JPH088206A - 赤外線ランプアニール装置 - Google Patents
赤外線ランプアニール装置Info
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- JPH088206A JPH088206A JP13349194A JP13349194A JPH088206A JP H088206 A JPH088206 A JP H088206A JP 13349194 A JP13349194 A JP 13349194A JP 13349194 A JP13349194 A JP 13349194A JP H088206 A JPH088206 A JP H088206A
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハ２４を急速加熱及び急速冷却してアニ
ール処理する赤外線ランプアニール装置において、ウェ
ーハ２４面内の温度均一性を向上させる。 【構成】容器３の外周囲を囲むように複数の赤外線ラン
プ１を配設し、この環状に並べられた赤外線ランプ１を
ベルト駆動により回転させ、半導体ウェハ４の中心を軸
に回転させて、ウェーハ２４の各部に対応する個々の赤
外線ランプ１との距離および位置を瞬時に変え、個々の
赤外線ランプの放射強度分布が相殺されてウェーハ２４
の各部に照射される赤外線光量が一様に平均化されるよ
うにしている。
ール処理する赤外線ランプアニール装置において、ウェ
ーハ２４面内の温度均一性を向上させる。 【構成】容器３の外周囲を囲むように複数の赤外線ラン
プ１を配設し、この環状に並べられた赤外線ランプ１を
ベルト駆動により回転させ、半導体ウェハ４の中心を軸
に回転させて、ウェーハ２４の各部に対応する個々の赤
外線ランプ１との距離および位置を瞬時に変え、個々の
赤外線ランプの放射強度分布が相殺されてウェーハ２４
の各部に照射される赤外線光量が一様に平均化されるよ
うにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＮ2 などのガス雰囲気中
でウェーハを赤外線により加熱しイオン注入層の活性化
や絶縁膜のリフローなどのアニール処理を行なうの赤外
線ランプアニール装置に関し、特にウェーハを一枚ずつ
アニール処理する枚様式の赤外線ランプアニール装置に
関する。
でウェーハを赤外線により加熱しイオン注入層の活性化
や絶縁膜のリフローなどのアニール処理を行なうの赤外
線ランプアニール装置に関し、特にウェーハを一枚ずつ
アニール処理する枚様式の赤外線ランプアニール装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、イオン注入後のイオン注入層の活
性化を図るアニール方法は、電気炉で加熱するという方
法が採用されていた。この方法は、容器の蓋を開けた状
態で目的温度に容器を加熱しウェーハの出し入れを行な
い急速加熱と急速冷却することによって行なわれてい
た。しかしながら、近年、浅い接合面が要求さるに伴な
い、結晶欠陥の発生を抑制するために短時間でより急速
加熱および急速冷却する必要が生じた。このような条件
を得るのに、単に熱容量の大きな通常の電気炉を用いて
も困難であった。そこで、直接ウェーハに赤外光を照射
し加熱することに着目し、種々の赤外線ランプアニール
装置が開発されてきた。
性化を図るアニール方法は、電気炉で加熱するという方
法が採用されていた。この方法は、容器の蓋を開けた状
態で目的温度に容器を加熱しウェーハの出し入れを行な
い急速加熱と急速冷却することによって行なわれてい
た。しかしながら、近年、浅い接合面が要求さるに伴な
い、結晶欠陥の発生を抑制するために短時間でより急速
加熱および急速冷却する必要が生じた。このような条件
を得るのに、単に熱容量の大きな通常の電気炉を用いて
も困難であった。そこで、直接ウェーハに赤外光を照射
し加熱することに着目し、種々の赤外線ランプアニール
装置が開発されてきた。
【０００３】図２（ａ）および（ｂ）は従来の一例を示
す赤外線ランプアニール装置の縦断面図および横断面図
である。この赤外線ランプアニール装置は、図２に示す
ように、一端側に開閉用の蓋２８を有し他端側にガスの
供給口２１とガスの排気口２２をもつとともに水平に載
