JPH01204207A - 薄膜磁気ヘツドの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に、段差をもする部
分で磁性膜を所望の形状に高精度に作製するのに好適な
加工方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、薄膜磁気ヘッドにおけるトラック幅加工法は、特
開昭６０−３７１３０号公報に記載のようにアルミナ膜
をマスクとし加速粒子によるエツチングを行なって磁性
膜の加工を完了していたが、その前にアルミナ膜を所望
の形状にパターニングするためにホトレジストをマスク
にしてアルミナ膜を選択的にエツチング加工する工程が
必要であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術によるトラック幅加工は、最終的に磁性膜
のパターン形成を完了するまでに大きく分けて次の三つ
の工程から成り立っている。

先づ、ホトレジストをパターニングする工程、次にこの
ホトレジストをマスクにしてイオン化されたＣＦ４など
のふっ化炭素系のガスを加速して照射し、アルミナ膜を
選択的にエツチング加工する工程。更に、このアルミナ
膜をマスクにして磁性膜をイオンミリング法でエツチン
グする工程である。

この加工法での第一の問題点は、上述の様に、最初のマ
スクの寸法が最終的に磁性膜に転写される間に三つの工
程を経ているため加工精度が悪くなるということである
。特に、ホトレジストをマスクにしてアルミナ膜をエツ
チングする工程におけるホトレジストの膜厚、及び、側
壁の傾斜角が加工精度に大きく影響してくる。つまり、
ホトレジストの膜厚が１０μｍ以上になると加速粒子が
ホトレジスト下部に飛来する頻度が膜厚によって変動す
ること、及び、ホトレジストの側壁部分は平担部に比ベ
エッチング速度が大きく、その値も側壁の傾斜角に依存
することの二つの要因で、ホトレジスト下部でのミリン
グ量が変動する。

また、この工程では、特開昭６０−３７１３０号公報に
記載されているように、ホトレジストの側壁にスパッタ
されたアルミナ膜が付着し、ホトレジスト除去後もその
まま残るという、いわゆる、再付着が発生し易い。これ
が第二の問題点である。再付着した膜は、薄Ｐｌ；４磁
気ヘッドの上下磁性膜の間隔を部分的に狭くしているか
らヘッド先端からの漏れ磁界を小さくし、分布を不均一
にする原因となると同時に、再付着する膜の量はいつも
一定という訳ではないのでトラック幅の加工精度にばら
つきを与える原因にもなっている。

このように、薄膜磁気ヘッドのような１０μｍ以上もあ
る段差部に厚く塗布されたホトレジストを下地膜をパタ
ーニングするためのマスクとして使用していること、及
び、その厚いホトレジストを所定の形状に高精度にパタ
ーニングしなければならないことが、加工精度の向上と
再付着を無くすという問題に対し大きな妨げとなってい
る。

従って本発明は薄膜磁気ヘッドにおける段差部で再付着
も無く、高精度に磁性膜をパターニングする方法を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、薄膜磁気ヘッドの段差部において被加工膜
の上にマスクとなる適切な膜を、薄く、且つ、高精度に
成膜することにより達成される。

ここでマスクとなる薄膜の成膜方法には、めっき法を採
用する。また、めっきのマスクパターンは、ネガ型ホト
レジスト、又は、イメージリバース法を用いて形成する
。

〔作用〕

めっき膜は下地の凹凸に関係なくつきまわりが良好であ
るため、段差部と平坦部とで同等な膜厚を達成でき、ま
た、パターン寸法がホトレジストのパターン形成時の下
部寸法で決定できるため。

高い寸法精度で成膜できる。

めっきのマスクパターン形成にはネガ型ホトレジスト、
又は、イメージリバース法を採用するが、これは、めっ
き膜の側壁のテーパ角を９０度以下にして、下地膜をエ
ツチングしている時にスパッタされた膜が再付着しない
形状に成膜するためである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図と第２図により説明する
。第１図は本発明によるプロセスの一例を示す。第１図
（ａ）は、基板１の上に有機樹脂膜２のパターンを形成
し、その上に上部磁性膜３を堆積し、更に、ホトレジス
ト４を塗布し、露光及び現像したときの図である。第１
図（ａ）に示すホトレジスト４は、トラック幅加工にお
いて、最も加工精度が要求される段差の下部５を含む段
差部周辺のみ、コア形状の一部分として除去されている
。この除去された部分に、磁性膜３をめっき下地膜とし
て用いて、銅めっき膜６を成膜する。

この銅めっき膜６が、磁性膜３の段差部にまたがった部
分のコア形状を形成するためのマスクとなる。次にホト
レジスト４をもう一度露光、及び、現像して残りのコア
形状を形成するためのマスクとなるようにパターニング
する。第１図（ｂ）がこのときの図である。つまり、こ
れまでは特開昭６０−３７１３０号公報に記載のように
磁性膜３を加工するためのマスクは一種類の膜を用いて
いたのに対し、本実施例ではマスク形成において加工精
度が厳しく要求される部分と、それ以外の部分とを区別
し、各要求に適した作製方法、すなわち、前者について
はめつき法、後者についてはホトレジストパターニング
法を採用し、二種類のマスクのつなぎ合せによってコア
形状のマスクを構成する。

