JPH0876533A - 電子写真装置及び画像形成方法 - Google Patents

電子写真装置及び画像形成方法

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JPH0876533A
JPH0876533A JP7165922A JP16592295A JPH0876533A JP H0876533 A JPH0876533 A JP H0876533A JP 7165922 A JP7165922 A JP 7165922A JP 16592295 A JP16592295 A JP 16592295A JP H0876533 A JPH0876533 A JP H0876533A
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amount
electric field
image forming
forming method
field strength
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JP7165922A
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English (en)
Inventor
和夫 ▲吉▼永
Kazuo Yoshinaga
Yukio Nagase
幸雄 永瀬
Mamoru Tanaka
守 田中
Teigo Sakakibara
悌互 榊原
Yuichi Hashimoto
雄一 橋本
Hajime Miyazaki
元 宮崎
Yoshirou Kashizaki
好郎 樫▲崎▼
Masato Tanaka
正人 田中
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、原稿に応じて最も好ましい
解像度と階調性を有する画像を得ることのできる電子写
真装置及び画像形成方法を提供することにある。 【構成】 本発明は、電子写真感光体、該電子写真感光
体を帯電する帯電手段及び該帯電された電子写真感光体
に光ビームを照射することにより静電潜像を形成する露
光手段を有する電子写真装置において、該電子写真感光
体がインダクション量を有し、かつ帯電された電位によ
って生じる電界強度によりγが変化する電位特性を有
し、該帯電手段による該電子写真感光体の帯電電位が原
稿の解像度及び階調性から得られるデータに基づいて制
御されることを特徴とする電子写真装置及びこれらの手
段を用いた画像形成方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特定の電子写真感光体
を特定のプロセスで用いる電子写真装置及び画像形成方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】画像形成装置のなかで高速かつ低騒音プ
リンターとして、電子写真方式を採用したレーザービー
ムプリンターやLEDプリンターがある。その代表的な
用途は文字や図形等の画像を感光体にレーザービームや
発光ダイオードからの光を当てるか、当てないかで形成
する2値記録である。そして、一般には文字や図形等の
ように中間調の再生を必要としないものはプリンターの
構造も簡単にできるが、このようにな2値記録方式であ
っても中間調を表現できるプリンターがある。
【0003】かかるプリンターとしてはディザ法や濃度
パターン法等を採用したものがよく知られている。しか
し、周知のごとくディザ法や濃度パターン法等を採用し
たプリンターでは高解像度が得にくい。
【0004】そこで、近年、記録密度を低下させずに高
解像度で、各画素において中間調を形成する方式(PW
M方式)が提案されている。この方式は、画像信号によ
って、レーザービームを照射する時間を変調することに
より中間調画素形成を行うもので、この方式によれば高
解像度かつ高階調性の画像を形成でき、特に高解像度と
高階調性を必要とするカラー画像形成装置にはとくに適
している。この方式によると、1画素毎にビームスポッ
トにより形成されるドットの面積階調を行うことができ
るので、解像度を低下させることなく中間調を表現でき
る。
【0005】ところが、このPWM方式においても、更
に画像密度を上げていくと露光スポット径に対して画素
が相対的に小さくなるために階調を十分にとることが出
来なくなる傾向がある。一方で、階調性を保持したまま
解像度を向上するためには、露光スポット径をより小さ
くする必要がある。そのためには、例えばレーザーを用
いた走査光学系を使用するときにはレーザー光の波長を
短波長化することやf−θレンズのNA(開口率)を大
きくすること等が必要となる。しかしながら、このよう
な方法を用いると、高価なレーザーの使用、レンズやス
キャナーの大型化及び焦点深度の低下による要求される
機械精度の上昇等の理由から、装置の大型化やコスト上
昇は避け難い。また、LEDアレイや液晶シャッターア
レイ等の固体スキャナーにおいてもスキャナー自体の価
格の上昇、取り付け精度の上昇、電気駆動回路のコスト
上昇は避け難い。
【0006】以上の様な問題点が存在するにもかかわら
ず、近年、電子写真方式を用いた画像形成装置に要求さ
れる解像度や階調性はますます高度化している。
【0007】このような状況において、低露光量におい
て感度が小さく、露光量が増大するにつれて感度が上昇
するような特性を有する、即ち、インダクション量を有
する電子写真感光体を用いれば、照射スポットがその中
