JPH0871408A - 化学的攻撃ガス環境に露出されるプラズマ処理室の加熱金属表面用セラミック保護及びその加熱金属表面の保護方法 - Google Patents

化学的攻撃ガス環境に露出されるプラズマ処理室の加熱金属表面用セラミック保護及びその加熱金属表面の保護方法

Info

Publication number
JPH0871408A
JPH0871408A JP7056134A JP5613495A JPH0871408A JP H0871408 A JPH0871408 A JP H0871408A JP 7056134 A JP7056134 A JP 7056134A JP 5613495 A JP5613495 A JP 5613495A JP H0871408 A JPH0871408 A JP H0871408A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
aluminum
susceptor
processing chamber
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7056134A
Other languages
English (en)
Inventor
Charles N Dornfest
エヌ． ドーンフェスト チャールズ
John M White
エム． ホワイト ジョン
Craig A Bercaw
エイ． バーカウ クレイグ
Hiroyuki S Tomosawa
エス． トモザワ ヒロユキ
Mark A Fodor
エイ． フォダー マーク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22796865&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0871408(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH0871408A publication Critical patent/JPH0871408A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 プラズマ処理装置の電極材料としてアルミニ
ウムのような適合金属を使用することができ、一方プラ
ズマに生成された攻撃的化学種による攻撃に抵抗するこ
とができる表面をそのアルミニウム電極と保護セラミッ
ク表面との間の従来技術の不一致を受けることなく設け
る。 【構成】 非結合セラミック保護は、材料の処理中プラ
ズマに生成された化学的攻撃化学種による加熱金属表面
の攻撃を防止又は阻止するためにプラズマ処理チャンバ
内の金属表面、特にプラズマ処理チャンバ内の加熱金属
電極にセラミック材料を金属表面に結合せずに設けられ
る。セラミック保護材料は加熱金属に密接に、しかし結
合されずに取り付けられる薄いカバー材料を含むもので
ある。このセラミック保護形態は、集積回路構造を形成
する半導体基板を処理する為に用いられるプラズマ処理
チャンバ内のグロー放電電極及びガス分散装置の表面を
保護するのに有効である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理チャンバ
の加熱金属表面の保護に関する。更に詳細には、半導体
基板の処理中プラズマに生成されたガス化学種による攻
撃から金属電極を保護するために特定のセラミック材料
及び形状で覆った金属電極を有するプラズマ処理チャン
バ及びそのプラズマ処理チャンバを操作すると共にその
ガス化学種による攻撃からその金属電極を保護する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】加熱半導体基板の処理中プラズマ処理チ
ャンバ内で化学的攻撃環境に露出される重要な金属構成
要素としては、例えば、サセプタ（ウェハ支持体）電極
及びシャワーヘッド（ガス分散）電極が挙げられる。ア
ルミニウムは、一般に、比較的低コスト材料でありかつ
半導体処理に最も広く許容された金属であることからそ
の電極用金属として好ましい。
【０００３】プラズマ増強化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）
又はエッチング装置内のそのアルミニウム電極を保護す
るための慣用的方法は、半導体基板のその処理中約２０
０−５００℃の温度に加熱されるアルミニウム金属表面
に結合した保護層として酸化アルミニウムの陽極処理の
ように比較的不活性なセラミック材料を使用するもので
ある。その陽極処理により、例えばエッチングプロセス
に用いられる必要なプロセス条件の典型である高温及び
攻撃的グロー放電励起ハロゲン化学種が維持される。
【０００４】更に、プラズマ処理装置内のチャンバ壁又
は電極の他のコーティング形態が既知である。例えば、
Levensteinらの米国特許第 4,427,516号には、エッチン
グでの汚染を最少化するためにウェハ保持部品の上部プ
レートをシリコンでコーティングすることが記載されて
いる。 LaPorteらの米国特許第 4,491,496号には、エッ
チングチャンバの金属表面を火炎噴霧Ａｌ2 Ｏ3 により
コーティングすること及び低電極（ＲＦ電位である）を
Ａｌ2 Ｏ3 あるいはタングステンでコーティングするこ
とが開示されている。Fujiyamaらの米国特許第 4,526,6
44号には、ステンレス鋼構造をフッ素含有プラズマに露
出した場合フッ素を容易に生成しない金属でコーティン
グすることが教示されている。 Sharp-Geislerの米国特
許第 4,612,432号には、アルミニウムのプラズマによる
スパッタリングによりウェハの汚染を避けるためにシリ
コンの消耗層でアルミニウムＲＦ電極をコーティングす
ることが開示されている。日本特許公報第56-87667号で
は、電極表面はエッチング中シリコン試料上に付着物が
形成することを防止するためにテフロン又はポリエステ
ルのようなカーボン又は有機材料で被覆されている。日
本特許公報第62-47131号では、ウェハ支持電極の外部の
周囲は電界がウェハ周辺に集まらないように防止するた
めにＲＩＥ装置内に絶縁体で被覆されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ニウム（プラズマ処理装置を構成している選択材料）
は、酸化アルミニウムのようなセラミックスを含む最適
な保護コーティング材料よりかなり高い熱膨張率を有す
る。従って、（引張強さが特徴的に小さい）セラミック
保護層は、加熱され、密接に結合されたアルミニウム金
属が温度の上昇につれて膨張するので亀裂により破損す
る。即ち、被覆又は陽極処理アルミニウム構成要素が既
知の最良の製造方法を用いて形成される場合でさえ、そ
の攻撃的環境において、特に熱循環を必要とする場合に
は、ついには破損して破損構成要素の取り替えのための
費用とタイムダウンの両方が生じる。
【０００６】この熱膨張問題を解決する従来の試みとし
ては、アルミニウムの代替品として鉄−ニッケル−コバ
ルト合金、例えば、KOVAR のような低熱膨張率金属合金
を用いることが含まれていた。しかしながら、そのよう
な合金に含まれた鉄、ニッケル及びコバルトは、半導体
部材の処理中に汚染の危険を提起する。Hazanoらの米国
特許第 4,693,777号には、鉄またはニッケルの汚染を防
止するためにエッチングチャンバのステンレス鋼壁の内
面にライニングの使用が開示されている。ライニングは
アルミニウムで施すことが好ましいが、カーボン又はシ
リコンカーバイドであってもよい。日本の公報(Japan D
ocument)第 62-113761号には、全体としては容器からの
ガスの放射を抑えるわずかなガス放射面を形成するため
にカーボンフィルムで真空容器の内面に内張りを施すこ
とが記載されている。しかしながら、これらの方法のい
ずれもチャンバ及び電極材料にアルミニウムを使用しな
い場合、通常は代替材料とみられる鉄、ニッケル、クロ
ム又はコバルトが欠陥を形成する半導体領域に決して移
動しないことを保証することは困難である。
【０００７】従って、プラズマ処理装置において電極材
料としてアルミニウムのような適合金属を使用すること
ができ、一方プラズマに生成された攻撃的化学種による
攻撃に抵抗することができる表面をそのアルミニウム電
極と保護セラミック表面との間の従来技術の不一致を受
けることなく設けることは非常に好ましいことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、材料の処理中
プラズマに生成された化学的攻撃化学種による加熱金属
表面の攻撃を防止又は阻止する、プラズマ処理チャンバ
における金属表面、特に加熱金属電極表面に対する非結
合セラミック保護をセラミック材料を金属表面に結合せ
ずに含むものである。本発明によれば、セラミック保護
材料は密接に取り付けられるが、加熱金属に結合しない
薄いカバー材料を含む。このセラミック保護形態は、集
積回路構造を形成する半導体基板を処理するために用い
られるプラズマ処理チャンバにおいてグロー放電電極及
びガス分散装置の表面を保護するのに特に有効である。
【０００９】
【実施例】本発明によれば、非結合セラミック保護は、
材料の処理中プラズマに生成された化学的攻撃化学種に
よる加熱金属表面の攻撃を防止又は阻止するためにプラ
ズマ処理チャンバ内に金属表面、特に加熱金属電極表面
に設けられる。セラミック保護材料は、金属とセラミッ
ク材料の熱膨張速度の不一致(mismatch)によるセラミッ
ク保護材料の亀裂を避けるためにセラミック材料を金属
表面に結合せずに金属表面に向かって適用及び固定され
る。即ち、セラミック保護材料は密接に取り付けられる
が、加熱金属には結合しない薄いカバー材料を含む。
【００１０】このセラミック保護形態は、集積回路構造
を形成する半導体基板を処理する為に用いられるプラズ
マ処理チャンバ内のグロー放電電極及びガス分散装置の
表面を保護するのに特に有効である。本発明は、２００
℃を超える操作温度に露出した場合、裸または陽極処理
のアルミニウム電極を長時間もたせることができる。こ
の温度以上では、熱膨張速度不一致のために結合セラミ
ックコーティングは通常亀裂を生じ、その亀裂を通って
プラズマ化学種による露出アルミニウムの攻撃を引き起
こす。本装置の使用及びプラズマ処理チャンバを操作す
る本方法により、残留物形成の減少がもたらされ、更
に、被覆電極の表面に更に残留物（常に誘電体である）
を意図せずに生成又は添加すると、金属電極表面が既に
その残留物形成前に誘電／絶縁材料で覆われていること
から、そのようにプラズマ処理の電気特性を実質的に変
化しないので、その残留物形成に対する電極の感度が抑
止される。
【００１１】更に、サセプタの上を覆う保護セラミック
の利点は、電極がセラミック被覆によって保護されると
サセプタ電極表面が表面上の半導体ウェハと共にプラズ
マに対するインピーダンスのより均一な分配を示すこと
である。
【００１２】そのセラミック被覆を更に露出されるサセ
プタの周辺部分に設けることは、半導体ウェハがサセプ
タ上に載置されている場合でさえ、均一なインピーダン
ス及び腐食に対するサセプタの保護の両方にとって特に
重要である。
【００１３】ａ．セラミック保護材料 加熱金属表面に取り付けられるべきセラミック保護材料
は、良好な熱衝撃耐性、良好な熱導電性、プラズマ環境
に露出された際の良好な耐摩耗性及び良好な誘電性を有
するセラミック材料を含まなければならない。セラミッ
ク材料は、更に、良好な製造特性、即ち、薄いシート、
例えば約１２５マイクロメートル（μm）〜約１２. ５m
m（約５〜約５００ミル）に破損せずに操作することが
できる特性を示さなければならない。良好な熱衝撃耐性
は、セラミック材料被覆加熱サセプタに亀裂を生じるこ
となく５００℃程度の高温に加熱されたサセプタに載置
されることを意味する。良好な熱導電性は、少なくとも
１００ワット／メートル−度センチグレード（Ｗ／ｍ−
Ｃ）の熱導電性を意味する。良好な誘電性は、セラミッ
ク絶縁がＤＣをブロックすることができるとともに高周
波電圧を下にある金属電極に通過させることを意味す
る。
【００１４】上記特性を全て示す好ましいセラミック材
料は、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）である。窒化アルミ
ニウムは、反応性ハロゲン環境（グロー放電活性フッ
素）に対する化学耐性；高熱導電性（１００−２００Ｗ
／ｍ−Ｃ);及び高熱衝撃耐性、例えば、約４００−５０
０℃に加熱した窒化アルミニウムに載置されているチャ
ンバ温のシリコン基板を適応させることが証明された利
点を有する。使用することができ、かつ満足なレベルの
