JPH087335A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JPH087335A JPH087335A JP6131992A JP13199294A JPH087335A JP H087335 A JPH087335 A JP H087335A JP 6131992 A JP6131992 A JP 6131992A JP 13199294 A JP13199294 A JP 13199294A JP H087335 A JPH087335 A JP H087335A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- film
- alloy
- substrate
- layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 軽量・加工の容易さ・量産性に優れたメタク
リル樹脂基板に、生産性が良好なスパッタリング法によ
り、密着性良好な反射膜を形成した光ディスクを提供す
ること 【構成】 光ディスクは、メタクリル樹脂基板上に、ス
パッタリング法により、基板界面に、酸化されたアルミ
ニウム（合金）の金属反射膜が形成され、または、第１
層としてアルミニウム（合金）酸化膜及び第２層として
アルミニウム（合金）の金属反射膜が順次形成され、好
ましくは、アルミニウム酸化層を構成するアルミニウム
と酸素の原子比が０．４以上１．３未満、またアルミニ
ウム酸化層の厚さが好ましくは２０オングストローム以
上１５０オングストローム以下で形成されている
リル樹脂基板に、生産性が良好なスパッタリング法によ
り、密着性良好な反射膜を形成した光ディスクを提供す
ること 【構成】 光ディスクは、メタクリル樹脂基板上に、ス
パッタリング法により、基板界面に、酸化されたアルミ
ニウム（合金）の金属反射膜が形成され、または、第１
層としてアルミニウム（合金）酸化膜及び第２層として
アルミニウム（合金）の金属反射膜が順次形成され、好
ましくは、アルミニウム酸化層を構成するアルミニウム
と酸素の原子比が０．４以上１．３未満、またアルミニ
ウム酸化層の厚さが好ましくは２０オングストローム以
上１５０オングストローム以下で形成されている
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板と金属反射膜との密
着性に優れた光ディスクに関する。
着性に優れた光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスク基板用材料としてガラ
スとプラスチック（樹脂）が用いられているが、軽量・
加工の容易さ・量産性などの理由から後者の利用が主と
なっている。その中でも、メタクリル系樹脂は光学的特
性が極めて優れており、現在、レーザーディスク等に使
用されている。
スとプラスチック（樹脂）が用いられているが、軽量・
加工の容易さ・量産性などの理由から後者の利用が主と
なっている。その中でも、メタクリル系樹脂は光学的特
性が極めて優れており、現在、レーザーディスク等に使
用されている。
【０００３】レーザーディスクなどの光ディスクは、表
面にピットを持った樹脂基板上に反射膜としてアルミニ
ウムやアルミニウム合金等の金属膜を付けたものであ
る。光ディスク用樹脂基板上に金属反射膜を形成する方
法は、主として真空蒸着法とスパッタリング法がある。
面にピットを持った樹脂基板上に反射膜としてアルミニ
ウムやアルミニウム合金等の金属膜を付けたものであ
る。光ディスク用樹脂基板上に金属反射膜を形成する方
法は、主として真空蒸着法とスパッタリング法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパタ
リング法は、生産性が良いなどの利点を持つが、メタク
リル系樹脂基板を用いた場合、スパッタリング法では、
密着性良好な反射膜を得ることができない。
リング法は、生産性が良いなどの利点を持つが、メタク
リル系樹脂基板を用いた場合、スパッタリング法では、
密着性良好な反射膜を得ることができない。
【０００５】これに対して、特開平３−２６８２４３号
公報には、ポリカーボネートやアクリル樹脂などの透明
基板にアルミニウムと酸素との原子比が１．３以上のア
ルミニウム酸化物を含有するアルミニウム反射膜を成膜
して耐久性に優れた光ディスクが提案されている。しか
し、この先行技術によるアルミニウム酸化物含有金属反
射膜の光ディスクでも、必ずしも良好な密着性を得るこ
とが出来ない。そのために、メタクリル系樹脂基板を用
いた場合、従来から、真空蒸着法が基板上への金属反射
膜形成に用いられている。
公報には、ポリカーボネートやアクリル樹脂などの透明
基板にアルミニウムと酸素との原子比が１．３以上のア
ルミニウム酸化物を含有するアルミニウム反射膜を成膜
して耐久性に優れた光ディスクが提案されている。しか
し、この先行技術によるアルミニウム酸化物含有金属反
射膜の光ディスクでも、必ずしも良好な密着性を得るこ
とが出来ない。そのために、メタクリル系樹脂基板を用
いた場合、従来から、真空蒸着法が基板上への金属反射
膜形成に用いられている。
【０００６】この発明は、上述の背景に基づきなされた
ものであり、その目的とするところは、軽量・加工の容
易さ・量産性に優れたメタクリル系樹脂基板に、生産性
が良好なスパッタリング法により、密着性良好な反射膜
を形成した光ディスクを提供することである。
ものであり、その目的とするところは、軽量・加工の容
易さ・量産性に優れたメタクリル系樹脂基板に、生産性
