JPH0870086A

JPH0870086A - リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0870086A
Application number: JP6206352A
Authority: JP
Inventors: Hiromichi Suzuki; 博通鈴木; Takao Yoshimura; 孝夫吉村; Yujiro Kajiwara; 祐二郎梶原
Original assignee: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd; Hitachi Microcomputer System Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Microcomputer System Ltd; Hitachi Ltd; Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Priority date: 1994-08-31
Filing date: 1994-08-31
Publication date: 1996-03-12
Anticipated expiration: 2017-01-28
Also published as: JP3251436B2

Abstract

(57)【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置における、レジン注入時
のチップずれによるボイドの発生及びリフロー時のパッ
ケージクラックを防止する。【構成】複数のアイランド部３の各々をチップの隅部で
固定することにより、モールド時のレジンの流動により
チップに上下方向の力が生じてもチップをキャビティー
の中心に安定に保つことができ、かつ、チップ裏面はチ
ップの隅部以外においては実質的に全面がレジンと密着
するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、特にＱＦＰ等の面実装型の樹脂封止型半導体装置に
関し、リフロー半田工程時のパッケージクラック及びレ
ジン注入時のボイド発生を防止し、好適な樹脂封止型半
導体装置を得ることのできるリードフレーム及びそれを
用いた半導体装置とその製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップ（以下、チップと称する）
をリードフレームの中央部に設けたタブに搭載し、チッ
プとリードとをワイヤボンディングにより電気的に接続
した後にレジンで封止する樹脂封止型半導体装置、特に
ＱＦＰ等の面実装型の樹脂封止型半導体装置において、
リフロー半田工程時に発生するパッケージクラックが問
題となっている。

【０００３】これは、リフロー半田工程時の高温に起因
する内部応力によって、接着性の低いレジンとタブとの
界面に剥離が生じ、そこに水蒸気圧が作用しておこる現
象である。

【０００４】この剥離を防止する方法として、レジンは
タブ（金属）よりもチップ（シリコン）との接着性が高
いことを利用して、タブに貫通孔を設けることが、香山
・成瀬監修「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」（日
経ＢＰ社、１９９３年出版）の第１２６頁に記載されて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体装置のレジンに対するチップの占有率の増加、及
びパッケージの薄型化にともない、前述した方法ではパ
ッケージクラックの発生を十分に防止することが困難に
なりつつある。そこで本発明者は、チップを搭載するタ
ブの外形寸法をチップの外形寸法よりも小さくし、この
小さなタブによりチップの中心部を支持する、いわゆる
小タブ構造のリードフレームを特願平5-65784号におい
て提案している。

【０００６】上記小タブ構造のリードフレームは、タブ
の外形寸法を小さくして、この小さなタブによりチップ
の中心部を接着することにより、チップの周辺部におけ
るレジンとチップ裏面との接触面積を大きくして、密着
性を向上させることにより、界面剥離を防止して、パッ
ケージクラックを抑制しようとするものである。

【０００７】しかし、この構造では、チップはその中心
部のみでリードフレームのタブに接着することになるた
め、モールド工程におけるレジン注入時にレジン流動に
よりチップに上下方向の力が生じると、タブ吊りリード
が上方にたわみやすい。すると、チップがモールド金型
の中心からずれ、チップの上側と下側とで溶融レジンの
流速が異なってくるため、ボイドが発生しやすくなると
いう不都合が生じる。このことは、特にパッケージの厚
さが２ｍｍ以下の、いわゆる薄型パッケージで問題にな
る。

【０００８】また、チップの中心部でチップをタブに固
定しようとすると、接着強度の点からタブはある程度の
面積を有する必要があり、この方法では上述したパッケ
ージクラックの防止が完全に行なわれているとはいえな
い。

【０００９】本発明の目的は、レジン注入時のチップず
れによる、ボイドの発生を防止することができ、かつ、
リフロー時のパッケージクラックを防止することができ
る技術を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願において開示される発明の概要を簡単に説明す
れば、次の通りである。

