JPH087635Y2 - TAB semiconductor device manufacturing equipment - Google Patents

TAB semiconductor device manufacturing equipment

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JPH087635Y2
JPH087635Y2 JP1990058399U JP5839990U JPH087635Y2 JP H087635 Y2 JPH087635 Y2 JP H087635Y2 JP 1990058399 U JP1990058399 U JP 1990058399U JP 5839990 U JP5839990 U JP 5839990U JP H087635 Y2 JPH087635 Y2 JP H087635Y2
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、TAB(Tape Automated Bonding)テープを
用いたTAB式半導体装置(以下、TAB式ICという)の製造
装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial field of application] The present invention relates to a manufacturing apparatus for a TAB semiconductor device (hereinafter referred to as a TAB IC) using a TAB (Tape Automated Bonding) tape.

[従来の技術] 従来よりTAB式ICは、例えば第3図に示すように、バ
ンプ電極2が形成された半導体ペレット1とTABテープ
3とよりなる。該TABテープ3は、例えば所定間隔で透
孔4aが穿孔された長尺のポリイミドフィルム4に銅箔5
をラミネートし、該銅箔5にボンディングワイヤに相当
する複数本のインナーリード6と対応するバンプ電極2
が形成されている。
[Prior Art] Conventionally, a TAB IC is composed of a semiconductor pellet 1 on which bump electrodes 2 are formed and a TAB tape 3 as shown in FIG. 3, for example. The TAB tape 3 includes, for example, a long polyimide film 4 having through holes 4a formed at predetermined intervals and a copper foil 5 on the polyimide film 4.
And the bump electrodes 2 corresponding to a plurality of inner leads 6 corresponding to bonding wires on the copper foil 5.
Are formed.

上記半導体ペレット1とTABテープ3とは、次のよう
な接続工程で電気的に接続される。即ち、この接続工程
では、各バンプ電極2にTABテープ3の対応するインナ
ーリード6を重ね合せ、例えば上方よりボンディングツ
ールで加圧しながら加熱して熱圧着する。ところで、上
記バンプ電極2の高いが低い(数10μm程度)ために、
切離した後のインナーリード6が半導体ペレット1や他
のバンプ電極2に接触することを防止する必要がある。
The semiconductor pellet 1 and the TAB tape 3 are electrically connected in the following connecting process. That is, in this connecting step, the corresponding inner leads 6 of the TAB tape 3 are superposed on each bump electrode 2 and heated and thermocompression-bonded from above, for example, while being pressed by a bonding tool. By the way, since the bump electrode 2 is high but low (about several tens of μm),
It is necessary to prevent the inner leads 6 that have been separated from coming into contact with the semiconductor pellet 1 and other bump electrodes 2.

そこで従来では、第4図に示すように、支持台9に半
導体ペレット1を支持した状態で、上方から弾性に富み
軟らかいシリコンゴム製パンチ10で押圧して、該パンチ
10が自身の弾性で凸状に変形しながら、インナーリード
6を段付状に加工するようにしている。このようにイン
ナーリード6が加工された状態の半導体ペレット1を樹
脂で被覆してTAB式ICが完成する。そして完成後のTAB式
ICのインナーリード6をユーザ側で切断した状態では、
インナーリード6の先端が半導体ペレット1の上方側へ
変形するように加工されている。そのため、切断された
インナーリード6が半導体ペレット1から遠ざかること
になり、インナーリード6が半導体ペレット1やそのバ
ンプ電極2に接触するおそれがなくなる。
Therefore, conventionally, as shown in FIG. 4, while the semiconductor pellet 1 is supported on the support base 9, the punch 10 is pressed from above by a soft and elastic silicon rubber punch 10 to make the punch.
The inner lead 6 is processed into a stepped shape, while the elastic deformation of the inner wire 10 makes it convex. In this way, the semiconductor pellet 1 in which the inner leads 6 are processed is covered with resin to complete the TAB IC. And the TAB formula after completion
When the inner lead 6 of the IC is cut by the user,
The tips of the inner leads 6 are processed so as to be deformed to the upper side of the semiconductor pellet 1. Therefore, the cut inner leads 6 are moved away from the semiconductor pellet 1, and there is no possibility that the inner leads 6 contact the semiconductor pellet 1 or the bump electrodes 2 thereof.

