JPH0878253A - フィルム型トランス - Google Patents
フィルム型トランスInfo
- Publication number
- JPH0878253A JPH0878253A JP6214784A JP21478494A JPH0878253A JP H0878253 A JPH0878253 A JP H0878253A JP 6214784 A JP6214784 A JP 6214784A JP 21478494 A JP21478494 A JP 21478494A JP H0878253 A JPH0878253 A JP H0878253A
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- JP
- Japan
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- winding
- primary
- type transformer
- pattern
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 空心フィルム型トランスのエッジ効果による
影響を低減化し、１次・２次コイル間の結合を良好にす
る。 【構成】 薄膜基板上に近接して形成された１次巻線パ
ターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心から
端部に行くにつれて巻線の幅又は太さを大きくするか、
巻線間のギャップを狭くするか、或いは巻線の幅又は太
さを大きくすることと、巻線間のギャップを狭くするこ
ととを併用したことを特徴とする。
影響を低減化し、１次・２次コイル間の結合を良好にす
る。 【構成】 薄膜基板上に近接して形成された１次巻線パ
ターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心から
端部に行くにつれて巻線の幅又は太さを大きくするか、
巻線間のギャップを狭くするか、或いは巻線の幅又は太
さを大きくすることと、巻線間のギャップを狭くするこ
ととを併用したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は１枚のフィルム状薄膜基
板に１次コイル、２次コイルパターンを形成したフィル
ム型トランスの改良に関するものである。
板に１次コイル、２次コイルパターンを形成したフィル
ム型トランスの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、各種電源機器の中で、モータ駆
動用などの中容量（数ｋＷ）以上のものはそれ自体を独
立に単体品として製造する場合が多いが、数百あるいは
数十Ｗ以下のものはパーソナルコンピュータ等のよう
に、その製品システム中に組み込まれるケースが多い。
特に計算機用電源においては、信号用半導体、すなわち
メモリデバイスの小型・高密度化が飛躍的に進んでお
り、電源のプリント基板上に占める割合が近年大きくな
ってきている。このような背景から小容量電源の一層の
小型・軽量化が要求されている。
動用などの中容量（数ｋＷ）以上のものはそれ自体を独
立に単体品として製造する場合が多いが、数百あるいは
数十Ｗ以下のものはパーソナルコンピュータ等のよう
に、その製品システム中に組み込まれるケースが多い。
特に計算機用電源においては、信号用半導体、すなわち
メモリデバイスの小型・高密度化が飛躍的に進んでお
り、電源のプリント基板上に占める割合が近年大きくな
ってきている。このような背景から小容量電源の一層の
小型・軽量化が要求されている。
【０００３】一方、最近の電力用半導体素子の高周波化
に伴い、トランス、インダクタ、およびコンデンサの小
型化が実現されている。しかし、これらの回路部品の高
周波における低損失化が重要な課題であり、インダクタ
およびトランスはフェライトまたはアモルファス磁性材
料を磁心に用いることで高周波時の低損失化に対応して
いる。しかしながら、これらの磁性材料においてもいわ
ゆる鉄損が励磁周波数と共に増加するため、電源機器の
効率を下げる要因となっている。また、磁性材料は、本
質的に磁束の飽和状態をもっており、インダクタおよび
トランスとして使用できる磁束値、すなわち電圧・時間
積に制限があり、機器設計の制約条件となっいる。この
ような問題を解決するために、本発明者は、既にフィル
ム型の空心トランスについての提案を行っている。
に伴い、トランス、インダクタ、およびコンデンサの小