上記特性の全てを示す他の材料としては、結晶性酸化ア
ルミニウム（サファイア）、フッ化マグネシウム、焼結
酸化アルミニウム及び酸化マグネシウムが挙げられる。
【００１５】セラミック材料の厚さは、１２５μm(５ミ
ル）程度の薄さであっも、化学的保護及び電気特性の見
地から許容しうる更に薄い厚さであってもよい。しかし
ながら、厚さの低限は、通常、下に記載される種々の形
状の製造でセラミック材料の操作特性及び保護されるべ
き金属部分の上のセラミック材料の絶縁によって支配さ
れる。典型的には、セラミック保護材料の厚さは約５０
０μm(２０ミル）である。
【００１６】セラミック保護材料の厚さの上限は通常重
要なほどではないが、セラミック材料、低熱導電性及び
材料コストのＲＦインピーダンスによって制御される。
従って、材料の典型的な最大の厚さは約１２. ５mm（５
００ミル）を超えることは予想されない。
【００１７】好ましい材料、窒化アルミニウムは焼結窒
化アルミニウムを含み、これは酸化イットリウム又は酸
化マグネシウムのような焼結物質の少量、即ち、約０.
５〜約２wt％を含有してもよい。窒化アルミニウムの熱
導電性を下げるオキシ窒化アルミニウムの形成を避ける
ために、窒化アルミニウムを非酸化雰囲気、好ましくは
実質的に酸素を含まない窒素雰囲気中で焼結しなければ
ならない。焼結前の窒化アルミニウム粒子の粒径は、好
ましくは約２〜約２０μm の範囲でなければならない。
上記焼結物質の存在を除くセラミック材料の各々は、純
度少なくとも約９０wt％、好ましくは約９９wt％、更に
好ましくは約９９. ９wt％でなければならない。
【００１８】ｂ．セラミック保護材料の製造形状(fabri
cated shapes) ここで図１（ａ）によると、本発明の好ましい実施例
は、金属サセプタの周囲にセラミック材料が金属サセプ
タに結合せずに設けられていることを示している。サセ
プタ又はシャワーヘッド電極のような示されている金属
材料は、本明細書ではアルミニウムを意味し、保護セラ
ミックは窒化アルミニウムを意味するが、例示であって
限定するものではない。図１（ａ）においては、プラズ
マ処理チャンバ内で半導体基板を支持するために用いら
れるアルミニウムサセプタ１０はサセプタ１０の切り抜
き部分１２に収納される円形の窒化アルミニウムセラミ
ックディスクにほぼ等しい深さと直径の中央円形切り抜
き部分１２を有する上面がある立体円柱を含むことが示
されている。サセプタ１０は、大体においてネジのある
ボルト４によって中央サセプタ支持体２に取り付けられ
て示されている。また、支持体２は、支持アーム６によ
ってプラズマ処理チャンバ（図示されていない）の壁に
接続される。支持体２及び支持アーム６はセラミック材
料で形成されており、そのことによりプラズマによって
処理チャンバ内に生成された化学種に対して更に保護す
ることを必要としない。
【００１９】セラミックディスク２０は、同一材料の依
存スカート(depending skirt) ２６を有する窒化アルミ
ニウム円形スリーブ又はカラー２４によってサセプタ１
０に向かって入れられる。スカート２６は、アルミニウ
ムサセプタが熱膨張できるように円柱状アルミニウムサ
セプタ１０の外径（ＯＤ）よりごくわずか大きい内径を
有する。「ごくわずか」は約１−２％大きいことを意味
する。図示されているように、窒化アルミニウムスカー
ト２６の長さは、サセプタ１０の側壁１４の外面全体を
窒化アルミニウムスカート２６で覆うのでアルミニウム
サセプタ１０の厚さよりわずかに長い。従来技術のプラ
ズマ処理チャンバに発生したプラズマは半導体基板によ
るインピーダンス路が大きい為に半導体基板が載置して
いるサセプタの中央部分よりむしろサセプタの縁に流れ
る傾向があるので、サセプタ１０のアルミニウム側壁１
４全体の窒化アルミニウムスカート２６による取扱い範
囲は重要である。サセプタ１０のアルミニウム側壁１４
を窒化アルミニウム絶縁材料で保護することにより、イ
ンピーダンスは更に釣り合いがとれる。
【００２０】図１（ａ）で分かるように、カラー２４の
ＩＤはディスク２０の上に重ねるために窒化アルミニウ
ムディスク２０のＯＤより小さく、そのことによりプラ
ズマによって生成された化学種をカラー２４とディスク
２０との間の交差を通って下にあるアルミニウムサセプ
タに達することから阻止する。
【００２１】更に図１（ａ）によると、アルミニウムサ
セプタ１０の金属下面１６は上面３２と下面３４を有す
る窒化アルミニウムディスク３０の形のセラミックカバ
ーによって保護されることが好ましい。ディスク３０
は、窒化アルミニウムスカート２６のＩＤよりわずかに
小さいＯＤを有する。上の窒化アルミニウムディスク２
０、窒化アルミニウムカラー２４及びスカート２６及び
下の窒化アルミニウムディスク３０の部品を共に保持す
るために、図１および図２の双方に示されている環状溝
又は溝２８が下のディスク３０の下面３４のすぐ下にス
カート２６の空間のスカート２６の内面に設けられる。
【００２２】図３および図４に示されるように、環状溝
２８の直径よりわずかに大きいＯＤ（張力のない場合）
を有する止め輪４０が、図１（ａ）及び４に示されるよ
うに、上の窒化アルミニウムディスク２０、窒化アルミ
ニウムカラー２４とスカート２６及び下の窒化アルミニ
ウムディスク３０を共に保持するために溝２８に挿入さ
れる。
【００２３】図１（ｂ）によると、窒化アルミニウムス
カートを金属サセプタ１０の背面を保護する窒化アルミ
ニウムディスクに固定するための別の手段が開示及び図
示されている。この実施例においては、スカート２６′
は変形窒化アルミニウムディスク３０′の端縁に設けら
れた雄ネジ３１を入れて合わせるスカートの端縁に隣接
した雌ネジ２５を備える。
【００２４】図５及び６によると、環状溝２８′が２つ
の止め輪４０と４２を適応させるのに十分な幅を有する
アルミニウムサセプタ１０の周囲に部品を共に保持する
ための手段の別の実施例が図示される。図６に示されて
いるように、そのとき２つの止め輪は、プラズマ化学種
が下の窒化アルミニウムディスク３０の外縁とスカート
２６の内縁との間の空間に直接達することができる止め
輪の端の間に開きのないようにずらすことができる。
【００２５】図７及び８は、更に部品をアルミニウムサ
セプタ１０部品の周囲に共に保持するための手段の別の
実施例を示すものである。この実施例においては、スカ
ート２６″は環状溝２８まで伸びるスカート２６″の底
面に溝２７を備え、下の窒化アルミニウムディスク３
０″は対応するタブ３２を備える。次いでディスク３
０″上のタブ３２が溝２７に挿入され、環状溝２８の中
でタブ３２を止める為にディスク３０″が回転される。
【００２６】図９は、フィンガー開口５２がサセプタ１
０と同様の円形アルミニウムサセプタ５０に形成される
本発明の別の態様を示すものである。そのフィンガー開
口は、通常フィンガーをサセプタの下面から挿入させて
半導体基板を処理後サセプタから上昇させる際に助ける
為にサセプタ内に設けられる。その場合には、フィンガ
ーを適切に操作するために、開口は上下両窒化アルミニ
ウム保護ディスクに設けなければならない。しかしなが
ら、その開口はアルミニウムサセプタ５０内の開口の露
出アルミニウム側壁面にプラズマ化学種を進入させる。
これを防止するために、開口６２及び７２がサセプタ５
０内の開口５２より小さい直径の上の窒化アルミニウム
ディスク６０と下の窒化アルミニウムディスク７０に設
けられる。更に、拡張した端ぐり５４が開口５２と同軸
のアルミニウムサセプタ５０の上面に設けられる。開口
のほぼ直径のＯＤを有するセラミックインサート又はス
リーブ８０が開口５２に挿入される。スリーブ８０上の
フランジ８２が端ぐり(couterbores) ５４に取り付けら
れる。この方法で、アルミニウムサセプタ５０の表面
は、アルミニウムサセプタ５０にフィンガー開口５２が
存在するにも拘らず、プラズマ内に生成された化学種か
ら保護される。
【００２７】窒化アルミニウムフランジ８２が窒化アル
ミニウムスリーブ８０の上端に設けられる図９の実施例
は、サセプタ５０の上面がプラズマ化学種による攻撃を
より受けやすいので好ましいが、図１０に示されるよう
に、部品の底側から窒化アルミニウムスリーブ８０を取
り付けることが好ましい場合もある。この場合には、ア
ルミニウムサセプタ５０′は開口５２と同軸のサセプタ
５０の下面に端ぐり５４′と共に形成される。次いで、
図１０に示されているようにフランジ８２が端ぐり５
４′に滑り込ませるようにサセプタ５０′の開口５２に
スリーブ８０を挿入する。この種の構造は、上の窒化ア
ルミニウムディスク６０の下にある半導体基板の存在に
より上部から開口５２までプラズマ化学種による接近か
ら十分に保護されることが見られ、部品の底からサセプ
タ５０の開口５２のアルミニウム側壁面へのプラズマ化
学種の進入を保護する要求がより必要であることが見ら
れる場合に好ましい。
【００２８】ここで図１１によると、窒化アルミニウム
ディスク２０（又は図９及び１０のディスク６０）は平
らでなくむしろ窪んだ面を備えることが好ましいことが
留意される。これは、加熱するにつれてアルミニウムサ
セプタの反り又は曲がりを打ち消すためである。即ち、
温度に拘らずアルミニウムサセプタ１０と熱及び電気接
触させた窒化アルミニウムディスク２０を保持するため
である。ディスク２０がディスク２０の縁と接触してカ
ラー２４と共に組立てられる場合、図１に示されるよう
にディスク２０はサセプタ１０上に平らにあるように曲
げられるか又は引っ張られる。
【００２９】ディスク２０の縁の平面（カラー２４によ
りサセプタ１０に向かって曲げられる前）から窒化アル
ミニウムディスク２０の中央の深さの距離“ａ”は、処
理される半導体基板のサイズによって異なるサセプタの
直径によって異なる。直径２０cm（８インチ）を有する
アルミニウムサセプタの場合、即ち、２００mm（８イン
チ）直径半導体基板を処理する場合、“ａ”値は約０.
１〜約０. ５mmの範囲である。直径約１２. ５cm（５イ
ンチ）を有するアルミニウムサセプタの場合、即ち、１
００mm（５インチ）直径半導体基板を処理する場合、
“ａ”値は約０.１〜約０. ２５mmの範囲である。サセ
プタの直径がこれらの数値の間にある場合、“ａ”の範
囲はそれに応じて調整される。
【００３０】図１から図１１に記載された実施例及びそ
の態様は窒化アルミニウムカラー２４とそれに依存して
いる(depending therefrom) スカート２６から離した部
品として窒化アルミニウムディスク２０を示してきた
が、図１２および図１３に示された実施例は前の実施例
のディスク２０とカラー２４との間の接合部を取り除く
窒化アルミニウムのワンピースのカップ状シェル１００
を用いるものである。図１から図１１に示された前の実
施例は組み立てが容易でかつ経済的であるが、図１２お
よび図１３の実施例は下にあるアルミニウムサセプタを
化学的攻撃から最適に保護する。シェル１００の前面１
０２は、ディスク２０について同様のカラー２４機能と
同じ半導体基板を収納及び保持するために中央溝１０４
を備えている。
【００３１】図１２においては、シェル１００は図１に
示された実施例のように単一の止め輪４０を有する環状
溝２８を用いてアルミニウムサセプタ１０に固定されて
示されている。しかしながら、シェル１００は図５及び
６の二重止め輪構造（図１３では拡張された環状溝２
８′によって示されている）又は図７及び８に示された
溝とタブ構造を用いてサセプタ１０に固定されることも
理解される。図９及び１０に示されたものと同様のフィ
ンガー開口及び同様の保護が窒化アルミニウムシェル１
００でも使用される。
【００３２】ここで図１４によると、プラズマ処理チャ
ンバ内のアルミニウムシャワーヘッド又は陽極を保護す
る１実施例が示される。シャワーヘッドは、後壁１１２
を有するアルミニウムカップ１１０、依存スカート又は
側壁１１４、前プレート１１５及びプロセスガスが入る
中央導入口１１６を含む。アルミニウム前プレート１１
５は、ガスがシャワーヘッドからプラズマ処理チャンバ
に流れる一連の開口を備える。アルミニウム前プレート
１１５内の開口１１７と一直線上の一連の開口１２２を
有する窒化アルミニウムセラミックディスク１２０は、
プロセスガスが処理チャンバに出るシャワーヘッドの前
面を形成する。セラミックディスク１２０は、カラー１
２４とスリーブ１２６によってアルミニウムカップ１１
０に固定される。窒化アルミニウムスリーブ１２６は側
壁１１４の長さより大きい長さを有し、そのことにより
処理チャンバ内でプラズマによって生成された化学種か
らアルミニウム側壁１１４を保護するように働く。
【００３３】カラー１２４とスリーブ１２６は、前に記
載されたカラー２４とスカート２６のサセプタ１０への
装着と同様に、止め輪４０が収納されるスリーブ１２６