【００１１】すなわち、矩形状の枠と、四角形の半導体
チップを固定する複数のアイランド部と、前記複数のア
イランド部の各々から前記枠の隅部に向かって延在する
複数の支持リード部と、前記複数のアイランド部を一平
面上に保持する連結部と、前記複数の支持リード部の間
において、前記枠部から延在する複数のリードとを有
し、前記複数のアイランド部の各々は、前記半導体チッ
プの四隅部のうち、前記枠の一隅部に設けられるレジン
注入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部に
おいて前記半導体チップを固定することを特徴とするリ
ードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製法で
ある。

【００１２】

【作用】上記したリードフレームを用いて製造した半導
体装置において、チップはその四隅部のうち、レジン注
入ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部でア
イランド部に固定されているので、レジン注入時にレジ
ン流動によりチップに上下方向の力が生じても、支持リ
ードが上方にたわみチップがモールド部の中心からずれ
る、といった不都合が生じない。よって、ボイドが発生
するのを防止することができる。

【００１３】それと同時に、チップ裏面はその隅部のみ
でアイランド部に接着されており、隅部以外においては
実質的に全面がレジンと密着することになるので、リフ
ロー時の剥離を抑制することができ、パッケージクラッ
ク耐性を向上させることができる。

【００１４】更に、連結部を設けたことで、アイランド
部がほぼ一平面上に保持され、チップとアイランド部を
接着するためのダイボンディング接着が全てのアイラン
ド部で確実に行われるようになるので、チップをリード
フレーム上に安定に支持することができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて具体的
に説明する。

【００１６】［実施例１］図１は、本発明の実施例１の
樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの構成を
示した平面図である。図２（ａ）は、本実施例の半導体
装置の製造工程を説明する断面図であり、図２（ｂ）
は、本実施例の半導体装置のモールド工程を説明する断
面図である。図３（ａ）は、本実施例の半導体装置の平
面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の半導体装置の
アイランド部３を含む面での断面図である。

【００１７】図１において、リードフレーム１の中央部
の点線枠２’は四角形のチップが搭載される領域を示し
たものである。

【００１８】リードフレーム１のアイランド部３は、チ
ップをリードフレーム上に固定する部分であって、チッ
プ搭載位置２’の隅部の４点に位置する。チップは４個
のアイランド部３のみによって、リードフレーム１上に
固定される。

【００１９】リードフレーム１の支持リード部４は、上
記アイランド部３を所定の位置に支持するものであり、
各支持リード部４は、上記各アイランド部３からリード
フレーム１の四隅部の各々に延在している。

【００２０】リードフレーム１の連結部６は、４個のア
イランド部３のうち互いに対角に位置するアイランド部
同志を連結し、チップ搭載位置２’の中心で交わる十字
形をなしている。連結部６を設けることによって、４個
のアイランド部３は、一平面上に保持される。なお、パ
ッケージクラックを防止するためには、チップの裏面と
レジンとの接着面積を大きくするのが有効であるため、
連結部６の幅は細く形成することが好ましい。本実施例
では、支持リード部４の幅と等しくしている。

【００２１】上記アイランド部３、支持リード部４及び
連結部６は、一体となって対角線状に形成される。

【００２２】各支持リード部４の間には、リードフレー
ム１の周辺部からチップ搭載位置２’に向かって延在す
る、電気的接続のための複数のリード７が配置されてい
る。また、リード７及び支持リード部４を連結すると共
に、モールド工程においてレジンを注入する際にレジン
が流出するのを防止するダムバー８がリードフレーム１
の周辺部に枠状に形成されている。なお、リード７の、
ダムバー８より外側は、レジン封止した後にモールド部
の外部に露出し、半導体装置の外部端子となる部分であ
る。