で強度分布を有するものに対して低露光量部分を除去
し、あたかも照射スポット径を小さくしたことと同様の
効果を得ることが可能であることが見い出された。この
ような感光体に対して強度分布を有する照射スポットを
走査するような画像形成装置によって、照射スポット径
以下の高解像度を安定に得ることが可能となった。しか
しながら、前記感光体は感度曲線において非常に大きな
γを有しており、露光量の変動や機械的な変動による変
化を敏感に反映し過ぎてしまうために階調再現性におい
ては十分な特性を有してはなかった。本発明者等は、低
露光量において感度の低い部分(インダクション部分)
の量(インダクション量)が感光体の表面電位によって
生じる電界強度に依存し、また、感光体のγも感光体の
表面電位によって生じる電界強度に依存する場合がある
ことを見い出し、本発明に至った。
【0008】なお、本発明におけるγは、図1あるいは
図2の露光量−電位曲線において、初期の帯電電位から
飽和感度における帯電電位までの電位の変化量を1とし
て、この値を飽和感度を与える露光量を1としたときの
前記電位の変化に必要な露光量で割った値と定義する。
例えば、図1中、感光体の表面電位が500Vである場
合、γ=(電位の変化量)/(変化に必要な露光量)=
1/(0.5/1.4)=2.8、表面電位が300V
である場合、γ=1/(0.6/1.2)=2.0、表
面電位が200Vである場合、γ=1/(0.64/
1.0)≒1.6である。これに対し、通常用いられて
いる電子写真感光体の特性はインダクション量を持って
おらず、また露光量−電位曲線が下に凸である(図7)
ことから、飽和感度を与える露光量を1としたときの電
位の変化に必要な露光量は常に1になるのでγも1とな
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、原稿
に応じて最も好ましい解像度と階調性を有する画像を得
ることのできる電子写真装置及び画像形成方法を提供す
ることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、電子写
真感光体、該電子写真感光体を帯電する帯電手段及び該
帯電された電子写真感光体に光ビームを照射することに
より静電潜像を形成する露光手段を有する電子写真装置
において、該電子写真感光体がインダクション量を有
し、かつ帯電された電位によって生じる電界強度により
γが変化する電位特性を有し、該帯電手段による該電子
写真感光体の帯電電位が原稿の解像度及び階調性から得
られるデータに基づいて制御されることを特徴とする電
子写真装置である。
【0011】また、本発明はこれらの手段を用いた画像
形成方法である。
【0012】図1にインダクション量を有し、帯電電位
によってγが変化する本発明の電子写真感光体の露光量
−電位曲線を示す。表面電位が500V、300V及び
200Vのときの露光量−電位曲線を示したが、インダ
クション量は電位減衰の直線部分の外挿して帯電電位と
の交点までの露光量として求められる。またγは前述の
ようにして求められる。また、感度を表すものとして初
期帯電電位が半分に減衰する露光量(1/2Vd)が用
いられる。インダクション量は電界強度が増加するに従
い増加し、1/2Vdも電界強度が増加するに従い増加
するが、1/2Vdの増加量はインダクション量の増加
量よりも小さいため帯電電位が増加するに従い、γは大
きくなる。従って、同一露光強度においては帯電電位を
高くすることで照射スポットによって形成される潜像の
解像度を向上することが可能となる。しかしながら、あ
る程度階調性の優れた記録を行うためには電界強度の絶
対値は50V/μm以下であることが好ましく、より好
ましくは40V/μm以下で用いられる。また、10V
/μm以下ではインダクション部分が小さくなってしま
うことから、解像度の向上が十分でなくなる傾向があ
る。より好ましくは15〜38V/μmで用いられる。
【0013】なお、本発明における電界強度は、感光体
の表面電位(V)を感光体が有する光導電層や下引層等
の絶縁性の高い層の厚さ(μm)で割った値である。例
えば、後述の実施例1における表面電位500Vの場合
の電界強度は、500/13≒38.5(V/μm)で
ある。
【0014】本発明におけるγは1.2〜8であること
が好ましい。1.2未満では照射光スポットに対して潜
像を高解像度化する効果が十分でなくなる傾向があり、
8を越えると露光量等の変動を敏感に反映し過ぎること
から階調再現性に問題を生じる。より好ましくは1.5
〜5である。
【0015】本発明においては、原稿が2値で記録され
ている、文字や図形等のみの場合は解像度を向上して記
録することが重要であることから、この限りではなく、
高い電界強度で、即ち、インダクション量が大きいγで
あることが好ましい。
【0016】また、本発明におけるγは、電界強度が1
V/μm変化したときに、0.01以上、0.5以下の
変化を示すことが好ましく、インダクション量は、飽和
感度に対して0.1%以上、20%以下の変化を示すも
のが好ましい。γの変化が0.01未満であったり、イ
ンダクション量の変化が0.1%未満であると、帯電電
位を変化させても特性を十分制御することが困難になる
ことがある。また、γの変化が0.5を越えたり、イン
ダクション量の変化が20%を越えると、単なる帯電電
位のゆらぎでも特性が変化し易くなり、均一な画像を得
にくくなることがある。電界強度が1V/μm変化した
ときのγ及びインダクション量の変化は、それぞれ0.
