JPH088212A - プラズマｃｖｄ方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ方法Info
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- JPH088212A JPH088212A JP6139765A JP13976594A JPH088212A JP H088212 A JPH088212 A JP H088212A JP 6139765 A JP6139765 A JP 6139765A JP 13976594 A JP13976594 A JP 13976594A JP H088212 A JPH088212 A JP H088212A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/032—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers
- H10W20/033—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections of conductive barrier, adhesion or liner layers in openings in dielectrics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細でアスペクト比の大きな接続孔内へ、含
有塩素量が小さく、ステップカバレッジに優れたＴｉＮ
バリアメタル層を形成するプラズマＣＶＤ方法を提供す
る。 【構成】 低ＴｉＣｌ4 分圧のプラズマＣＶＤによる第
１のＴｉＮ層５１と、高ＴｉＣｌ4 分圧のプラズマＣＶ
Ｄによる第２のＴｉＮ層５２を連続して形成する２段階
プラズマＣＶＤを採用する。 【効果】 下地Ｔｉ層４との界面に偏析しやすい塩素量
を低減でき、Ａｌ系金属層６のアフターコロージョンを
防止できる。また低塩素量なのでコンタクト抵抗の減少
にも寄与する。
有塩素量が小さく、ステップカバレッジに優れたＴｉＮ
バリアメタル層を形成するプラズマＣＶＤ方法を提供す
る。 【構成】 低ＴｉＣｌ4 分圧のプラズマＣＶＤによる第
１のＴｉＮ層５１と、高ＴｉＣｌ4 分圧のプラズマＣＶ
Ｄによる第２のＴｉＮ層５２を連続して形成する２段階
プラズマＣＶＤを採用する。 【効果】 下地Ｔｉ層４との界面に偏析しやすい塩素量
を低減でき、Ａｌ系金属層６のアフターコロージョンを
防止できる。また低塩素量なのでコンタクト抵抗の減少
にも寄与する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程等
に用いられるプラズマＣＶＤ方法に関し、さらに詳しく
は、ステップカバレッジに優れ、残留不純物含有量の少
ない窒化チタン（ＴｉＮ）のプラズマＣＶＤ方法に関す
る。
に用いられるプラズマＣＶＤ方法に関し、さらに詳しく
は、ステップカバレッジに優れ、残留不純物含有量の少
ない窒化チタン（ＴｉＮ）のプラズマＣＶＤ方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置のデザインルール
がハーフミクロンからクォータミクロンあるいはそれ以
下のレベルへと微細化し、かつ多層配線構造が多用され
るに伴い、配線層間を接続するための接続孔のアスペク
ト比も増大する傾向にある。例えば、０．１８μｍルー
ルの半導体装置においては、接続孔の開口径０．２μｍ
に対し、層間絶縁膜の厚さは１．０μｍ程度であるの
で、アスペクト比は５に達する。かかる微細で高アスペ
クト比の接続孔により、信頼性の高い多層配線構造を達
成するには、接続孔内にオーミックコンタクト用のＴｉ
層と、配線材料の拡散を防止するバリアメタルであるＴ
ｉＮ層をコンフォーマルに形成した後、Ａｌ系金属の高
温スパッタリングや、Ｗの選択ＣＶＤやブランケットＣ
ＶＤにより、上層配線材料やコンタクトプラグで接続孔
を充填する方法が採用されつつある。
がハーフミクロンからクォータミクロンあるいはそれ以
下のレベルへと微細化し、かつ多層配線構造が多用され
るに伴い、配線層間を接続するための接続孔のアスペク
ト比も増大する傾向にある。例えば、０．１８μｍルー
ルの半導体装置においては、接続孔の開口径０．２μｍ
に対し、層間絶縁膜の厚さは１．０μｍ程度であるの
で、アスペクト比は５に達する。かかる微細で高アスペ
クト比の接続孔により、信頼性の高い多層配線構造を達
成するには、接続孔内にオーミックコンタクト用のＴｉ
層と、配線材料の拡散を防止するバリアメタルであるＴ
ｉＮ層をコンフォーマルに形成した後、Ａｌ系金属の高
温スパッタリングや、Ｗの選択ＣＶＤやブランケットＣ
ＶＤにより、上層配線材料やコンタクトプラグで接続孔
を充填する方法が採用されつつある。
【０００３】通常、Ｔｉ層やＴｉＮ層を形成するには、
Ｔｉ金属をターゲット材料としたスパッタリングや、反
応性スパッタリングが行われる。中でもスパッタリング
粒子の垂直入射成分を高めたコリメーション・スパッタ
リングが注目されているが、ステップカバリッジに優れ
たこの方法も、アスペクト比が５に達する微細接続孔内
にコンフォーマルに成膜することは困難である。この問
題を図５および図６（ａ）〜（ｄ）を参照して説明す
る。
Ｔｉ金属をターゲット材料としたスパッタリングや、反
応性スパッタリングが行われる。中でもスパッタリング
粒子の垂直入射成分を高めたコリメーション・スパッタ
リングが注目されているが、ステップカバリッジに優れ
たこの方法も、アスペクト比が５に達する微細接続孔内
にコンフォーマルに成膜することは困難である。この問
題を図５および図６（ａ）〜（ｄ）を参照して説明す
る。
【０００４】図５はコリメーション・スパッタリング装
置の一構成例を示す概略断面図である。基板ステージ１
２に載置された被処理基板１１に対向して、Ｔｉ金属材
料からなるターゲット２０を配置し、ガス導入孔（図示
せず）からＡｒやＮ2 等のガスを導入し、スパッタリン
グチャンバ２２内を所定の減圧雰囲気にした後、被処理
基板１１とターゲット２０の間にＲＦ電力を印加する。
ターゲットからスパッタされたＴｉは、被処理基板１１
とターゲット２０の中間位置に配設されたコリメータ２
１を通過してそのままＴｉ金属として、あるいはＮ2 と
反応してＴｉＮとなり被処理基板１１上に堆積する。コ
リメータ２１は、被処理基板１１の表面に対し垂直の方
向に、多数の貫通孔が高開口率に開口した構造を有する
多孔板であり、被処理基板への垂直入射粒子成分を増大
する、セラミクスや金属からなる部材である。なお同図
では、真空ポンプや基板加熱機構等の細部は図示を省略
する。
置の一構成例を示す概略断面図である。基板ステージ１
２に載置された被処理基板１１に対向して、Ｔｉ金属材
料からなるターゲット２０を配置し、ガス導入孔（図示
せず）からＡｒやＮ2 等のガスを導入し、スパッタリン
グチャンバ２２内を所定の減圧雰囲気にした後、被処理
