接半導体素子１３には加わらない
ため、熱衝撃時に発生していた半導体素子のクラックを
防止することができる。
【００２３】図１１はこの発明の第９の他の実施例を説
明するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔に
より回路パターン１２を形成しており、半導体素子１３
は回路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに直
接搭載し、接続用パッド１２ａからは外部回路への引き
出しパターン１２ｂを形成する。このとき引き出しパタ
ーン１２ｂは接続用パッド１２ａから引き出された直後
に屈曲させた屈曲部１２ｂａを形成する。このことによ
って引き出しパターン１２ｂに生じた熱応力は、直接半
導体素子には加わらないため、熱衝撃時に発生していた
半導体素子のクラックを防止することができる。
明するための平面図である。絶縁基板１１上には銅箔に
より回路パターン１２を形成しており、半導体素子１３
は回路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに直
接搭載し、接続用パッド１２ａからは外部回路への引き
出しパターン１２ｂを形成する。このとき引き出しパタ
ーン１２ｂは接続用パッド１２ａから引き出された直後
に屈曲させた屈曲部１２ｂａを形成する。このことによ
って引き出しパターン１２ｂに生じた熱応力は、直接半
導体素子には加わらないため、熱衝撃時に発生していた
半導体素子のクラックを防止することができる。
【００２４】図１２はこの発明の第１０の他の実施例を
説明するための断面図である。絶縁基板１１上には銅箔
により回路パターン１２を形成する。半導体素子１３
は、回路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに
直接搭載され、接続用パッド１２ａから外部回路への引
き出しパターン１２ｂを形成する。ただし、このとき引
き出しパターン１２ｂは、接続用パッド１２ａから完全
に分離して形成する。そして接続用パッド１２ａと引き
出しパターン１２ｂは、金属製のワイヤもしくは箔を用
いたジャンパ２０を介して半田２１を用いて接続する。
説明するための断面図である。絶縁基板１１上には銅箔
により回路パターン１２を形成する。半導体素子１３
は、回路パターン１２中の所定の接続用パッド１２ａに
直接搭載され、接続用パッド１２ａから外部回路への引
き出しパターン１２ｂを形成する。ただし、このとき引
き出しパターン１２ｂは、接続用パッド１２ａから完全
に分離して形成する。そして接続用パッド１２ａと引き
出しパターン１２ｂは、金属製のワイヤもしくは箔を用
いたジャンパ２０を介して半田２１を用いて接続する。
【００２５】このような構造により、引き出しパターン
１２ｂによって発生する熱応力は、ジャンパ２０により
緩和させることができ、熱衝撃時に発生していた半導体
素子のクラックを防止することができる。
１２ｂによって発生する熱応力は、ジャンパ２０により
緩和させることができ、熱衝撃時に発生していた半導体
素子のクラックを防止することができる。
【００２６】図１３はこの発明の第１１の他の実施例を
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、ワイヤボンディング法を用い
て金ワイヤ２２などによって接続しても同様の効果があ
る。
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、ワイヤボンディング法を用い
て金ワイヤ２２などによって接続しても同様の効果があ
る。
【００２７】図１４はこの発明の第１２の他の実施例を
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、半導体素子に用いているリー
ド、たとえば、ＴＡＢリード２３などを半田２１を用い
て接続しても同様の効果がある。
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、半導体素子に用いているリー
ド、たとえば、ＴＡＢリード２３などを半田２１を用い
て接続しても同様の効果がある。
【００２８】図１５はこの発明の第１３の他の実施例を
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、フレキシブル基板２４などを
半田２１によって接続しても同様の効果がある。
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、フレキシブル基板２４などを
半田２１によって接続しても同様の効果がある。
【００２９】図１６はこの発明の第１４の他の実施例を
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、ばね材２５などを半田２１に
よって接続しても同様の効果がある。
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂは、ばね材２５などを半田２１に
よって接続しても同様の効果がある。
【００３０】図１７はこの発明の第１５の他の実施例を
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂ間に、導電性塗料２６をスクリー
ン印刷法などによって形成しても同様の効果がある。
説明するための断面図である。接続用パッド１２ａと引
き出しパターン１２ｂ間に、導電性塗料２６をスクリー
ン印刷法などによって形成しても同様の効果がある。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
放熱性を悪化させることなく、熱衝撃を受けたときの応
力の緩和により、クラックを防止することができ、信頼
性の高い放熱装置を得ることができる。
放熱性を悪化させることなく、熱衝撃を受けたときの応
力の緩和により、クラックを防止することができ、信頼
性の高い放熱装置を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例に係る放熱装置を説明する
ための構造断面図。
ための構造断面図。
【図２】図１の放熱装置の平面図。
【図３】この発明の他の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図４】この発明の第２の他の実施例を説明するための
断面図。
断面図。
【図５】この発明の第３の他の実施例を説明するための
断面図。
断面図。
【図６】この発明の第４の他の実施例を説明するための
平面図。
平面図。
【図７】この発明の第５の他の実施例を説明するための
平面図。
平面図。
【図８】この発明の第６の他の実施例を説明するための
