JPH087635Y2 - Tab式半導体装置の製造装置 - Google Patents

Tab式半導体装置の製造装置

Info

Publication number
JPH087635Y2
JPH087635Y2 JP1990058399U JP5839990U JPH087635Y2 JP H087635 Y2 JPH087635 Y2 JP H087635Y2 JP 1990058399 U JP1990058399 U JP 1990058399U JP 5839990 U JP5839990 U JP 5839990U JP H087635 Y2 JPH087635 Y2 JP H087635Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
punch
inner lead
tab
semiconductor device
device manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1990058399U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0415841U (ja
Inventor
啓司 柴田
Original Assignee
関西日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 関西日本電気株式会社 filed Critical 関西日本電気株式会社
Priority to JP1990058399U priority Critical patent/JPH087635Y2/ja
Publication of JPH0415841U publication Critical patent/JPH0415841U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH087635Y2 publication Critical patent/JPH087635Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、TAB(Tape Automated Bonding)テープを
用いたTAB式半導体装置(以下、TAB式ICという)の製造
装置に関する。
[従来の技術] 従来よりTAB式ICは、例えば第3図に示すように、バ
ンプ電極2が形成された半導体ペレット1とTABテープ
3とよりなる。該TABテープ3は、例えば所定間隔で透
孔4aが穿孔された長尺のポリイミドフィルム4に銅箔5
をラミネートし、該銅箔5にボンディングワイヤに相当
する複数本のインナーリード6と対応するバンプ電極2
が形成されている。
上記半導体ペレット1とTABテープ3とは、次のよう
な接続工程で電気的に接続される。即ち、この接続工程
では、各バンプ電極2にTABテープ3の対応するインナ
ーリード6を重ね合せ、例えば上方よりボンディングツ
ールで加圧しながら加熱して熱圧着する。ところで、上
記バンプ電極2の高いが低い(数10μm程度)ために、
切離した後のインナーリード6が半導体ペレット1や他
のバンプ電極2に接触することを防止する必要がある。
そこで従来では、第4図に示すように、支持台9に半
導体ペレット1を支持した状態で、上方から弾性に富み
軟らかいシリコンゴム製パンチ10で押圧して、該パンチ
10が自身の弾性で凸状に変形しながら、インナーリード
6を段付状に加工するようにしている。このようにイン
ナーリード6が加工された状態の半導体ペレット1を樹
脂で被覆してTAB式ICが完成する。そして完成後のTAB式
ICのインナーリード6をユーザ側で切断した状態では、
インナーリード6の先端が半導体ペレット1の上方側へ
変形するように加工されている。そのため、切断された
インナーリード6が半導体ペレット1から遠ざかること
になり、インナーリード6が半導体ペレット1やそのバ
ンプ電極2に接触するおそれがなくなる。
[考案が解決しようとする課題] しかしながら、上記パンチ10の下端面が平坦面である
ために、インナーリード6を押圧する際に、パンチ10の
下端面がインナーリード6上面に密着することになり、
加工後にパンチ10が上方へ戻るときにインナーリード6
を引張り上げてしまい、せっかく所望の状態に加工した
インナーリード6の形状が、符号6aで示すように変形を
起こしてしまうという問題がある。特に、長期にわたっ
て使用したパンチ10では、シリコンゴムが経時変化で粘
着性を増す性質があり、一層パンチ10とインナーリード
6とが密着しやすい。
また変形しやすいシリコンゴム製のパンチ10で上記し
たようなインナーリード6の加工を繰返していると、や
がてパンチ10の下端面に凸状の段差が発生し、この段差
が順次移動するフィルム4のインナーリード6に一致し
ない場合には、インナーリード6をねじるように変形さ
せてしまい、所望の形状に加工できないという問題もあ
る。
本考案は上記問題を解決するためになされたもので、
その目的は、シリコンゴム製のパンチでインナーリード
を所望の形状に加工するために、インナーリードがパン
チに密着して上方へ引上げられて変形することを防止で
きるTAB式半導体装置の製造装置を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、本考案のTAB式半導体装置
の製造装置は、透孔を所定間隔で穿設してなるフィルム
上に積層した銅箔をエッチングして透孔内に延びるイン
ナーリードを形成したTABテープの透孔内に半導体ペレ
ットを配置し、半導体ペレット上の電極とインナーリー
ドとを接続したTAB式半導体装置のインナーリードを弾
性を有するパンチにて圧押し整形するTAB式半導体装置
の製造装置において、上記パンチの押圧面に凹部を形成
したことを特徴としている。
[作用] 本考案のTAB式半導体装置の製造装置では、シリコン
ゴム製のパンチの押圧面がインナーリードを押圧加工す
る際には、まず凹部の周縁部がインナーリードに圧接し
た後に、更にパンチが下方に押し付けられることにより
凹部の中央部が凸状に突出して、インナーリードを所望
の形状に加工する。一方、加工後にパンチが復帰する際
には、凹部の周縁部がインナーリードを押圧したままの
状態で、凹部の中央部が先にインナーリードから順次に
離れて行く。このため、インナーリードの全面にパンチ
の押圧面が密着した状態でパンチが復帰することがなく
なり、一旦所望の形状に加工されたインナーリードをパ
ンチの戻り動作で変形させてしまうことが防止される。
また上記パンチの押圧面に凹部が形成されているため
に、パンチの押圧面に凹部が形成されているために、パ
ンチを長期にわたって使用して、押圧加工を多数回繰返
しても、パンチの押圧面に凸状の癖がつくことが防止さ
れ、この凸状の癖に起因するインナーリードのねじれが
発生するおそれがなくなる。
[実施例] 以下、図面を参照して本考案の一実施例を説明する。
第1図は本考案の一実施例に係るTAB式半導体装置の
製造装置を示す斜視図である。本考案の製造装置が利用
される半導体装置は、既述のTAB式ICであり、半導体ペ