置された石英製の容器２３と、この容器２３に収納され
るとともに伝熱損失の少なくするために点接触でウェー
ハ２４を水平に支持する３本の支持体２７と、容器３の
上下に並べ配置された複数本の赤外線ランプ２５とを備
えている。
す赤外線ランプアニール装置の縦断面図および横断面図
である。この赤外線ランプアニール装置は、図２に示す
ように、一端側に開閉用の蓋２８を有し他端側にガスの
供給口２１とガスの排気口２２をもつとともに水平に載
置された石英製の容器２３と、この容器２３に収納され
るとともに伝熱損失の少なくするために点接触でウェー
ハ２４を水平に支持する３本の支持体２７と、容器３の
上下に並べ配置された複数本の赤外線ランプ２５とを備
えている。
【０００４】また、図面には示していないが、容器２３
のウェーハ２４の出入口の近くには冷却ステージとウェ
ーハを搬送するロボットなどが設けられ、さらに、未処
理ウェーハを収納するカセットと処理済みのカセットが
出口を跨がって配置されている。そして、ウェーハへの
塵芥の付着を防止するために、搬送系エリアを含む容器
２３の周囲は一つの箱体に囲まれ、箱体の上部に配設さ
れたＵＬＰＡフィルターから清浄なガスをダウンフロー
させ高清浄度を保っていた。
のウェーハ２４の出入口の近くには冷却ステージとウェ
ーハを搬送するロボットなどが設けられ、さらに、未処
理ウェーハを収納するカセットと処理済みのカセットが
出口を跨がって配置されている。そして、ウェーハへの
塵芥の付着を防止するために、搬送系エリアを含む容器
２３の周囲は一つの箱体に囲まれ、箱体の上部に配設さ
れたＵＬＰＡフィルターから清浄なガスをダウンフロー
させ高清浄度を保っていた。
【０００５】この赤外線ランプアニール装置によるウェ
ーハのイオン層の活性化は、まず、ロボットのアームに
よりカセットから一枚の未処理ウェーハを引出し、容器
２３の支持体２７に乗せる。そして、例えば、窒素ガス
を供給口２１から導入し排気口２２から排出させガス置
換を行なう。次に、赤外線ランプ２５を点灯し、ウェー
ハ２４が１０００°Ｃになるまで加熱する。そして１０
秒程度保持してから赤外線ランプ２５を消灯し、窒素ガ
スをパージし冷却する。所定の温度に低下したら、ロボ
ットのアームにより蓋２８が開いた容器２３からウェー
ハを掴み冷却ステージに仮置きし、ロボットのアームに
より活性化されたウェーハをカセットに収納する。
ーハのイオン層の活性化は、まず、ロボットのアームに
よりカセットから一枚の未処理ウェーハを引出し、容器
２３の支持体２７に乗せる。そして、例えば、窒素ガス
を供給口２１から導入し排気口２２から排出させガス置
換を行なう。次に、赤外線ランプ２５を点灯し、ウェー
ハ２４が１０００°Ｃになるまで加熱する。そして１０
秒程度保持してから赤外線ランプ２５を消灯し、窒素ガ
スをパージし冷却する。所定の温度に低下したら、ロボ
ットのアームにより蓋２８が開いた容器２３からウェー
ハを掴み冷却ステージに仮置きし、ロボットのアームに
より活性化されたウェーハをカセットに収納する。
【０００６】このようにこの赤外線ランプアニール装置
は、急加熱および急冷させることができかつウェーハの
汚染や酸化など起さずにウェーハを一枚ずつ連続に処理
し自動的に搬送する生産性の高い枚様式の装置であるこ
とを特徴としていた。
は、急加熱および急冷させることができかつウェーハの
汚染や酸化など起さずにウェーハを一枚ずつ連続に処理
し自動的に搬送する生産性の高い枚様式の装置であるこ
とを特徴としていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の赤外線
ランプアニール装置では、赤外線ランプの固有の放射強
度分布の違いと個々の赤外線ランプとウェーハとの相対
距離が固定されているため、中央の赤外線ランプの直下
にあるウェーハ中心部分と、直下からはずれたウェーハ
の周辺部分とでは照射される光の量が違ってくる。この
ように光線の量にむらが生じることと極めて短時間に加
熱されることとがあいまってウェーハの中央部は高く周
辺部が低くとなるという面内の温度が不均一となる。こ
のことはウェーハに結晶欠陥を生じさせるという問題が
ある。
ランプアニール装置では、赤外線ランプの固有の放射強
度分布の違いと個々の赤外線ランプとウェーハとの相対