基板１１とターゲット２０の間にＲＦ電力を印加する。
ターゲットからスパッタされたＴｉは、被処理基板１１
とターゲット２０の中間位置に配設されたコリメータ２
１を通過してそのままＴｉ金属として、あるいはＮ2 と
反応してＴｉＮとなり被処理基板１１上に堆積する。コ
リメータ２１は、被処理基板１１の表面に対し垂直の方
向に、多数の貫通孔が高開口率に開口した構造を有する
多孔板であり、被処理基板への垂直入射粒子成分を増大
する、セラミクスや金属からなる部材である。なお同図
では、真空ポンプや基板加熱機構等の細部は図示を省略
する。
【０００５】このコリメーション・スパッタリング装置
を用いて、接続孔が形成された被処理基板上にＴｉ層お
よびＴｉＮ層を形成するプロセスを図６（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。まず、不純物拡散層（図示せず）
等の能動素子が形成されたＳｉ等の半導体基板１上にＳ
ｉＯ2 等からなる１μｍの厚さの層間絶縁膜２を形成
し、不純物拡散層に臨む０．２μｍ径の接続孔３を開口
する。次にこの被処理基板を２００℃に加熱した基板ス
テージ１１上に載置し、Ａｒを２５ｓｃｃｍ、チャンバ
内圧力０．２Ｐａ、ＲＦ電力８ｋｗのスパッタリング条
件でＴｉ層４を１０ｎｍ形成して図６（ｂ）に示す状態
とする。つぎにＮ2 を同じく２５ｓｃｃｍ追加して導入
した他は同じスパッタリング条件で、ＴｉＮ層５を２０
ｎｍ形成する。このとき、図６（ｃ）に示すように、接
続孔３上のＴｉＮ層５はオーバーハング形状に堆積し、
接続孔３底部の周辺部は薄く形成される。この状態でＡ
ｌ系金属層６を高温スパッタリング等により形成する
と、図６（ｄ）に示すようにボイド７が発生し、コンタ
クトプラグの信頼性に問題が生じる場合がある。ボイド
７は、Ａｌ系金属層のスパッタリングの代わりにＷのＣ
ＶＤを採用する場合にも、同じように発生する。
を用いて、接続孔が形成された被処理基板上にＴｉ層お
よびＴｉＮ層を形成するプロセスを図６（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。まず、不純物拡散層（図示せず）
等の能動素子が形成されたＳｉ等の半導体基板１上にＳ
ｉＯ2 等からなる１μｍの厚さの層間絶縁膜２を形成
し、不純物拡散層に臨む０．２μｍ径の接続孔３を開口
する。次にこの被処理基板を２００℃に加熱した基板ス
テージ１１上に載置し、Ａｒを２５ｓｃｃｍ、チャンバ
内圧力０．２Ｐａ、ＲＦ電力８ｋｗのスパッタリング条
件でＴｉ層４を１０ｎｍ形成して図６（ｂ）に示す状態
とする。つぎにＮ2 を同じく２５ｓｃｃｍ追加して導入
した他は同じスパッタリング条件で、ＴｉＮ層５を２０
ｎｍ形成する。このとき、図６（ｃ）に示すように、接
続孔３上のＴｉＮ層５はオーバーハング形状に堆積し、
接続孔３底部の周辺部は薄く形成される。この状態でＡ
ｌ系金属層６を高温スパッタリング等により形成する
と、図６（ｄ）に示すようにボイド７が発生し、コンタ
クトプラグの信頼性に問題が生じる場合がある。ボイド
７は、Ａｌ系金属層のスパッタリングの代わりにＷのＣ
ＶＤを採用する場合にも、同じように発生する。
【０００６】コリメーション法をも含めたこれらスパッ
タリングにおけるステップカバリッジの問題を解決する
ため、ＴｉＣｌ4 を用いたプラズマＣＶＤが、例えば、
半導体・集積回路技術第４４回シンポジウム講演論文集
３１ページ（１９９３）に報告されている。ＴｉＣｌ4
を原料ガスとして用いるこの方法は、Ｈ2 還元によるＴ
ｉ層と、さらにこのガス系にＮ2 を添加して、ＴｉＮ層
を連続して成膜することが可能である。
タリングにおけるステップカバリッジの問題を解決する
ため、ＴｉＣｌ4 を用いたプラズマＣＶＤが、例えば、
半導体・集積回路技術第４４回シンポジウム講演論文集
３１ページ（１９９３）に報告されている。ＴｉＣｌ4
を原料ガスとして用いるこの方法は、Ｈ2 還元によるＴ
ｉ層と、さらにこのガス系にＮ2 を添加して、ＴｉＮ層
を連続して成膜することが可能である。
【０００７】プラズマＣＶＤにおいても、良好なステッ
プカバリッジのＴｉＮ層を形成するには、ＴｉＣｌ4 を
Ｈ2 やＮ2 に対して十分に供給し、ＴｉＮの形成反応が
ＴｉＣｌ4 の供給に律速されない条件で成膜する必要が
ある。ＴｉＣｌ4 の供給が不足すると、アスペクト比の
大きな接続孔底部に迄ＴｉＣｌ4 が十分に行き渡らず、
接続孔の入口付近のみで反応が進行しがちなためであ
る。
プカバリッジのＴｉＮ層を形成するには、ＴｉＣｌ4 を
Ｈ2 やＮ2 に対して十分に供給し、ＴｉＮの形成反応が
ＴｉＣｌ4 の供給に律速されない条件で成膜する必要が
ある。ＴｉＣｌ4 の供給が不足すると、アスペクト比の
大きな接続孔底部に迄ＴｉＣｌ4 が十分に行き渡らず、
接続孔の入口付近のみで反応が進行しがちなためであ
る。
【０００８】しかしながら、ステップカバレッジを重視
したこの方法によると、Ｃｌ系ガスであるＴｉＣｌ4 を
大流量用いるため、ＴｉＮ層中に塩素が多量に残留する
傾向がある。残留塩素は特に下層Ｔｉ層との界面に高濃
度で残留するので、コンタクト抵抗が増大する。また残
留塩素は徐々に拡散するので、Ａｌ系金属を上層配線に
用いる場合にはアフターコロージョンが発生して、デバ
イスの信頼性を損なう問題がある。また、Ａｌ系金属を
下層配線として用い、ここに臨んで形成したヴァアホー
ル内にＴｉＮ層を形成する場合にも同様のアフターコロ
ージョンが下層配線に発生する。
したこの方法によると、Ｃｌ系ガスであるＴｉＣｌ4 を
大流量用いるため、ＴｉＮ層中に塩素が多量に残留する
傾向がある。残留塩素は特に下層Ｔｉ層との界面に高濃
度で残留するので、コンタクト抵抗が増大する。また残
留塩素は徐々に拡散するので、Ａｌ系金属を上層配線に
用いる場合にはアフターコロージョンが発生して、デバ
イスの信頼性を損なう問題がある。また、Ａｌ系金属を
下層配線として用い、ここに臨んで形成したヴァアホー
ル内にＴｉＮ層を形成する場合にも同様のアフターコロ
ージョンが下層配線に発生する。
【０００９】同じＣＶＤにおいて、有機Ｔｉ化合物をソ
ースガスとして用いれば、アフターコロージョンの問題
はない。しかし、Ｔｉ層の形成が困難であることと、残
留炭素の低減と良好なステップカバレッジを共に満たす
ＣＶＤ条件が見出せないのが現状である。
ースガスとして用いれば、アフターコロージョンの問題
はない。しかし、Ｔｉ層の形成が困難であることと、残
留炭素の低減と良好なステップカバレッジを共に満たす
ＣＶＤ条件が見出せないのが現状である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、微細かつ高アスペクト比の接続孔が形成された被処
理基板上に、良好なステップカバレッジを有し、かつ塩
素や炭素等の残留不純物濃度の小さいＴｉＮ層を形成す
ることが可能なプラズマＣＶＤ方法を提供することであ
る。
は、微細かつ高アスペクト比の接続孔が形成された被処
理基板上に、良好なステップカバレッジを有し、かつ塩
素や炭素等の残留不純物濃度の小さいＴｉＮ層を形成す
ることが可能なプラズマＣＶＤ方法を提供することであ
る。
【００１１】また本発明の別の課題は、コンタクト抵抗
が低く、Ａｌ系金属配線のアフターコロージョンの虞れ
のない、信頼性に優れた半導体装置を製造しうるＴｉＮ
層のプラズマＣＶＤ方法を提供することである。本発明
の上記以外の課題は、本願明細書および添付図面の説明
により明らかとなる。
が低く、Ａｌ系金属配線のアフターコロージョンの虞れ
のない、信頼性に優れた半導体装置を製造しうるＴｉＮ
層のプラズマＣＶＤ方法を提供することである。本発明
の上記以外の課題は、本願明細書および添付図面の説明
により明らかとなる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
方法は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、Ｔｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含む混合ガス
を用いて、被処理基板上にＴｉＮを形成するプラズマＣ
ＶＤ方法において、この混合ガス中のＴｉ系ガスの混合
比を小とした第１のプラズマＣＶＤ工程と、この混合ガ
ス中のＴｉ系ガスの混合比を大とした第２のプラズマＣ
ＶＤ工程とをこの順に施す、２段階プラズマＣＶＤ方法
である。
方法は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、Ｔｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含む混合ガス
を用いて、被処理基板上にＴｉＮを形成するプラズマＣ
ＶＤ方法において、この混合ガス中のＴｉ系ガスの混合
比を小とした第１のプラズマＣＶＤ工程と、この混合ガ
ス中のＴｉ系ガスの混合比を大とした第２のプラズマＣ
ＶＤ工程とをこの順に施す、２段階プラズマＣＶＤ方法
である。
【００１３】また本発明のプラズマＣＶＤ方法は、Ｔｉ
系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含む混合ガスを用い
て、被処理基板上にＴｉＮを形成するプラズマＣＶＤ方
法において、この混合ガス中のＨ2 の混合比を大とした
第１のプラズマＣＶＤ工程と、この混合ガス中のＨ2 の
混合比を小とした第２のプラズマＣＶＤ工程とをこの順
に施す、２段階プラズマＣＶＤ方法である。
系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含む混合ガスを用い
て、被処理基板上にＴｉＮを形成するプラズマＣＶＤ方
法において、この混合ガス中のＨ2 の混合比を大とした
第１のプラズマＣＶＤ工程と、この混合ガス中のＨ2 の
混合比を小とした第２のプラズマＣＶＤ工程とをこの順
に施す、２段階プラズマＣＶＤ方法である。
【００１４】さらに本発明のプラズマＣＶＤ方法は、Ｔ
ｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含む混合ガスを用い
て、被処理基板上にＴｉＮを形成するプラズマＣＶＤ方
法において、この混合ガス中のＴｉ系ガスとＨ2 の混合
比を共に小とした第１のプラズマＣＶＤ工程と、この混
合ガス中の前記Ｔｉ系ガスとＨ2 の混合比を共に大とし
た第２のプラズマＣＶＤ工程とをこの順に施す、２段階
プラズマＣＶＤ方法である。
ｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含む混合ガスを用い
て、被処理基板上にＴｉＮを形成するプラズマＣＶＤ方
法において、この混合ガス中のＴｉ系ガスとＨ2 の混合
比を共に小とした第１のプラズマＣＶＤ工程と、この混
合ガス中の前記Ｔｉ系ガスとＨ2 の混合比を共に大とし
た第２のプラズマＣＶＤ工程とをこの順に施す、２段階
プラズマＣＶＤ方法である。
【００１５】本発明で用いる混合比が小、あるいは大と
いう語は、混合比やガス流量の絶対値を示すものではな
く、２段階スパッタリングにおける他のスパッタリング
工程での混合比との相対値を示すものである。
いう語は、混合比やガス流量の絶対値を示すものではな
く、２段階スパッタリングにおける他のスパッタリング
工程での混合比との相対値を示すものである。
【００１６】本発明で用いるところのＴｉ系ガスは、Ｔ
ｉＣｌ4 （ｍｐ＝−２５℃、ｂｐ＝１３６℃）、ＴｉＢ
ｒ4 （ｍｐ＝３９℃、ｂｐ＝２３０℃）、ＴｉＦ4 （２
８４℃で昇華）等のハロゲン化チタン、およびＴｉ（Ｎ
（ＣＨ3 ）2 ）4 （テトラジメチルアミノチタニウ
ム）、Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ）4 （テトラジエチルア
ミノチタニウム）等の有機Ｔｉ化合物を例示できる。な
かでもＴｉＣｌ4 は室温で液体であり、取り扱いの簡便
さから好ましく使用することができる。これらのハロゲ
ン化チタンおよび有機Ｔｉ化合物は、公知のバーニング
法あるいはキャリアガスを用いた加熱バブリング法でプ
ラズマＣＶＤチャンバへ導入すればよい。
ｉＣｌ4 （ｍｐ＝−２５℃、ｂｐ＝１３６℃）、ＴｉＢ
ｒ4 （ｍｐ＝３９℃、ｂｐ＝２３０℃）、ＴｉＦ4 （２
８４℃で昇華）等のハロゲン化チタン、およびＴｉ（Ｎ
（ＣＨ3 ）2 ）4 （テトラジメチルアミノチタニウ
ム）、Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ）4 （テトラジエチルア
ミノチタニウム）等の有機Ｔｉ化合物を例示できる。な
かでもＴｉＣｌ4 は室温で液体であり、取り扱いの簡便
さから好ましく使用することができる。これらのハロゲ
ン化チタンおよび有機Ｔｉ化合物は、公知のバーニング
法あるいはキャリアガスを用いた加熱バブリング法でプ
ラズマＣＶＤチャンバへ導入すればよい。
【００１７】また本発明で用いる窒素系ガスは、Ｎ2 、
ＮＨ 3およびＮ2 Ｈ4 等、Ｎ原子を含む、窒化剤となり
うるガスである。
ＮＨ 3およびＮ2 Ｈ4 等、Ｎ原子を含む、窒化剤となり
うるガスである。
【００１８】
【作用】本発明のポイントは、ＴｉＮ層のプラズマＣＶ
Ｄ工程を２段階に分け、前段の第１のプラズマＣＶＤ工
程においては、塩素や炭素等の残留不純物濃度の少ない
条件で成膜し、後段の第２のプラズマＣＶＤ工程におい
ては良好なステップカバレッジの条件で成膜する点にあ
る。
Ｄ工程を２段階に分け、前段の第１のプラズマＣＶＤ工
程においては、塩素や炭素等の残留不純物濃度の少ない
条件で成膜し、後段の第２のプラズマＣＶＤ工程におい
ては良好なステップカバレッジの条件で成膜する点にあ
る。
【００１９】この２段階プラズマＣＶＤを実現するため
には、第１のプラズマＣＶＤ工程においては、原料の混
合ガス中のＴｉ系ガスの混合比を小さくするか、還元ガ
スであるＨ2 の混合比を大きくすればよい。この条件下
では、Ｔｉ系ガスが十分に還元され、界面に塩素や炭素
等の不純物が偏析することなく、純度の高いＴｉＮ層が
堆積する。
には、第１のプラズマＣＶＤ工程においては、原料の混
合ガス中のＴｉ系ガスの混合比を小さくするか、還元ガ
スであるＨ2 の混合比を大きくすればよい。この条件下
では、Ｔｉ系ガスが十分に還元され、界面に塩素や炭素
等の不純物が偏析することなく、純度の高いＴｉＮ層が
堆積する。
【００２０】引き続く第２のプラズマＣＶＤ工程におい
ては、原料の混合ガス中のＴｉ系ガスの混合比を大きく
するか、還元ガスであるＨ2 の混合比を小さくすればよ
い。この条件下では、Ｔｉ系ガスが十分に供給されるの
で、表面反応律速となりステップカバレッジは向上す
る。
ては、原料の混合ガス中のＴｉ系ガスの混合比を大きく
するか、還元ガスであるＨ2 の混合比を小さくすればよ
い。この条件下では、Ｔｉ系ガスが十分に供給されるの
で、表面反応律速となりステップカバレッジは向上す
る。
【００２１】上述した２種類の第１のプラズマＣＶＤ工
程においては、Ｔｉ系ガスの流量がＨ2 の流量に比して
低下しており、Ｔｉ系ガスの供給律速に近づくので、Ｔ
ｉＮ層のステップカバレッジが若干低下する虞れがあ
る。そこで請求項３のプラズマＣＶＤ方法においては、
Ｔｉ系ガスおよびＨ2 ともにその流量を低減し、混合比
としては良好なステップカバレッジが得られる条件と同
じにする。これにより、デポジションレートはやや低下
するものの、Ｔｉ系ガスは十分に還元され、良好なステ
ップカバレッジを維持しつつ、成長初期での界面での不
純物偏析を抑制することが可能となるのである。
程においては、Ｔｉ系ガスの流量がＨ2 の流量に比して
低下しており、Ｔｉ系ガスの供給律速に近づくので、Ｔ
ｉＮ層のステップカバレッジが若干低下する虞れがあ
る。そこで請求項３のプラズマＣＶＤ方法においては、
Ｔｉ系ガスおよびＨ2 ともにその流量を低減し、混合比
としては良好なステップカバレッジが得られる条件と同
じにする。これにより、デポジションレートはやや低下
するものの、Ｔｉ系ガスは十分に還元され、良好なステ
ップカバレッジを維持しつつ、成長初期での界面での不
純物偏析を抑制することが可能となるのである。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき添付図面
を参照して説明する。まず本発明の実施例で共通に用い
たＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一構成例につき、図２を
参照して説明する。プラズマＣＶＤを施す被処理基板１
１を載置した基板ステージ１２を配設したプラズマＣＶ
Ｄ室１３に臨んだ開口部を有するプラズマ生成室１７に
は、導波管１４により導かれる２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を石英窓１５を介して導入する。１６はマグネット
であり、プラズマ生成室内に０．０８７５Ｔの磁場を形
成しここでＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒ
ｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマを生成する。
Ｎ2 、Ｈ2 およびＡｒ等のガスはガス配管１８よりプラ
ズマ生成室１７に供給する。一方ＴｉＣｌ4 は専用のバ
ーニング装置１９より加熱ガス配管２０を経由してプラ
ズマ反応室１３に直接供給する。なお、同図では基板ス
テージ加熱機構、真空ポンプ等の細部は図示を省略す
る。
を参照して説明する。まず本発明の実施例で共通に用い
たＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一構成例につき、図２を
参照して説明する。プラズマＣＶＤを施す被処理基板１
１を載置した基板ステージ１２を配設したプラズマＣＶ
Ｄ室１３に臨んだ開口部を有するプラズマ生成室１７に
は、導波管１４により導かれる２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を石英窓１５を介して導入する。１６はマグネット
であり、プラズマ生成室内に０．０８７５Ｔの磁場を形
成しここでＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒ
ｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマを生成する。
Ｎ2 、Ｈ2 およびＡｒ等のガスはガス配管１８よりプラ
ズマ生成室１７に供給する。一方ＴｉＣｌ4 は専用のバ
ーニング装置１９より加熱ガス配管２０を経由してプラ
ズマ反応室１３に直接供給する。なお、同図では基板ス
テージ加熱機構、真空ポンプ等の細部は図示を省略す
る。
【００２３】実施例１ 本実施例は、請求項１のプラズマＣＶＤ方法を適用し、
ＴｉＮ層の成長初期にＴｉＣｌ4 の混合比を小さくし、
その後ＴｉＣｌ4 の混合比を大きくした例であり、これ
を図１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。なお同図で
は説明の都合上、各材料層や接続孔の寸法比等は実際と
は異なる。また従来技術の説明に用いた図６（ａ）〜
（ｄ）と同じ機能を有する部分には同じ符号を付すもの
とする。
ＴｉＮ層の成長初期にＴｉＣｌ4 の混合比を小さくし、
その後ＴｉＣｌ4 の混合比を大きくした例であり、これ
を図１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。なお同図で
は説明の都合上、各材料層や接続孔の寸法比等は実際と
は異なる。また従来技術の説明に用いた図６（ａ）〜
（ｄ）と同じ機能を有する部分には同じ符号を付すもの
とする。
【００２４】まず図１（ａ）に示すように、Ｓｉ等の半
導体基板１上に、ＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏを用いた減圧ＣＶＤ
によりＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜２を１μｍ形成し、
半導体基板１の図示しない拡散層に臨む接続孔３を開口
する。接続孔の開口径は０．１５〜０．２５μｍであ
り、本実施例では０．２μｍとした。
導体基板１上に、ＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏを用いた減圧ＣＶＤ
によりＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜２を１μｍ形成し、
半導体基板１の図示しない拡散層に臨む接続孔３を開口
する。接続孔の開口径は０．１５〜０．２５μｍであ
り、本実施例では０．２μｍとした。
【００２５】次に接続孔３底部に露出する拡散層上の自
然酸化膜を希ＨＦ水溶液洗浄で除去した後、図１（ｂ）