型化が実現されている。しかし、これらの回路部品の高
周波における低損失化が重要な課題であり、インダクタ
およびトランスはフェライトまたはアモルファス磁性材
料を磁心に用いることで高周波時の低損失化に対応して
いる。しかしながら、これらの磁性材料においてもいわ
ゆる鉄損が励磁周波数と共に増加するため、電源機器の
効率を下げる要因となっている。また、磁性材料は、本
質的に磁束の飽和状態をもっており、インダクタおよび
トランスとして使用できる磁束値、すなわち電圧・時間
積に制限があり、機器設計の制約条件となっいる。この
ような問題を解決するために、本発明者は、既にフィル
ム型の空心トランスについての提案を行っている。
【０００４】この既提案について簡単に説明する。例え
ば、図１に示すようなごく接近した長さ３ｍ、断面円の
半径が０．２ｍｍの２つの銅導体の交流抵抗ＲA （ＲA1
＝ＲA2）、自己インダクタンスＬ（Ｌ1 ＝Ｌ2 ）および
結合係数ｋについての周波数特性理論値は図２に示すよ
うなものである。図２から分かるように、励磁周波数が
増加すると、表皮効果によって交流抵抗は増加するが、
内部自己インダクタンスが減少するため、高周波領域に
おいて高い結合係数が得られる。
ば、図１に示すようなごく接近した長さ３ｍ、断面円の
半径が０．２ｍｍの２つの銅導体の交流抵抗ＲA （ＲA1
＝ＲA2）、自己インダクタンスＬ（Ｌ1 ＝Ｌ2 ）および
結合係数ｋについての周波数特性理論値は図２に示すよ
うなものである。図２から分かるように、励磁周波数が
増加すると、表皮効果によって交流抵抗は増加するが、
内部自己インダクタンスが減少するため、高周波領域に
おいて高い結合係数が得られる。
【０００５】そこで、図３に示すように、１次及び２次
巻線パターンをリソグラフィ技術、エッチング技術、印
刷技術等によりフィルム状薄膜絶縁基板１に２本のパタ
ーンを、近接させて円形同心軸状に形成する。図３
（ａ）に示すように２本のパターンを１次巻線、２次巻
線とすると、これによってフィルム型薄膜トランスが形
成され、この一枚のフィルムでも変圧器動作は可能であ
るが、２枚以上のフィルムトランスを積層した方が低周
波特性の改善、変圧比の変更等都合がよい。
巻線パターンをリソグラフィ技術、エッチング技術、印
刷技術等によりフィルム状薄膜絶縁基板１に２本のパタ
ーンを、近接させて円形同心軸状に形成する。図３
（ａ）に示すように２本のパターンを１次巻線、２次巻
線とすると、これによってフィルム型薄膜トランスが形
成され、この一枚のフィルムでも変圧器動作は可能であ
るが、２枚以上のフィルムトランスを積層した方が低周
波特性の改善、変圧比の変更等都合がよい。
【０００６】いま、パターンの中心を始点として円形同
心軸状に形成したとすると、図３（ａ）のパターンは時
計方向に、図３（ｂ）のパターンは反時計方向に巻回さ
れていることになる。そして、ピッチ、巻回数が等しい
とすると、図３（ａ）、図３（ｂ）において各ターン毎
に常に外側に位置する巻線の方が、内側に位置する巻線
よりも長くなる。そこで、図３（ａ）の各ターン毎に常
に外側に位置する巻線を１次巻線２、内側に位置する巻
線を２次巻線３としたとき、図３（ｂ）では、逆に各タ
ーン毎に常に外側に位置する巻線を２次巻線３´、内側
に位置する巻線を１次巻線２´とし、図３（ａ）と図３
（ｂ）の基板を積層し、端子２ｂを端子２ｂ´に、端子
３ｂを端子３ｂ´に接続し、２ａ、２ａ´を１次端子、
３ａ、３ａ´を２次端子とすれば、図３（ａ）と図３
（ｂ）の巻線パターンによる磁束が加わり、かつ１次巻
線と２次巻線の長さを等しくすることができる。このよ
うに２枚を積層したものを単位として複数積層し、互い
に直列或いは並列接続してフィルム型トランスを形成す
る。直列接続すると抵抗値が大きくなり、並列接続する
と抵抗値が小さくなるので、接続する負荷とのインピー
ダンス整合がとれるように接続を選択する。
心軸状に形成したとすると、図３（ａ）のパターンは時
計方向に、図３（ｂ）のパターンは反時計方向に巻回さ
れていることになる。そして、ピッチ、巻回数が等しい
とすると、図３（ａ）、図３（ｂ）において各ターン毎
に常に外側に位置する巻線の方が、内側に位置する巻線
よりも長くなる。そこで、図３（ａ）の各ターン毎に常
に外側に位置する巻線を１次巻線２、内側に位置する巻
線を２次巻線３としたとき、図３（ｂ）では、逆に各タ
ーン毎に常に外側に位置する巻線を２次巻線３´、内側
に位置する巻線を１次巻線２´とし、図３（ａ）と図３
（ｂ）の基板を積層し、端子２ｂを端子２ｂ´に、端子