の内面に環状溝１２８を設けることによりディスク１２
０に向かって締め付けられ固定される。アルミニウム後
壁１１２の外面の保護は、セラミックディスク１２０内
の開口１２２を通って下向きにガスが流れると考えると
不要である。しかしながら、場合によっては、アルミニ
ウムサセプタ１０の背面を保護するためにセラミックデ
ィスク３０の使用と同様に、スリーブ１２６のＩＤより
わずかに小さいＯＤを有するセラミックディスク（図示
されていない）が後壁１１２の外面を保護するために用
いられる。
【００３４】図１５は、セラミックディスク１２０、カ
ラー１２４及びスリーブ１２６が単一の窒化アルミニウ
ム要素１５０に組み込まれて、そのことにより図１４の
実施例のディスク１２０とカラー１２４との間の継ぎ目
又は接合部が取り除かれるシャワーヘッド保護の別の実
施例を示すものである。セラミック要素１５０は開口１
５４を有する前面１５２及び側壁１１４より大きい長さ
を有する側壁１５６を有し、そのことによりアルミニウ
ム側壁１１４を保護するように働く。
【００３５】更に、図１５の実施例においてはセラミッ
ク保護要素２００をアルミニウムカップ１１０の側壁１
１４に固定する他の留め手段が示される。この実施例に
おいては、開口１５８はアルミニウムカップ１１０の側
壁１１４内のネジ穴１１８に入るセラミックボルト１６
０用要素１５０のセラミック側壁１５６に設けられる。
図１４の溝と止め輪の固定あるいは図１５に示されてい
るセラミックボルトの固定のどちらかが図１４と１５に
示された実施例のどちらかと同じ意味で用いられること
は留意されなければならない。
【００３６】図１６は、アルミニウムサセプタとシャワ
ーヘッドのアルミニウム部分が外部高周波電源２０２に
接続されている図１に示されるようなセラミック保護ア
ルミニウムサセプタ及び図１４に示されるようなセラミ
ック保護シャワーヘッドを有するプラズマ処理チャンバ
２００を示すものである。ハロゲン含有ガス、例えば、
フッ素又は塩素含有ガスのような反応性ガスがシャワー
ヘッドを通ってチャンバ２００に流れかつプラズマが２
つの電極（サセプタとシャワーヘッド）の間のチャンバ
２００内に設定される場合、反応性化学種はシャワーヘ
ッドを通ってチャンバ内に流れるガスからプラズマ内に
生成される。サセプタのアルミニウム表面及びプラズマ
に面するシャワーヘッドのアルミニウム表面の上に非結
合窒化アルミニウムセラミック材料を存在させると、そ
のアルミニウム電極表面がプラズマ成分による攻撃及び
腐食から保護される。
【００３７】更に本発明の実施(practice)を説明するた
めに、１ｃｍ2 の陽極処理アルミニウムの試験試料を保
護被覆として約０. ５１ミリメートル（０. ０２イン
チ）の厚さを有する窒化アルミニウム材料で覆った。保
護アルミニウム試料をプラズマ増強化学気相成長（ＰＥ
ＣＶＤ）チャンバ内で約４トールの圧力を維持しかつ試
験中約１００ワットの電力レベルに維持されたプラズマ
を点火しながらそのチャンバに６００sccmのＯ2 、６０
０sccmのＨｅ、６００sccmのＣ2 Ｆ6 及び４５sccmのＮ
Ｆ3 を流すことによって生成したフッ素含有プラズマに
５００時間（約２０, ０００枚のウェハ処理に相当す
る）露出した。試験後、試験試料について窒化アルミニ
ウム材料の下の陽極処理アルミニウム表面の腐食を調
べ、腐食量がそのように保護されない陽極処理アルミニ
ウム表面に比べて非常に減少していることが分かった。
【００３８】記載された方法でアルミニウムシャワーヘ
ッド電極を被覆すると同様の結果が得られる。サセプタ
及びシャワーヘッド電極のカバー材料として窒化アルミ
ニウムの代わりに多結晶性酸化アルミニウム（サファイ
ア）、フッ化マグネシウム及び酸化マグネシウムを用い
ても同様の結果が得られる。
【００３９】一連の２００mm径ウェハを連続的にＴＥＯ
Ｓ及びＯ2 を用いる酸化シリコン付着に供した。次い
で、各ウェハを取り出し、酸化シリコンコーティングを
調べた。チャンバ内のアルミニウム表面のセラミック保
護がウェハ上の酸化シリコンの十分な付着を妨げないこ
とがわかった。窒化シリコンの付着物がウェハ上に形成
された（ＳｉＨ4 、ＮＨ3 及びＮ2 ガスを用いて）後同
チャンバの洗浄手順の際にも同様の結果が得られた。
【００４０】即ち、本発明の実施により、プラズマ処理
チャンバ内の加熱金属表面、特にプラズマ処理チャンバ
内の加熱アルミニウム金属電極が保護されてそのチャン
バ内でプラズマによって生成された化学種による攻撃か
らその金属表面を保護する。
【００４１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
るので、プラズマ処理装置において電極材料としてアル
ミニウムのような適合金属を使用することができ、一方
プラズマに生成された攻撃的化学種による攻撃に抵抗す
ることができる表面をそのアルミニウム電極と保護セラ
ミック表面との間の従来技術の不一致を受けることなく
設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミックカバーを示す図で、同
図（ａ）はプラズマ処理装置の金属サセプタ電極の非結
合セラミックカバーの一実施例の縦断面図、同図（ｂ）
はセラミックスリーブ及びサセプタの金属下面を保護す
るセラミックカバーの双方のネジを用いてセラミックス
リーブを金属サセプタに固定する別の手段を示す図１
（ａ）の一部の断片図である。
【図２】セラミックスリーブを金属サセプタに固定する
セラミックスリーブ内に形成された環状溝を示す図１
（ａ）の構造の一部の底面図である。
【図３】図１に示された止め輪の底面図である。
【図４】図２に示された環状溝に挿入された図３の止め
輪を示す図１（ａ）の構造の一部の底面図である。
【図５】図３に示された止め輪のような２つの止め輪を
適用するように修正された環状溝を有する図１（ａ）の
一部の縦断面断片図である。
【図６】図５に示された拡張した環状溝に挿入された図
３の止め輪の２つを示す図５の実施例の底面図である。
【図７】溝付き環状溝を含むセラミック材料を金属サセ
プタ電極に固定するために用いられた機構の別の実施例
を示すセラミックスリーブの底面図である。
【図８】図７の溝付き環状溝に収納することができるタ
ブを有するセラミックディスクの底面図である。
【図９】サセプタから半導体基板を取り出すために用い
られるリフトフィンガーを収納する金属サセプタ電極内
に通常設置されるフィンガーリフトの穴に取り付けられ
た保護セラミックスリーブを示す図１（ａ）の実施例の
一部の縦断面断片図である。
【図１０】金属サセプタ電極の底面の拡張した端ぐりに
収納された保護セラミックスリーブのフランジを有する
図９に示された保護セラミックスリーブ構造の別の実施
例の縦断面断片図である。
【図１１】操作温度まで加熱するにつれて金属サセプタ
電極の曲がり又はそりを打ち消すセラミックプレートの
最初のくぼんだ形を示す金属サセプタ電極の上面に取り
付ける図１（ａ）に示されたセラミックカバーのセラミ
ックプレート部分の縦断面図である。
【図１２】プラズマ処理装置の金属サセプタ電極用非結
合セラミックカバーの別の実施例の縦断面図である。
【図１３】操作温度まで加熱するにつれて金属サセプタ
電極の曲がり又はそりを打ち消すセラミック保護カバー
の中央プレート部分の最初のくぼんだ形を示す図１１の
実施例の縦断面図である。
【図１４】プラズマ処理装置の金属シャワーヘッド電極
用非結合セラミックカバーの一実施例の分解図である。
【図１５】プラズマ処理装置の金属シャワーヘッド電極
用非結合セラミックカバーの別の実施例の分解図であ
る。
【図１６】非結合セラミック材料を取り付けることによ
り保護された金属表面を有する金属サセプタ及び金属シ
ャワーヘッドを示したプラズマ処理チャンバの縦断面図
である。
【符号の説明】
２…サセプタ支持体、６…支持アーム、１０、５０…ア
ルミニウムサセプタ、１２…切り抜き部分、１４…側
壁、１６…金属下面、２０、１２０…セラミックデイス
ク、２４、１２４…カラー、２５…雌ネジ、２６、１２
６…スカート、２７…溝、２８、１２８…環状溝、３０
…デイスク、３１…雄ネジ、３２…上面（タブ）、３４
…下面、４０、４２…止め輪、５２、６２、７２…開
口、６０、７０…窒化アルミニウムデイスク、８０…ス
リーブ、８２…窒化アルミニウムフランジ、１００…カ
ップ状シェル、１０２…前面、１０４…中央溝、１１０
…アルミニウムカップ、１１２…後壁、１１４…側壁、
１１５…前プレート、１１６…中央導入口、１１７…開
口、１１８…ネジ穴、１５６…セラミック側壁、２００
…プラズマ処理チャンバ、２０２…高周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エム． ホワイト アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94541， ヘイワード， コロニー ヴュ ウ プレイス 2811 (72)発明者 クレイグ エイ． バーカウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94086， サニーヴェール， アシロマー テラス 983−５ (72)発明者 ヒロユキ エス． トモザワ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95129， サン ノゼ， サラトガ アヴ ェニュー 1431， アパートメント Ｃ− 117 (72)発明者 マーク エイ． フォダー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95032， ロス ガトス， オーク リム コート 107， ナンバー29

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チャンバ内に発生したプラズマによって
    生成された化学種による攻撃(attack)から保護される金
    属表面を有するプラズマ処理チャンバであって、良好な
    誘電性、良好な熱導電性及び良好な熱衝撃耐性を特徴と
    し、前記金属表面と前記プラズマとの間に取り付けら
    れ、前記金属表面と接触しているがそれに結合されない
    セラミック表面を含み、そのことにより前記金属表面を
    保護すると共に前記金属表面と前記セラミック表面との
    間の熱膨張速度不一致(mismatch)から前記保護セラミッ
    ク表面に対する損傷を緩和するプラズマ処理チャンバ。
  2. 【請求項２】 前記セラミック表面によって保護される
    前記金属表面がアルミニウム表面を含む請求項１記載の
    プラズマ処理チャンバ。
  3. 【請求項３】 前記セラミック表面によって保護される
    前記アルミニウム表面が陽極処理(anodized)アルミニウ
    ム表面を含む請求項２記載のプラズマ処理チャンバ。
  4. 【請求項４】 前記セラミック表面によって保護される
    前記アルミニウム表面が裸の(bare)アルミニウム表面を
    含む請求項２記載のプラズマ処理チャンバ。
  5. 【請求項５】 前記セラミック表面によって保護される
    前記アルミニウム表面が前記チャンバ内のアルミニウム
    サセプタ上の表面を含む請求項２記載のプラズマ処理チ
    ャンバ。
  6. 【請求項６】 前記アルミニウムサセプタが前記サセプ
    タの平面にセラミックディスク及び前記セラミックディ
    スクの露出面と周辺が接触したセラミックカラーとを備
    え、前記セラミックカラーが、前記サセプタの側壁面の
    上に伸びる依存(depending) セラミックスカートを有
    し、そのことにより前記プラズマによって生成された前
    記ガス化学種が前記アルミニウムサセプタ表面に接触す
    ることを阻止する請求項５記載のプラズマ処理チャン
    バ。
  7. 【請求項７】 前記セラミックカラーとそのセラミック
    スカートが、前記カラーを前記セラミックディスクと前
    記アルミニウムサセプタに向かって入れる留め手段(fas
    tening means to urge) を備える請求項６記載のプラズ
    マ処理チャンバ。
  8. 【請求項８】 前記セラミック表面によって保護された
    前記アルミニウム表面が前記チャンバ内のアルミニウム
    シャワーヘッド上の表面を含む請求項２記載のプラズマ
    処理チャンバ。
  9. 【請求項９】 前記アルミニウム表面が、窒化アルミニ
    ウム、結晶性酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム、
    焼結酸化アルミニウム及び酸化マグネシウムからなる群