距離が固定されているため、中央の赤外線ランプの直下
にあるウェーハ中心部分と、直下からはずれたウェーハ
の周辺部分とでは照射される光の量が違ってくる。この
ように光線の量にむらが生じることと極めて短時間に加
熱されることとがあいまってウェーハの中央部は高く周
辺部が低くとなるという面内の温度が不均一となる。こ
のことはウェーハに結晶欠陥を生じさせるという問題が
ある。
【０００８】この面内温度分布の均一性を向上させるこ
とを目的にとしてた赤外線ランプアニール装置は、例え
ば、特開昭６１一２２６３４号公報に開示されている。
この赤外線ランプアニール装置は、石英製の容器を縦に
立てて配置し、容器内に収納された支持体に複数のウェ
ーハを上下に斜めにして並べて、この支持体を回転させ
ながら容器の外側から赤外線ランプより赤外線をウェー
ハに照射し加熱している。
とを目的にとしてた赤外線ランプアニール装置は、例え
ば、特開昭６１一２２６３４号公報に開示されている。
この赤外線ランプアニール装置は、石英製の容器を縦に
立てて配置し、容器内に収納された支持体に複数のウェ
ーハを上下に斜めにして並べて、この支持体を回転させ
ながら容器の外側から赤外線ランプより赤外線をウェー
ハに照射し加熱している。
【０００９】しかしながら、この赤外線ランプアニール
装置では、ウェーハ間での温度の一様性は得られるもの
の、ウェーハ面内の温度均一性が得られかは疑問が残
る。何となれば、一枚のウェーハに対し赤外線光が斜め
に照射されているので、赤外線ランプ光に対しウェーハ
の外周部と中心部との光路距離が異なる上に支持体を回
転してもこれら光路距離が変化しない。その結果、光路
距離の違いによる赤外線が吸収される光量が変り、ウェ
ーハの中央部と周辺部に照射される光量に違いを生ず
る。つまり前述と同じようにウェーハ面内の温度を均一
にすることが困難である。
装置では、ウェーハ間での温度の一様性は得られるもの
の、ウェーハ面内の温度均一性が得られかは疑問が残
る。何となれば、一枚のウェーハに対し赤外線光が斜め
に照射されているので、赤外線ランプ光に対しウェーハ
の外周部と中心部との光路距離が異なる上に支持体を回
転してもこれら光路距離が変化しない。その結果、光路
距離の違いによる赤外線が吸収される光量が変り、ウェ
ーハの中央部と周辺部に照射される光量に違いを生ず
る。つまり前述と同じようにウェーハ面内の温度を均一
にすることが困難である。
【００１０】よしんば、この技術を適用するにしても、
点接触でウェーハを支持する上述した赤外線ランプアニ
ール装置の支持体を回転することは困難である。また、
回転によるウェーハの落下を避けるためにウェーハの保
持を確実なものにする保持機構を設けるにしても、その
保持機構によって熱が奪われウェーハを所望の高温に昇
温できない。
点接触でウェーハを支持する上述した赤外線ランプアニ
ール装置の支持体を回転することは困難である。また、
回転によるウェーハの落下を避けるためにウェーハの保
持を確実なものにする保持機構を設けるにしても、その
保持機構によって熱が奪われウェーハを所望の高温に昇
温できない。
【００１１】従って、本発明の目的は、加熱されるウェ
ーハ面内の温度分布を均一にすることのできる赤外線ラ
ンプアニール装置を提供することである。
ーハ面内の温度分布を均一にすることのできる赤外線ラ
ンプアニール装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ガスの
供給口とガスの排出口を一端に有し他端に開口をもつと
ともに水平に載置され光を透過し得る容器と、この容器
の前記開口より収納される半導体基板である一枚のウェ
ーハを点接触で水平に支持する複数の支持体と、前記開
口を塞ぐ蓋と、前記容記の外周囲を囲むように配列され
た複数の赤外線ランプと、この環状に並べられた複数の
前記赤外線ランプを前記容器の周りを回転させる回転機
構とを備える赤外線ランプアニール装置である。
供給口とガスの排出口を一端に有し他端に開口をもつと
ともに水平に載置され光を透過し得る容器と、この容器
の前記開口より収納される半導体基板である一枚のウェ
ーハを点接触で水平に支持する複数の支持体と、前記開
口を塞ぐ蓋と、前記容記の外周囲を囲むように配列され