【００２３】ゲート部１４’は、モールド工程において
レジンが注入されるゲートの位置とレジンの注入方向を
示している。

【００２４】図示はしないが、リードフレームは、上述
の各部により構成される単位のリードフレーム１を一方
向に複数個連結した構造になっている。そのため、リー
ドフレームの最外周部には、各単位のリードフレームを
複数連結している外枠９及び各単位のリードフレームの
相互間を分離するように形成されている内枠１０が設け
られており、外枠９と内枠１０が一体となって矩形状の
枠を形成している。また、外枠９の一部には、リードフ
レームをモールド金型に位置決めする際のガイドとなる
ガイド孔１１が設けられている。

【００２５】上記リードフレーム１は厚さ０．１〜０．
２ｍｍ程度の４２アロイや銅等の導電材料を用いて、打
ち抜き等の手段により成型される。例えば搭載するチッ
プの一辺が９ｍｍで、パッケージの外寸の一辺が２８ｍ
ｍ場合、アイランド部３は、幅０．５〜１．５ｍｍ、長
さ２ｍｍ程度、支持リード部４及び連結部６は幅０．２
５ｍｍ程度に形成する。

【００２６】アイランド部３は、チップの中心からの距
離と、チップの角からの距離が約４：１になるような位
置、またはそれよりも外側においてチップと接着される
ことが好ましい。換言すれば、上記約４：１の位置より
も外側にアイランド部３が位置すればよいので、１つの
リードフレームを外形寸法の異なる複数の品種のチップ
に併用することができる。よって、外形寸法の異なる複
数のチップごとにリードフレームを標準化することがで
きるので、その製造コストが低減され、半導体装置を安
価に提供することができる。

【００２７】なお、アイランド部３の大きさは、チップ
２とリードフレーム１を固定するのに必要な接着強度を
満たすものであればよく、形もダイボンド接着剤塗布に
好都合なものであれば良い。

【００２８】次に、上述した図１のリードフレームを用
いて、図３に示す本実施例の半導体装置を製造する方法
を説明する。図２（ａ）、（ｂ）は、製造工程を説明す
る断面図であり、図１におけるリードフレーム１の、ゲ
ート部１４’を含む対角線における断面を示している。

【００２９】まず、リードフレーム１の支持リード部４
に対してダウンセット加工を施す。ダウンセット加工
は、プレス型を使って、図２（ａ）に示すように、支持
リード部４の中途部を下方に折り曲げることにより、水
平方向から見たアイランド部３の位置をリード７よりも
低くする作業である。このダウンセット加工は、特にレ
ジンモールド部の厚さが２ｍｍ以下のいわゆる薄型の面
実装型パッケージに適用する場合に有効である。尚、ダ
ウンセット加工の具体的な方法については、特開平２−
８３９６１号公報に詳細に説明されている。

【００３０】次に、リードフレーム１にチップ２を搭載
する、ダイボンディング工程に移る。まず、アイランド
部３にダイボンド接着剤５を塗布する。ダイボンド接着
剤５としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用い
る。次に、ダイボンド接着剤５を塗布したアイランド部
３上にチップの隅部が位置するようにチップ２を位置決
めし、加熱によってダイボンド接着剤５を硬化すること
によってダイボンディング工程を完了する。なお、従来
のいわゆるタブの上にチップの裏面全面を接着する場合
に比べ、チップの隅部において面積の小さなアイランド
部３のみで接着するので、少量のダイボンド接着剤で必
要な接着強度を得ることができ、製造コスト低減をする
ことができる。

【００３１】次に、チップ２の一主面、すなわちチップ
２の２つの主面のうち半導体素子が形成される面の周辺
部に設けられたボンディングパッドとリード７の内端部
との間をＡｕワイヤ１２でボンディングして、チップ２
とリード７との間を電気的に接続する。

【００３２】次に、モールド工程に移る。図２（ｂ）に
示すように、上記ワイヤボンディング工程まで完了した
リードフレームをモールド金型の上型１３ａと下型１３
ｂに挟んで装着し、ゲート１４からキャビティー１５内
にレジン１６、例えばエポキシ樹脂等を注入して、モー
ルド部を成型する。ゲート１４は、下型１３ｂ側、すな
わちリードフレーム１より下の位置に設けられている。
上述したようにリードフレーム１にダウンセット加工を
施したことにより、チップ２をキャビティー１５の中心
に位置させ、チップの一主面側のモールド部の厚さと、
他の主面側のモールド部厚さを等しくすることができ
る。すなわち、図２（ｂ）に示すｈ1とｈ2とを等しくす
ることによって、チップ２の上面側と下面側でのレジン
の流動速度が等しくすることができ、ボイドの発生を抑
制することができる。更に、チップ２の隅部でチップ２
とアイランド部３を接着しているので、レジン１６の流
動によりチップ２に上下方向の力が生じても、チップ２
をキャビティー１５の中心に安定に保つことができ、レ
ジン注入が完了するまで継続的に上述のボイドの発生を
抑制することができる。なお、リードフレーム１にダウ
ンセット加工を施さない場合は、ボイドの発生を抑制す
るために、図２（ｂ）に示すｈ１・ｈ２に相当する値の
うち小さい値を有する側にゲート１４を設けることが好
ましい。

【００３３】次に、リードフレーム１の不要箇所、すな
わちモールド部の外部に露出したダムバー８、外枠９及
び内枠１０などをプレスで切断除去し、最後にモールド
部の外部に露出したリード７を所定の形状に成型するこ
とにより、図３（ａ）、（ｂ）に示すような樹脂封止型
半導体装置が完成する。なお、図３（ａ）においては、
本実施例の半導体装置の内部構造を明らかにするため、
二点鎖線によりモールド部をその外形線だけで示してい
る。

【００３４】本実施例の半導体装置は、図３（ｂ）に示
すように、チップ裏面はその隅部のみでアイランド部に
接着されている。したがって、チップ裏面の隅部以外の
部分は、細い連結部６が存在する部分を除くチップ裏面
においてレジン１６と密着している。すなわち、チップ
の隅部以外においてはチップ裏面は実質的に全面がレジ
ン１６と密着することになるので、リフロー時の界面剥
離を抑制することができ、パッケージクラック耐性を向
上させることができる。

【００３５】［実施例２］図４は、本発明の実施例２の
樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの構成を
示した平面図である。

【００３６】リードフレーム１の構成は、図４に示すよ
うに、アイランド部３が２個しか設けられていない点が
実施例１と異なっており、他の部分については図１で説
明した実施例１と同様である。２個のアイランド部のう
ちの１個はゲート部１４’に最も近いチップ搭載位置
２’の隅部に存在し、他の１個はそれと対角する位置の
隅部に存在する。よって、残りの２つの隅部にはアイラ
ンド部は存在しない。そのため、チップ搭載位置２’の
中心で交わる十字形の連結部６は、上記２個のアイラン
ド部を連結すると共に、アイランド部の存在しない隅部
においては、上記枠の２つの隅部に延在し、前記アイラ
ンド部３、支持リード部４及び連結部６は一体となって
対角線状に形成されている。

【００３７】本実施例のリードフレームを用いた場合に
おいても、実施例１と同様の製造工程により本実施例の
半導体装置を得ることができる。

【００３８】本実施例によれば、アイランド部３を２個
しか設けていないが、その位置が、レジン注入時のレジ
ンの流動によって生じる力の影響を強く受ける点である
ため、実施例１とほぼ同等のボイド防止効果を得ること
ができる。また、実施例１に比べてアイランド部の数が
少なくなり、レジンとチップ裏面との接着面積がより大
きくなっているため、実施例１よりも優れたパッケージ
クラック防止効果を得ることができる。

【００３９】［実施例３］図５は、本発明の実施例３の
樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの構成を
示した平面図である。

【００４０】上記２つの実施例のリードフレーム１は、
十字形の連結部６を設けていたが、本実施例のリードフ
レーム１では、支持リード部４を互いに連結するよう
に、チップ搭載位置２’の周辺に帯状の絶縁性フィルム
１７を有することを特徴とする。絶縁性フィルム１７
は、支持リード部４を連結すると共に複数のリード７を
も連結するように形成することにより、リード７のバラ
ツキ防止も兼ねることができる。