３ｂを端子３ｂ´に接続し、２ａ、２ａ´を１次端子、
３ａ、３ａ´を２次端子とすれば、図３（ａ）と図３
（ｂ）の巻線パターンによる磁束が加わり、かつ１次巻
線と２次巻線の長さを等しくすることができる。このよ
うに２枚を積層したものを単位として複数積層し、互い
に直列或いは並列接続してフィルム型トランスを形成す
る。直列接続すると抵抗値が大きくなり、並列接続する
と抵抗値が小さくなるので、接続する負荷とのインピー
ダンス整合がとれるように接続を選択する。
【０００７】このフィルム型トランスでは比較的高抵抗
負荷で高周波領域で良好な効率が得られ、周波数が高い
ほど巻線電流の表皮効果が顕著となり高効率が達成でき
る。なお、巻線パターンは円形状に限らず、角形の同心
軸形、Ｌ形の同心軸形等でもよく、また、Ｃ形、Ｅ形等
基板の一部にコイルが形成されない領域があるように任
意形状にパターン形成してもよい。また、巻数比も１：
１に限らず、１次巻線パターンと２次巻線パターンの本
数を適宜異ならせて磁束の向きが同じになるように接続
すれば任意の変圧比のものを得ることが可能である。
負荷で高周波領域で良好な効率が得られ、周波数が高い
ほど巻線電流の表皮効果が顕著となり高効率が達成でき
る。なお、巻線パターンは円形状に限らず、角形の同心
軸形、Ｌ形の同心軸形等でもよく、また、Ｃ形、Ｅ形等
基板の一部にコイルが形成されない領域があるように任
意形状にパターン形成してもよい。また、巻数比も１：
１に限らず、１次巻線パターンと２次巻線パターンの本
数を適宜異ならせて磁束の向きが同じになるように接続
すれば任意の変圧比のものを得ることが可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３に示し
た構成の空心フィルム型トランスにおいて、周波数を上
げていくと、トランスの端部巻線部に磁界が集中するエ
ッジ効果のため内部インダクタンスが増加する。導体の
インダクタンスＬは、導体の内部に分布する電流と磁束
の鎖交に起因する内部インダクタンスＬinと、導体外部
の磁束に起因する外部インダクタンスＬout の和Ｌin＋
Ｌout からなる。いま、トランスの１次コイルの自己イ
ンダクタンスをＬ1 、２次コイルの自己インダクタンス
をＬ2 とすれば、１次コイルと２次コイル間の結合計数
ｋは、 ｋ＝Ｍ／（Ｌ1 Ｌ2 ）１／２ で表され、Ｌｉｎが増加して自己インダクタンスが増え
ると、１次コイルと２次コイルの結合が低下して効率が
低下する。
た構成の空心フィルム型トランスにおいて、周波数を上
げていくと、トランスの端部巻線部に磁界が集中するエ
ッジ効果のため内部インダクタンスが増加する。導体の
インダクタンスＬは、導体の内部に分布する電流と磁束
の鎖交に起因する内部インダクタンスＬinと、導体外部
の磁束に起因する外部インダクタンスＬout の和Ｌin＋
Ｌout からなる。いま、トランスの１次コイルの自己イ
ンダクタンスをＬ1 、２次コイルの自己インダクタンス
をＬ2 とすれば、１次コイルと２次コイル間の結合計数
ｋは、 ｋ＝Ｍ／（Ｌ1 Ｌ2 ）１／２ で表され、Ｌｉｎが増加して自己インダクタンスが増え
ると、１次コイルと２次コイルの結合が低下して効率が
低下する。
【０００９】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、巻線導体の表皮効果を利用した空心フィルム型
トランスのエッジ効果による影響を低減化し、高周波領
域における１次・２次コイル間の結合の低下を防止して
高効率を得ることを目的とする。
であり、巻線導体の表皮効果を利用した空心フィルム型
トランスのエッジ効果による影響を低減化し、高周波領
域における１次・２次コイル間の結合の低下を防止して
高効率を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そのために本発明のフィ
ルム型トランスは、薄膜基板上に近接して形成された１
次巻線パターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の
中心から端部に行くにつれて巻線の幅又は太さを大きく
したことを特徴とする。また、本発明は、薄膜基板上に
近接して形成された１次巻線パターン及び２次巻線パタ
ーンを備え、各巻線の中心から端部に行くにつれて巻線
間のギャップを狭くしたことを特徴とする。また、本発
明は、薄膜基板上に近接して形成された１次巻線パター
ン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心から端部