03〜0.3、及び0.5%〜5%であることが更に好
ましい。
【0017】このような特性を有する電子写真感光体は
代表的には光導電性顔料を絶縁性樹脂中に分散すること
により得られる。該顔料分散型電子写真感光体における
インダクション及びγの電界強度依存性が発現する機構
は次のように考えられる。
【0018】該光導電性顔料は電圧を印加された状態て
光照射されることにより電子と正孔に分離したキャリア
を発生する。このとき発生したキャリアの両方が十分な
移動度を有すると帯電による正孔もしくは電子と再結合
するために内部電界が変化し、インダクションは発生し
なくなってしまう。また、発生したキャリアの再結合の
ためにインダクション現象に必要なキャリアの蓄積が行
えない。
【0019】そこで、本発明においては、元々そのよう
な特性を示す材料を用いる場合は別として、電子もしく
は正孔の一方を捕獲し、再結合しないようにイオン化ポ
テンシャルの異なった化合物を顔料にドープするか、顔
料粒子の近傍に分散することが必要である。更に顔料粒
子は完全に孤立した状態ではなく、ある程度連続した擬
凝集状態である顔料粒子として分散する必要がある。
【0020】このような顔料粒子の分散状態にすると、
捕獲されないタイプのキャリアは連続している顔料粒子
中を帯電により発生した電界に沿って移動し、連続した
顔料粒子の末端で停止する。この末端の顔料粒子からは
キャリアの移動可能な別の顔料粒子まではある程度の距
離があるためにキャリアが蓄積し実質的なキャリアの移
動がなく電子写真感光体としての感度は生じない。この
現象がインダクションと呼ばれるものである。
【0021】つまり、本発明に用いられる光導電性顔料
には、電子または正孔のうち移動し易いキャリア(優先
キャリア)を速やかに移動させ、他方のキャリアを捕獲
するという特性が求められる。そこで、例えば銅フタロ
シアニンの場合、優先キャリアである正孔を速やかに移
動させるために純度の高い顔料を用い、また、電子を捕
獲するために顔料に電子捕獲性化合物をドープする。
【0022】そして、キャリアが蓄積し、そのキャリア
による内部電界が帯電による電界を上回るようになると
一部キャリアが連続した顔料粒子間を伝わって移動し、
帯電による電界強度を低下させる。帯電による電界強度
が低下すると蓄積されたキャリアはより移動し易くな
り、順次移動することで感度が生じる。もしくは連続し
た顔料粒子の末端からトンネル効果によりキャリアの移
動可能な連続した顔料へ移動することによっても同様に
感度を生じる。
【0023】このとき帯電電圧とインダクション量及び
γの関係は次のようになる。即ち、帯電電圧の絶対値が
大きいと電界強度は大きくなるので、それに打ち勝つた
めに必要なキャリアの量は多くなり、かつ、キャリアの
移動はトンネル効果によるものが主体となり、その結
果、インダクション量は大きくなる。また、この状態で
トンネル効果により一度キャリアの移動が生じると電界
が急速に低下し、この電界の低下により、残存したキャ
リアは移動可能となり、順次移動することで更に急速に
表面電位は低下するためγは大きくなる。逆に、帯電電
圧が小さいと電界強度も小さくなることから、電界強度
に打ち勝つのに必要なキャリアの量は少なくなり、イン
ダクション量は小さくなる。しかし、小さな電界強度で
はトンネル効果は発生しにくいために、キャリアの蓄積
による内部電界が帯電による電界強度を超えることによ
り、キャリアの移動は生じる。この場合には熱的に電位
差を乗り越えるキャリアは少量しか発生しないので、電
位の低下は緩やかになり、結果としてγは小さくなる。
【0024】従って、本発明の電子写真感光体において
は、帯電電圧によって生じる電界強度が増加するとイン
ダクション量は増加し、γも増加することとなる。
【0025】よって本発明においては、少なくとも電界
強度、さらには露光量を制御することにより、インダク
ション量が大きくγが大きい場合の高解像度を優先した
潜像や、インダクションが小さく、γが小さい場合のあ
る程度の高解像度と高階調性をバランスした潜像の両者
を得ることが可能となる。
【0026】図2に本発明の露光量−電位曲線を有する
感光体による強度分布を有する露光スポットをより高解
像度の潜像として記録する効果を図示した。高解像度の
潜像を得るための条件としてはインダクション量は露光
量分布のピーク強度の10%以上で用いられることが好
ましい。また、インダクション量は露光量分布のピーク
強度の80%を越えると露光量の微少な変動によって潜
像が形成されたり、されなかったりすることがある。
【0027】また、高階調性を実現するためには飽和感
度は露光量のピーク強度の80〜120%として用いる
ことが好ましい。
【0028】本発明の電子写真感光体は導電性基体上に
少なくとも光導電層を有する。
【0029】導電性基体としては基体自体が導電性を有
するもの、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、
銅、亜鉛、ステンレス、クロム、チタン、ニッケル、マ
グネシウム、インジウム、金、白金、銀及び鉄等を用い
ることが出来る。その他にアルミニウム、酸化インジウ