レット1とTAB式テープ3とで構成されている。該TABテ
ープ3は、長尺のポリイミドフィルム4に銅箔5をラミ
ネートし、透孔4a内に延びる複数本のインナーリード6
が該銅箔5に形成されている。上記TAB式ICの製造過程
においては、半導体ペレット1に形成されたバンプ電極
2に、TABテープ3側のインナーリード6を接続する。
この接続工程では、インナーリード6を、図示していな
いボンディングツールによって加圧加熱して接合一体化
する。そして後述するインナーリード6の押圧加工の後
に、接合部分は保護補強等のために図示していない樹脂
で被覆される。
本考案の特徴となるシリコンゴム製のパンチ10は、上
記バンプ電極2とインナーリード6との接合工程の後
に、インナーリード6を半導体ペレット1から遠ざける
ように押圧加工するものである。即ち、上記パンチ10は
押圧面であるその下端面を、凹部の一例である湾曲面11
に形成してある。この湾曲面11はその中央部12が最上面
になり、周縁部13に向かうにつれて次第に下方へなだら
かに下降して形成されている。該パンチ10は、半導体ペ
レット1を支持台9上に載置した状態で、昇降動作を繰
返し、パスライン上で順次に送られてくるインナーリー
ド6を押圧下降するようになっている。
上記した湾曲面11を有するパンチ10によるTAB式ICの
製造は、第2図(イ)〜(ハ)に示すように行われる。
即ち、支持台9上の半導体ペレット1の各バンプ電極2
にTABテープ3に形成された対応するインナーリード6
を重ね合せ、例えば上方より図示しないボンディングツ
ールを下降させて加圧加熱してそろぞれを熱圧着して接
合一体とする。その後に、上記パンチ10を下降させる
と、まず第2図(イ)に示すように、湾曲面11の周縁部
13が先にインナーリード6に圧接する。そして第2図
(ロ)に示すように、更にパンチ10が下降すると、湾曲
面11はパンチ10自身の弾性で、中央部12が凸状に突出
し、インナーリード6はその先端部を半導体ペレット1
から遠ざけるような段付状に押圧加工される。このよう
にインナーリード6を所望の形状に整形、加工した後に
は、第2図(ハ)に示すように、パンチ10を上昇させ
る。このとき、パンチ10の湾曲面11は中央部12が先に持
ち上がってインナーリード6の上面から剥がれ、周縁部
13へ向かって順次に剥がれて行く。したがって、従来の
ようにインナーリード6の全面にパンチ10が密着したま
までパンチ10が上昇することはなく、パンチ10の上昇時
に、せっかく一旦加工されたインナーリード6がパンチ
10の下端面に貼り付いた状態でパンチ10と一緒に持ち上
げられて変形してしまうことが防止される。
この実施例のように湾曲面11を形成した場合には、パ
ンチ10の上昇に伴って中央部12から順次に湾曲面11がイ
ンナーリード6から剥がれて行くことになり、インナー
リード6の変形防止効果が一層促進される。また湾曲面
11の周縁部13が第2図(イ)のように先ずインナーリー
ド6の先端部を押えてからパンチ10がインナーリード6
を加工するので、加工途中にインナーリード6が移動せ
ず、加工精度が良好になる。しかも、該周縁部3は、全
周にわたって連続しているので、複数のインナーリード
6を有効に押えることができる。
また上記湾曲部11がパンチ10に形成されているため
に、パンチ10を長期にわたって使用して、インナーリー
ド6の押圧加工を多数回繰返しても、パンチ10の下端面
に凸状の癖が発生し難くなる。そのためパスラインに沿
って移動するTABテープ3のインナーリード6の位置が
正規の位置からズレている場合でも、上記凸状の癖に起
因してインナーリード6がねじれてしまうことを防止で
きる。
なお上記パンチの押圧面は、以上の一実施例のように
湾曲面11が形成されている場合に限らず、押圧面の周縁
部に適当な高さの環状あるいは島上の壁を設けて凹部を
形成することもできる。
また、パンチ10は上下方向に屈曲かのうな可能な厚さ
に設定し、上端を凸面とし、インナーリードを押圧時に
先ず凸面を押圧して下端面の凹部中央部を下方に突出さ
せて押圧し、押圧完了後凸面の押圧を解除して下端中央
部を退入させてパンチ10を上昇させるようにしてもよ
い。
[考案の効果] 以上説明したように、本考案のTAB式半導体装置の製
造装置では、インナーリードを所望の形状に加工したの
ちに、パンチが復帰する際には、凹部の周縁部がインナ
ーリードを押圧したままの状態で、凹部の中央部が先に
インナーリードから剥がれるので、インナーリードの全
面にパンチの押圧面が密着した状態でパンチが復帰する
ことがなくなり、一旦所望の形状に加工されたインナー
リードをパンチの戻り動作で変形させてしまうことを防
止できる。
また上記パンチに形成された凹部によって、パンチの
押圧面に凸状の癖がつくことを防止でき、この凸状の癖
に起因してインナーリードをねじれた状態に加工してし
まうことを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例に係るTAB式半導体装置の製
造装置を示す一部破断斜視図、第2図(イ)〜(ハ)は
いずれも、本考案の製造装置によるインナーリードの加
工状態を示す要部断面図、第3図は従来のインナーリー
ドの加工状態を示す一部破断斜視図、第4図は従来のイ
ンナーリードの加工状態を示す要部断面図である。 1……半導体ペレット、2……電極、3……TABテー
プ、4a……透孔、5……銅箔、6……インナーリード、
10……パンチ、11……凹部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】透孔を所定間隔で穿設してなるフィルム上
    に積層した銅箔をエッチングして透孔内に延びるインナ
    ーリードを形成したTABテープの透孔内に半導体ペレッ
    トを配置し、半導体ペレット上の電極とインナーリード
    とを接続したTAB式半導体装置のインナーリードを弾性
    を有するパンチにて圧押し整形するTAB式半導体装置の
    製造装置において、 上記パンチの押圧面に凹部を形成したことを特徴とする
    TAB式半導体装置の製造装置。
JP1990058399U 1990-05-31 1990-05-31 Tab式半導体装置の製造装置 Expired - Fee Related JPH087635Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990058399U JPH087635Y2 (ja) 1990-05-31 1990-05-31 Tab式半導体装置の製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990058399U JPH087635Y2 (ja) 1990-05-31 1990-05-31 Tab式半導体装置の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0415841U JPH0415841U (ja) 1992-02-07
JPH087635Y2 true JPH087635Y2 (ja) 1996-03-04