【００４１】絶縁性フィルム１７は、例えば幅１．５ｍ
ｍ程度、厚さ０．０５ｍｍ程度のポリイミド樹脂から成
るフィルムの片面にアクリル樹脂系の接着剤を厚さ０．
０２ｍｍ程度塗布した構成する。

【００４２】本実施例のリードフレームを用いた場合に
おいても、実施例１と同様の製造工程により本実施例の
半導体装置を得ることができる。ただし、上記したよう
に、絶縁フィルム１７がリード７のバラツキ防止を兼ね
るためには、ダウンセット加工は、絶縁性フィルム１７
よりもチップ側の部分において支持リード部４を下方に
折り曲げる必要がある。

【００４３】本実施例によれば、実施例１の十字形の連
結部６が存在しないため、更にレジンとチップ裏面の接
着面積がより大きくなり、実施例１よりも優れたパッケ
ージクラック防止の効果を得ることができる。

【００４４】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることはいうまでもない。

【００４５】例えば、連結部６の形状は実施例に限定さ
れるものではなく、チップ隅部に位置する前記アイラン
ド部を一平面上に保持し、チップを安定に支持すること
ができる構造であり、かつチップの隅部以外においては
チップ裏面が実質的に全面がレジンと密着するような構
造であればどのようなものでも良い。よって、例えば実
施例１の場合、連結部６は十字形に限定されるものでは
なく、４個の前記アイランド部のうち隣合ったアイラン
ド部同志を連結し、チップ搭載位置２’の周辺部に沿っ
て四角形の枠をなしているような構造でもよい。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、リフロー時のパッケー
ジクラック及びレジン注入時のボイドの発生を防止し、
好適な樹脂封止型半導体装置を得ることができるリード
フレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置とその
製法を提供することができる。

【００４７】更に、本発明によれば、チップ隅部に位置
する前記アイランド部が一平面上に保持され、チップが
安定に支持されるようなリードフレーム及びそれを用い
た樹脂封止型半導体装置とその製法を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるリードフレームの平面
図である。

【図２】(a)本発明の一実施例である半導体装置の製造
工程を説明する断面図である。 (b)本発明の一実施例である半導体装置のモールド工程
を説明する断面図である。

【図３】(a)本発明の一実施例である半導体装置の平面
図である。 (b)本発明の一実施例である半導体装置の断面図であ
る。

【図４】本発明の他の実施例であるリードフレームの平
面図である。

【図５】本発明の他の実施例であるリードフレームの平
面図である。

【符号の説明】

１…リードフレーム，２…半導体チップ，２’…半導体
チップ搭載位置，３…アイランド部，４…支持リード
部，５…ダイボンド接着剤，６…連結部，７…リード，
８…ダムバー，９…外枠，１０…内枠，１１…ガイド
孔，１２…ボンディングワイヤ，１３ａ…モールド金型
の上型，１３ｂ…モールド金型の下型，１４…ゲート，
１４’…ゲート部，１５…キャビティー，１６…レジ
ン，１７…絶縁性フィルム