ム、酸化スズ及び金等を蒸着等によりプラスチック等の
誘電体基体に被膜形成したものや、導電性微粒子をプラ
スチックや紙に混合したもの等を用いることが出来る。
【0030】本発明においては、導電性基材と光導電層
の中間に、注入阻止機能と接着機能をもつ下引層を設け
ることもできる。下引層としてはカゼイン、ポリビニル
アルコール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸
コポリマー、ポリビニルブチラール、フェノール樹脂、
ポリアミド、ポリウレタン及びゼラチン等によって形成
することができる。下引層の膜厚は0.1μm〜10μ
mであることが好ましく、特には0.3μm〜3μmで
あることが好ましい。
【0031】光導電層としては感光体の状態でインダク
ション量を有しており、少なくとも電界強度によりγが
変化するものであれば用いることが可能である。その膜
厚は10〜30μmであることが好ましく、少なくとも
電荷発生材料を含有する電荷発生層と少なくとも電荷輸
送材料を含有する電荷輸送層からなる機能分離タイプの
ものや電荷発生と電荷輸送を同一の層で行う単層タイプ
が用いられる。
【0032】電荷発生材料としては、例えば、セレン−
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料及びシアニン系顔料等を用いる
ことができる。
【0033】電荷輸送材料としては、ポリ−N−ビニル
カルバゾール及びポリスチリルアントラセン等の複素環
や縮合多環芳香族を有する高分子化合物;ピラゾリン、
イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリ
アゾール及びカルバゾール等の複素環化合物;トリフェ
ニルメタン等のトリアリールアルカン誘導体;トリフェ
ニルアミン等のトリアリールアミン誘導体;及びフェニ
レンジアミン誘導体、N−フェニルカルバゾール誘導
体、スチルベン誘導体及びヒドラゾン誘導体等の低分子
化合物を用いることができる。
【0034】上記、電荷発生材料や電荷輸送材料は必要
に応じてバインダーポリマーに分散あるいは溶解して用
いられる。バインダーポリマーの例としては、スチレ
ン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル、フッ化ビニリデン及びトリフルオ
ロエチレン等のビニル化合物の重合体および共重合体;
ポリビニルアルコール;ポリビニルアセタール;ポリカ
ーボネート;ポリエステル;ポリスルホン;ポリフェニ
レンオキサイド;ポリウレタン;セルロース樹脂;フェ
ノール樹脂;メラミン樹脂;ケイ素樹脂及びエポキシ樹
脂等が挙げられる。
【0035】以上のなかで本発明の電子写真感光体の光
導電材料として特に好ましいものとしては、優先キャリ
アが正孔である場合にはp型半導体に電子捕獲性化合物
をドープしたものが用いられる。また、優先キャリアが
電子である場合にはn型半導体に正孔捕獲性化合物をド
ープしたものが用いられる。特に好ましいp型半導体と
してはフタロシアニン化合物があり、銅フタロシアニ
ン、チタニルフタロシアニン及びハイドロキシガリウム
フタロシアニン等があり、ドープする電子捕獲性化合物
として前述のフタロシアニン化合物のニトロ化物やハロ
ゲン化物等が用いられる。また、特に好ましいn型半導
体としてジスアゾ化合物、トリスアゾ化合物、酸化亜鉛
及びCds等があり、ドープする正孔捕獲性化合物とし
てトリフェニルアミン系化合物等が用いられる。
【0036】光導電層には前記化合物以外にも機械的特
性の改良や耐久性向上のために添加剤を用いることがで
きる。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線
吸収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤及び導電性制御剤等
が挙げられる。
【0037】図3に本発明の電子写真装置を示すととも
に、以下に簡単に説明する。
【0038】まず、原稿台10上に原稿Gを複写すべき
面を下側にしてセットする。次にコピーボタンを押すこ
とにより複写が開始される。原稿照射用ランプ、短焦点
レンズアレイ、CCDセンサーが一体の読取りユニット
9が原稿を照射しながら走査することにより、その照射
走査光が、短焦点レンズアレイによって結像されてCC
Dセンサーに入射される。CCDセンサーは受光部、転
送部及び出力部より構成されている。CCD受光部にお
いて光信号が電気信号に変換され、転送部でクロックパ
ルスに同期して順次出力部へ転送され、出力部において
電荷信号を電圧信号に変換し、増幅、低インピーダンス
化して出力する。このようにして得られたアナログ信号
をデジタル信号に変換し、コントローラー11で更に原
稿の画像特性に応じて解像度、階調性を最適化する画像
処理を行って出力するためのデジタル信号に変換してプ
リンター部に送り、帯電手段3、更には現像手段4及び
レーザー走査部12を制御する。コンピュータ等から出
力する場合には解像度、階調再現方法等を選択して望ま
しい画像が得られるように処理し変換してプリンター部