    より選ばれたセラミック表面によって保護される請求項
    ２記載のプラズマ処理チャンバ。
  10. 【請求項１０】 前記プラズマがハロゲンガスプラズマ
    である請求項２記載のプラズマ処理チャンバ。
  11. 【請求項１１】 前記チャンバ内に発生したプラズマに
    よって生成された化学種による攻撃から、前記アルミニ
    ウムサセプタ及び前記プラズマ間に取り付けられかつ前
    記アルミニウムサセプタと接触しているがそれに結合さ
    れないセラミック表面によって保護されたアルミニウム
    サセプタを有するプラズマ処理チャンバであって、前記
    セラミック表面が更に ａ）前記サセプタ及び前記プラズマ間に前記アルミニウ
    ムサセプタの平面上に取り付けられたセラミックディス
    ク； ｂ）前記セラミックディスクの露出面と周辺が接触して
    いるセラミックカラー； ｃ）前記セラミックカラーに依存し、かつ前記アルミニ
    ウムサセプタの側壁面に伸びるセラミックスカート； ｄ）前記カラーを前記セラミックディスクと前記アルミ
    ニウムサセプタに向かって入れる留め手段；を含み、そ
    のことにより前記プラズマによって生成された前記ガス
    化学種が前記アルミニウムサセプタ表面に接触すること
    を阻止すると共に前記アルミニウムサセプタと前記セラ
    ミック表面との間の熱膨張速度不一致から前記保護セラ
    ミック表面に対する損傷を緩和するプラズマ処理チャン
    バ。
  12. 【請求項１２】 前記セラミック表面が、良好な誘電
    性、良好な熱導電性及び良好な熱衝撃耐性を更に特徴と
    する請求項１１記載のプラズマ処理チャンバ。
  13. 【請求項１３】 前記チャンバ内のアルミニウム表面を
    攻撃することができるガス化学種をプラズマ中に生成す
    ることができるプラズマ処理チャンバであって、半導体
    基板を載置するための(for mounting)アルミニウムサセ
    プタ及び前記チャンバ内にプロセスガスを導入するため
    のアルミニウムシャワーヘッドを有し、前記アルミニウ
    ムサセプタがまず前記シャワーヘッドに面する略平面を
    有し、更に側壁面を有する略円形のディスクを含み、前
    記アルミニウムシャワーヘッドも前記サセプタに面する
    略平面を有し、更に側壁面を有し、前記アルミニウムサ
    セプタとシャワーヘッド表面の各々が窒化アルミニウ
    ム、結晶性酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び
    焼結酸化アルミニウムからなる群より選ばれたセラミッ
    ク材料の保護層を、前記セラミック材料を前記アルミニ
    ウム表面に結合せずに載置しており、そのことにより前
    記プラズマによって生成された前記ガス化学種の攻撃か
    ら前記アルミニウム表面を保護するとともに前記アルミ
    ニウム表面との熱不一致による前記セラミック材料の亀
    裂を阻止するプラズマ処理チャンバ。
  14. 【請求項１４】 前記アルミニウムサセプタが前記シャ
    ワーヘッドに面するその表面上にセラミックディスク及
    び前記セラミックディスクの露出面と周辺が接触してい
    るセラミックカラーを備え、前記セラミックカラーが前
    記アルミニウムサセプタの側壁面に伸びる依存セラミッ
    クスカートを有し、そのことにより前記プラズマによっ
    て生成された前記ガス化学種がアルミニウムサセプタ表
    面に接触することを阻止する請求項１３記載のプラズマ
    処理チャンバ。
  15. 【請求項１５】 前記セラミックカラーとそのセラミッ
    クスカートが、前記カラーを前記セラミックディスクと
    前記アルミニウムサセプタに向かって入れる留め手段を
    更に備える請求項１４記載のプラズマ処理チャンバ。
  16. 【請求項１６】 前記留め手段が更に前記ぶら下がりス
    カートの内面に前記カラーから前記サセプタの厚さを超
    える距離に環状溝及び前記カラーを前記セラミックディ
    スクと前記サセプタに向かって入れるために前記サセプ
    タの反対面と接する前記溝に収納された保持手段を含む
    請求項１５記載のプラズマ処理チャンバ。
  17. 【請求項１７】 前記アルミニウムサセプタが更に前記
    依存セラミックスカートの内径にほぼ等しい直径を有し
    かつ片面が前記シャワーヘッドから離れて面する前記サ
    セプタの背面に向かって配置された第２セラミックディ
    スクによって保護され、前記留め手段も前記サセプタに
    向かって前記第２セラミックディスクを保持する請求項
    １５記載のプラズマ処理チャンバ。
  18. 【請求項１８】 第２セラミックディスクが前記依存セ
    ラミックスカートの内径にほぼ等しい直径を有し、前記
    留め手段が前記サセプタに向かって前記第２セラミック
    ディスクを保持する前記アルミニウムサセプタから離れ
    て面する前記第２セラミックディスクの表面と接し、そ
    のことにより前記シャワーヘッドから離れて面する前記
    サセプタの背面を保護する請求項１７記載のプラズマ処
    理チャンバ。
  19. 【請求項１９】 前記留め手段が更に、 ａ）前記ぶら下がりスカートの内面に前記カラーから前
    記サセプタと前記第２セラミックディスクの合計の厚さ
    を超える距離に環状溝；及び ｂ）前記カラーを前記セラミックディスクと前記サセプ
    タに向かって入れる前記サセプタの反対面と接する前記
    溝に収納された保持手段；を更に含む請求項１８記載の
    プラズマ処理チャンバ。
  20. 【請求項２０】 前記留め手段が更に、 ａ）前記ぶら下がりスカートの内面に前記カラーから前
    記サセプタと前記第２セラミックディスクの厚さを超え
    る距離に環状溝； ｂ）前記第２セラミックディスクの周辺に１個以上のタ
    ブ；及び ｃ）前記環状溝と連通し、かつ前記第２セラミックディ
    スク上の前記タブと一列に前記依存スカートの底面に設
    置され、そのことにより前記タブが溝に収納されかつ前
    記環状溝で回転される１個以上の溝；を含み、そのこと
    により前記カラーを前記セラミックディスクとその下の
    前記サセプタに向かって保持するとともに前記第２セラ
    ミックディスクを前記アルミニウムサセプタを保持する
    請求項１８記載のプラズマ処理チャンバ。
  21. 【請求項２１】 前記留め手段が更に ａ）前記スカートの端縁に隣接した前記依存スカートの
    内面上の雌ネジ； ｂ）前記第２セラミックディスクの外縁に適合する雄ネ
    ジ；を含み、前記ネジのある第２セラミックディスクを
    前記ネジのあるスカートにネジで締めることができる請
    求項１８記載のプラズマ処理チャンバ。
  22. 【請求項２２】 前記アルミニウムサセプタに、前記プ
    ラズマによって生成された前記ガス化学種から前記アル
    ミニウムサセプタを保護するために前記アルミニウムサ
    セプタの前面及び側面と接するセラミック材料のカップ
    状シェルを被覆する請求項１３記載のプラズマ処理チャ
    ンバ。
  23. 【請求項２３】 前記アルミニウムサセプタの前記側面
    に隣接した前記セラミックシェルの一部が、前記セラミ
    ックシェルを前記アルミニウムサセプタに向かって入れ
    る留め手段を更に備える請求項２２記載のプラズマ処理
    チャンバ。
  24. 【請求項２４】 前記留め手段が、前記サセプタの厚さ
    を超えた幅を有する前記サセプタ側壁に隣接した前記セ
    ラミックシェルの内面に環状溝及び前記セラミックシェ
    ルを前記シャワーヘッドに面する前記サセプタの前記表
    面に向かって入れる前記サセプタの反対面と接する前記
    溝に収納された保持手段を更に含む請求項２３記載のプ
    ラズマ処理チャンバ。
  25. 【請求項２５】 前記アルミニウムサセプタの前記反対
    面が、前記サセプタ側壁近傍の前記セラミックシェルの
    前記部分の内径にほぼ等しい直径を有する第２セラミッ
    クディスクによって保護され、前記保護手段が、前記第
    ２セラミックディスクを前記サセプタに向かって入れる
    前記アルミニウムサセプタから離れて面する前記第２セ
    ラミックディスクの表面と接し、そのことにより前記シ
    ャワーヘッドから離れて面する前記サセプタの背面を保
    護する請求項２４記載のプラズマ処理チャンバ。
  26. 【請求項２６】 前記アルミニウムサセプタが、前記サ
    セプタ側壁近傍の前記セラミックシェルの前記部分の内
    径にほぼ等しい直径を有し、かつ前記シャワーヘッドか
    ら離れて面する前記サセプタの背面に向かって配置され
    たその片面を有する第２セラミックディスクによって保
    護され、かつ前記第２セラミックディスクは１個以上の
    タブを備え；前記留め手段が前記サセプタの厚さを超え
    た前記セラミックシェルの上部の内面からの距離に前記
    サセプタ側壁近傍の前記セラミックシェルの前記部分の
    内面に環状溝及び前記環状溝と連通しかつ前記第２セラ
    ミックディスク上の前記タブと一列に前記セラミックシ
    ェルの底面に設置されて前記タブを前記溝内に収納しか
    つ前記環状溝で回転させることができる１個以上の溝を
    更に含み、そのことにより前記シャワーヘッドに面する
    前記サセプタの前記表面に向かって前記セラミックシェ
    ルを保持すると共に前記アルミニウムサセプタに向かっ
    て前記第２セラミックディスクを保持する請求項２３記
    載のプラズマ処理チャンバ。
  27. 【請求項２７】 前記アルミニウムサセプタが、半導体
    基板の上昇を助ける開口を更に備え、セラミックスリー
    ブを前記開口内に収納して前記開口の穴のアルミニウム
    表面を前記プラズマによって生成された前記ガス化学種
    から保護するために前記開口を並置する請求項２６記載
    のプラズマ処理チャンバ。
  28. 【請求項２８】 前記アルミニウムサセプタ内の前記開
    口に収納された前記セラミックスリーブが、前記アルミ
    ニウムサセプタの片面の拡張した端ぐりに収納された一
    端にフランジを有する請求項２６記載のプラズマ処理チ
    ャンバ。
  29. 【請求項２９】 前記アルミニウムシャワーヘッドが前
    記サセプタに面しかつガスを前記処理チャンバに流入可
    能な開口を有する表面上にセラミックディスクと；及び
    前記セラミックディスクの露出面と周辺が接触している
    セラミックカラーとを備え、前記セラミックカラーが前
    記シャワーヘッドの前記側壁面に伸びるスカートを有
    し、そのことにより前記プラズマによって生成された前
    記ガス化学種が前記アルミニウムシャワーヘッドと接触
    することを阻止する請求項２６記載のプラズマ処理チャ
    ンバ。
  30. 【請求項３０】 前記セラミックカラー及びその上のス
    カートが前記カラーを前記セラミックディスクと前記ア
    ルミニウムシャワーヘッドに向かって入れる留め手段を
    更に備える請求項２９記載のプラズマ処理チャンバ。
  31. 【請求項３１】 アルミニウムサセプタ電極及びアルミ
    ニウムシャワーヘッド電極を有するプラズマ処理チャン
    バ内で半導体基板を処理すると共に前記プラズマによっ
    て前記チャンバ内に生成されたガス化学種による前記ア
    ルミニウム電極の攻撃を阻止する方法であって、前記ア
    ルミニウムサセプタとアルミニウムシャワーヘッド電極
    の表面の少なくとも一部を窒化アルミニウム、結晶性酸
    化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び焼結酸化アル
    ミニウムからなる群より選ばれたセラミック材料の保護
    層で前記セラミック材料を前記アルミニウム表面に結合
    させずに覆い、そのことにより前記アルミニウム表面を
    前記プラズマによって生成された前記ガス化学種による
    攻撃から保護すると共に前記アルミニウム表面との熱不
    一致による前記セラミック材料の亀裂を阻止することを
    特徴とする方法。
JP7056134A 1994-03-15 1995-03-15 化学的攻撃ガス環境に露出されるプラズマ処理室の加熱金属表面用セラミック保護及びその加熱金属表面の保護方法 Pending JPH0871408A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/213880 1994-03-15