[考案が解決しようとする課題] しかしながら、上記パンチ10の下端面が平坦面である
ために、インナーリード6を押圧する際に、パンチ10の
下端面がインナーリード6上面に密着することになり、
加工後にパンチ10が上方へ戻るときにインナーリード6
を引張り上げてしまい、せっかく所望の状態に加工した
インナーリード6の形状が、符号6aで示すように変形を
起こしてしまうという問題がある。特に、長期にわたっ
て使用したパンチ10では、シリコンゴムが経時変化で粘
着性を増す性質があり、一層パンチ10とインナーリード
6とが密着しやすい。
[Problems to be Solved by the Invention] However, since the lower end surface of the punch 10 is a flat surface, when the inner lead 6 is pressed, the lower end surface of the punch 10 comes into close contact with the upper surface of the inner lead 6. ,
Inner lead 6 when punch 10 returns upward after processing
However, there is a problem that the shape of the inner lead 6 processed into a desired state is deformed as indicated by reference numeral 6a. In particular, in the punch 10 used for a long period of time, the silicone rubber has a property of increasing the adhesiveness with the lapse of time, and the punch 10 and the inner lead 6 are more easily brought into close contact with each other.

また変形しやすいシリコンゴム製のパンチ10で上記し
たようなインナーリード6の加工を繰返していると、や
がてパンチ10の下端面に凸状の段差が発生し、この段差
が順次移動するフィルム4のインナーリード6に一致し
ない場合には、インナーリード6をねじるように変形さ
せてしまい、所望の形状に加工できないという問題もあ
る。
When the inner lead 6 as described above is repeatedly processed by the punch 10 made of silicon rubber which is easily deformed, a convex step is formed on the lower end surface of the punch 10, and the step of the film 4 is sequentially moved. If the inner leads 6 do not match, the inner leads 6 are deformed so as to be twisted, and there is a problem in that they cannot be processed into a desired shape.

本考案は上記問題を解決するためになされたもので、
その目的は、シリコンゴム製のパンチでインナーリード
を所望の形状に加工するために、インナーリードがパン
チに密着して上方へ引上げられて変形することを防止で
きるTAB式半導体装置の製造装置を提供することにあ
る。
The present invention has been made to solve the above problems,
The purpose of the present invention is to provide a TAB type semiconductor device manufacturing apparatus capable of preventing the inner lead from being pulled up and deformed in close contact with the punch in order to process the inner lead into a desired shape with a punch made of silicon rubber. To do.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、本考案のTAB式半導体装置
の製造装置は、透孔を所定間隔で穿設してなるフィルム
上に積層した銅箔をエッチングして透孔内に延びるイン
ナーリードを形成したTABテープの透孔内に半導体ペレ
ットを配置し、半導体ペレット上の電極とインナーリー
ドとを接続したTAB式半導体装置のインナーリードを弾
性を有するパンチにて圧押し整形するTAB式半導体装置
の製造装置において、上記パンチの押圧面に凹部を形成
したことを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the TAB type semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention etches a copper foil laminated on a film having through holes formed at predetermined intervals. A semiconductor pellet is placed in the through hole of a TAB tape having an inner lead extending into the through hole, and the inner lead of a TAB type semiconductor device in which the electrode on the semiconductor pellet and the inner lead are connected is pressed by an elastic punch. In the TAB type semiconductor device manufacturing apparatus for press shaping, a recess is formed on the pressing surface of the punch.

[作用] 本考案のTAB式半導体装置の製造装置では、シリコン
ゴム製のパンチの押圧面がインナーリードを押圧加工す
る際には、まず凹部の周縁部がインナーリードに圧接し
た後に、更にパンチが下方に押し付けられることにより
凹部の中央部が凸状に突出して、インナーリードを所望
の形状に加工する。一方、加工後にパンチが復帰する際
には、凹部の周縁部がインナーリードを押圧したままの
状態で、凹部の中央部が先にインナーリードから順次に
離れて行く。このため、インナーリードの全面にパンチ
の押圧面が密着した状態でパンチが復帰することがなく
なり、一旦所望の形状に加工されたインナーリードをパ
ンチの戻り動作で変形させてしまうことが防止される。
[Operation] In the TAB type semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, when the pressing surface of the punch made of silicon rubber presses the inner lead, first, the peripheral edge of the recess is pressed against the inner lead, and then the punch is further pressed. When the inner lead is pressed downward, the center portion of the concave portion projects in a convex shape, and the inner lead is processed into a desired shape. On the other hand, when the punch returns after the processing, the central portion of the concave portion is gradually separated from the inner lead first while the peripheral portion of the concave portion is still pressing the inner lead. For this reason, the punch does not return with the pressing surface of the punch closely contacting the entire surface of the inner lead, and it is prevented that the inner lead once processed into a desired shape is deformed by the return movement of the punch. .

また上記パンチの押圧面に凹部が形成されているため
に、パンチの押圧面に凹部が形成されているために、パ
ンチを長期にわたって使用して、押圧加工を多数回繰返
しても、パンチの押圧面に凸状の癖がつくことが防止さ
れ、この凸状の癖に起因するインナーリードのねじれが
発生するおそれがなくなる。
Further, since the depression surface is formed on the pressing surface of the punch, the depression surface is formed on the pressing surface of the punch. It is possible to prevent the surface from being formed with a convex habit, and there is no possibility that the inner lead is twisted due to the convex habit.

[実施例] 以下、図面を参照して本考案の一実施例を説明する。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本考案の一実施例に係るTAB式半導体装置の
製造装置を示す斜視図である。本考案の製造装置が利用
される半導体装置は、既述のTAB式ICであり、半導体ペ
レット1とTAB式テープ3とで構成されている。該TABテ
ープ3は、長尺のポリイミドフィルム4に銅箔5をラミ
ネートし、透孔4a内に延びる複数本のインナーリード6
が該銅箔5に形成されている。上記TAB式ICの製造過程
においては、半導体ペレット1に形成されたバンプ電極
2に、TABテープ3側のインナーリード6を接続する。
この接続工程では、インナーリード6を、図示していな
いボンディングツールによって加圧加熱して接合一体化
する。そして後述するインナーリード6の押圧加工の後
に、接合部分は保護補強等のために図示していない樹脂
で被覆される。
FIG. 1 is a perspective view showing a TAB type semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. The semiconductor device in which the manufacturing apparatus of the present invention is used is the TAB type IC described above, and is composed of the semiconductor pellet 1 and the TAB type tape 3. The TAB tape 3 comprises a long polyimide film 4 laminated with a copper foil 5 and a plurality of inner leads 6 extending in the through holes 4a.
Are formed on the copper foil 5. In the manufacturing process of the TAB type IC, the inner lead 6 on the TAB tape 3 side is connected to the bump electrode 2 formed on the semiconductor pellet 1.
In this connecting step, the inner lead 6 is pressure-heated and bonded and integrated by a bonding tool (not shown). After the inner lead 6 is pressed as described later, the joint portion is covered with a resin (not shown) for protection and reinforcement.

本考案の特徴となるシリコンゴム製のパンチ10は、上
記バンプ電極2とインナーリード6との接合工程の後
に、インナーリード6を半導体ペレット1から遠ざける
ように押圧加工するものである。即ち、上記パンチ10は
押圧面であるその下端面を、凹部の一例である湾曲面11
に形成してある。この湾曲面11はその中央部12が最上面
になり、周縁部13に向かうにつれて次第に下方へなだら
かに下降して形成されている。該パンチ10は、半導体ペ
レット1を支持台9上に載置した状態で、昇降動作を繰
返し、パスライン上で順次に送られてくるインナーリー
ド6を押圧下降するようになっている。
The punch 10 made of silicon rubber, which is a feature of the present invention, is formed by pressing the inner lead 6 away from the semiconductor pellet 1 after the step of joining the bump electrode 2 and the inner lead 6. That is, the punch 10 has a lower end surface, which is a pressing surface, and a curved surface 11 that is an example of a concave portion.
It is formed on. The curved surface 11 is formed such that the central portion 12 is the uppermost surface, and the curved surface 11 gradually descends downward toward the peripheral edge portion 13. The punch 10 is configured to repeat the raising / lowering operation in a state where the semiconductor pellet 1 is placed on the support base 9, and press down the inner leads 6 sequentially sent on the pass line.

上記した湾曲面11を有するパンチ10によるTAB式ICの
製造は、第2図(イ)〜(ハ)に示すように行われる。
即ち、支持台9上の半導体ペレット1の各バンプ電極2
にTABテープ3に形成された対応するインナーリード6
を重ね合せ、例えば上方より図示しないボンディングツ
ールを下降させて加圧加熱してそろぞれを熱圧着して接
合一体とする。その後に、上記パンチ10を下降させる
と、まず第2図(イ)に示すように、湾曲面11の周縁部
13が先にインナーリード6に圧接する。そして第2図
(ロ)に示すように、更にパンチ10が下降すると、湾曲
面11はパンチ10自身の弾性で、中央部12が凸状に突出
し、インナーリード6はその先端部を半導体ペレット1
から遠ざけるような段付状に押圧加工される。このよう
にインナーリード6を所望の形状に整形、加工した後に
は、第2図(ハ)に示すように、パンチ10を上昇させ
る。このとき、パンチ10の湾曲面11は中央部12が先に持
ち上がってインナーリード6の上面から剥がれ、周縁部
13へ向かって順次に剥がれて行く。したがって、従来の
ようにインナーリード6の全面にパンチ10が密着したま
までパンチ10が上昇することはなく、パンチ10の上昇時
に、せっかく一旦加工されたインナーリード6がパンチ
10の下端面に貼り付いた状態でパンチ10と一緒に持ち上
げられて変形してしまうことが防止される。
The manufacture of the TAB type IC by the punch 10 having the curved surface 11 is performed as shown in FIGS.
That is, each bump electrode 2 of the semiconductor pellet 1 on the support 9
Corresponding inner lead 6 formed on TAB tape 3
Are superposed on each other, and a bonding tool (not shown) is lowered from above, for example, to apply pressure and heat to thermocompress each of them to form a united joint. After that, when the punch 10 is lowered, first, as shown in FIG.
13 first comes into pressure contact with the inner lead 6. Then, as shown in FIG. 2B, when the punch 10 is further lowered, the curved surface 11 is protruded by the elasticity of the punch 10 itself, and the central portion 12 is projected in a convex shape.
It is pressed into a stepped shape that keeps it away from. After shaping and processing the inner lead 6 into a desired shape in this manner, the punch 10 is raised as shown in FIG. At this time, in the curved surface 11 of the punch 10, the central portion 12 is first lifted and peeled off from the upper surface of the inner lead 6, and the peripheral edge portion
Peel off in sequence toward 13. Therefore, unlike the conventional case, the punch 10 does not rise while the punch 10 remains in close contact with the entire surface of the inner lead 6, and when the punch 10 rises, the inner lead 6 that has been processed once is punched.
It is prevented that the punch 10 is lifted together with the punch 10 and is deformed while being attached to the lower end surface of the punch 10.

この実施例のように湾曲面11を形成した場合には、パ
ンチ10の上昇に伴って中央部12から順次に湾曲面11がイ
ンナーリード6から剥がれて行くことになり、インナー
リード6の変形防止効果が一層促進される。また湾曲面
11の周縁部13が第2図(イ)のように先ずインナーリー
ド6の先端部を押えてからパンチ10がインナーリード6
を加工するので、加工途中にインナーリード6が移動せ
ず、加工精度が良好になる。しかも、該周縁部3は、全
周にわたって連続しているので、複数のインナーリード
6を有効に押えることができる。
When the curved surface 11 is formed as in this embodiment, the curved surface 11 is peeled off from the inner lead 6 sequentially from the central portion 12 as the punch 10 is raised, and the inner lead 6 is prevented from being deformed. The effect is further promoted. Also curved surface
As shown in FIG. 2 (a), the peripheral edge portion 13 of 11 first presses the tip portion of the inner lead 6 and then the punch 10 moves the inner lead 6
Since the inner lead 6 does not move during the machining, the machining accuracy is improved. Moreover, since the peripheral edge portion 3 is continuous over the entire circumference, it is possible to effectively press the plurality of inner leads 6.

また上記湾曲部11がパンチ10に形成されているため
に、パンチ10を長期にわたって使用して、インナーリー
ド6の押圧加工を多数回繰返しても、パンチ10の下端面
に凸状の癖が発生し難くなる。そのためパスラインに沿
って移動するTABテープ3のインナーリード6の位置が
正規の位置からズレている場合でも、上記凸状の癖に起
因してインナーリード6がねじれてしまうことを防止で
きる。
Further, since the curved portion 11 is formed on the punch 10, even if the punch 10 is used for a long period of time and the pressing process of the inner lead 6 is repeated many times, a convex habit is generated on the lower end surface of the punch 10. Hard to do. Therefore, even if the position of the inner lead 6 of the TAB tape 3 moving along the pass line is deviated from the normal position, the inner lead 6 can be prevented from being twisted due to the convex habit.

なお上記パンチの押圧面は、以上の一実施例のように
湾曲面11が形成されている場合に限らず、押圧面の周縁
部に適当な高さの環状あるいは島上の壁を設けて凹部を
形成することもできる。
Note that the pressing surface of the punch is not limited to the case where the curved surface 11 is formed as in the above-described embodiment, and a concave portion is provided by providing an annular or island-shaped wall of an appropriate height at the peripheral portion of the pressing surface. It can also be formed.

また、パンチ10は上下方向に屈曲かのうな可能な厚さ
に設定し、上端を凸面とし、インナーリードを押圧時に
先ず凸面を押圧して下端面の凹部中央部を下方に突出さ
せて押圧し、押圧完了後凸面の押圧を解除して下端中央
部を退入させてパンチ10を上昇させるようにしてもよ
い。
Further, the punch 10 is set to a thickness that allows bending in the vertical direction, the upper end is a convex surface, and when the inner lead is pressed, the convex surface is first pressed to press the central portion of the concave portion of the lower end surface downward, After the completion of pressing, the pressing of the convex surface may be released and the central portion of the lower end may be retracted to raise the punch 10.

[考案の効果] 以上説明したように、本考案のTAB式半導体装置の製
造装置では、インナーリードを所望の形状に加工したの
ちに、パンチが復帰する際には、凹部の周縁部がインナ
ーリードを押圧したままの状態で、凹部の中央部が先に
インナーリードから剥がれるので、インナーリードの全
面にパンチの押圧面が密着した状態でパンチが復帰する
ことがなくなり、一旦所望の形状に加工されたインナー
リードをパンチの戻り動作で変形させてしまうことを防
止できる。
[Effects of the Invention] As described above, in the TAB type semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, after the inner lead is processed into a desired shape, when the punch is restored, the peripheral edge of the recess is the inner lead. While pressing, the central part of the recess will be peeled off from the inner lead first, so the punch will not return with the pressing surface of the punch in close contact with the entire surface of the inner lead. Also, it is possible to prevent the inner lead from being deformed by the return movement of the punch.

また上記パンチに形成された凹部によって、パンチの
押圧面に凸状の癖がつくことを防止でき、この凸状の癖
に起因してインナーリードをねじれた状態に加工してし
まうことを防止できる。
In addition, the concave portion formed in the punch can prevent the pressing surface of the punch from having a convex habit, and can prevent the inner lead from being twisted due to the convex habit. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の一実施例に係るTAB式半導体装置の製
造装置を示す一部破断斜視図、第2図(イ)〜(ハ)は
いずれも、本考案の製造装置によるインナーリードの加
工状態を示す要部断面図、第3図は従来のインナーリー
ドの加工状態を示す一部破断斜視図、第4図は従来のイ
ンナーリードの加工状態を示す要部断面図である。 1……半導体ペレット、2……電極、3……TABテー
プ、4a……透孔、5……銅箔、6……インナーリード、
10……パンチ、11……凹部。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an apparatus for manufacturing a TAB type semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing a processed state of a conventional inner lead, and FIG. 4 is a sectional view of a main part showing a processed state of a conventional inner lead. 1 ... Semiconductor pellet, 2 ... Electrode, 3 ... TAB tape, 4a ... Through hole, 5 ... Copper foil, 6 ... Inner lead,
10 …… Punch, 11 …… Concave.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】透孔を所定間隔で穿設してなるフィルム上
に積層した銅箔をエッチングして透孔内に延びるインナ
ーリードを形成したTABテープの透孔内に半導体ペレッ
トを配置し、半導体ペレット上の電極とインナーリード
とを接続したTAB式半導体装置のインナーリードを弾性
を有するパンチにて圧押し整形するTAB式半導体装置の
製造装置において、 上記パンチの押圧面に凹部を形成したことを特徴とする
TAB式半導体装置の製造装置。
1. A semiconductor pellet is placed in a through hole of a TAB tape in which inner leads extending into the through hole are formed by etching a copper foil laminated on a film having through holes formed at predetermined intervals. In a TAB semiconductor device manufacturing apparatus in which an inner lead of a TAB semiconductor device in which an electrode on a semiconductor pellet and an inner lead are connected to each other is pressed and shaped by an elastic punch, a depression is formed on the pressing surface of the punch. Characterized by
TAB semiconductor device manufacturing equipment.
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