に送られる。プリンター部においては、上記の画像信号
を受けて以下のようにして複写画像を形成する。なお、
本発明における原稿が、本や写真等だけではなく、電気
的な画像データをも包含することはいうまでもない。
【0039】本発明の感光体1は、中心支軸を中心に所
定の周速度で回転駆動され、その回転過程に帯電手段3
により所定の電圧の正極性または負極性の一様な帯電処
理を受ける。該電子写真感光体への印加電圧は、前記の
CCD受光部から得られたアナログ信号をデジタル信号
に変換して原稿の画像特性を求めるときに得られた文字
等の2値画像か写真等の階調画像かのデータに基づき制
御される。
【0040】この際、高い解像度が求められる場合に
は、大きなγ、更には大きなインダクション量を利用す
るために、絶対値の大きい電圧を印加するように帯電手
段を制御し、豊かな階調性が求められる場合には、小さ
なγ、更には小さなインダクション量を利用するため
に、絶対値の小さい電圧を印加するように帯電手段を制
御する。例えば、原稿が文字等の2値画像が主体であれ
ば、その解像度に応じて絶対値の大きい電圧を印加し、
階調画像が主体であれば、絶対値の小さい電圧を印加す
るように前記帯電手段3は制御される。また、2値画像
と階調画像が混在している場合にはその特性に応じて本
発明の感光体のインダクション量とγを最適化するよう
に印加する電圧を制御する。加えて、本発明において
は、原稿のデータに基づく印加電圧の制御を種々設定す
ることにより、原稿を様々に加工した出力画像を得るこ
ともできる。
【0041】本発明においては、原稿ごとの解像度及び
階調性のデータに基づいて印加電圧を制御することがで
きるのは勿論のこと、原稿において2値画像部分と階調
画像部分が領域として明確にかつ十分な面積で区別され
る場合はそれぞれの領域に対して印加電圧を変化される
ことも可能である。また、2値画像と階調が更に混在し
ている場合でも、帯電手段を選択することにより、画像
の変化に応じて印加電圧を変化させることも可能であ
る。
【0042】本発明に用いられる帯電手段としてはコロ
ナ帯電器、ローラ帯電器、ブラシ帯電器、磁気ブラシ帯
電器及びブレード帯電器等が挙げられる。
【0043】前述の感光体帯電面に画像信号に対応して
ON,OFF発光される固体レーザー素子の光を高速で
回転する回転多面鏡によって走査することにより感光体
1面には、原稿画像に対応した静電潜像が順次に形成さ
れていく。
【0044】図4は、前記の装置においてレーザー光を
走査するレーザー走査部300の概略機構を示すもので
ある。このレーザー走査部300(図3中の12に相
当)によりレーザー光を走査する場合には、まず入力さ
れた画像信号に基づき発光信号発生器301により、固
体レーザー素子302かに放射されたレーザー光は、コ
リメーターレンズ系303により概略平行な光束に変換
され、更に矢印b方向に回転する回転多面鏡304によ
り走査されるとともにf−θレンズ群305a、305
b及び305cにより感光体等の被走査面306にスポ
ット状に結像される。このようなレーザー光の走査によ
り被走査面306上には画像一走査分の露光分布が形成
され、該被走査面306を前記走査方向とは垂直に所定
量だけスクロールさせれば、該被走査面306上に画像
信号に応じた露光分布が得られる。
【0045】本実施例においては、レーザーPWM方式
(パルス幅変調)を用いて、1画素の面積階調による多
値記録も行ったため、PWM方式について簡単に説明す
る。
【0046】図5はパルス幅変調回路の1例を示す回路
ブロック図、図6はパルス幅変調回路の動作を示すタイ
ミングチャートである。
【0047】図5において401は8ビットのデジタル
画像信号をラッチするTTLラッチ回路、402はTT
L論理レベルをECL論理レベルに変換する高速レベル
変換器、403はECL論理レベルをアナログ信号に変
換する高速D/Aコンバーターである。404はPWM
信号を発生するECLコンパレーター、405はECL
論理レベルをTTL論理レベルに変換するレベル変換
器、406はクロック信号2fを発振するクロック発振
器、407はクロック信号2fに同期して略理想的三角
波信号を発生する三角波発生器、408はクロック信号
2fを1/2分周して画像クロック信号fを作成してい
る1/2分周器である。これによりクロック信号2fは
画像クロック信号fの2倍の周期を有していることとな
る。なお、回路を高速動作させるために、随所にECL
論理回路を配している。
【0048】かかる構成からなる回路動作を図6のタイ
ミングチャートを参照して説明する。信号(a)はクロ
ック信号2f、信号(b)は画像クロック信号fを示し
ており、図示のごとく画像信号と関係づけてある。ま
た、三角波発生器内部においても、三角波信号のデュー
ティー比を50%に保つために、クロック信号2fをい
ったん1/2分周してから三角波信号(c)を発生させ
ている。更に、この三角波信号(c)はECLレベルに
変換されて三角波信号(d)になる。
【0049】一方、画像信号は00h(白)〜FFh
(黒)まで256階調レベルで変化する。尚、記号
“h”は16進数表示を示している。そして画像信号