US08/213,880 US5680013A (en) 1994-03-15 1994-03-15 Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0871408A true JPH0871408A (ja) 1996-03-19

Family

ID=22796865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7056134A Pending JPH0871408A (ja) 1994-03-15 1995-03-15 化学的攻撃ガス環境に露出されるプラズマ処理室の加熱金属表面用セラミック保護及びその加熱金属表面の保護方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5680013A (ja)
EP (1) EP0673056B1 (ja)
JP (1) JPH0871408A (ja)
KR (1) KR100242897B1 (ja)
DE (1) DE69501222T2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878193A (ja) * 1994-06-30 1996-03-22 Ngk Insulators Ltd プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置
JPH0925586A (ja) * 1995-07-11 1997-01-28 Anelva Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP2002520835A (ja) * 1998-07-13 2002-07-09 エーケーティー株式会社 処理装置用ガス分配プレート
JP2006045059A (ja) * 2005-09-05 2006-02-16 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置
JP2006157043A (ja) * 1995-12-28 2006-06-15 Kyocera Corp 耐食性部材
WO2011062900A3 (en) * 2009-11-17 2011-08-18 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly with improved impact protection
JP2012222157A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、及び、太陽電池の製造方法
JP2016154159A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 三菱重工工作機械株式会社 常温接合装置及びこれを使用する常温接合方法
KR20160121429A (ko) * 2015-04-09 2016-10-19 램 리써치 코포레이션 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거
US12163219B2 (en) 2017-12-15 2024-12-10 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US12371781B2 (en) 2018-10-19 2025-07-29 Lam Research Corporation In situ protective coating of chamber components for semiconductor processing
US12601051B2 (en) 2017-12-07 2026-04-14 Lam Research Corporation Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5680013A (en) * 1994-03-15 1997-10-21 Applied Materials, Inc. Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces
JP2933508B2 (ja) * 1995-05-25 1999-08-16 忠弘 大見 プラズマ処理装置
EP0992470B1 (en) * 1995-08-03 2006-03-08 Ngk Insulators, Ltd. Aluminium nitride sintered bodies and their use as substrate in an apparatus for producing semiconductors
JPH0992641A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング装置
JP2901907B2 (ja) * 1996-01-10 1999-06-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスチャンバウィンドウ
JP3444090B2 (ja) * 1996-04-22 2003-09-08 日清紡績株式会社 プラズマ処理装置用保護部材
JP3019002B2 (ja) * 1996-09-20 2000-03-13 日本電気株式会社 ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
US5911832A (en) * 1996-10-10 1999-06-15 Eaton Corporation Plasma immersion implantation with pulsed anode
US6120640A (en) * 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
JP3077623B2 (ja) * 1997-04-02 2000-08-14 日本電気株式会社 プラズマ化学気相成長装置
JP3362113B2 (ja) * 1997-07-15 2003-01-07 日本碍子株式会社 耐蝕性部材、ウエハー設置部材および耐蝕性部材の製造方法
US6391216B1 (en) * 1997-09-22 2002-05-21 National Research Institute For Metals Method for reactive ion etching and apparatus therefor
US5879523A (en) * 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
JP4037956B2 (ja) * 1998-04-28 2008-01-23 東海カーボン株式会社 チャンバー内壁保護部材
JP4641569B2 (ja) * 1998-07-24 2011-03-02 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設および半導体保持装置
US6123791A (en) * 1998-07-29 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Ceramic composition for an apparatus and method for processing a substrate
US6379492B2 (en) * 1998-10-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant coating
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US6466881B1 (en) * 1999-04-22 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method for monitoring the quality of a protective coating in a reactor chamber
US6444083B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6227140B1 (en) 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US6408786B1 (en) 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
US6139696A (en) 1999-10-25 2000-10-31 Motorola, Inc. Method and apparatus for forming a layer on a substrate
JP2001155899A (ja) * 1999-11-25 2001-06-08 Tadahiro Omi プラズマプロセス装置およびプラズマ装置を用いたプロセス
KR20010062209A (ko) 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
JP3654142B2 (ja) * 2000-01-20 2005-06-02 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ガスシャワー体
DE20005365U1 (de) 2000-03-23 2000-11-23 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung, 57078 Siegen Elektrodenanordnung für Plasmaätzanlagen hoher Leistung
US6391146B1 (en) 2000-04-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Erosion resistant gas energizer
TWI228747B (en) * 2000-05-17 2005-03-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and the maintenance method, assembling mechanism and method of processing apparatus parts, and lock mechanism and the lock method
US6537429B2 (en) 2000-12-29 2003-03-25 Lam Research Corporation Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof
US6613442B2 (en) 2000-12-29 2003-09-02 Lam Research Corporation Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6533910B2 (en) 2000-12-29 2003-03-18 Lam Research Corporation Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6620520B2 (en) 2000-12-29 2003-09-16 Lam Research Corporation Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US7128804B2 (en) * 2000-12-29 2006-10-31 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US6790242B2 (en) 2000-12-29 2004-09-14 Lam Research Corporation Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
KR100564168B1 (ko) * 2001-01-22 2006-03-27 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20020122896A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-05 Skion Corporation Capillary discharge plasma apparatus and method for surface treatment using the same