フロントページの続き (72)発明者吉村孝夫北海道亀田郡七飯町字中島145番地日立北海セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者梶原祐二郎東京都小平市上水本町５丁目22番１号株式会社日立マイコンシステム内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】矩形状の枠と、四角形の半導体チップを固
定する複数のアイランド部と、前記複数のアイランド部
の各々から前記枠の隅部に向かって延在する複数の支持
リード部と、前記複数のアイランド部を一平面上に保持
する連結部と、前記複数の支持リード部の間において、
前記枠部から延在する複数のリードとを有し、前記複数
のアイランド部の各々は、前記半導体チップの四隅部の
うち、前記枠の一隅部に設けられるレジン注入ゲート部
に最も近い隅部及びそれと対角する隅部において前記半
導体チップを固定することを特徴とするリードフレー
ム。
【請求項２】前記複数のアイランド部の各々は、前記半
導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの角
からの距離が４対１になるような位置またはそれよりも
外側において前記半導体チップを固定することを特徴と
する請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】前記複数のアイランド部は２個のアイラン
ド部であって、前記連結部は、前記２個のアイランド部
同志を連結すると共に前記枠の２つの隅部に延在し、前
記アイランド部、前記支持リード部及び前記連結部は一
体となって対角線状に形成されることを特徴とする請求
項２記載のリードフレーム。
【請求項４】前記複数のアイランド部は４個のアイラン
ド部であって、その各々は、半導体チップをその四隅部
において固定し、前記連結部は、前記４個のアイランド
部同志を連結し、前記アイランド部、前記支持リード部
及び前記連結部は一体となって形成されることを特徴と
する請求項２記載のリードフレーム。
【請求項５】前記連結部は前記４個のアイランド部同志
を十字形に連結し、前記アイランド部、前記支持リード
部及び前記連結部は一体となって対角線状に形成される
ことを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】前記連結部の幅は前記支持リード部の幅と
等しいことを特徴とする請求項３、４または５記載のリ
ードフレーム。
【請求項７】前記複数のアイランド部は４個のアイラン
ド部であって、その各々は、前記半導体チップをその四
隅部において固定し、前記連結部は帯状の絶縁性のフィ
ルムからなり、前記複数の支持リード部同志を連結する
ように前記支持リード部上に設けられることを特徴とす
る請求項２記載のリードフレーム。
【請求項８】前記連結部は前記複数の支持リード部同志
を連結すると共に前記複数のリード同志をも連結するこ
とを特徴とする請求項７記載のリードフレーム。
【請求項９】一主面に半導体素子とボンディングパッド
とが形成された四角形の半導体チップと、前記半導体チ
ップを他の主面で固定する複数のアイランド部と、前記
複数のアイランド部の各々から外方に向かって延在する
複数の支持リード部と、前記複数のアイランド部を一平
面上に保持する連結部と、前記複数の支持リード部の間
において、その一端が前記半導体チップの周辺に位置
し、他端が外方に向かって延在する複数のリードと、前
記リードの一端と、前記ボンディングパッドとを電気的
に接続するワイヤと、少なくとも前記半導体チップ、前
記リードの一端、前記ワイヤ、前記アイランド部、前記
支持リード部及び前記連結部をレジンでモールドするモ
ールド部とを有し、前記複数のアイランド部の各々は、
前記半導体チップの四隅部のうち、レジン注入ゲート部
に最も近い隅部及びそれと対角する隅部において前記半
導体チップを固定し、前記半導体チップの他の主面はそ
の隅部以外においては実質的に全面が前記レジンと密着
することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】前記複数のアイランド部の各々は、前記
半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの
角からの距離が４対１になるような位置またはそれより
も外側において前記半導体チップを固定することを特徴
とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】前記複数のアイランド部は２個のアイラ
ンド部であって、前記連結部は、前記２個のアイランド
部同志を連結すると共に前記半導体チップの２つの隅部
に延在し、前記アイランド部、前記支持リード部及び前
記連結部は一体となって対角線状に形成されることを特
徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】前記複数のアイランド部は４個のアイラ
ンド部であって、その各々は、前記半導体チップをその
四隅部において固定し、前記連結部は、前記４個のアイ
ランド部同志を連結し、前記アイランド部、前記支持リ
ード部及び前記連結部は一体となって形成されることを
特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】前記連結部は前記４個のアイランド部同
志を十字形に連結し、前記アイランド部、前記支持リー
ド部及び前記連結部は一体となって対角線状に形成され
ることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】前記連結部の幅は前記支持リード部の幅
と等しいことを特徴とする請求項１１、１２または１３
記載の半導体装置。
【請求項１５】前記複数のアイランド部は４個のアイラ
ンド部であって、その各々は、前記半導体チップをその
四隅部において固定し、前記連結部は帯状の絶縁性のフ
ィルムからなり、前記複数の支持リード部同志を連結す
るように前記支持リード部上に設けられることを特徴と
する請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１６】前記連結部は前記複数の支持リード部同
志を連結すると共に前記複数のリード同志をも連結する
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】前記半導体装置は面実装型であることを
特徴とする請求項９乃至１６のいずれかに記載の半導体
装置。
【請求項１８】前記半導体チップの一主面側の前記モー
ルド部の厚さと、他の主面側の前記モールド部の厚さが
等しいことを特徴とする請求項１７記載の半導体装置。
【請求項１９】矩形状の枠と、四角形の半導体チップを
固定する複数のアイランド部と、前記複数のアイランド
部の各々から前記枠の隅部に向かって延在する複数の支
持リード部と、前記複数のアイランド部を一平面上に保
持する連結部と、前記複数の支持リード部の間におい
て、その一端が前記半導体チップの周辺に位置し、他端
が前記枠部に向かって延在する複数のリードとを有し、
前記複数のアイランド部の各々は、前記半導体チップの
四隅部のうち、前記枠の一隅部に設けられるレジン注入
ゲート部に最も近い隅部及びそれと対角する隅部におい
て前記半導体チップを固定することを特徴とするリード
フレームを用意する工程、一主面に半導体素子とボンディングパッドとが形成され
た四角形の半導体チップを用意する工程、前記半導体チップを他の主面の隅部において前記複数の
アイランド部にダイボンディングする工程、前記半導体チップのボンディングパッドと前記リードの
一端とをワイヤで電気的に接続する工程、前記半導体チップの他の主面がその隅部以外は実質的に
全面が前記レジンと密着するように、少なくとも前記半
導体チップ、前記リードの一端、前記ワイヤ、前記アイ
ランド部、前記支持リード部及び前記連結部をレジンで
モールドしてモールド部を形成するモールド工程、前記モールド部の外部に露出した前記リードフレームの
内、前記リード以外の部分を切断する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】前記複数のアイランド部の各々は、前記
半導体チップの中心からの距離と、前記半導体チップの
角からの距離が４対１になるような位置またはそれより
も外側において前記半導体チップを固定することを特徴
とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】前記複数のアイランド部は２個のアイラ
ンド部であって、前記連結部は、前記２個のアイランド
部同志を連結すると共に前記半導体チップの２つの隅部
に延在し、前記アイランド部、前記支持リード部及び前
記連結部は一体となって対角線状に形成されることを特
徴とする請求項２０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】前記複数のアイランド部は４個のアイラ
ンド部であって、その各々は、前記半導体チップをその
四隅部において固定し、前記連結部は、前記４個のアイ
ランド部同志を連結し、前記アイランド部、前記支持リ
ード部及び前記連結部は一体となって形成されることを
特徴とする請求項２０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】前記連結部は前記４個のアイランド部同
志を十字形に連結し、前記アイランド部、前記支持リー
ド部及び前記連結部は一体となって対角線状に形成され
ることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項２４】前記連結部の幅は前記支持リード部の幅
と等しいことを特徴とする請求項２１、２２または２３
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】前記複数のアイランド部は４個のアイラ
ンド部であって、その各々は、前記半導体チップをその
四隅部において固定し、前記連結部は帯状の絶縁性のフ
ィルムからなり、前記複数の支持リード部同志を連結す
るように前記支持リード部上に設けられることを特徴と
する請求項２０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】前記連結部は前記複数の支持リード部同
志を連結すると共に前記複数のリード同志をも連結する
ことを特徴とする請求項２５記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項２７】前記半導体装置は面実装型であることを
特徴とする請求項１９乃至２６のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項２８】前記ダイボンディング工程前に、前記リ
ードフレームの前記支持リード部に対して、前記半導体
チップの一主面側の前記モールド部の厚さと、他の主面
側の前記モールド部の厚さが等しくなるようにダウンセ
ット加工を施す工程を有することを特徴とする請求項２
７の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】前記モールド工程において、前記リード
フレームの下側に位置する前記レジン注入ゲート部から
レジンを注入して前記モールド部を形成することを特徴
とする請求項１９乃至２８のいずれかに記載の半導体装
置の製造方法。