(e)はいくつかの画像信号値についてそれらをD/A
変換したECL電圧レベルを示している。例えば、第1
画素は黒画素レベルのFFh、第2画素は中間調レベル
の80h、第3画素は中間調レベルの40h、第4画素
は中間調レベルの20hの各電圧を示している。コンパ
レーターは三角波信号(d)と画像信号(e)を比較す
ることにより、形成すべき画素濃度に応じたパルス幅
T、t2 、t3 、t4 、等のPWM信号を発生する。そ
してこのPWM信号は、0Vまたは5VのTTLレベル
に変換されてPWM信号(f)になりレーザードライバ
回路に入力される。このようにして得られたPWM信号
値に対応して1画素あたりの露光時間を変化させること
により1画素で最大256階調を得ることが可能とな
る。
【0050】本実施例はPWM方式による階調制御を用
いたが、ディザ法等の面積階調法やレーザー光強度変調
を用いることも可能であり、更に、それらを組み合わせ
てもよい。このようにして、感光体1に形成された静電
潜像は現像手段4により現像され、形成されたトナー像
は、転写帯電手段7によって転写材上に静電転写され
る。その後、転写材は分離帯電手段8によって静電分離
されて定着手段6へと搬送され、熱定着された複写画像
が出力される。
【0051】一方、トナー像転写後の感光体1の面はク
リーニング手段5によって転写残りトナー等の付着汚染
物の除去を受けて、更に前露光手段2により電気的にク
リーニングを受けた後、繰り返し画像形成に使用され
る。
【0052】以下の実施例は上記本発明の電子写真装置
を用いて行った。本装置には680nm、35mWの半
導体レーザーを用いた。このレーザー光の感光体上での
スポット径は1/e2 で60μmであった。また、PW
M方式を用いて階調記録を行い、出力した画像から最小
解像スポット径を測定し、階調濃度の再現性を目視にて
評価した。なお、トナーとしては平均粒径8μmの非磁
性黒色トナーを用い、2成分接触現像で、現像バイアス
Vdcは感光体の帯電電位Vdと|Vd−Vde|=5
0(V)となるように制御した。
【0053】
【実施例】
実施例1〜3及び比較例1及び2 Cuフタロシアニンに対して3重量%のテトラニトロ銅
フタロトアニンをドープして作成した特殊α型Cuフタ
ロシアニン顔料1重量部に対してポリエステル−メラミ
ン混合熱硬化樹脂(三井東圧(株)製、アルマテックス
P645/ユーバン20S)固形分4重量部とシクロヘ
キサノン20重量部を加えた溶液をペイントシェーカー
にて分散した。この分散液を、切削加工した80mmφ
のアルミニウムシリンダーに浸漬コーティング法により
塗布し、150℃で1時間乾燥することによって、膜厚
13μmの光導電層を有する電子写真感光体を得た。こ
の電子写真感光体について測定した露光量−電位曲線を
図1に示す。図からもわかるように500Vの帯電電位
(電界強度38.5V/μm)におけるインダクション
量は0.9μJ/cm2 であり、γは2.8であった。
【0054】その結果レーザースポットの1/e2 径内
の露光量を0.8μJ/cm2 として露光したときの感
光体上のトナー像の最小解像径は約25μmであり、P
WM法による階調再現性も良好であった。
【0055】また、更に、電子写真感光体の帯電電位を
変化させ、レーザーの強度を感光体の飽和感度の100
%とした以外は実施例1と同様にして行った実施例2及
び3、及び比較例1及び2の画像評価の結果を表1に示
す。
【0056】比較例3及び4 80φ×360mmのアルミニウムシリンダーを導電性
基体とし、この上にポリアミド樹脂(商品名:アミラン
CM−8000、東レ製)の5%メタノール溶液を浸漬
法で塗布し、乾燥することによって、膜厚1μmの下引
層を設けた。
【0057】次に、オキシチタニウムフタロシアニンを
10重量部、ポリビニルアセタール樹脂(商品名:エス
レックBX−1,積水化学製)10重量部及びシクロヘ
キサノン100重量部を混合した溶液を1φガラスビー
ズを用いたサンドミル装置で3時間分散した。この分散
液に酢酸エチル100重量部を加え、上記下引層上に塗
布し、100℃で10分間乾燥することによって、膜厚
0.15μmの電荷発生層を形成した。
【0058】この電荷発生層の上に、4−N,N−ジエ
チルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン90
重量部とポリカーボネート樹脂(三菱化成工業製、ノバ
レックス)100重量部をクロロベンゼンに溶解した溶
液を塗布し、120℃で1時間乾燥することによって膜
厚22μmの電荷輸送層を積層し、機能分離タイプの電
子写真感光体を得た。
【0059】得られた電子写真感光体に−700Vの帯
電を行い、露光量−電位曲線を測定したところ、インダ
クション量は0μJ/cm2 であり、γは1であった。
【0060】この感光体を用いた以外は実施例1と同様
にして得られた画像を評価したところ、最小解像径は約
45μmであり、階調再現性はハイライト部で不良であ
った。
【0061】上記の感光体を用いて帯電電位を−500
Vに変えた場合の結果を比較例4として表1に示す。
【0062】
【表1】