た複数の赤外線ランプと、この環状に並べられた複数の
前記赤外線ランプを前記容器の周りを回転させる回転機
構とを備える赤外線ランプアニール装置である。
【００１３】また、前記容器の開口に隣接して配設され
清浄な空気に保つ清浄室を備えることが望ましい。さら
に、前記蓋と前記複数の支持体とを連結する連結体を設
けることである。
清浄な空気に保つ清浄室を備えることが望ましい。さら
に、前記蓋と前記複数の支持体とを連結する連結体を設
けることである。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
例を示す赤外線ランプアニール装置の部分破断側面図お
よび上面図である。この赤外線ランプアニール装置は、
図１に示すように、ガスの供給口２１とガスの排出口２
２を一端に有し他端に開口をもつとともに水平に載置さ
れる透明な容器３と、この容器３の開口より収納される
ウェーハ２４を点接触で水平に支持する複数の支持体４
と、開口を塞ぐ蓋８と、容器３の外周囲を囲むように配
列された複数の赤外線ランプ１と、この環状に並べられ
た複数の赤外線ランプ１を容器３の周りを回転させるモ
ータ１１とベルト１０による回転機構とを備えている。
例を示す赤外線ランプアニール装置の部分破断側面図お
よび上面図である。この赤外線ランプアニール装置は、
図１に示すように、ガスの供給口２１とガスの排出口２
２を一端に有し他端に開口をもつとともに水平に載置さ
れる透明な容器３と、この容器３の開口より収納される
ウェーハ２４を点接触で水平に支持する複数の支持体４
と、開口を塞ぐ蓋８と、容器３の外周囲を囲むように配
列された複数の赤外線ランプ１と、この環状に並べられ
た複数の赤外線ランプ１を容器３の周りを回転させるモ
ータ１１とベルト１０による回転機構とを備えている。
【００１６】また、従来のように赤外線ランプ群と搬送
エリアを含む全体を囲む清浄室でも良いが、本発明で
は、小型化と省エネルギー化を図るために、容器３の開
口に隣接して小さな清浄室５を配設している。そして、
この清浄室５は、図示していないブロアーからダクトを
介しＵＬＰＡフィルタ５ａを通して空気を清浄室５内に
吹き出し、清浄化された空気は下側にダウンフローされ
スクリーン板７を通して外部に排気されている。
エリアを含む全体を囲む清浄室でも良いが、本発明で
は、小型化と省エネルギー化を図るために、容器３の開
口に隣接して小さな清浄室５を配設している。そして、
この清浄室５は、図示していないブロアーからダクトを
介しＵＬＰＡフィルタ５ａを通して空気を清浄室５内に
吹き出し、清浄化された空気は下側にダウンフローされ
スクリーン板７を通して外部に排気されている。
【００１７】さらに、蓋８と３本の支持体４とを連結す
る連結部６を設けることによって、ウェーハ２４を容器
３より引出してウェーハの支持体４からの取出しあるい
は支持体４へのウェーハ２４の載置をより容易にしてい
る。このようにウェーハ２４もしくは支持体４を容器３
外に取出せることは、容器３内にアームを挿入させウェ
ーハの取出しやウェーハの載置を行なう従来の複雑な運
動するロボットを用いる必要がなく、単純な運動機構を
もつ汎用のピックアップでウェーハ２４の拾いあるいは
載置ができるという利点がある。
る連結部６を設けることによって、ウェーハ２４を容器
３より引出してウェーハの支持体４からの取出しあるい
は支持体４へのウェーハ２４の載置をより容易にしてい
る。このようにウェーハ２４もしくは支持体４を容器３
外に取出せることは、容器３内にアームを挿入させウェ
ーハの取出しやウェーハの載置を行なう従来の複雑な運
動するロボットを用いる必要がなく、単純な運動機構を
もつ汎用のピックアップでウェーハ２４の拾いあるいは
載置ができるという利点がある。
【００１８】この支持体４が連結部６を介して取付けら
れる蓋８は、送りむらなどが起き難い油圧シリンダなど
の直線移動機構である挿脱機構１２により蓋８を移動さ
せることにより容器３の開口の開閉を行なうとともに容
器３からウェーハ２４を清浄室５に引出したりあるいは
容器３へウェーハ２４を収納したりする。
れる蓋８は、送りむらなどが起き難い油圧シリンダなど
の直線移動機構である挿脱機構１２により蓋８を移動さ
せることにより容器３の開口の開閉を行なうとともに容
器３からウェーハ２４を清浄室５に引出したりあるいは
容器３へウェーハ２４を収納したりする。
【００１９】容器３は石英製であって、一枚のウェーハ
２４が収納できる程度の大きさにし、その形状は製作し
易いように円管状にすることである。また、環状に配置
された赤外線ランプ１は、図示されていない回転軸受に
はめ込まれたリング状板１３ａ，１３ｂに差し渡して取
付けられ、両端の電極はリング状板１３ａ，１３ｂに埋
設されたコンタクト９ａ，９ｂに電気的に接続されてい
る。このコンタクト９ａ，９ｂはランプ電源部２と接続
されるブラシ１４ａ，１４ｂに接触し全ての赤外線ラン
プ１に電力を供給している。
２４が収納できる程度の大きさにし、その形状は製作し
易いように円管状にすることである。また、環状に配置
された赤外線ランプ１は、図示されていない回転軸受に
はめ込まれたリング状板１３ａ，１３ｂに差し渡して取
付けられ、両端の電極はリング状板１３ａ，１３ｂに埋
設されたコンタクト９ａ，９ｂに電気的に接続されてい
る。このコンタクト９ａ，９ｂはランプ電源部２と接続
されるブラシ１４ａ，１４ｂに接触し全ての赤外線ラン
プ１に電力を供給している。
【００２０】一方、環状に並べられた赤外線ランプ１の
回転機構は、振動を生じさせないで高速に回転できるベ
ルト駆動が望ましく、図１に示すように、リング状板１
３ａ，１３ｂの外形の溝にはめ込まれたベルト１０をモ
ータ１１と連結するプーリー１５ａ，１５ｂに差し渡し
て構成されるベルト駆動機構である。また、回転数は赤
外光照射中に少なくも２回転する必要がある。例えば、
３０秒の照射時間であれば、一分間に最低２回である。
すなわち、４ｒｐｍ以上の速度で回転すれば、赤外線ラ
ンプのウェーハ面への遠近による光量むらは解消でき
る。
回転機構は、振動を生じさせないで高速に回転できるベ
ルト駆動が望ましく、図１に示すように、リング状板１
３ａ，１３ｂの外形の溝にはめ込まれたベルト１０をモ
ータ１１と連結するプーリー１５ａ，１５ｂに差し渡し
て構成されるベルト駆動機構である。また、回転数は赤
外光照射中に少なくも２回転する必要がある。例えば、
３０秒の照射時間であれば、一分間に最低２回である。
すなわち、４ｒｐｍ以上の速度で回転すれば、赤外線ラ
ンプのウェーハ面への遠近による光量むらは解消でき
る。
【００２１】次に、この赤外線ランプアニール装置の動
作について説明する。まず、蓋８が挿脱機構１２により
後方に移動させることにより、清浄室５に支持体４が容
器３より引出される。そして、図１（ｂ）の紙面の上側
に配置されたカセット（図示せず）よりピックアップ
（図示せず）で一枚の未処理ウェーハが抜き出され搬送
される。そして、ピックアップでウェーハ２４は支持体
４に移載される。次に、挿脱機構１２により蓋８が移動
され容器３の開口を閉じるとともに支持体４に乗せられ
たウェーハ２４は容器３に収納される。
作について説明する。まず、蓋８が挿脱機構１２により
後方に移動させることにより、清浄室５に支持体４が容
器３より引出される。そして、図１（ｂ）の紙面の上側
に配置されたカセット（図示せず）よりピックアップ
（図示せず）で一枚の未処理ウェーハが抜き出され搬送
される。そして、ピックアップでウェーハ２４は支持体
４に移載される。次に、挿脱機構１２により蓋８が移動
され容器３の開口を閉じるとともに支持体４に乗せられ
たウェーハ２４は容器３に収納される。
【００２２】次に、供給口２１から窒素を導入し排気口
２２から排出することによって容器３内を窒素ガス置換
を行なう。次に、赤外線ランプ１を点灯するとともに赤
外線ランプ１を回転させる。所定時間ウェーハ２４に赤
外光を照射後、赤外線ランプ１を消灯するとともに赤外
線ランプ１の回転を停止する。そして、低い温度の窒素
ガスをパージングしウェーハ２４を冷却する。ウェーハ
２４が冷却したら、挿脱機構１２により蓋８を開けると
ともにウェーハ２４を清浄室５に引出す。次に、図１
（ｂ）の清浄室５の紙面の下側からピックアップから伸
び、支持体４上のウェーハ２４を拾う。そしてウェーハ
を搬送し処理用のカセットにウェーハを収納する。この
ように順次未処理用カセットより一枚ずつ引抜き容器３
に収納し、アニール処理してから一枚ずつ処理用カセッ
トに収納して動作を繰返して行ないカセットにある総べ
てのウェーハを処理して終了する。
２２から排出することによって容器３内を窒素ガス置換
を行なう。次に、赤外線ランプ１を点灯するとともに赤
外線ランプ１を回転させる。所定時間ウェーハ２４に赤
外光を照射後、赤外線ランプ１を消灯するとともに赤外
線ランプ１の回転を停止する。そして、低い温度の窒素
ガスをパージングしウェーハ２４を冷却する。ウェーハ
２４が冷却したら、挿脱機構１２により蓋８を開けると
ともにウェーハ２４を清浄室５に引出す。次に、図１
（ｂ）の清浄室５の紙面の下側からピックアップから伸
び、支持体４上のウェーハ２４を拾う。そしてウェーハ
を搬送し処理用のカセットにウェーハを収納する。この
ように順次未処理用カセットより一枚ずつ引抜き容器３
に収納し、アニール処理してから一枚ずつ処理用カセッ
トに収納して動作を繰返して行ないカセットにある総べ
てのウェーハを処理して終了する。
【００２３】なお、本発明の赤外線ランプを回転させる
回転機構および蓋を移動させて容器の開口を開閉する挿
脱機構のそれぞれは、この実施例で説明した機構に限定
するものではない。
回転機構および蓋を移動させて容器の開口を開閉する挿
脱機構のそれぞれは、この実施例で説明した機構に限定
するものではない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は、一枚のウェーハ
を点接触で支持する支持体を収納する透明な容器の外周
囲を取り囲むように複数の赤外線ランプを配設し、この
環状に並べられた赤外線ランプ群を容器の周りを回転さ
せることによって、ウェーハ各部に対応する個々の赤外
線ランプとの位置および距離を瞬時に変えることができ
るので、個々の赤外線ランプの放射強度分布が相殺され
てウェーハ各部に照射される赤外光量が一様に平均化さ
る。その結果、ウェーハ面内の温度分布が均一に図れる
という効果がある。
を点接触で支持する支持体を収納する透明な容器の外周
囲を取り囲むように複数の赤外線ランプを配設し、この
環状に並べられた赤外線ランプ群を容器の周りを回転さ
せることによって、ウェーハ各部に対応する個々の赤外
線ランプとの位置および距離を瞬時に変えることができ
るので、個々の赤外線ランプの放射強度分布が相殺され
てウェーハ各部に照射される赤外光量が一様に平均化さ
る。その結果、ウェーハ面内の温度分布が均一に図れる
という効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す赤外線ランプアニール
装置の部分破断側面図および上面図である。
装置の部分破断側面図および上面図である。
【図２】従来の一例を示す赤外線ランプアニール装置の
縦断面図および横断面図である。
縦断面図および横断面図である。
１，２５ 赤外線ランプ ２ ランプ電源部 ３，２３ 容器 ４，２７ 支持体 ５ 清浄室 ６ 連結部 ７ スクリーン板 ８，２８ 蓋 ９ａ，９ｂ コンタクト １０ ベルト １１ モータ １２ 挿脱機構 １３ａ，１３ｂ リング状板 １４ａ，１４ｂ ブラシ １５ａ，１５ｂ プーリー ２１ 供給口 ２２ 排気口 ２４ ウェーハ
Claims (4)
- 【請求項１】 ガスの供給口とガスの排出口を一端に有
し他端に開口をもつとともに水平に載置され光を透過し
得る容器と、この容器の前記開口より収納される半導体
基板である一枚のウェーハを点接触で水平に支持する複
数の支持体と、前記開口を塞ぐ蓋と、前記容記の外周囲
を囲むように配列された複数の赤外線ランプと、この環
状に並べられた複数の前記赤外線ランプを前記容器の周
りを回転させる回転機構とを備えることを特徴とする赤
外線ランプアニール装置。 - 【請求項２】 前記容器の開口に隣接して配設され清浄
な空気に保つ清浄室を備えることを特徴とする請求項１
記載の赤外線ランプアニール装置。 - 【請求項３】 前記蓋と前記複数の支持体とを連結する
連結体を備えることを特徴とする請求項１または請求項
２記載の赤外線ランプアニール装置。 - 【請求項４】 前記連結体および前記支持体を伴なって
前記蓋を移動させ前記容器の開口を閉じたり前記容器か
ら前記清浄室に引出したりする挿脱機構を備えることを
特徴とする請求項３記載のランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13349194A JPH088206A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 赤外線ランプアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13349194A JPH088206A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 赤外線ランプアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088206A true JPH088206A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15106016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13349194A Pending JPH088206A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 赤外線ランプアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7459354B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including top gate thin film transistor and method for manufacturing an active matrix device including top gate thin film transistor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616006A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 乗用車用空気入りラジアルタイヤ |
| JPS6173324A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0389517A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Sharp Corp | ランプアニール装置 |
| JPH04107818A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Nec Corp | ランプアニール装置 |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP13349194A patent/JPH088206A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616006A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 乗用車用空気入りラジアルタイヤ |
| JPS6173324A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0389517A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Sharp Corp | ランプアニール装置 |
| JPH04107818A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Nec Corp | ランプアニール装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7459354B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including top gate thin film transistor and method for manufacturing an active matrix device including top gate thin film transistor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961224 |