US6830622B2 (en) * 2001-03-30 2004-12-14 Lam Research Corporation Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof
FR2824821B1 (fr) * 2001-05-17 2003-08-29 Essilor Int Procede de preparation d'un verre apte au debordage, verre ainsi obtenu et procede de debordage d'un tel verre
DE60106577T8 (de) * 2001-05-31 2006-04-27 Alcatel Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren
US7670688B2 (en) * 2001-06-25 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Erosion-resistant components for plasma process chambers
US20030015505A1 (en) * 2001-07-19 2003-01-23 Skion Corporation Apparatus and method for sterilization of articles using capillary discharge atmospheric plasma
KR100789453B1 (ko) * 2001-07-30 2008-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마 화학기상증착장비의 프로세스 챔버
US20030042227A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for tailoring an etch profile
US20030070620A1 (en) 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
US7371467B2 (en) 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US6942929B2 (en) 2002-01-08 2005-09-13 Nianci Han Process chamber having component with yttrium-aluminum coating
FR2834712B1 (fr) * 2002-01-14 2004-12-17 Essilor Int Procede de traitement d'un verre ophtalmique
US6827815B2 (en) * 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
US8067067B2 (en) * 2002-02-14 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Clean, dense yttrium oxide coating protecting semiconductor processing apparatus
US6776873B1 (en) * 2002-02-14 2004-08-17 Jennifer Y Sun Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers
US20080213496A1 (en) * 2002-02-14 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings
US7479304B2 (en) * 2002-02-14 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate fabricated from a solid yttrium oxide-comprising substrate
US6789498B2 (en) 2002-02-27 2004-09-14 Applied Materials, Inc. Elements having erosion resistance
GB2406583B (en) * 2002-08-08 2005-12-21 Trikon Technologies Ltd Improvements to showerheads
US7147749B2 (en) 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US7204912B2 (en) 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US7166166B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US6798519B2 (en) 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7137353B2 (en) 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US7166200B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US6837966B2 (en) 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
JP4753276B2 (ja) * 2002-11-26 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TW200423195A (en) 2002-11-28 2004-11-01 Tokyo Electron Ltd Internal member of a plasma processing vessel
US7316761B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
KR100918528B1 (ko) 2003-03-31 2009-09-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리부재 상에 인접한 코팅을 결합시키는 방법
KR101016913B1 (ko) 2003-03-31 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리요소용 배리어층 및 그의 형성방법
DE10322696B3 (de) * 2003-05-20 2005-01-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Behandlung von vorgebbaren Oberflächenbereichen eines Substrates
US7543546B2 (en) * 2003-05-27 2009-06-09 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma processing apparatus, method for producing reaction vessel for plasma generation, and plasma processing method
KR100585089B1 (ko) * 2003-05-27 2006-05-30 삼성전자주식회사 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법
FR2856056B1 (fr) * 2003-06-13 2009-07-03 Essilor Int Procede de traitement d'un verre apte au debordage.
KR20040107983A (ko) * 2003-06-16 2004-12-23 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
KR100534209B1 (ko) * 2003-07-29 2005-12-08 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비
US20050022735A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 General Electric Company Delivery system for PECVD powered electrode
US20050050708A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Embedded fastener apparatus and method for preventing particle contamination
FR2860306B1 (fr) * 2003-09-26 2006-09-01 Essilor Int Lentille ophtalmique recouverte d'un film electrostatique et procede de debordage d'une telle lentille
US20050098106A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved electrode plate
US20050220568A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method and system for fastening components used in plasma processing
US20050241579A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Russell Kidd Face shield to improve uniformity of blanket CVD processes
DE102004029959B4 (de) * 2004-06-21 2010-08-19 Infineon Technologies Ag Gasdurchlässige Plasmaelektrode, Verfahren zum Herstellen der gasdurchlässigen Plasmaelektrode und Parallelplatten-Reaktor
JP2006049544A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Canon Anelva Corp 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法
US7728823B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-01 Apple Inc. System and method for processing raw data of track pad device
KR100650926B1 (ko) 2004-10-13 2006-11-29 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
US7552521B2 (en) 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
DE102005001651A1 (de) * 2005-01-10 2006-07-20 Infineon Technologies Ag Ätzanlage
US7601242B2 (en) 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
JP4628900B2 (ja) * 2005-08-24 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8679252B2 (en) * 2005-09-23 2014-03-25 Lam Research Corporation Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof
US20070141358A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Essilor International Compagnie Generale D'optique Method for improving the edging of an optical article by providing a temporary layer of an organic material
DE102006013801A1 (de) * 2006-03-24 2007-09-27 Aixtron Ag Gaseinlassorgan mit gelochter Isolationsplatte
KR101098858B1 (ko) * 2006-05-15 2011-12-26 울박, 인크 클리닝 방법 및 진공 처리 장치
JP2007305890A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Elpida Memory Inc 半導体製造装置
US20080029032A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
US10622194B2 (en) 2007-04-27 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US10242888B2 (en) 2007-04-27 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US8367227B2 (en) 2007-08-02 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity
JP5474291B2 (ja) 2007-11-05 2014-04-16 株式会社アルバック アッシング装置
US20090155488A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-18 Asm Japan K.K. Shower plate electrode for plasma cvd reactor
CN101499407B (zh) * 2008-02-02 2010-07-28 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
US10155233B2 (en) * 2008-04-09 2018-12-18 Carlisle Fluid Technologies, Inc. Splash plate retention method and apparatus
KR101004927B1 (ko) * 2008-04-24 2010-12-29 삼성엘이디 주식회사 Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
JPWO2009153856A1 (ja) * 2008-06-17 2011-11-24 キヤノンアネルバ株式会社 防着カバー付きキャリアおよび防着カバー着脱装置
US8161906B2 (en) 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8206506B2 (en) * 2008-07-07 2012-06-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8402918B2 (en) * 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
US8272346B2 (en) 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
SG169960A1 (en) * 2009-09-18 2011-04-29 Lam Res Corp Clamped monolithic showerhead electrode
US8216640B2 (en) * 2009-09-25 2012-07-10 Hermes-Epitek Corporation Method of making showerhead for semiconductor processing apparatus
JP3160877U (ja) * 2009-10-13 2010-07-15 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極
KR101221925B1 (ko) * 2010-04-22 2013-01-14 한국세라믹기술원 플라즈마 저항성 세라믹 피막 및 그 제조 방법
JP5766495B2 (ja) * 2010-05-18 2015-08-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 熱処理装置
JP2012004160A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
US9728429B2 (en) * 2010-07-27 2017-08-08 Lam Research Corporation Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8188575B2 (en) 2010-10-05 2012-05-29 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and method for uniform metal plating
US8470127B2 (en) 2011-01-06 2013-06-25 Lam Research Corporation Cam-locked showerhead electrode and assembly
SG192967A1 (en) 2011-03-04 2013-09-30 Novellus Systems Inc Hybrid ceramic showerhead
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
US9245717B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Lam Research Corporation Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor
US8562785B2 (en) * 2011-05-31 2013-10-22 Lam Research Corporation Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US20140097752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield
US9916998B2 (en) 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9685356B2 (en) 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
CN103903946B (zh) * 2012-12-26 2017-11-17 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子反应器的气体喷淋头
US9449795B2 (en) * 2013-02-28 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor
US20140356985A1 (en) 2013-06-03 2014-12-04 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly
US9637415B2 (en) 2013-10-24 2017-05-02 Surmet Corporation Method of making high purity polycrystalline aluminum oxynitride bodies useful in semiconductor process chambers
JP6422262B2 (ja) * 2013-10-24 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10832931B2 (en) * 2014-05-30 2020-11-10 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with embossed top plate and cooling channels
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
KR102417934B1 (ko) * 2015-07-07 2022-07-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 장치
KR102408403B1 (ko) * 2015-11-04 2022-06-14 (주)포인트엔지니어링 서셉터 및 이를 포함하는 진공챔버
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
KR101931692B1 (ko) * 2017-10-11 2018-12-21 주식회사 유진테크 배치식 플라즈마 기판처리장치
KR102204026B1 (ko) * 2018-07-06 2021-01-18 주식회사 케이에스엠컴포넌트 세라믹 샤워 헤드 및 그를 구비한 화학 기상 증착 장치
US11600517B2 (en) * 2018-08-17 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Screwless semiconductor processing chambers
CN110838458B (zh) 2018-08-17 2022-08-09 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体制程系统以及方法
JPWO2020208801A1 (ja) * 2019-04-12 2021-05-06 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の内部部材ならびに当該内部部材の製造方法
CN113924387A (zh) * 2019-05-22 2022-01-11 应用材料公司 用于高温腐蚀环境的基板支承件盖
US12359313B2 (en) * 2019-07-31 2025-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Deposition apparatus and method of forming metal oxide layer using the same
KR20260046529A (ko) 2019-08-23 2026-04-07 램 리써치 코포레이션 열 제어된 샹들리에 샤워헤드
RU206587U1 (ru) * 2020-09-11 2021-09-16 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" Источник ионов для обработки деталей
KR102567507B1 (ko) * 2020-12-31 2023-08-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 가스 분배 어셈블리
KR102473786B1 (ko) * 2021-01-07 2022-12-06 (주)유니젯 인클로저 시스템
KR102802671B1 (ko) * 2021-12-01 2025-05-07 주식회사 유진테크 리프트핀 프로텍션 어셈블리 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3179213A (en) * 1960-03-14 1965-04-20 Eitel Mccullough Inc Dielectric window and method of making it
CH592262A5 (ja) * 1975-07-04 1977-10-14 Bbc Brown Boveri & Cie
GB1574804A (en) * 1976-05-20 1980-09-10 Chloride Silent Power Ltd Metal-to-ceramic seals
JPS5687667A (en) * 1979-12-20 1981-07-16 Toshiba Corp Reactive ion etching method
US4427516A (en) * 1981-08-24 1984-01-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
FR2538987A1 (fr) * 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
JPS59184527A (ja) * 1983-04-05 1984-10-19 Canon Inc 気相法装置
CH665057A5 (de) * 1984-07-20 1988-04-15 Balzers Hochvakuum Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung.
US4612432A (en) * 1984-09-14 1986-09-16 Monolithic Memories, Inc. Etching plasma generator diffusor and cap
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPS62113761A (ja) * 1985-05-20 1987-05-25 東芝セラミツクス株式会社 高強度焼結体およびその製造方法
US4793975A (en) * 1985-05-20 1988-12-27 Tegal Corporation Plasma Reactor with removable insert
US4623417A (en) * 1985-08-23 1986-11-18 Texas Instruments Incorporated Magnetron plasma reactor
JPS6247131A (ja) * 1985-08-27 1987-02-28 Nec Corp 反応性イオンエツチング装置
JPS6376430A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Fujitsu Ltd プラズマ化学気相成長装置
JPS63251127A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Ngk Insulators Ltd セラミック製部材と金属製部材の結合方法
DE3912381A1 (de) * 1988-04-15 1989-10-26 Sharp Kk Auffaengereinheit
JPH07118465B2 (ja) * 1988-06-14 1995-12-18 東芝セラミックス株式会社 縦型エピタキシャル装置用サセプター
US5252892A (en) * 1989-02-16 1993-10-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JPH02298024A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5223113A (en) * 1990-07-20 1993-06-29 Tokyo Electron Limited Apparatus for forming reduced pressure and for processing object
US5074456A (en) * 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
US5178681A (en) * 1991-01-29 1993-01-12 Applied Materials, Inc. Suspension system for semiconductor reactors
DE59208623D1 (de) * 1991-05-08 1997-07-24 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer
US5236151A (en) * 1991-12-23 1993-08-17 General Electric Company Thermal barrier structure
US5257872A (en) * 1992-05-05 1993-11-02 Hughes Aircraft Company High power waveguide switch and method
US5366585A (en) * 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
DE69420774T2 (de) * 1993-05-13 2000-01-13 Applied Materials, Inc. Kontrolle der Kontamination in einem Plasma durch Ausgestaltung des Plasmaschildes unter Verwendung von Materialien mit verschiedenen RF-Impedanzen
US5680013A (en) * 1994-03-15 1997-10-21 Applied Materials, Inc. Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces
US5589003A (en) * 1996-02-09 1996-12-31 Applied Materials, Inc. Shielded substrate support for processing chamber

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878193A (ja) * 1994-06-30 1996-03-22 Ngk Insulators Ltd プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置
JPH0925586A (ja) * 1995-07-11 1997-01-28 Anelva Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP2006157043A (ja) * 1995-12-28 2006-06-15 Kyocera Corp 耐食性部材
JP2002520835A (ja) * 1998-07-13 2002-07-09 エーケーティー株式会社 処理装置用ガス分配プレート
JP2006045059A (ja) * 2005-09-05 2006-02-16 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置
WO2011062900A3 (en) * 2009-11-17 2011-08-18 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly with improved impact protection
JP2012222157A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、及び、太陽電池の製造方法
JP2016154159A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 三菱重工工作機械株式会社 常温接合装置及びこれを使用する常温接合方法
KR20160121429A (ko) * 2015-04-09 2016-10-19 램 리써치 코포레이션 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거
US12601051B2 (en) 2017-12-07 2026-04-14 Lam Research Corporation Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning
US12163219B2 (en) 2017-12-15 2024-12-10 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US12227837B2 (en) 2017-12-15 2025-02-18 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US12371781B2 (en) 2018-10-19 2025-07-29 Lam Research Corporation In situ protective coating of chamber components for semiconductor processing

Also Published As

Publication number Publication date
KR950032709A (ko) 1995-12-22
DE69501222D1 (de) 1998-01-29
US5959409A (en) 1999-09-28
EP0673056B1 (en) 1997-12-17
DE69501222T2 (de) 1998-07-09
US5680013A (en) 1997-10-21
EP0673056A1 (en) 1995-09-20
KR100242897B1 (ko) 2000-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0871408A (ja) 化学的攻撃ガス環境に露出されるプラズマ処理室の加熱金属表面用セラミック保護及びその加熱金属表面の保護方法
US6508911B1 (en) Diamond coated parts in a plasma reactor
KR100566908B1 (ko) 저 이물질 고밀도 플라즈마 에칭 챔버 및 그 제조 방법
US6761771B2 (en) Semiconductor substrate-supporting apparatus
CN103140913B (zh) 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘
KR100232092B1 (ko) 저항가열되는 스템이 구비된 질화 알루미늄 서셉터 조립체
KR100270288B1 (ko) 플라즈마-불활성 커버 및 플라즈마 세척 방법 및 이를 이용한 장치
KR100687378B1 (ko) 고온 다층 합금 히터 어셈블리 및 관련 방법
TWI809980B (zh) 具有沉積表面特徵之基板支撐組件
TWI299182B (en) Low contamination components for semiconductor processing apparatus and method for making components
CN1285757C (zh) 等离子加工用的静电夹紧边环
JP4451098B2 (ja) サセプタ装置
US4569745A (en) Sputtering apparatus
US20080029032A1 (en) Substrate support with protective layer for plasma resistance
JPH10312976A (ja) 高温、腐食性、プラズマ環境下でのクリーニングプロセスのための方法及び装置
WO2011063084A2 (en) Electrostatic chuck with reduced arcing
JPH10298767A (ja) 高温、大流量化学気相堆積装置及び関連する方法
TW200841416A (en) Substrate support assembly
US11211282B2 (en) Apparatus to reduce contamination in a plasma etching chamber
US20030047283A1 (en) Apparatus for supporting a substrate and method of fabricating same
US20150322571A1 (en) Substrate processing apparatus
JPH1174064A (ja) ウエハ加熱装置
TWI533374B (zh) A focus ring that improves the uniformity of wafer edge etch rate
JP5475229B2 (ja) 基板処理方法
JP4712836B2 (ja) 耐腐食性積層セラミックス部材

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050726