銅めつき膜６を成膜するめつき液は、硫酸銅と硫酸の混
合水溶液、あるいは、この水溶液に塩素イオン、又は、
光沢剤を添加したものを用いる。

本実施例で用いるホトレジストは、めっき膜の側壁テー
パ角を９０度以下にする目的でノボラック系のネガ型樹
脂を使用するため、酸性のめつき液が望ましい。また同
じ目的のイメージリバース法に用いるジアゾ−ノボラッ
ク系ポジ型レジストも酸性のめつき液中での取扱いが可
能である。

このようにして作製された合成マスクを用いてＡｒイオ
ンミリングで上部磁性膜３をエツチングし加工を完了す
る。このときの図が第１図（ｃ）である。マスクに使っ
たホトレジストはアセトン等の有機溶剤で除去でき、銅
めっき膜６は過硫酸アンモニウム水溶液によりウェット
エツチングすることで除去できる。

第２図は本発明の他の実施例を示す。第２図（ａ）は、
基板１の上に有機樹脂膜２のパターンを形成し、その上
に上部磁性膜３、アルミナ膜７を、順次、堆積する。

アルミナ膜７は上部磁性膜３をパターニングするときの
マスクとなる。更に、このアルミナ膜７の上にめっき下
地膜８を堆積し、ホトレジスト４を塗布した後、露光及
び現像したときの図が第２図（ｂ）である。このとき、
ホトレジスト４のパターン形状は所望の上部磁性膜コア
パターンの反転パターンとなっている。またアルミナ膜
７を、特開昭６０−３７１３０号公報に記載されている
ＣＦ４ガスを用いた反応性イオンビームエツチングによ
りパターニングするときはマスク材として銅、又は、パ
ーマロイを使うことができるため、どちらの金属膜を使
うかによって、めっき下地膜８を同一の金属になるよう
に対応させればよい。堆積されためつき下地膜８の上に
、アルミナ膜７のマスクとなるめっき膜９を成膜し、ホ
トレジスト４を除去したときの図が第２図（ｃ）である
。マスクとしてパーマロイを用いた場合には、イオンの
加速電圧８００■、イオン入射角０度、ＣＦ４ガス分圧
１．４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの条件下で、２μｍのアルミ
ナ膜７をエツチングするのに必要なパーマロイ膜の膜厚
は僅か０．３２μｍで充分である。

マスク材に使われる膜の厚さはエツチングの対象となる
膜のエツチングが終了した時点でエツチング前の半分程
度になることが経験上望ましいとされているが、そのこ
とを考慮してもパーマロイ膜の膜厚は０．７μｍあれば
良いことが判る。特開昭６０−３７１３０号公報に記載
されている方法では、アルミナ膜７のマスクとして使わ
れているホトレジストの膜厚は１０μｍ以上ありそのパ
ターン形状が加工精度に大きく影響していたことを考え
併せるとパーマロイ膜をマスクに用いると、アルミナ膜
７を再付着無く高精度に加工できることが判る。銅をマ
スクに用いた場合でも、必要となる膜厚はたかだか２．
５μｍである。

このようにしてエツチングされたアルミナ膜７をマスク
にしてＡｒイオンミリングによって上部磁性膜３をエツ
チングしたのが第２図（ｄ）である。この段階でアルミ
ナ膜７上の金属マスク８゜９は完全にエツチング除去さ
れるので先の実施例のように、ウェットエツチング法等
により新たに除去する必要がない。エツチング後に残る
アルミナ膜７は薄膜磁気ヘッドの構成材料に用いられて
いるものなのでそのまま残しておいても何ら支障は無い
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、段差部での膜厚つきまわりの良好なめ
つき膜を下地膜加工用のマスクとして使用するから再付
着も無く、高精度にパターニングされた磁性膜を作製で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の工程図、第２図は本発明
の他の実施例の工程図である。 ３・・・上部磁性膜、４・・・ホトレジスト、５・・・
段差の下部、６・・・銅めっき膜、７・・・アルミナ膜
、８・・・メツキ下地膜、９・・・めっき膜。 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁性膜上に、マスクとなる薄膜を作製した後加速粒
   子により前記磁性膜をエッチングし所望の形状にパター
   ニングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造法。 ２、特許請求の範囲第１項において、 所望の形状を必要としない領域を樹脂で覆つた後、めつ
   き法により前記薄膜を形成し、めつき膜を下地膜加工の
   ためのマスクとして用いることを特徴とする薄膜磁気ヘ
   ッドの製造法。 ３、特許請求の範囲第１項において、 前記マスクとなる前記薄膜として銅、パーマロイを用い
   たことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造法。 ４、特許請求の範囲第２項において、 被覆として用いる前記樹脂をパターン形成するのに際し
   、イメージリバース法、あるいは、前記樹脂としてネガ
   型ホトレジストを用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドの製造法。