【0063】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、原稿に
応じて最も好ましい解像度と階調性を得ることのできる
電子写真装置及び画像形成方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子写真感光体の露光量−電位曲線を
示す図である。
【図2】本発明の電子写真感光体の露光量−電位曲線と
スポット光の露光量分布と、得られる潜像電位の関係の
例を示すグラフである。
【図3】本発明の電子写真装置の概略構成を示す図であ
る。
【図4】本発明のレーザー光走査部の概略図である。
【図5】本発明のレーザー光を制御するためのパルス幅
変調回路の回路ブロック図である。
【図6】本発明のレーザー光を制御するためのパルス幅
変調回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図7】一般的な電子写真感光体の露光量−電位曲線を
示す図である。
【符号の説明】 1 本発明の電子写真感光体 2 前露光手段 3 帯電手段 4 現像手段 5 クリーニング手段 6 定着手段 7 転写帯電手段 8 分離帯電手段 9 読取りユニット 10 原稿台 11 コントローラー 12 レーザー走査部 300 レーザー走査部 301 発光信号発生器 302 固体レーザー素子 303 コリメーターレンズ 304 回転多面鏡 305a f−θレンズ 305b f−θレンズ 305c f−θレンズ 306 被走査面 401 TTLラッチ回路 402 高速レベル変換器 403 高速D/Aコンバーター 404 ECLコンパレーター 405 レベル変換器 406 クロック信号発信器 407 三角波発生器 408 1/2分周器 409 レーザードライバ回路 500 半導体レーザー a クロック信号 b 画像クロック信号 c 三角波信号 d 三角波信号 e 画像信号 f PWM信号 g 発光波形
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03G 15/043 15/04 (72)発明者 榊原 悌互 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 橋本 雄一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 宮崎 元 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 樫▲崎▼ 好郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 田中 正人 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子写真感光体、該電子写真感光体を帯
    電する帯電手段及び該帯電された電子写真感光体に光ビ
    ームを照射することにより静電潜像を形成する露光手段
    を有する電子写真装置において、 該電子写真感光体がインダクション量を有し、かつ帯電
    された電位によって生じる電界強度によりγが変化する
    電位特性を有し、 該帯電手段による該電子写真感光体の帯電電位が原稿の
    解像度及び階調性から得られるデータに基づいて制御さ
    れることを特徴とする電子写真装置。
  2. 【請求項2】 γが1.2〜8である請求項1記載の電
    子写真装置。
  3. 【請求項3】 γが1.5〜5である請求項2記載の電
    子写真装置。
  4. 【請求項4】 γの変化量が電界強度1(V/μm)に
    対し、0.01〜0.5である請求項1乃至3記載の電
    子写真装置。
  5. 【請求項5】 γの変化量が電界強度1(V/μm)に
    対し、0.03〜0.3である請求項4記載の電子写真
    装置。
  6. 【請求項6】 電界強度の絶対値が大きくなるに従いγ
    も大きくなる請求項1乃至5記載の電子写真装置。
  7. 【請求項7】 電界強度の絶対値が10〜50(V/μ
    m)である請求項1乃至6記載の電子写真装置。
  8. 【請求項8】 電界強度の絶対値が15〜38(V/μ
    m)である請求項7記載の電子写真装置。
  9. 【請求項9】 インダクション量が光ビームの露光量分
    布のピーク強度の10〜80%である請求項1乃至8記
    載の電子写真装置。
  10. 【請求項10】 インダクション量も帯電された電位に
    よって生じる電界強度により変化する請求項1乃至9記
    載の電子写真装置。
  11. 【請求項11】 インダクション量の変化量が電界強度
    1(V/μm)に対し、飽和感度の0.1〜20%であ
    る請求項10記載の電子写真装置。
  12. 【請求項12】 インダクション量の変化量が電界強度
    1(V/μm)に対し、飽和感度の0.5〜5%である
    請求項11記載の電子写真装置。
  13. 【請求項13】 電界強度の絶対値が大きくなるに従い
    インダクション量も大きくなる請求項10乃至12の電