に示すように、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置によりＴｉ層
４を下記条件により堆積する。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ Ｔｉ層４の層厚は２〜３０ｎｍであり、本実施例では１
０ｎｍ形成した。なお、Ｔｉ層４は従来通りコリメーシ
ョン・スパッタリングにより形成してもよい。
然酸化膜を希ＨＦ水溶液洗浄で除去した後、図１（ｂ）
に示すように、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置によりＴｉ層
４を下記条件により堆積する。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ Ｔｉ層４の層厚は２〜３０ｎｍであり、本実施例では１
０ｎｍ形成した。なお、Ｔｉ層４は従来通りコリメーシ
ョン・スパッタリングにより形成してもよい。
【００２６】ＴｉＮ層の形成は次の２段階プラズマＣＶ
Ｄによる。まずＴｉＣｌ4 の混合比を小さくした下記第
１のプラズマＣＶＤ工程により、図１（ｃ）に示すよう
に第１のＴｉＮ層５１を形成する。 ＴｉＣｌ4 ５〜１０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 １３〜２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第１のＴｉＮ層５１の膜厚は、層間絶縁膜２の上部にお
いて、例えば２０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ過程に
おいては、ＴｉＣｌ4 は小流量であるので、基板温度が
４１０℃と比較的低温であるにもかかわらず、ＥＣＲプ
ラズマにより解離された高密度水素プラズマによりＴｉ
Ｃｌ4 が十分に還元され、下地Ｔｉ層との界面に塩素が
偏析することなく、純度の高いＴｉＮが堆積する。
Ｄによる。まずＴｉＣｌ4 の混合比を小さくした下記第
１のプラズマＣＶＤ工程により、図１（ｃ）に示すよう
に第１のＴｉＮ層５１を形成する。 ＴｉＣｌ4 ５〜１０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 １３〜２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第１のＴｉＮ層５１の膜厚は、層間絶縁膜２の上部にお
いて、例えば２０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ過程に
おいては、ＴｉＣｌ4 は小流量であるので、基板温度が
４１０℃と比較的低温であるにもかかわらず、ＥＣＲプ
ラズマにより解離された高密度水素プラズマによりＴｉ
Ｃｌ4 が十分に還元され、下地Ｔｉ層との界面に塩素が
偏析することなく、純度の高いＴｉＮが堆積する。
【００２７】引き続き、ＴｉＣｌ4 の混合比を大きくし
た第２のプラズマＣＶＤ工程を下記条件により施し、図
１（ｄ）に示すように第２のＴｉＮ層５２を形成する。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第２のＴｉＮ層５２の膜厚は、接続孔３の底部において
例えば３０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程において
は、ＴｉＣｌ4 の供給が十分なので、表面反応律速とな
り、良好なステップカバレッジの第２のＴｉＮ層５２が
堆積する。Ｈ2の流量は変えていないので、Ｈ2 の混合
比としては低下している。しかし、第１のプラズマＣＶ
Ｄ工程からの連続プロセスであるので、プラズマの生成
は極めて安定しており、ＴｉＣｌ4 は十分に還元され、
低塩素含有量のＴｉＮの堆積が可能である。また、同じ
く第１のプラズマＣＶＤ工程からの連続プロセスである
ので、被処理基板の表面温度もプラズマの輻射熱で第１
のプラズマＣＶＤ工程時より上昇しており、これも還元
反応の促進と塩素含有量の低下に寄与する。
た第２のプラズマＣＶＤ工程を下記条件により施し、図
１（ｄ）に示すように第２のＴｉＮ層５２を形成する。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第２のＴｉＮ層５２の膜厚は、接続孔３の底部において
例えば３０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程において
は、ＴｉＣｌ4 の供給が十分なので、表面反応律速とな
り、良好なステップカバレッジの第２のＴｉＮ層５２が
堆積する。Ｈ2の流量は変えていないので、Ｈ2 の混合
比としては低下している。しかし、第１のプラズマＣＶ
Ｄ工程からの連続プロセスであるので、プラズマの生成
は極めて安定しており、ＴｉＣｌ4 は十分に還元され、
低塩素含有量のＴｉＮの堆積が可能である。また、同じ
く第１のプラズマＣＶＤ工程からの連続プロセスである
ので、被処理基板の表面温度もプラズマの輻射熱で第１
のプラズマＣＶＤ工程時より上昇しており、これも還元
反応の促進と塩素含有量の低下に寄与する。
【００２８】次に公知の高温スパッタリングにより、Ａ
ｌ系金属層６を堆積し、接続孔３内部を埋め込む。第２
のＴｉＮ層５２のステップカバレッジが良好で、オーバ
ーハングがないことからＡｌ系金属層６はボイドを発生
することなく接続孔３内を充填し、しかもその表面は平
坦に形成された。
ｌ系金属層６を堆積し、接続孔３内部を埋め込む。第２
のＴｉＮ層５２のステップカバレッジが良好で、オーバ
ーハングがないことからＡｌ系金属層６はボイドを発生
することなく接続孔３内を充填し、しかもその表面は平
坦に形成された。
【００２９】本実施例によれば、プラズマＣＶＤ初期に
ＴｉＣｌ4 の流量を下げる２段階成膜により、低塩素含
有量でステップカバレッジのよいＴｉＮ層を形成するこ
とが可能である。
ＴｉＣｌ4 の流量を下げる２段階成膜により、低塩素含
有量でステップカバレッジのよいＴｉＮ層を形成するこ
とが可能である。
【００３０】実施例２ 本実施例は、請求項２のプラズマＣＶＤ方法を適用し、
ＴｉＮ層の成長初期にＨ2 の混合比を大きくし、その後
Ｈ2 の混合比を小さくした例であり、これを同じ図１
（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
ＴｉＮ層の成長初期にＨ2 の混合比を大きくし、その後
Ｈ2 の混合比を小さくした例であり、これを同じ図１
（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【００３１】図１（ｂ）に示すＴｉ層の形成までは実施
例１と同じであるので、重複する説明を省略する。引き
続くＴｉＮ層の形成は次の２段階プラズマＣＶＤによ
る。まずＨ2 の混合比を大きくした下記条件により、図