が良好なスパッタリング法により、密着性良好な反射膜
を形成した光ディスクを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、この発明に
より解決される。すなわち、この発明による光ディスク
は、メタクリル系樹脂基板上に、スパッタリング法によ
り、基板界面若しくはその近傍に、酸化されたアルミニ
ウム若しくはアルミニウム合金の金属反射膜が形成さ
れ、または、第１層としてアルミニウム酸化膜若しくは
アルミニウム合金酸化膜及び第２層としてアルミニウム
若しくはアルミニウム合金の金属反射膜が順次形成さ
れ、好ましくは、アルミニウム（合金）酸化（金属反
射）膜を構成するアルミニウムと酸素の原子比（酸素／
アルミニウム）が０．４以上１．３未満、より好ましく
は、０．４以上１．２以下であり、また、アルミニウム
（合金）酸化（金属反射）膜の厚さが好ましくは２０オ
ングストローム以上１５０オングストローム以下、より
好ましくは、２５オングストローム以上１２０オングス
トローム以下で形成されていることを特徴とするもので
ある。
より解決される。すなわち、この発明による光ディスク
は、メタクリル系樹脂基板上に、スパッタリング法によ
り、基板界面若しくはその近傍に、酸化されたアルミニ
ウム若しくはアルミニウム合金の金属反射膜が形成さ
れ、または、第１層としてアルミニウム酸化膜若しくは
アルミニウム合金酸化膜及び第２層としてアルミニウム
若しくはアルミニウム合金の金属反射膜が順次形成さ
れ、好ましくは、アルミニウム（合金）酸化（金属反
射）膜を構成するアルミニウムと酸素の原子比（酸素／
アルミニウム）が０．４以上１．３未満、より好ましく
は、０．４以上１．２以下であり、また、アルミニウム
（合金）酸化（金属反射）膜の厚さが好ましくは２０オ
ングストローム以上１５０オングストローム以下、より
好ましくは、２５オングストローム以上１２０オングス
トローム以下で形成されていることを特徴とするもので
ある。
【０００８】アルミニウム（合金）酸化（金属反射）膜
を構成するアルミニウムと酸素の原子比（酸素／アルミ
ニウム）が上述の下限値未満の時は反射率、密着性共に
良好な反射膜が得られず、原子比が上記上限値以上若し
くは超える時はアルミニウム酸化層とアルミニウム膜と
の間で密着強度が低下し、好ましくない。また、アルミ
ニウム（合金）酸化（金属反射）膜の厚さが上記下限値
未満の時は、充分な密着力が得られず、上記上限値を越
える時は、反射率が低下し、充分な反射率が得られな
い。
を構成するアルミニウムと酸素の原子比（酸素／アルミ
ニウム）が上述の下限値未満の時は反射率、密着性共に
良好な反射膜が得られず、原子比が上記上限値以上若し
くは超える時はアルミニウム酸化層とアルミニウム膜と
の間で密着強度が低下し、好ましくない。また、アルミ
ニウム（合金）酸化（金属反射）膜の厚さが上記下限値
未満の時は、充分な密着力が得られず、上記上限値を越
える時は、反射率が低下し、充分な反射率が得られな
い。
【０００９】この発明において用いられるスパッタリン
グ方法とは、真空容器内に導入したアルゴンなどの不活
性ガスをイオン化し、それを電圧を印加したターゲット
と呼ばれる固体表面に衝突させ固体粒子を叩きだし基板
上に膜を形成する方法である。プラズマを発生させる方
法により直流スパッタリング、高周波スパッタリング、
などに分けられる。
グ方法とは、真空容器内に導入したアルゴンなどの不活
性ガスをイオン化し、それを電圧を印加したターゲット
と呼ばれる固体表面に衝突させ固体粒子を叩きだし基板
上に膜を形成する方法である。プラズマを発生させる方
法により直流スパッタリング、高周波スパッタリング、
などに分けられる。
【００１０】この発明において、アルミニウム酸化また
はアルミニウム合金酸化（反射）膜を形成する方法とし
ては、アルミニウム酸化物またはアルミニウム合金酸化
物から成るターゲットを用い成膜する方法、アルミニウ
ムまたはアルミニウム合金から成るターゲットを用い、
成膜中にアルミニウム酸化物またはアルミニウム合金酸
化物に変え成膜する方法とがある。
はアルミニウム合金酸化（反射）膜を形成する方法とし
ては、アルミニウム酸化物またはアルミニウム合金酸化
物から成るターゲットを用い成膜する方法、アルミニウ
ムまたはアルミニウム合金から成るターゲットを用い、
成膜中にアルミニウム酸化物またはアルミニウム合金酸
化物に変え成膜する方法とがある。
【００１１】この発明における基板に用いられるメタク
リル系樹脂には、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エ
チル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸フェ
ニル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ノルボルニ
ル、メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸トリシク
ロ[５，２，１，０２，６]デカ−８−イル、等のメタク
リル酸エステル等のメタクリル酸エステル類の重合体、
共重合体、またはこれらとアクリル酸メチル、アクリル
酸エチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェ
ニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸ノルボニル、ア
クリル酸イソノルボニル、アクリル酸トリシクロ[５，