にいくにつれて巻線の幅又は太さを大きくすると共に、
巻線間のギャップを狭くしたことを特徴とする。
ルム型トランスは、薄膜基板上に近接して形成された１
次巻線パターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の
中心から端部に行くにつれて巻線の幅又は太さを大きく
したことを特徴とする。また、本発明は、薄膜基板上に
近接して形成された１次巻線パターン及び２次巻線パタ
ーンを備え、各巻線の中心から端部に行くにつれて巻線
間のギャップを狭くしたことを特徴とする。また、本発
明は、薄膜基板上に近接して形成された１次巻線パター
ン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心から端部
にいくにつれて巻線の幅又は太さを大きくすると共に、
巻線間のギャップを狭くしたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明のフィルム型トランスは、フィルム状薄
膜基板に変圧器の１次、２次コイルパターンを形成して
薄膜状変圧器を形成し、基板中心（コイルの中心）から
基板端部（コイル端部）にいくに従ってコイルパターン
の幅又は太さを順次大きくするか、コイルパターン間の
ギャップを順次狭くするか、或いはコイルパターンの幅
又は太さを順次大きくすることと、コイルパターン間の
ギャップを順次狭くすることとを併用する。その結果、
中心と端部とで境界条件が異なり、端部における磁界の
集中が緩和され、エッジ効果による影響を低減化して周
波数を上げたときの内部インダクタンスの増加を防ぎ、
高効率を得ることができる。
膜基板に変圧器の１次、２次コイルパターンを形成して
薄膜状変圧器を形成し、基板中心（コイルの中心）から
基板端部（コイル端部）にいくに従ってコイルパターン
の幅又は太さを順次大きくするか、コイルパターン間の
ギャップを順次狭くするか、或いはコイルパターンの幅
又は太さを順次大きくすることと、コイルパターン間の
ギャップを順次狭くすることとを併用する。その結果、
中心と端部とで境界条件が異なり、端部における磁界の
集中が緩和され、エッジ効果による影響を低減化して周
波数を上げたときの内部インダクタンスの増加を防ぎ、
高効率を得ることができる。
【００１２】
【実施例】図４は本発明のフィルム型トランスを説明す
る図である。図４は、例えば、円形基板１の右半分を示
しており左端が基板の中心（コイル中心）、右端が基板
の右側端部（コイル端部）であり、基板の上面に巻線パ
ターン２、３が、基板の下面に巻線パターン２′、３′
がエッチング等により形成されている。図４（ａ）は、
巻線の幅ｗ、及び巻線間のギャップｇが一定な既提案の
ものを示し、図４（ｂ）は巻線間のギャップｇを一定と
し、巻線の幅を端部にいくにつれてｗ1 ＜ｗ2 ＜……＜
ｗn と広くした本発明の一実施例を示している。図では
パターンが偏平としているが、完全な偏平ではない場
合、ここで言う幅は太さとも言ってもよい。
る図である。図４は、例えば、円形基板１の右半分を示
しており左端が基板の中心（コイル中心）、右端が基板
の右側端部（コイル端部）であり、基板の上面に巻線パ
ターン２、３が、基板の下面に巻線パターン２′、３′
がエッチング等により形成されている。図４（ａ）は、
巻線の幅ｗ、及び巻線間のギャップｇが一定な既提案の
ものを示し、図４（ｂ）は巻線間のギャップｇを一定と
し、巻線の幅を端部にいくにつれてｗ1 ＜ｗ2 ＜……＜
ｗn と広くした本発明の一実施例を示している。図では
パターンが偏平としているが、完全な偏平ではない場
合、ここで言う幅は太さとも言ってもよい。
【００１３】図５は、図４（ａ）、図４（ｂ）について
の周波数−内部インダクタンスの関係を示したもので、
Ｌａは図４（ａ）のトランスに対応し、Ｌｂは図４
（ｂ）のトランスに対応している。ただし、図４（ａ）
においては、巻線パターンの厚み＝０．０３５ｍｍ、基
板厚み＝０．０５ｍｍ、ギャップｇ＝０．７ｍｍ、巻線
パターンの幅ｗ＝１．７ｍｍ 図４（ｂ）においては、巻線パターンの厚み＝０．０３
５ｍｍ、基板厚み＝０．０５ｍｍ、ギャップｇ＝０．７
ｍｍ、巻線パターンの幅を、中心から、順次 １．７ｍｍ，１．７ｍｍ，１．９ｍｍ，１．９ｍｍ，
２．１ｍｍ，２．１ｍｍ，２．３ｍｍ，２．３ｍｍ，
２．５ｍｍ，２．５ｍｍ，２．７ｍｍ，２．７ｍｍ，
２．９ｍｍ，２．９ｍｍ，３．１ｍｍ，３．１ｍｍ，
３．３ｍｍとしている。図から分かるように、巻線の幅