平面図。
平面図。
【図９】この発明の第７の他の実施例を説明するための
平面図。
平面図。
【図１０】この発明の第８の他の実施例を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図１１】この発明の第９の他の実施例を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図１２】この発明の第１０の他の実施例を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図１３】この発明の第１１の他の実施例を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図１４】この発明の第１２の他の実施例を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図１５】この発明の第１３の他の実施例を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図１６】この発明の第１４の他の実施例を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図１７】この発明の第１５の他の実施例を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図１８】従来の放熱装置の構造断面図。
【図１９】図１８の平面図。
【図２０】熱応力解析のためのモデル図。
【図２１】図２１を解析したときの半導体素子の応力分
布を説明するための説明図。
布を説明するための説明図。
１１…絶縁基板、１２…回路パターン、１２ａ…接続用
パッド、１２ｂ…引き出しパターン、１２ｃ，１２ｃ
ａ，１２ｃｄ，１２ｃｅ…非固着部、１２ｄ，２７ａ〜
２７ｄ，２７´…スリット、１２ｅ…ミシン目、１２ｆ
…延長領域、１２ｇ…屈曲部、１３…半導体素子、１
４，１６…半田、１５…裏面パターン、１７…ヒートシ
ンクベース、１８…ねじ、１９…ヒートシンク、２０…
ジャンパ、２２…金ワイヤ、２３…ＴＡＢリード、２４
…フレキシブル基板、２５…ばね材、２６…導電性塗
料。
パッド、１２ｂ…引き出しパターン、１２ｃ，１２ｃ
ａ，１２ｃｄ，１２ｃｅ…非固着部、１２ｄ，２７ａ〜
２７ｄ，２７´…スリット、１２ｅ…ミシン目、１２ｆ
…延長領域、１２ｇ…屈曲部、１３…半導体素子、１
４，１６…半田、１５…裏面パターン、１７…ヒートシ
ンクベース、１８…ねじ、１９…ヒートシンク、２０…
ジャンパ、２２…金ワイヤ、２３…ＴＡＢリード、２４
…フレキシブル基板、２５…ばね材、２６…導電性塗
料。
Claims (5)
- 【請求項１】 熱伝導性の絶縁基板と、 前記絶縁基板の第１の面に固着した配線パターンと、 前記配線パターンの所望箇所に接続した発熱性の電子部
品と、 前記絶縁基板の第２の面に結合したヒートシンクと、前
記電子部品が搭載された前記配線パターン周囲の所望箇
所に熱応力を吸収する熱応力吸収部とからなることを特
徴とする放熱装置。 - 【請求項２】 前記熱応力吸収部は前記パターンの少な
くとも一部を前記絶縁基板から間隔を置く形状に形成し
てなる、請求項１記載の放熱装置。 - 【請求項３】 前記熱応力吸収部は前記パターンの少な
くとも一部に開口部を設けることによってなる、ことを
特徴とする請求項１記載の放熱装置。 - 【請求項４】 前記熱応力吸収部は前記パターンの少な
くとも一部に屈曲部を設けることによってなる、ことを
特徴とする請求項１記載の放熱装置。 - 【請求項５】 熱伝導性の絶縁基板と、 前記絶縁基板の第１の面に固着した配線パターンと、 前記配線パターンの所望箇所に接続した発熱性の電子部
品と、 前記絶縁基板の第２の面に結合したヒートシンクと、 前記電子部品の発熱による熱応力を受ける前記配線パタ
ーンと電気的に関係付けられるパターンとの間に接続し
た電子部品とからなることを特徴とする放熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6203614A JPH0870071A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 放熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6203614A JPH0870071A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 放熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870071A true JPH0870071A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16476965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6203614A Withdrawn JPH0870071A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 放熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0870071A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09331150A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2012059876A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| JP2012094697A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 回路基板および電子装置 |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP6203614A patent/JPH0870071A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09331150A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2012059876A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| JP2012094697A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 回路基板および電子装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |