JPH0878558A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH0878558A JPH0878558A JP21451994A JP21451994A JPH0878558A JP H0878558 A JPH0878558 A JP H0878558A JP 21451994 A JP21451994 A JP 21451994A JP 21451994 A JP21451994 A JP 21451994A JP H0878558 A JPH0878558 A JP H0878558A
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- semiconductor element
- lid
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に大気中に
含まれる水分が入り込むのを有効に防止し、容器内部に
収容される半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定
に作動させることができる半導体素子収納用パッケージ
を提供することにある。 【構成】絶縁基体１と蓋体２とを封止材７を介し接合さ
せることによって内部に半導体素子３を気密に収容する
ようになした半導体素子収納用パッケージであって、前
記絶縁基体１及び封止材７を樹脂で形成するとともに該
絶縁基体１及び封止材７中に、表面に半径が10乃至100
オングストロームの細孔を有する吸湿材を埋入させた。
含まれる水分が入り込むのを有効に防止し、容器内部に
収容される半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定
に作動させることができる半導体素子収納用パッケージ
を提供することにある。 【構成】絶縁基体１と蓋体２とを封止材７を介し接合さ
せることによって内部に半導体素子３を気密に収容する
ようになした半導体素子収納用パッケージであって、前
記絶縁基体１及び封止材７を樹脂で形成するとともに該
絶縁基体１及び封止材７中に、表面に半径が10乃至100
オングストロームの細孔を有する吸湿材を埋入させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を内部に収
容するための半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
容するための半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージ、特に廉価な半導体素子収納用
パッケージは一般に、エポキシ樹脂から成り、上面に半
導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、前
記絶縁基体の凹部側面から外側にかけて導出する複数個
の外部リード端子と、前記絶縁基体の上面にエポキシ樹
脂から成る封止材を介して取着され、絶縁基体の凹部を
塞ぐ蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子を樹脂製接着材を介して取着するとともに該
半導体素子の各電極を外部リード端子の一端にボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、前記絶
縁基体の上面に蓋体を封止材を介して接合させ、半導体
素子を絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に気密に収容
することによって最終製品としての半導体装置となる。
体素子収納用パッケージ、特に廉価な半導体素子収納用
パッケージは一般に、エポキシ樹脂から成り、上面に半
導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、前
記絶縁基体の凹部側面から外側にかけて導出する複数個
の外部リード端子と、前記絶縁基体の上面にエポキシ樹
脂から成る封止材を介して取着され、絶縁基体の凹部を
塞ぐ蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子を樹脂製接着材を介して取着するとともに該
半導体素子の各電極を外部リード端子の一端にボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、前記絶
縁基体の上面に蓋体を封止材を介して接合させ、半導体
素子を絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に気密に収容
することによって最終製品としての半導体装置となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
及び封止材がエポキシ樹脂から成り、該エポキシ樹脂は
耐湿性に劣るため絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に
半導体素子を気密に収容した後、大気中に含まれる水分
が絶縁基体及び封止材を通して半導体素子が収容されて
いる凹部内に入り込み易く、凹部内に水分が入り込むと
半導体素子の電極やボンディングワイヤ等に酸化腐食が
発生し、電極やボンディングワイヤに断線が発生して半
導体装置としての機能が喪失するという欠点を有してい
た。
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
及び封止材がエポキシ樹脂から成り、該エポキシ樹脂は
耐湿性に劣るため絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に
半導体素子を気密に収容した後、大気中に含まれる水分
が絶縁基体及び封止材を通して半導体素子が収容されて
いる凹部内に入り込み易く、凹部内に水分が入り込むと
半導体素子の電極やボンディングワイヤ等に酸化腐食が
発生し、電極やボンディングワイヤに断線が発生して半
導体装置としての機能が喪失するという欠点を有してい
た。
【０００４】また内部に収容する半導体素子が固体撮像
素子で、蓋体がガラス等の透明部材から成る場合には、
容器内部に水分が入り込むと蓋体に結露によるくもりが
発生し、固体撮像素子に良好な光電変換を起こさせるこ
とができないという欠点も有していた。
素子で、蓋体がガラス等の透明部材から成る場合には、
容器内部に水分が入り込むと蓋体に結露によるくもりが
発生し、固体撮像素子に良好な光電変換を起こさせるこ
とができないという欠点も有していた。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に大
気中に含まれる水分が入り込むのを有効に防止し、容器
内部に収容される半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
で、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に大
気中に含まれる水分が入り込むのを有効に防止し、容器
内部に収容される半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体と蓋
体とを封止材を介し接合させることによって内部に半導
体素子を気密に収容するようになした半導体素子収納用
パッケージであって、前記絶縁基体及び封止材を樹脂で
形成するとともに該絶縁基体及び封止材中に、表面に半
径が10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿材
を埋入させたことを特徴とするものである。
体とを封止材を介し接合させることによって内部に半導
体素子を気密に収容するようになした半導体素子収納用
パッケージであって、前記絶縁基体及び封止材を樹脂で
形成するとともに該絶縁基体及び封止材中に、表面に半
径が10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿材
を埋入させたことを特徴とするものである。
【０００７】また本発明は前記吸湿材が樹脂から成る絶
縁基体に1.0 乃至50重量％埋入されていることを特徴と
するものである。
縁基体に1.0 乃至50重量％埋入されていることを特徴と
するものである。
【０００８】更に本発明は前記吸湿材が樹脂から成る封
止材に1.0 乃至50重量％埋入されていることを特徴とす
るものである。
止材に1.0 乃至50重量％埋入されていることを特徴とす
るものである。
【０００９】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、樹脂から成る絶縁基体及び封止材に、表面に半径が
10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿材を埋
入させたことから絶縁基体及び封止材を通して絶縁基体
と蓋体とから成る容器内部に大気中に含まれる水分が入
り込もうとしてもその入り込みは吸湿材で阻止され、そ
の結果、容器内部に収容した半導体素子の電極及び半導
体素子の各電極と外部リード端子とを電気的に接続する
ボンディングワイヤに酸化腐食が発生することは殆どな
く、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動
させることが可能となる。
ば、樹脂から成る絶縁基体及び封止材に、表面に半径が
10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿材を埋
入させたことから絶縁基体及び封止材を通して絶縁基体
と蓋体とから成る容器内部に大気中に含まれる水分が入
り込もうとしてもその入り込みは吸湿材で阻止され、そ
の結果、容器内部に収容した半導体素子の電極及び半導
体素子の各電極と外部リード端子とを電気的に接続する
ボンディングワイヤに酸化腐食が発生することは殆どな
く、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動
させることが可能となる。
【００１０】また内部に収容する半導体素子が固体撮像
素子で、蓋体がガラス等の透明部材から成る場合、蓋体
に結露によるくもりが発生することはなく、固体撮像素
子に正確な光電変換を起こさせることも可能となる。
素子で、蓋体がガラス等の透明部材から成る場合、蓋体
に結露によるくもりが発生することはなく、固体撮像素
子に正確な光電変換を起こさせることも可能となる。
【００１１】
【実施例】次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明
する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの一
実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体である。この絶
縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容するための絶
縁容器4 が構成される。
する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの一
実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体である。この絶
縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容するための絶
縁容器4 が構成される。
【００１２】前記絶縁基体1 はその上面中央部に半導体
素子3 を収容するための凹部1aを有し、該凹部1a底面に
は半導体素子3 が樹脂製接着剤を介して接着固定され
る。
素子3 を収容するための凹部1aを有し、該凹部1a底面に
は半導体素子3 が樹脂製接着剤を介して接着固定され
る。
【００１３】前記絶縁基体1 は、例えばエポキシ樹脂等
の樹脂から成り、所定型内にタブレット状に成形された
粉末のエポキシ樹脂をセットして注入するとともにこれ
を１５０〜２００℃の温度で熱硬化させることによって
製作される。
の樹脂から成り、所定型内にタブレット状に成形された
粉末のエポキシ樹脂をセットして注入するとともにこれ
を１５０〜２００℃の温度で熱硬化させることによって
製作される。
【００１４】また前記絶縁基体1 はその内部に、表面に
半径が10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿
材が埋入されており、該吸湿材はエポキシ樹脂から成る
絶縁基体1 中を水分が通過するのを有効に阻止する作用
を為す。
半径が10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿
材が埋入されており、該吸湿材はエポキシ樹脂から成る
絶縁基体1 中を水分が通過するのを有効に阻止する作用
を為す。
【００１５】前記絶縁基体1 はその内部に吸湿材が埋入
されていることから絶縁基体1 と蓋体2 とから成る容器
4 内部に半導体素子3 を収容した後、大気中に含まれる
水分が絶縁基体1 を通して容器4 内部に入り込もうとし
てもその入り込みは吸湿材で有効に阻止され、その結
果、容器4 内部に水分が入り込むことは殆どなく、容器
4 内部に収容する半導体素子3 の電極等に酸化腐食が発
生するのを皆無として半導体素子3 を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることが可能となる。
されていることから絶縁基体1 と蓋体2 とから成る容器
4 内部に半導体素子3 を収容した後、大気中に含まれる
水分が絶縁基体1 を通して容器4 内部に入り込もうとし
てもその入り込みは吸湿材で有効に阻止され、その結
果、容器4 内部に水分が入り込むことは殆どなく、容器
4 内部に収容する半導体素子3 の電極等に酸化腐食が発
生するのを皆無として半導体素子3 を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることが可能となる。
【００１６】尚、前記吸湿材は例えば、球状のシリカ粒
子から成り、タブレット状に成形された粉末のエポキシ
樹脂を所定型内にセットして注入し、絶縁基体1 を製作
する際にエポキシ樹脂に球状のシリカ粒子を予め添加混
合しておくことによって絶縁基体1 内に埋入される。
子から成り、タブレット状に成形された粉末のエポキシ
樹脂を所定型内にセットして注入し、絶縁基体1 を製作
する際にエポキシ樹脂に球状のシリカ粒子を予め添加混
合しておくことによって絶縁基体1 内に埋入される。
【００１７】また前記吸湿材はその表面の細孔半径が10
オングストローム未満であると絶縁基体1 に侵入した水
分を完全に吸着させることができず、また100 オングス
トロームを越えると吸湿材の比重が軽くなり、エポキシ
樹脂から成る絶縁基体1 の全体に吸湿材を分散埋入させ
ることが困難となる。従って、前記吸湿材はその表面の
細孔半径が10乃至100 オングストロームのものに限定さ
れる。
オングストローム未満であると絶縁基体1 に侵入した水
分を完全に吸着させることができず、また100 オングス
トロームを越えると吸湿材の比重が軽くなり、エポキシ
樹脂から成る絶縁基体1 の全体に吸湿材を分散埋入させ
ることが困難となる。従って、前記吸湿材はその表面の
細孔半径が10乃至100 オングストロームのものに限定さ
れる。
【００１８】更に前記吸湿材は絶縁基体1 に対し1.0 重
量％未満の埋入であれば絶縁基体1における水分の通過
が有効に阻止されず、また50重量％を越えると吸湿材を
混合させたタブレット状に成形された粉末のエポキシ樹
脂を所定型内にセットして注入し、絶縁基体1 を製作す
る際、エポキシ樹脂の流れ性が悪くなって所望形状の絶
縁基体1 が得られなくなる傾向にある。従って、前記吸
湿材は絶縁基体1 に対し1.0 乃至50重量％の範囲で埋入
させておくことが好ましい。
量％未満の埋入であれば絶縁基体1における水分の通過
が有効に阻止されず、また50重量％を越えると吸湿材を
混合させたタブレット状に成形された粉末のエポキシ樹
脂を所定型内にセットして注入し、絶縁基体1 を製作す
る際、エポキシ樹脂の流れ性が悪くなって所望形状の絶
縁基体1 が得られなくなる傾向にある。従って、前記吸
湿材は絶縁基体1 に対し1.0 乃至50重量％の範囲で埋入
させておくことが好ましい。
【００１９】前記絶縁基体1 はまたその凹部1a内側から
外側にかけて複数個の外部リード端子5 が取着されてお
り、該外部リード端子5 の凹部1a内側に露出する各々の
部位には半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ6
を介して電気的に接続され、また外側に露出する部位に
は外部電気回路が接続される。
外側にかけて複数個の外部リード端子5 が取着されてお
り、該外部リード端子5 の凹部1a内側に露出する各々の
部位には半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ6
を介して電気的に接続され、また外側に露出する部位に
は外部電気回路が接続される。
【００２０】前記外部リード端子5 は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット(
塊) を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属
加工法を採用することによって所定の板状に形成され
る。
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット(
塊) を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属
加工法を採用することによって所定の板状に形成され
る。
【００２１】尚、前記外部リード端子5 はタブレット状
に成形された粉末のエポキシ樹脂を所定型内にセットし
注入することによって絶縁基体１を製作する際、所定型
内の所定位置に予めセットしておくことによって絶縁基
体1 の凹部1a内側から外側にかけて一体的に取着され
る。
に成形された粉末のエポキシ樹脂を所定型内にセットし
注入することによって絶縁基体１を製作する際、所定型
内の所定位置に予めセットしておくことによって絶縁基
体1 の凹部1a内側から外側にかけて一体的に取着され
る。
【００２２】また前記外部リード端子5 はその露出する
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡
れ性のよい金属を0.1 乃至20.0μm の厚みに層着させて
おくと外部リード端子5 の酸化腐食を有効に防止するこ
とができるとともに外部リード端子5 とボンディングワ
イヤ6 の接続及び外部リード端子5 と外部電気回路との
接続を強固となすことができる。従って、前記外部リー
ド端子5 はその露出する表面にニッケル、金等を0.1 乃
至20.0μm の厚みに層着させておくことが好ましい。
表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡
れ性のよい金属を0.1 乃至20.0μm の厚みに層着させて
おくと外部リード端子5 の酸化腐食を有効に防止するこ
とができるとともに外部リード端子5 とボンディングワ
イヤ6 の接続及び外部リード端子5 と外部電気回路との
接続を強固となすことができる。従って、前記外部リー
ド端子5 はその露出する表面にニッケル、金等を0.1 乃
至20.0μm の厚みに層着させておくことが好ましい。
【００２３】前記外部リード端子5 が取着された絶縁基
体1 は更にその上面に蓋体2 が封止材7 を介して取着さ
れ、蓋体2 で絶縁基体1 の凹部1aを塞ぎ、絶縁基体1 と
蓋体2 とから成る容器4 の内部を気密に封止することに
よって容器4 内部に半導体素子3 が気密に収容される。
体1 は更にその上面に蓋体2 が封止材7 を介して取着さ
れ、蓋体2 で絶縁基体1 の凹部1aを塞ぎ、絶縁基体1 と
蓋体2 とから成る容器4 の内部を気密に封止することに
よって容器4 内部に半導体素子3 が気密に収容される。
【００２４】前記蓋体2 はガラス、セラミック、金属、
樹脂等の板材から成り、封止材7 によって絶縁基体1 上
に接合取着される。
樹脂等の板材から成り、封止材7 によって絶縁基体1 上
に接合取着される。
【００２５】また前記蓋体2 を絶縁基体1 に接合取着さ
せる封止材7 はエポキシ樹脂等から成り、液状のエポキ
シ樹脂を絶縁基体1 の上面、或いは蓋体2 の下面に予め
従来周知のスクリーン印刷法等により印刷塗布し、所定
厚みに被着させておくことによって絶縁基体1 と蓋体2
との間に配される。
せる封止材7 はエポキシ樹脂等から成り、液状のエポキ
シ樹脂を絶縁基体1 の上面、或いは蓋体2 の下面に予め
従来周知のスクリーン印刷法等により印刷塗布し、所定
厚みに被着させておくことによって絶縁基体1 と蓋体2
との間に配される。
【００２６】前記封止材7 はまたその内部に、表面に半
径が10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿材
が埋入されており、該吸湿材は封止材7 中を水分が通過
するのを有効に阻止する作用を為す。
径が10乃至100 オングストロームの細孔を有する吸湿材
が埋入されており、該吸湿材は封止材7 中を水分が通過
するのを有効に阻止する作用を為す。
【００２７】前記封止材7 はその内部に吸湿材が埋入さ
れていることから絶縁基体1 と蓋体2 とから成る容器4
内部に半導体素子3 を収容した後、大気中に含まれる水
分が封止材7 を通して容器4 内部に入り込もうとしても
その入り込みは吸湿材で有効に阻止され、その結果、容
器4 内部に水分が入り込むことは殆どなく、容器4 内部
に収容する半導体素子3 の電極等に酸化腐食が発生する
のを皆無として半導体素子3 を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることが可能となる。
れていることから絶縁基体1 と蓋体2 とから成る容器4
内部に半導体素子3 を収容した後、大気中に含まれる水
分が封止材7 を通して容器4 内部に入り込もうとしても
その入り込みは吸湿材で有効に阻止され、その結果、容
器4 内部に水分が入り込むことは殆どなく、容器4 内部
に収容する半導体素子3 の電極等に酸化腐食が発生する
のを皆無として半導体素子3 を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることが可能となる。
【００２８】尚、前記吸湿材としては例えば、球状のシ
リカ粒子から成り、液状のエポキシ樹脂を絶縁基体1 の
上面、或いは蓋体2 の下面にスクリーン印刷法等により
印刷塗布することによって絶縁基体1 の上面や蓋体2 の
下面に封止材7 を被着させる際、液状のエポキシ樹脂内
に予めシリカ粒子を添加混合させておくことによって封
止材7 中に埋入される。
リカ粒子から成り、液状のエポキシ樹脂を絶縁基体1 の
上面、或いは蓋体2 の下面にスクリーン印刷法等により
印刷塗布することによって絶縁基体1 の上面や蓋体2 の
下面に封止材7 を被着させる際、液状のエポキシ樹脂内
に予めシリカ粒子を添加混合させておくことによって封
止材7 中に埋入される。
【００２９】また前記吸湿材はその表面の細孔半径が10
オングストローム未満であると封止材7 に侵入した水分
を完全に吸着させることができず、また100 オングスト
ロームを越えると液状のエポキシ樹脂を絶縁基体1 の上
面や蓋体2 の下面にスクリーン印刷法等により印刷塗布
することによって封止材7 を被着させる際、液状エポキ
シ樹脂の印刷性が悪くなって絶縁基体1 上面や蓋体2 の
下面に封止材7 を均一厚みに被着させることが困難とな
る。従って、前記吸湿材はその表面の細孔半径が10乃至
100 オングストロームのものに限定される。
オングストローム未満であると封止材7 に侵入した水分
を完全に吸着させることができず、また100 オングスト
ロームを越えると液状のエポキシ樹脂を絶縁基体1 の上
面や蓋体2 の下面にスクリーン印刷法等により印刷塗布
することによって封止材7 を被着させる際、液状エポキ
シ樹脂の印刷性が悪くなって絶縁基体1 上面や蓋体2 の
下面に封止材7 を均一厚みに被着させることが困難とな
る。従って、前記吸湿材はその表面の細孔半径が10乃至
100 オングストロームのものに限定される。
【００３０】更に前記吸湿材は封止材7 に対し1.0 重量
％未満の埋入であれば封止材7 における水分の通過が有
効に阻止されず、また50重量％を越えると吸湿材を混合
させた液状のエポキシ樹脂を絶縁基体1 の上面や蓋体2
の下面にスクリーン印刷法等により印刷塗布することに
よって封止材7 を被着させる際、液状エポキシ樹脂の印
刷性が悪くなって絶縁基体1 上面や蓋体2 の下面に封止
材7 を均一厚みに被着させることが困難となる傾向にあ
る。従って、前記吸湿材は封止材7 に対し1.0ないし50
重量％の範囲で埋入させておくことが好ましい。
％未満の埋入であれば封止材7 における水分の通過が有
効に阻止されず、また50重量％を越えると吸湿材を混合
させた液状のエポキシ樹脂を絶縁基体1 の上面や蓋体2
の下面にスクリーン印刷法等により印刷塗布することに
よって封止材7 を被着させる際、液状エポキシ樹脂の印
刷性が悪くなって絶縁基体1 上面や蓋体2 の下面に封止
材7 を均一厚みに被着させることが困難となる傾向にあ
る。従って、前記吸湿材は封止材7 に対し1.0ないし50
重量％の範囲で埋入させておくことが好ましい。
【００３１】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子3
を接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子3 の
各電極を外部リード端子5 にボンディングワイヤ6 を介
して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体1 の上面に蓋
体2 を封止材7 を 介して接合させ、絶縁基体1 と蓋体
2 とから成る容器4 内部に半導体素子3 を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置となる。
ージによれば、絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子3
を接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子3 の
各電極を外部リード端子5 にボンディングワイヤ6 を介
して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体1 の上面に蓋
体2 を封止材7 を 介して接合させ、絶縁基体1 と蓋体
2 とから成る容器4 内部に半導体素子3 を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置となる。
【００３２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり，例えば半導体素子が固体撮像素
子であり、蓋体がガラス等の透明部材から成る半導体素
子収納用パッケージにも適用し得る。この場合、絶縁容
器内部へ水分が入り込むことは殆どないことから蓋体に
結露によるくもりが発生することはなく、固体撮像素子
に正確な光電変換を起こさせることが可能となる。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり，例えば半導体素子が固体撮像素
子であり、蓋体がガラス等の透明部材から成る半導体素
子収納用パッケージにも適用し得る。この場合、絶縁容
器内部へ水分が入り込むことは殆どないことから蓋体に
結露によるくもりが発生することはなく、固体撮像素子
に正確な光電変換を起こさせることが可能となる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、樹脂から成る絶縁基体及び封止材に、表面に半
径が１０乃至１００オングストロームの細孔を有する吸
湿材を埋入させたことから絶縁基体及び封止材を通して
絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に大気中に含まれる
水分が入り込もうとしてもその入り込みは吸湿材で阻止
され、その結果、容器内部に収容した半導体素子の電極
及び半導体素子の各電極と外部リード端子とを電気的に
接続するボンディングワイヤに酸化腐食が発生すること
は殆どなく、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安
定に作動させることが可能となる。
よれば、樹脂から成る絶縁基体及び封止材に、表面に半
径が１０乃至１００オングストロームの細孔を有する吸
湿材を埋入させたことから絶縁基体及び封止材を通して
絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に大気中に含まれる
水分が入り込もうとしてもその入り込みは吸湿材で阻止
され、その結果、容器内部に収容した半導体素子の電極