と巻線間のギャップが一定な場合、１００ｋＨｚあたり
から内部インダクタンスＬａは減少し、１ＭＨｚ近傍で
増加しており、１次コイルと２次コイル間の結合が悪く
なっている。一方、巻線間のギャップを一定とし、巻線
の幅を端部にいくにつれて広くした場合、内部インダク
タンスＬｂは単調に減少しており、１次コイルと２次コ
イル間の結合が良くなっていることが分かる。
の周波数−内部インダクタンスの関係を示したもので、
Ｌａは図４（ａ）のトランスに対応し、Ｌｂは図４
（ｂ）のトランスに対応している。ただし、図４（ａ）
においては、巻線パターンの厚み＝０．０３５ｍｍ、基
板厚み＝０．０５ｍｍ、ギャップｇ＝０．７ｍｍ、巻線
パターンの幅ｗ＝１．７ｍｍ 図４（ｂ）においては、巻線パターンの厚み＝０．０３
５ｍｍ、基板厚み＝０．０５ｍｍ、ギャップｇ＝０．７
ｍｍ、巻線パターンの幅を、中心から、順次 １．７ｍｍ，１．７ｍｍ，１．９ｍｍ，１．９ｍｍ，
２．１ｍｍ，２．１ｍｍ，２．３ｍｍ，２．３ｍｍ，
２．５ｍｍ，２．５ｍｍ，２．７ｍｍ，２．７ｍｍ，
２．９ｍｍ，２．９ｍｍ，３．１ｍｍ，３．１ｍｍ，
３．３ｍｍとしている。図から分かるように、巻線の幅
と巻線間のギャップが一定な場合、１００ｋＨｚあたり
から内部インダクタンスＬａは減少し、１ＭＨｚ近傍で
増加しており、１次コイルと２次コイル間の結合が悪く
なっている。一方、巻線間のギャップを一定とし、巻線
の幅を端部にいくにつれて広くした場合、内部インダク
タンスＬｂは単調に減少しており、１次コイルと２次コ
イル間の結合が良くなっていることが分かる。
【００１４】図６は、中心から端部にいくにつれて巻線
間のギャップをｇ1 ＜ｇ2 ＜……＜ｇn と広くし、巻線
の幅ｗを一定とした実施例を示している。本実施例の場
合も、図４（ｂ）の場合と同様に内部インダクタンスＬ
ｂは周波数に対して単調に減少し１次コイルと２次コイ
ル間の結合を良くすることができる。
間のギャップをｇ1 ＜ｇ2 ＜……＜ｇn と広くし、巻線
の幅ｗを一定とした実施例を示している。本実施例の場
合も、図４（ｂ）の場合と同様に内部インダクタンスＬ
ｂは周波数に対して単調に減少し１次コイルと２次コイ
ル間の結合を良くすることができる。
【００１５】図７は、図４のトランスにおいて、１ＭＨ
ｚ、２次側開放としたときの磁界分布を示し、図７
（ａ）は図４（ａ）、図７（ｂ）は図４（ｂ）に各々対
応している。なお、上部の濃度マップは右へ行く程磁界
が強いことを示している。基板端部付近を比較するとい
ずれも磁界が集中しているが、図７（ａ）においては集
中した磁界の円が大きく、集中磁界が強いことが分か
る。この強い集中磁界で１ＭＨｚ近傍で内部インダクタ
ンスが増加したと考えられる。これに対して、図７
（ｂ）においては、中心部と基板端部の境界条件が異な
るため、集中磁界が弱まったと考えられ、このため内部
インダクタンスが増加していない。
ｚ、２次側開放としたときの磁界分布を示し、図７
（ａ）は図４（ａ）、図７（ｂ）は図４（ｂ）に各々対
応している。なお、上部の濃度マップは右へ行く程磁界
が強いことを示している。基板端部付近を比較するとい
ずれも磁界が集中しているが、図７（ａ）においては集
中した磁界の円が大きく、集中磁界が強いことが分か
る。この強い集中磁界で１ＭＨｚ近傍で内部インダクタ
ンスが増加したと考えられる。これに対して、図７
（ｂ）においては、中心部と基板端部の境界条件が異な
るため、集中磁界が弱まったと考えられ、このため内部
インダクタンスが増加していない。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、周波数を
高くし、表皮効果により１次・２次コイル間の結合を良
くした空心のフィルム型トランスにおいて、磁界集中に
よるエッジ効果の影響を低減化し、内部インダクタンス
の増加を防いで１次・２次コイル間の結合を良くするこ
とができる。
高くし、表皮効果により１次・２次コイル間の結合を良
くした空心のフィルム型トランスにおいて、磁界集中に
よるエッジ効果の影響を低減化し、内部インダクタンス
の増加を防いで１次・２次コイル間の結合を良くするこ
とができる。
【図１】 円形断面の表皮効果について説明する図であ
る。
る。
【図２】 結合係数ｋの周波数特性理論値を説明する図
である。
である。
【図３】 円形のフィルム型トランスを説明する図であ
る。
る。
【図４】 本発明のフィルム型トランスを説明する図で
ある。
ある。
【図５】 周波数−内部インダクタンスの関係を示す図