Family

ID=31583974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1990058399U Expired - Fee Related JPH087635Y2 (ja) 1990-05-31 1990-05-31 Tab式半導体装置の製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH087635Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0415841U (ja) 1992-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01106456A (ja) 半導体集積回路装置
US4616412A (en) Method for bonding electrical leads to electronic devices
JPH087635Y2 (ja) Tab式半導体装置の製造装置
US4415917A (en) Lead frame for integrated circuit devices
EP0488554A2 (en) Tab tape, tab tape package and method of bonding same
JP2606606B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003124396A (ja) 弾性電気接点
US4438181A (en) Electronic component bonding tape
US5359223A (en) Lead frame used for semiconductor integrated circuits and method of tape carrier bonding of lead frames
JP4379035B2 (ja) リードフレームの製造方法
JPH0730047A (ja) 半導体装置のリードフレーム並びにその製造装置及び方法
JPS61234060A (ja) 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法
JPH05267385A (ja) ワイヤーボンディング装置
JP2549343Y2 (ja) 半導体装置
JP2632768B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3097410B2 (ja) 電子部品の熱圧着装置
JP3009881B1 (ja) Tabテープへのエラストマー貼り付け装置
JP2636778B2 (ja) 半導体装置製造用金型
JP2632767B2 (ja) 積層型リードフレームおよびその製造方法
JP2943381B2 (ja) ボンディング方法
JP3296505B2 (ja) バンプ電極形成装置
JP2737714B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0528038U (ja) インナーリードボンダ
JP2801738B2 (ja) 半導体装置およびアウタリードボンディング方法
JPH1140613A (ja) 半導体装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees