JPS61216110A - 金属パタ−ン形成方法 - Google Patents
金属パタ−ン形成方法Info
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- JPS61216110A JPS61216110A JP5750185A JP5750185A JPS61216110A JP S61216110 A JPS61216110 A JP S61216110A JP 5750185 A JP5750185 A JP 5750185A JP 5750185 A JP5750185 A JP 5750185A JP S61216110 A JPS61216110 A JP S61216110A
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Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は微細金属パターンの形成方法に関し、特に薄膜
磁気ヘッドにおける巻線のための金属パターン形成方法
に関する。
磁気ヘッドにおける巻線のための金属パターン形成方法
に関する。
従来技術
薄膜磁気ヘッドにおいては、書込み時に比較的大電流（
数１０ｍＡ）を流す必要がある。そこで磁気回路の抵抗
を小さくすることが要求され、そのためには巻線を形成
する金属パターンの幅を数ミクロン程度に抑える必要が
あり、書込み時の発熱を防ぐためには金属パターンの縦
横比は大きくなければならない。縦横比を大きくするた
めに、従来ではフォトレジストマスクを用いて金属パタ
ーンを電気メッキする方法がある（特公昭５７−３３７
０３）。
数１０ｍＡ）を流す必要がある。そこで磁気回路の抵抗
を小さくすることが要求され、そのためには巻線を形成
する金属パターンの幅を数ミクロン程度に抑える必要が
あり、書込み時の発熱を防ぐためには金属パターンの縦
横比は大きくなければならない。縦横比を大きくするた
めに、従来ではフォトレジストマスクを用いて金属パタ
ーンを電気メッキする方法がある（特公昭５７−３３７
０３）。
厚い金属パターンを得るためにはフォトレジストマスク
を厚くする必要がある。ところがフォトレジストマスク
が厚くなると露光に用いる紫外線がフォトレジスト自身
により吸収・散乱される度合が大きくなり、基板付近と
フォトレジスト表面付近ではフォトレジストマスクのパ
ターン幅に大きな差が現れる。したがって上述した従来
の金属パターン形成方法では金属パターンの縦横比を１
：１以上にすることは困難であり、巻線数の多い薄膜磁
気ヘッドを製造する際の障害になっていた。
を厚くする必要がある。ところがフォトレジストマスク
が厚くなると露光に用いる紫外線がフォトレジスト自身
により吸収・散乱される度合が大きくなり、基板付近と
フォトレジスト表面付近ではフォトレジストマスクのパ
ターン幅に大きな差が現れる。したがって上述した従来
の金属パターン形成方法では金属パターンの縦横比を１
：１以上にすることは困難であり、巻線数の多い薄膜磁
気ヘッドを製造する際の障害になっていた。
泣週Ｊ月土仰
本発明はかかる従来の問題点を解決すべくなされたもの
であり、その目的とηるところは、微細金属パターンの
縦横比を容易に大どすることが可能な微細金属パターン
の形成方法を提供することにある。
であり、その目的とηるところは、微細金属パターンの
縦横比を容易に大どすることが可能な微細金属パターン
の形成方法を提供することにある。
発明の構成
本発明によれば、所定基板−ｈに金属膜をイ」着してこ
の金属膜上に第１層のフ、ｔ ｌ−レジス１ヘマスクを
選択的に被着する工程と、この金属膜の露出部分上に第
１の金属メッキ層を被着形成する工程と、選択的に形成
された第１層のフォトレジストマスク上に更に第２層の
フォトレジストマスクを被着する工程と、第１の金属メ
ッキ層−にに更に第２の金属層を被着する■稈どを含む
ことを特徴とする金属パターン形成方法が得られる。
の金属膜上に第１層のフ、ｔ ｌ−レジス１ヘマスクを
選択的に被着する工程と、この金属膜の露出部分上に第
１の金属メッキ層を被着形成する工程と、選択的に形成
された第１層のフォトレジストマスク上に更に第２層の
フォトレジストマスクを被着する工程と、第１の金属メ
ッキ層−にに更に第２の金属層を被着する■稈どを含む
ことを特徴とする金属パターン形成方法が得られる。
実施例
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（Ａ）〜（１」）は本発明の第一の実施例を示す
製造■程順の各断面図であり、第１図（△）に示す如＜
Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁物テトたはハードベークした
フＡ！〜レジメ１〜などの無機絶縁物からなる基板１上
に電気メッキをでるだめの金属膜３おにびこの金属膜３
ど基板１の密着膜２をスパッタリング等にＪ：って付着
する。電気メッキをづる金属がＣＬＪの場合には金属膜
３もＣｕであることが好ましい。またこの場合密着膜２
はＣｒが好ましい。
製造■程順の各断面図であり、第１図（△）に示す如＜
Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁物テトたはハードベークした
フＡ！〜レジメ１〜などの無機絶縁物からなる基板１上
に電気メッキをでるだめの金属膜３おにびこの金属膜３
ど基板１の密着膜２をスパッタリング等にＪ：って付着
する。電気メッキをづる金属がＣＬＪの場合には金属膜
３もＣｕであることが好ましい。またこの場合密着膜２
はＣｒが好ましい。
更に、金属膜３上の全面にフＡ１−レジス１へ４を塗布
する。フＡトレジス１−としては、シブレイン１マイク
ロボジツ１〜１３００−３７を用いた場合、スピンコー
ド回転数を２５０Ｏｒｐｍにすれば容易に３μｍ以上の
膜厚が４りられる。したがって、次に続く第１図（Ｂ）
に示す様な選択的に除去された露光現像後のフォトレジ
ストマスク４はボストベークによる若干の膜厚減少があ
っても約３μｍになる。
する。フＡトレジス１−としては、シブレイン１マイク
ロボジツ１〜１３００−３７を用いた場合、スピンコー
ド回転数を２５０Ｏｒｐｍにすれば容易に３μｍ以上の
膜厚が４りられる。したがって、次に続く第１図（Ｂ）
に示す様な選択的に除去された露光現像後のフォトレジ
ストマスク４はボストベークによる若干の膜厚減少があ
っても約３μｍになる。
第１図（Ｃ）はフォトレジストマスク４以外の金属膜３
の露出部分上に約２μｍ厚の第１メッキ層５を付着した
状態である。本実施例ではＣｕメッキを行う場合である
。
の露出部分上に約２μｍ厚の第１メッキ層５を付着した
状態である。本実施例ではＣｕメッキを行う場合である
。
第１図（Ｄ）は第１メッキ層５の上に更に第２層のフＡ
１〜レジス１−〇を塗布した状態である。露光現象によ
り第１メッキ層５の上のフォ１〜レジストを除去すると
、第１図（Ｆ）に示すように第１回目のメッキ用のフォ
トレジストマスク４の上にさらに約３μｍ厚の第２層の
フォトレジストマスク６が形成される。
１〜レジス１−〇を塗布した状態である。露光現象によ
り第１メッキ層５の上のフォ１〜レジストを除去すると
、第１図（Ｆ）に示すように第１回目のメッキ用のフォ
トレジストマスク４の上にさらに約３μｍ厚の第２層の
フォトレジストマスク６が形成される。
第１図（Ｆ）は、第１メッキ層５の上に第２メッキ層７
を付着した状態である。第１図（Ｇ）は有機溶剤あるい
は専用の７７ｔ１〜レジスト除去剤を用いてフＡ１〜レ
ジスト４．６を除去した状態である。
を付着した状態である。第１図（Ｇ）は有機溶剤あるい
は専用の７７ｔ１〜レジスト除去剤を用いてフＡ１〜レ
ジスト４．６を除去した状態である。
第１図（１」）はウエツ１〜エツヂングあるいはドライ
エツヂングによりメッキ層間の密着膜２おにび金属膜３
を除去した状態を示す。フォトレジストマスクのパター
ン間隔を４μｍにすれば以上の製造方法にＪ：り縦横比
１：１の微細金属パターンが得られる。尚、図では縦方
向をより拡大して描いている。
エツヂングによりメッキ層間の密着膜２おにび金属膜３
を除去した状態を示す。フォトレジストマスクのパター
ン間隔を４μｍにすれば以上の製造方法にＪ：り縦横比
１：１の微細金属パターンが得られる。尚、図では縦方
向をより拡大して描いている。
第２図は本発明の第２の実施例を示す。本実施例では、
第１図（１」）の状態にひきつづきフォ１〜レジス１〜
の塗布、露光現象、メッキを繰返して、第３メッキ層８
および第４メッキ層９を夫々イ４＠することにより縦横
比２：１の微細金属パターンが得られる。尚、本図でも
縦方向を拡大して示している。
第１図（１」）の状態にひきつづきフォ１〜レジス１〜
の塗布、露光現象、メッキを繰返して、第３メッキ層８
および第４メッキ層９を夫々イ４＠することにより縦横
比２：１の微細金属パターンが得られる。尚、本図でも
縦方向を拡大して示している。
以上のプロセスを繰返せばさらに縦横比の大きい微細金
属パターンを得ることも可能である。
属パターンを得ることも可能である。
発明の効果
以上の如く、本発明によれば、金属メッキ層を多層化す
ることにより、微細金属パターンの縦横比を大とするこ
とができるようになり、磁気回路の抵抗を小として発熱
を防止し得ることになる。
ることにより、微細金属パターンの縦横比を大とするこ
とができるようになり、磁気回路の抵抗を小として発熱
を防止し得ることになる。
よって、薄膜磁気ヘッドに用いて効果的となるものであ
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の製造工程順の各断面図、第
２図は本発明の他の実施例を示す図である。 主要部分の符号の説明
２図は本発明の他の実施例を示す図である。 主要部分の符号の説明
Claims (1)
- 所定基板上に金属膜を付着してこの金属膜上に第１層の
フォトレジストマスクを選択的に被着する工程と、前記
金属膜の露出部分上に第１の金属メッキ層を被着形成す
る工程と、選択的に形成された前記第１層のフォトレジ
ストマスク上に更に第２層のフォトレジストマスクを被
着する工程と、前記第１の金属メッキ層上に更に第２の
金属層を被着する工程とを含むことを特徴とする金属パ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5750185A JPS61216110A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 金属パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5750185A JPS61216110A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 金属パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216110A true JPS61216110A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=13057470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5750185A Pending JPS61216110A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 金属パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110193510A1 (en) * | 2008-10-09 | 2011-08-11 | Newcastle Innovation Limited | Positioning system and method |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5750185A patent/JPS61216110A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110193510A1 (en) * | 2008-10-09 | 2011-08-11 | Newcastle Innovation Limited | Positioning system and method |
| US8610332B2 (en) * | 2008-10-09 | 2013-12-17 | Newcastle Innovation Limited | Positioning system and method |
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