である。
である。
【図６】 本発明のフィルム型トランスの他の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図７】 エッジ効果を説明する図である。
１，１´…基板、２，２´…１次巻線パターン、３，３
´…２次巻線パターン、２ａ、２ａ´…１次端子、３
ａ、３ａ´…２次端子。
´…２次巻線パターン、２ａ、２ａ´…１次端子、３
ａ、３ａ´…２次端子。
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜基板上に近接して形成された１次巻
線パターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心
から端部に行くにつれて巻線の幅又は太さを大きくした
ことを特徴とするフィルム型トランス。 - 【請求項２】 薄膜基板上に近接して形成された１次巻
線パターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心
から端部に行くにつれて巻線間のギャップを狭くしたこ
とを特徴とするフィルム型トランス。 - 【請求項３】 薄膜基板上に近接して形成された１次巻
線パターン及び２次巻線パターンを備え、各巻線の中心
から端部にいくにつれて巻線の幅又は太さを大きくする
と共に、巻線間のギャップを狭くしたことを特徴とする
フィルム型トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214784A JPH0878253A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | フィルム型トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214784A JPH0878253A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | フィルム型トランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878253A true JPH0878253A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16661486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6214784A Pending JPH0878253A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | フィルム型トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878253A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150279548A1 (en) * | 2014-04-01 | 2015-10-01 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Compact inductor employing redistrubuted magnetic flux |
| US10622136B2 (en) * | 2017-10-26 | 2020-04-14 | Arm Ltd | Balanced-to-unbalanced (balun) transformer |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP6214784A patent/JPH0878253A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150279548A1 (en) * | 2014-04-01 | 2015-10-01 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Compact inductor employing redistrubuted magnetic flux |
| US10622136B2 (en) * | 2017-10-26 | 2020-04-14 | Arm Ltd | Balanced-to-unbalanced (balun) transformer |
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