２，１，０２，６]デカ−８−イル、等のアクリル酸エ
ステル類、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニ
ルマレイミド、Ｎ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−メ
チルフェニルマレイミド、Ｎ−ブロモフェニルマレイミ
ド等の酸無水物類との共重合体などがある。
リル系樹脂には、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エ
チル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸フェ
ニル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ノルボルニ
ル、メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸トリシク
ロ[５，２，１，０２，６]デカ−８−イル、等のメタク
リル酸エステル等のメタクリル酸エステル類の重合体、
共重合体、またはこれらとアクリル酸メチル、アクリル
酸エチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェ
ニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸ノルボニル、ア
クリル酸イソノルボニル、アクリル酸トリシクロ[５，
２，１，０２，６]デカ−８−イル、等のアクリル酸エ
ステル類、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニ
ルマレイミド、Ｎ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−メ
チルフェニルマレイミド、Ｎ−ブロモフェニルマレイミ
ド等の酸無水物類との共重合体などがある。
【００１２】
【作用】上記構成を有するこの発明の光ディスクでは、
以下のように作用・動作する。この発明において、メタ
クリル系樹脂基板上に、スパッタリング法により、基板
界面若しくはその近傍に、酸化されたアルミニウム若し
くはアルミニウム合金の金属反射膜、または、アルミニ
ウム酸化膜若しくはアルミニウム合金酸化膜の第１層が
形成されている。
以下のように作用・動作する。この発明において、メタ
クリル系樹脂基板上に、スパッタリング法により、基板
界面若しくはその近傍に、酸化されたアルミニウム若し
くはアルミニウム合金の金属反射膜、または、アルミニ
ウム酸化膜若しくはアルミニウム合金酸化膜の第１層が
形成されている。
【００１３】樹脂基板上に、スパッタリング法によりア
ルミニウム金属膜を形成すると、この膜に応力が発生し
基板を撓ませる方向に力が働き、また、この金属膜を基
板から剥がそうとする方向にも働く。しかし、この発明
によるアルミニウム（合金）酸化（金属反射）膜中のア
ルミニウム酸化物が膜応力を低減し、樹脂基板と金属膜
との密着力が向上させる。
ルミニウム金属膜を形成すると、この膜に応力が発生し
基板を撓ませる方向に力が働き、また、この金属膜を基
板から剥がそうとする方向にも働く。しかし、この発明
によるアルミニウム（合金）酸化（金属反射）膜中のア
ルミニウム酸化物が膜応力を低減し、樹脂基板と金属膜
との密着力が向上させる。
【００１４】
【実施例】この発明を以下の実施例により、具体的に説
明する。 実施例１ メタクリル系樹脂（商品名：アクリペット、三菱レイヨ
ン製）の射出成形基板上に、スパッタリング装置（基本
仕様：日本真空技術（株）製、ＳＢＨ−２３０４）によ
り、アルゴンガス雰囲気中で、φ４”アルミナターゲッ
トに高周波を印加し、成膜速度７０オングストローム／
分で、第１層としてアルミニウムと酸素の原子比（酸素
／アルミニウム）が１．２であるアルミナ（酸化アルミ
ニウム）薄膜１００オングストローム、φ４”アルミニ
ウムターゲットに直流電圧を印加し、成膜速度１１００
オングストローム／分で第２層としてアルミニウム膜８
００オングストロームを順次形成した。
明する。 実施例１ メタクリル系樹脂（商品名：アクリペット、三菱レイヨ
ン製）の射出成形基板上に、スパッタリング装置（基本
仕様：日本真空技術（株）製、ＳＢＨ−２３０４）によ
り、アルゴンガス雰囲気中で、φ４”アルミナターゲッ
トに高周波を印加し、成膜速度７０オングストローム／
分で、第１層としてアルミニウムと酸素の原子比（酸素
／アルミニウム）が１．２であるアルミナ（酸化アルミ
ニウム）薄膜１００オングストローム、φ４”アルミニ
ウムターゲットに直流電圧を印加し、成膜速度１１００
オングストローム／分で第２層としてアルミニウム膜８
００オングストロームを順次形成した。
【００１５】得られた金属膜について密着性を、以下の
ように評価した。粘着テープ（ニチバン：セロテープ使
用）の粘着面をアルミニウム膜に密着させ、勢いよく引
き剥す剥離テストにより評価した結果、アルミニウム膜
は剥離せず、密着性が良好であり、反射率も充分であっ
た。
ように評価した。粘着テープ（ニチバン：セロテープ使
用）の粘着面をアルミニウム膜に密着させ、勢いよく引
き剥す剥離テストにより評価した結果、アルミニウム膜
は剥離せず、密着性が良好であり、反射率も充分であっ
た。
【００１６】実施例２ 基板上に膜を形成する際、φ４”アルミニウムターゲッ
トを使用し、成膜初期のみアルミニウムを酸化させ膜を
構成するアルミニウムと酸素の原子比（酸素／アルミニ
ウム）が０．４である３０オングストロームのアルミニ