１（ｃ）に示すように第１のＴｉＮ層５１を形成する。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ３５〜５０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第１のＴｉＮ層５１の膜厚は、層間絶縁膜２の上部にお
いて、例えば２０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程に
おいては、Ｈ2 は大流量であるので、基板温度が４１０
℃と比較的低温であるにもかかわらず、ＥＣＲプラズマ
により解離された大量の高密度水素プラズマによりＴｉ
Ｃｌ4 が十分に還元され、下地Ｔｉ層との界面に塩素が
偏析することなく、純度の高いＴｉＮが堆積する。
例１と同じであるので、重複する説明を省略する。引き
続くＴｉＮ層の形成は次の２段階プラズマＣＶＤによ
る。まずＨ2 の混合比を大きくした下記条件により、図
１（ｃ）に示すように第１のＴｉＮ層５１を形成する。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ３５〜５０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第１のＴｉＮ層５１の膜厚は、層間絶縁膜２の上部にお
いて、例えば２０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程に
おいては、Ｈ2 は大流量であるので、基板温度が４１０
℃と比較的低温であるにもかかわらず、ＥＣＲプラズマ
により解離された大量の高密度水素プラズマによりＴｉ
Ｃｌ4 が十分に還元され、下地Ｔｉ層との界面に塩素が
偏析することなく、純度の高いＴｉＮが堆積する。
【００３２】引き続き、Ｈ2 の混合比を小さくした第２
のプラズマＣＶＤを下記条件により施し、図１（ｄ）に
示すように第２のＴｉＮ層５２を形成する。このプラズ
マＣＶＤ条件は、実施例１の第２のプラズマＣＶＤ工程
の条件と同一である。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第２のＴｉＮ層５２の膜厚は、接続孔３の底部において
例えば３０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程において
は、Ｈ2 の流量が低下しているので、ＴｉＣｌ 4 の表面
反応律速となり、良好なステップカバレッジの第２のＴ
ｉＮ層５２が堆積する。Ｈ2 の混合比としては低下して
いるが、第１のプラズマＣＶＤ工程からの連続プロセス
であるので、Ｈ2 プラズマの生成は極めて安定してお
り、ＴｉＣｌ4 は十分に還元され、低塩素含有量のＴｉ
Ｎの堆積が可能である。また、同じく第１のプラズマＣ
ＶＤ工程からの連続プロセスであるので、被処理基板の
表面温度もプラズマの輻射熱で第１のプラズマＣＶＤ工
程時より上昇しており、これも還元反応の促進と塩素含
有量の低下に寄与する。Ａｌ系金属層６の堆積は実施例
１と同じであるので、重複する説明を省略する。
のプラズマＣＶＤを下記条件により施し、図１（ｄ）に
示すように第２のＴｉＮ層５２を形成する。このプラズ
マＣＶＤ条件は、実施例１の第２のプラズマＣＶＤ工程
の条件と同一である。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第２のＴｉＮ層５２の膜厚は、接続孔３の底部において
例えば３０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程において
は、Ｈ2 の流量が低下しているので、ＴｉＣｌ 4 の表面
反応律速となり、良好なステップカバレッジの第２のＴ
ｉＮ層５２が堆積する。Ｈ2 の混合比としては低下して
いるが、第１のプラズマＣＶＤ工程からの連続プロセス
であるので、Ｈ2 プラズマの生成は極めて安定してお
り、ＴｉＣｌ4 は十分に還元され、低塩素含有量のＴｉ
Ｎの堆積が可能である。また、同じく第１のプラズマＣ
ＶＤ工程からの連続プロセスであるので、被処理基板の
表面温度もプラズマの輻射熱で第１のプラズマＣＶＤ工
程時より上昇しており、これも還元反応の促進と塩素含
有量の低下に寄与する。Ａｌ系金属層６の堆積は実施例
１と同じであるので、重複する説明を省略する。
【００３３】本実施例によれば、プラズマＣＶＤ初期に
Ｈ2 の流量を高める２段階成膜により、低塩素含有量で
ステップカバレッジのよいＴｉＮ層を形成することが可
能である。
Ｈ2 の流量を高める２段階成膜により、低塩素含有量で
ステップカバレッジのよいＴｉＮ層を形成することが可
能である。
【００３４】ところで、本実施例のプラズマＣＶＤ方法
により、ＴｉＮ層を２段階成膜した場合のＴｉＮ層の膜
厚と抵抗値の関係を図３に示す。同図で曲線Ａは本実施
例によるものであり、この実験例では、Ｈ2 流量は、第
１のプラズマＣＶＤ工程では４０ｓｃｃｍ、第２のプラ
ズマＣＶＤ工程では２６ｓｃｃｍに固定している。曲線
Ｂは比較例として、Ｈ2 流量を２６ｓｃｃｍ一定とした
１ステップのプラズマＣＶＤによるＴｉＮ層の抵抗値で
ある。この１ステッププラズマＣＶＤ条件は、本実施例
の第２のプラズマＣＶＤ工程の条件と同一である。比較
例では、界面に塩素が偏析するため抵抗値が大きいが、
本実施例によれば抵抗値が比較例の数十％に迄低減して
いることが判る。
により、ＴｉＮ層を２段階成膜した場合のＴｉＮ層の膜
厚と抵抗値の関係を図３に示す。同図で曲線Ａは本実施
例によるものであり、この実験例では、Ｈ2 流量は、第
１のプラズマＣＶＤ工程では４０ｓｃｃｍ、第２のプラ
ズマＣＶＤ工程では２６ｓｃｃｍに固定している。曲線
Ｂは比較例として、Ｈ2 流量を２６ｓｃｃｍ一定とした
１ステップのプラズマＣＶＤによるＴｉＮ層の抵抗値で
ある。この１ステッププラズマＣＶＤ条件は、本実施例
の第２のプラズマＣＶＤ工程の条件と同一である。比較
例では、界面に塩素が偏析するため抵抗値が大きいが、
本実施例によれば抵抗値が比較例の数十％に迄低減して
いることが判る。
【００３５】実施例３ 本実施例は、請求項３のプラズマＣＶＤ方法を適用し、
ＴｉＮ層の成長初期にＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共
に小さくし、その後ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に
大きくした例であり、これを再び図１（ａ）〜（ｅ）を
参照して説明する。
ＴｉＮ層の成長初期にＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共
に小さくし、その後ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に
大きくした例であり、これを再び図１（ａ）〜（ｅ）を
参照して説明する。
【００３６】図１（ｂ）に示すＴｉ層の形成までは実施
例１と同じであるので、重複する説明を省略する。引き
続くＴｉＮ層の形成は次の２段階プラズマＣＶＤによ
る。まずＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に小さくした
下記条件により、図１（ｃ）に示すように第１のＴｉＮ
層５１を形成する。 ＴｉＣｌ4 ５〜１０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ７〜１３ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第１のＴｉＮ層５１の膜厚は、層間絶縁膜２の上部にお
いて、例えば２０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程に
おいては、ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量は共に小さく、
しかも混合比は良好なステップカバレッジが得られる第
２のプラズマＣＶＤ条件と同様であるので、基板温度が
４１０℃と比較的低温であるにもかかわらず、ＥＣＲプ
ラズマにより解離された高密度水素プラズマによりＴｉ
Ｃｌ4 が十分に還元され、下地Ｔｉ層との界面に塩素が
偏析することなく、純度の高いＴｉＮがステップカバレ
ッジ良く堆積する。
例１と同じであるので、重複する説明を省略する。引き
続くＴｉＮ層の形成は次の２段階プラズマＣＶＤによ
る。まずＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に小さくした
下記条件により、図１（ｃ）に示すように第１のＴｉＮ
層５１を形成する。 ＴｉＣｌ4 ５〜１０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ７〜１３ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第１のＴｉＮ層５１の膜厚は、層間絶縁膜２の上部にお
いて、例えば２０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程に
おいては、ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量は共に小さく、
しかも混合比は良好なステップカバレッジが得られる第
２のプラズマＣＶＤ条件と同様であるので、基板温度が
４１０℃と比較的低温であるにもかかわらず、ＥＣＲプ
ラズマにより解離された高密度水素プラズマによりＴｉ
Ｃｌ4 が十分に還元され、下地Ｔｉ層との界面に塩素が
偏析することなく、純度の高いＴｉＮがステップカバレ
ッジ良く堆積する。
【００３７】引き続き、ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を
共に高めた第２のプラズマＣＶＤ工程を下記条件により
施し、図１（ｄ）に示すように第２のＴｉＮ層５２を形
成する。このプラズマＣＶＤ条件は、実施例１の第２の
プラズマＣＶＤ工程の条件と同一である。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第２のＴｉＮ層５２の膜厚は、接続孔３の底部において
例えば３０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程において
は、前実施例と同様にＴｉＣｌ4 の表面反応律速とな
り、良好なステップカバレッジの第２のＴｉＮ層５２が
堆積する。ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に高めてい
るものの、第１のプラズマＣＶＤ工程からの連続プロセ
スであるので、Ｈ2 プラズマの生成は極めて安定してお
り、ＴｉＣｌ4 は十分に還元され、低塩素含有量のＴｉ
Ｎの堆積が可能である。また、同じく第１のプラズマＣ
ＶＤ工程からの連続プロセスであるので、被処理基板の
表面温度もプラズマの輻射熱で第１のプラズマＣＶＤ工
程時より上昇しており、これも還元反応の促進と塩素含
有量の低下に寄与する。Ａｌ系金属層６を堆積は実施例
１と同じであるので、重複する説明を省略する。
共に高めた第２のプラズマＣＶＤ工程を下記条件により
施し、図１（ｄ）に示すように第２のＴｉＮ層５２を形
成する。このプラズマＣＶＤ条件は、実施例１の第２の
プラズマＣＶＤ工程の条件と同一である。 ＴｉＣｌ4 ２０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ８ ｓｃｃｍ Ｈ2 ２６ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２．８〜２．９ Ｋｗ（２．４５
ＧＨｚ） 基板ステージ温度 ４１０ ℃ 第２のＴｉＮ層５２の膜厚は、接続孔３の底部において
例えば３０ｎｍである。本プラズマＣＶＤ工程において
は、前実施例と同様にＴｉＣｌ4 の表面反応律速とな
り、良好なステップカバレッジの第２のＴｉＮ層５２が
堆積する。ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に高めてい
るものの、第１のプラズマＣＶＤ工程からの連続プロセ
スであるので、Ｈ2 プラズマの生成は極めて安定してお
り、ＴｉＣｌ4 は十分に還元され、低塩素含有量のＴｉ
Ｎの堆積が可能である。また、同じく第１のプラズマＣ
ＶＤ工程からの連続プロセスであるので、被処理基板の
表面温度もプラズマの輻射熱で第１のプラズマＣＶＤ工
程時より上昇しており、これも還元反応の促進と塩素含
有量の低下に寄与する。Ａｌ系金属層６を堆積は実施例
１と同じであるので、重複する説明を省略する。
【００３８】本実施例によれば、プラズマＣＶＤ初期に
ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に小流量とする２段階
成膜により、低塩素含有量でステップカバレッジのよい
ＴｉＮ層を形成することが可能である。
ＴｉＣｌ4 およびＨ2 の流量を共に小流量とする２段階
成膜により、低塩素含有量でステップカバレッジのよい
ＴｉＮ層を形成することが可能である。
【００３９】以上、２段階プラズマＣＶＤ法につき３種
の実施例を説明したが、より一層の理解の促進のため、
各実施例のガスフローのチャートを図４（ａ）〜（ｃ）
にまとめて示す。図４（ａ）は実施例１に、図４（ｂ）
は実施例２に、そして図４（ｃ）は実施例３にそれぞれ
対応するものである。横軸の区間１は第１のプラズマＣ
ＶＤ工程を、区間２は第２のプラズマＣＶＤ工程をそれ
ぞれ示す。なお同図では、横軸の時間、縦軸の流量とも
に任意値である。
の実施例を説明したが、より一層の理解の促進のため、
各実施例のガスフローのチャートを図４（ａ）〜（ｃ）
にまとめて示す。図４（ａ）は実施例１に、図４（ｂ）
は実施例２に、そして図４（ｃ）は実施例３にそれぞれ
対応するものである。横軸の区間１は第１のプラズマＣ
ＶＤ工程を、区間２は第２のプラズマＣＶＤ工程をそれ
ぞれ示す。なお同図では、横軸の時間、縦軸の流量とも
に任意値である。
【００４０】本発明は以上の実施例に限定されるもので