    子写真装置。
  14. 【請求項14】 制御が解像度を高めるときに電子写真
    感光体の帯電電位の絶対値を大きくするような制御であ
    る請求項6または13記載の電子写真装置。
  15. 【請求項15】 制御が階調性を豊かにするときに電子
    写真感光体の帯電電位の絶対値を小さくするような制御
    である請求項6または13記載の電子写真装置。
  16. 【請求項16】 露光手段がパルス幅変調方式である請
    求項1乃至15記載の電子写真装置。
  17. 【請求項17】 電子写真感光体を帯電する帯電工程及
    び該帯電された電子写真感光体に光ビームを照射するこ
    とにより静電潜像を形成する露光工程を有する画像形成
    方法において、 該電子写真感光体がインダクション量を有し、かつ帯電
    された電位によって生じる電界強度によりγが変化する
    電位特性を有し、 該帯電工程による該電子写真感光体の帯電電位が原稿の
    解像度及び階調性から得られるデータに基づいて制御さ
    れることを特徴とする画像形成方法。
  18. 【請求項18】 γが1.2〜8である請求項17記載
    の画像形成方法。
  19. 【請求項19】 γが1.5〜5である請求項18記載
    の画像形成方法。
  20. 【請求項20】 γの変化量が電界強度1(V/μm)
    に対し、0.01〜0.5である請求項17乃至19記
    載の画像形成方法。
  21. 【請求項21】 γの変化量が電界強度1(V/μm)
    に対し、0.03〜0.3である請求項20記載の画像
    形成方法。
  22. 【請求項22】 電界強度の絶対値が大きくなるに従い
    γも大きくなる請求項17乃至21記載の画像形成方
    法。
  23. 【請求項23】 電界強度の絶対値が10〜50(V/
    μm)である請求項17乃至22記載の画像形成方法。
  24. 【請求項24】 電界強度の絶対値が15〜38(V/
    μm)である請求項23記載の画像形成方法。
  25. 【請求項25】 インダクション量が光ビームの露光量
    分布のピーク強度の10〜80%である請求項17乃至
    24記載の画像形成方法。
  26. 【請求項26】 インダクション量も帯電された電位に
    よって生じる電界強度により変化する請求項17乃至2
    5記載の画像形成方法。
  27. 【請求項27】 インダクション量の変化量が電界強度
    1(V/μm)に対し、飽和感度の0.1〜20%であ
    る請求項26記載の画像形成方法。
  28. 【請求項28】 インダクション量の変化量が電界強度
    1(V/μm)に対し、飽和感度の0.5〜5%である
    請求項27記載の画像形成方法。
  29. 【請求項29】 電界強度の絶対値が大きくなるに従い
    インダクション量も大きくなる請求項26乃至28の画
    像形成方法。
  30. 【請求項30】 制御が解像度を高めるときに電子写真
    感光体の帯電電位の絶対値を大きくするような制御であ
    る請求項22または29記載の画像形成方法。
  31. 【請求項31】 制御が階調性を豊かにするときに電子
    写真感光体の帯電電位の絶対値を小さくするような制御
    である請求項22または29記載の画像形成方法。
  32. 【請求項32】 露光工程がパルス幅変調方式である請
    求項17乃至31記載の画像形成方法。
JP7165922A 1994-06-30 1995-06-30 電子写真装置及び画像形成方法 Pending JPH0876533A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806895B2 (en) * 2001-01-26 2004-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for an electrophotographic printer where voltage magnitude applied to charge roller and intensity of illumination unit vary depending on type of print job submitted

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6806895B2 (en) * 2001-01-26 2004-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for an electrophotographic printer where voltage magnitude applied to charge roller and intensity of illumination unit vary depending on type of print job submitted

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