及び半導体素子の各電極と外部リード端子とを電気的に
接続するボンディングワイヤに酸化腐食が発生すること
は殆どなく、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安
定に作動させることが可能となる。
【００３４】また内部に収容する半導体素子が固体撮像
素子で、蓋体がガラス等の透明部材から成る場合、蓋体
に結露によるくもりが発生することはなく、固体撮像素
子に正確な光電変換を起こさせることも可能となる。
素子で、蓋体がガラス等の透明部材から成る場合、蓋体
に結露によるくもりが発生することはなく、固体撮像素
子に正確な光電変換を起こさせることも可能となる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・蓋体 ３・・・・・半導体素子 ４・・・・・絶縁容器 ５・・・・・外部リード端子 ７・・・・・封止材
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁基体と蓋体とを封止材を介し接合させ
ることによって内部に半導体素子を気密に収容するよう
になした半導体素子収納用パッケージであって、前記絶
縁基体及び封止材を樹脂で形成するとともに該絶縁基体
及び封止材中に、表面に半径が10乃至100 オングストロ
ームの細孔を有する吸湿材を埋入させたことを特徴とす
る半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】前記吸湿材が樹脂から成る絶縁基体に1.0
乃至50重量％埋入されていることを特徴とする請求項１
に記載の半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項３】前記吸湿材が樹脂から成る封止材に1.0 乃
至50重量％埋入されていることを特徴とする請求項１に
記載の半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21451994A JP3426726B2 (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21451994A JP3426726B2 (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878558A true JPH0878558A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3426726B2 JP3426726B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=16657071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21451994A Expired - Lifetime JP3426726B2 (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3426726B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003096301A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電気・電子部品封止・シール用シリコーンゴム組成物 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5375860A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | Electronic parts having glass sealed package |
| JPS60176256A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS62221137A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS63120464A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6382945U (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | ||
| JPH01294476A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-28 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止電子部品の収納容器 |
| JPH0360056A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 固体撮像装置封止用接着剤 |
| JPH0485859A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 気密封止パッケージおよび接合部材 |
| JPH07153864A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP21451994A patent/JP3426726B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP2003096301A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電気・電子部品封止・シール用シリコーンゴム組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3426726B2 (ja) | 2003-07-14 |
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