JPH087683Y2 - マイクロ波帯増幅器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はマイクロ波帯増幅器に関し、特に出力インタ
フェイスが導波管構成とされたマイクロ波帯増幅器に関
する。

〔従来の技術〕

マイクロ波帯増幅器において、高出力電力を得るため
に、前後を90°ハイブリッドにより多段並列に接続する
構成がある。この場合、出力電力を合成する電力合成器
は、特に低損失であることが要求されるため、導波管に
よる電力合成器がしばしば使用されている。このため、
マイクロ波帯増幅器の出力インタフェイスを導波管にす
る必要があり、出力側に同軸−導波管変換器が用いられ
ていた。

第３図及び第４図は従来の増幅器の一例であり、第３
図は平面図、第４図は縦断面図である。これらの図にお
いて、１は内部整合回路付トランジスタ、2,3はそれぞ
れ入力側，出力の各誘電体基板であり、各誘電体基板に
はそれぞれ入力側バイアス供給回路7,出力側バイアス供
給回路８を形成している。そして、前記トランジスタ１
と各誘電体基板2,3を金属キャリア4Aに搭載し、トラン
ジスタ１の入力端子，出力端子にそれぞれ直列に誘電体
基板2,3を接続している。

また、前記金属キャリア4Aの一端には同軸−導波管変
換器６を一体的に設け、そのアンテナ７に前記出力側誘
電体基板３を接続している。

なお、９はRF入力インタフェイスである。

〔考案が解決しようとする課題〕

この構成では、内部整合回路付トランジスタ１にバイ
アスを供給するために、入力側及び出力側では共にバイ
アス供給回路７及び８を備えた誘電体基板２及び３をそ
れぞれ接続している。ところが、これら誘電体基板２及
び３は周波数が高くなるにつれて挿入損失が非常に大き
くなり、特に出力側の誘電体基板３の挿入損失が大きく
なり、高出力，高効率のマイクロ波帯増幅器を実現する
上で大きな支障となっている。また、これらの誘電体基
板2,3を設けることにより、金属キャリア4Aもこれに対
応させて大きくする必要があり、形状，重量が大きくな
るという問題がある。

本考案は誘電体基板の挿入損失を低減するとともに、
小型化，軽量化を可能にしたマイクロ波帯増幅器を提供
することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本考案のマイクロ波帯増幅器は、金属キャリア上に搭
載された内部整合回路付トランジスタの入力端子には高
周波入力端子との間に金属キャリア上に搭載されて入力
側バイアス回路を形成した入力側誘電体基板を接続し、
またトランジスタの出力端子には金属キャリアの平面と
直交する方向に導波管内に突出配置された同軸−導波管
変換器のアンテナを直接接続するとともに、導波管のト
ランジスタ側の外側の立壁面に搭載されて出力側バイア
ス回路を形成した出力側誘電体基板を接続した構成とし
ている。

〔作用〕

この構成では、トランジスタの出力端子と同軸−導波
管変換器との間に出力側誘電体基板を介挿状態に接続す
る必要はなく、この出力側誘電体基板による挿入損失を
低減し、かつこれらトランジスタや誘電体基板を搭載す
るキャリアを小型化して増幅器の小型化，軽量化を実現
する。

〔実施例〕

次に、本考案を図面を参照して説明する。

第１図及び第２図は本考案のマイクロ波帯増幅器の一
実施例を示しており、第１図は平面図、第２図はその縦
断面図である。これらの図において、１は内部整合回路
付トランジスタであり、入力側誘電体基板２と共に金属
キャリア４上に搭載されている。この金属キャリア４の
出力側には同軸−導波管変換器５を一体に取着してお
り、この同軸−導波管変換器５内に突出されたアンテナ
６には前記トランジスタ１の出力端子を直接接続してい
る。また、この同軸−導波管変換器５の一側面には出力
側の誘電体基板３を支持させている。