ウム酸化層を形成し、その後アルミニウムを酸化しない
で膜形成したこと以外、実施例１と同様に、成膜して評
価した。この結果、良好な密着性と充分な反射率が得ら
れた。
トを使用し、成膜初期のみアルミニウムを酸化させ膜を
構成するアルミニウムと酸素の原子比（酸素／アルミニ
ウム）が０．４である３０オングストロームのアルミニ
ウム酸化層を形成し、その後アルミニウムを酸化しない
で膜形成したこと以外、実施例１と同様に、成膜して評
価した。この結果、良好な密着性と充分な反射率が得ら
れた。
【００１７】比較例１ アルミニウム酸化層を形成しないこと以外実施例１と同
様に成膜して評価した。この結果、充分な密着力が得ら
れず膜は剥離した。
様に成膜して評価した。この結果、充分な密着力が得ら
れず膜は剥離した。
【００１８】比較例２ アルミニウム酸化層を２００オングストロームとするこ
と以外、実施例１と同様に成膜して評価した。この結
果、充分な反射率が得られなかった。
と以外、実施例１と同様に成膜して評価した。この結
果、充分な反射率が得られなかった。
【００１９】比較例３ アルミニウム酸化層を構成するアルミニウムと酸素の原
子比（酸素／アルミニウム）が１．４である以外実施例
１と同様に成膜し評価した。この結果、アルミニウム酸
化層とアルミニウムとの間に充分な密着強度が得られず
膜は剥離した。
子比（酸素／アルミニウム）が１．４である以外実施例
１と同様に成膜し評価した。この結果、アルミニウム酸
化層とアルミニウムとの間に充分な密着強度が得られず
膜は剥離した。
【００２０】比較例４ アルミニウム酸化層を構成するアルミニウムと酸素の原
子比（酸素／アルミニウム）が０．３である以外実施例
２と同様に成膜し評価した。この結果、充分な密着力が
得られず膜は剥離した。
子比（酸素／アルミニウム）が０．３である以外実施例
２と同様に成膜し評価した。この結果、充分な密着力が
得られず膜は剥離した。
【００２１】
【発明の効果】上記実施例から実証されるように、本発
明により、メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング法
でアルミニウムまたはアルミニウム合金の反射膜を成膜
した密着性に優れた光ディスクを得ることが可能とな
る。それに伴い、現行の真空蒸着法による成膜に比べ、
インライン化が可能になる、装置の所用スペースが小さ
くなるなど、生産コストを低減できる。
明により、メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング法
でアルミニウムまたはアルミニウム合金の反射膜を成膜
した密着性に優れた光ディスクを得ることが可能とな
る。それに伴い、現行の真空蒸着法による成膜に比べ、
インライン化が可能になる、装置の所用スペースが小さ
くなるなど、生産コストを低減できる。
Claims (3)
- 【請求項１】 メタクリル系樹脂基板上に、スパッタリ
ング法により、基板界面若しくはその近傍に、酸化され
たアルミニウム若しくはアルミニウム合金の金属反射膜
が形成され、または、第１層としてアルミニウム酸化膜
若しくはアルミニウム合金酸化膜及び第２層としてアル
ミニウム若しくはアルミニウム合金の金属反射膜が順次
形成されていることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 酸化されたアルミニウム若しくはアルミ
ニウム合金の金属反射膜又は、アルミニウム酸化膜若し
くはアルミニウム合金酸化膜を構成するアルミニウムと
酸素の原子比（酸素／アルミニウム）が０．４以上１．
３未満である請求項１記載の光ディスク。 - 【請求項３】 酸化されたアルミニウム若しくはアルミ
ニウム合金の金属反射膜又は、アルミニウム酸化膜若し
くはアルミニウム合金酸化膜の厚さが２０オングストロ
ーム以上１５０オングストローム以下である請求項１記
載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6131992A JPH087335A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6131992A JPH087335A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087335A true JPH087335A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15071029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6131992A Pending JPH087335A (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087335A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248333A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-14 JP JP6131992A patent/JPH087335A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248333A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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