そして、前記入力側誘電体基板２には入力側バイアス
供給回路７を形成し、この入力側バイアス供給回路７を
介して前記トランジスタ１の入力端子を高周波入力イン
タフェイス９に接続している。また、出力側誘電体基板
３には出力側バイアス供給回路８を形成し、前記トラン
ジスタ１のアンテナ６に接続された出力端子に接続して
いる。

ここで、前記内部整合回路付トランジスタ１は、パッ
ケージ内部の整合回路により入出力インピーダンスとも
50Ωに整合がとれているため、外部に整合回路を設ける
必要がなく、特に出力側誘電体基板３はバイアス供給の
ためのみに用いればよい。したがって、この実施例では
出力側バイアス供給回路８、即ち出力側誘電体基板３を
トランジスタ１の出力端子に接続した構成としている。

この構成によれば、内部整合回路付トランジスタ１の
出力端子側では、単にバイアスを供給する目的で出力端
子に出力側誘電体基板３を接続しているため、この出力
側誘電体基板３をアンテナ６との間に介挿する必要はな
い。したがって、出力側誘電体基板３は同軸−導波管変
換器５の側面に配設した状態でトランジスタ１の出力端
子に接続してもよく、この出力側誘電体基板３を出力端
子とアンテナ６との間に介挿することによる挿入損失を
低減することが可能となる。これにより、特に高い周波
数における高出力，高効率のマイクロ波帯増幅器を実現
することができる。

また、同時にトランジスタ１と同軸−導波管変換器５
との間の寸法を低減でき、マイクロ波増幅器の小型化，
軽量化を図ることも可能となる。

〔考案の効果〕

以上説明したように本発明は、内部整合回路付トラン
ジスタの出力端子には同軸−導波管変換器のアンテナを
接続するとともに、出力側バイアス回路を形成した出力
側誘電体基板を接続しているので、トランジスタの出力
端子と同軸−導波管変換器との間に出力側誘電体基板を
介挿状態に接続する必要はなく、この出力側誘電体基板
による挿入損失を低減して増幅器の高出力化，高効率化
が実現できる。

また、出力側誘電体基板の介挿状態を解消すること
で、トランジスタや誘電体基板を搭載するキャリアを小
型化でき、増幅器の小型化，軽量化が実現できる効果が
ある。

更に、本考案では、トランジスタの出力端子に同軸−
導波管変換器のアンテナが直接に接続され、かつ出力側
誘電体基板は金属キャリアに対して直交する導波管の外
側の立面に搭載されるので、トランジスタと導波管との
間に出力側誘電体基板を平面配置するためのスペースが
不要となり、平面寸法を低減して増幅器の小型化を促進
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の平面図、第２図は第１図の
縦断面図、第３図は従来のマイクロ波帯増幅器の平面
図、第４図は第３図の縦断面図である。 １…内部整合回路付トランジスタ、２…入力側誘電体基
板、３…出力側誘電体基板、4,4A…金属キャリア、５…
同軸−導波管変換器、６…アンテナ、７…入力側バイア
ス供給回路、８…出力側バイアス供給回路、９…高周波
入力インタフェイス。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】金属キャリア上に搭載された内部整合回路
   付トランジスタと、このトランジスタの入力側及び出力
   側にそれぞれ接続されるバイアス供給回路を備え、かつ
   出力側に前記金属キャリアの平面に対して直交する方向
   に形成された導波管で構成される同軸−導波管変換器を
   備えるマイクロ帯増幅器において、前記トランジスタの
   入力端子には高周波入力端子との間に前記金属キャリア
   上に搭載されて入力側バイアス回路を形成した入力側誘
   電体基板を接続し、前記トランジスタの出力端子には前
   記導波管内に突出配置された前記同軸−導波管変換器の
   アンテナを直接接続するとともに、前記導波管のトラン
   ジスタ側の外側の立壁面に搭載されて出力側バイアス回
   路を形成した出力側誘電体基板を接続したことを特徴と
   するマイクロ波帯増幅器。