はなく、各種の実施態様が可能である。例えば、Ｔｉ系
ガスとしてＴｉＣｌ4 を例示したが、先述した各種ハロ
ゲン化チタンを用いることができる。また、有機チタン
化合物を用いて２段階プラズマＣＶＤを施せば、ＴｉＮ
層中の残留炭素を低減し、シート抵抗を小さくすること
ができる。
はなく、各種の実施態様が可能である。例えば、Ｔｉ系
ガスとしてＴｉＣｌ4 を例示したが、先述した各種ハロ
ゲン化チタンを用いることができる。また、有機チタン
化合物を用いて２段階プラズマＣＶＤを施せば、ＴｉＮ
層中の残留炭素を低減し、シート抵抗を小さくすること
ができる。
【００４１】窒素系ガスとしてＮ2 を例示したが、ＮＨ
3 、Ｎ2 Ｈ4 等、窒素原子を有するガスを適宜用いるこ
とができる。また混合ガス中にＡｒ等の希ガスを添加し
てスパッタリングイールドを向上してもよい。さらに、
Ｏ2 等酸素系ガスを添加して、ＴｉＯＮをバリアメタル
層として用いる場合にも本発明の効果は発揮される。
3 、Ｎ2 Ｈ4 等、窒素原子を有するガスを適宜用いるこ
とができる。また混合ガス中にＡｒ等の希ガスを添加し
てスパッタリングイールドを向上してもよい。さらに、
Ｏ2 等酸素系ガスを添加して、ＴｉＯＮをバリアメタル
層として用いる場合にも本発明の効果は発揮される。
【００４２】実施例中においては、ガス流量の切り替え
をＴｉＮ層の成膜中に一回行う２段階プラズマＣＶＤと
したが、本発明の技術的思想によれば、さらに多段階の
切り替えを施してもよい。またステップ的な切り替えで
はなく、ガス流量を滑らかに増減してゆく切り替えであ
ってもよい。
をＴｉＮ層の成膜中に一回行う２段階プラズマＣＶＤと
したが、本発明の技術的思想によれば、さらに多段階の
切り替えを施してもよい。またステップ的な切り替えで
はなく、ガス流量を滑らかに増減してゆく切り替えであ
ってもよい。
【００４３】プラズマＣＶＤ装置としてＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置を用いたが、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置、ヘリコン波プラズマＣＶＤ装置、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕ
ｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ＣＶ
Ｄ装置、ＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ装置等、あらゆる形式の装
置においても本発明の効果は得られる。またプラズマと
同時に低圧Ｈｇランプやエキシマレーザ等、励起光ビー
ムを照射する光プラズマＣＶＤであってもよい。
ＣＶＤ装置を用いたが、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置、ヘリコン波プラズマＣＶＤ装置、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕ
ｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ＣＶ
Ｄ装置、ＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ装置等、あらゆる形式の装
置においても本発明の効果は得られる。またプラズマと
同時に低圧Ｈｇランプやエキシマレーザ等、励起光ビー
ムを照射する光プラズマＣＶＤであってもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマＣＶＤ方法によれば、ガスの混合比を変えた
２段階プラズマＣＶＤを施すことにより、ＴｉＮ層中の
塩素や炭素等の残留不純物を低減し、ステップカバレッ
ジのよいバリアメタル層を形成することが可能となっ
た。
のプラズマＣＶＤ方法によれば、ガスの混合比を変えた
２段階プラズマＣＶＤを施すことにより、ＴｉＮ層中の
塩素や炭素等の残留不純物を低減し、ステップカバレッ
ジのよいバリアメタル層を形成することが可能となっ
た。
【００４５】さらに本発明のプラズマＣＶＤによれば、
コンタクト抵抗が小さく、Ａｌ系金属配線のアフターコ
ロージョンの虞れのないＴｉＮ層の形成が可能となり、
信頼性にすぐれたコンタクトプラグを形成することがで
きる。
コンタクト抵抗が小さく、Ａｌ系金属配線のアフターコ
ロージョンの虞れのないＴｉＮ層の形成が可能となり、
信頼性にすぐれたコンタクトプラグを形成することがで
きる。
【００４６】上記効果により、本発明はディープ・サブ
ミクロンクラスの微細なデザインルールに基づく多層配
線を有する半導体装置およびその製造方法に寄与すると
ころ大であり、本発明の産業上の利用価値は高い。
ミクロンクラスの微細なデザインルールに基づく多層配
線を有する半導体装置およびその製造方法に寄与すると
ころ大であり、本発明の産業上の利用価値は高い。
【図１】本発明を適用した実施例１、２および３をその
工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）は半導体基
板上の層間絶縁膜に接続孔を開口した状態、（ｂ）はＴ
ｉ層を形成した状態、（ｃ）は第１のＴｉＮ層を形成し
た状態、（ｄ）は第２のＴｉＮ層を形成した状態、
（ｅ）はＡｌ系金属層を形成した状態である。
工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）は半導体基
板上の層間絶縁膜に接続孔を開口した状態、（ｂ）はＴ
ｉ層を形成した状態、（ｃ）は第１のＴｉＮ層を形成し
た状態、（ｄ）は第２のＴｉＮ層を形成した状態、
（ｅ）はＡｌ系金属層を形成した状態である。
【図２】本発明の実施例で用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置の一構成例を示す概略断面図である。
装置の一構成例を示す概略断面図である。
【図３】ＴｉＮ層の膜厚と抵抗値の関係を示すグラフで
あり、図中、曲線Ａは本発明を、曲線Ｂは従来例をそれ
ぞれ示す。
あり、図中、曲線Ａは本発明を、曲線Ｂは従来例をそれ
ぞれ示す。
【図４】本発明を適用した実施例１、２および３のプラ
ズマＣＶＤ方法のガスフローを示すチャートである。
ズマＣＶＤ方法のガスフローを示すチャートである。
【図５】従来例の説明に供する、コリメーション・スパ
ッタリング装置の一構成例を示す概略断面図である。
ッタリング装置の一構成例を示す概略断面図である。
【図６】従来例の問題点をその工程順に説明する概略断
面図であり、（ａ）は半導体基板上の層間絶縁膜に接続
孔を開口した状態、（ｂ）はＴｉ層を形成した状態、
（ｃ）はＴｉＮ層を形成した状態、（ｄ）はＡｌ系金属
層を形成した状態である。
面図であり、（ａ）は半導体基板上の層間絶縁膜に接続
孔を開口した状態、（ｂ）はＴｉ層を形成した状態、
（ｃ）はＴｉＮ層を形成した状態、（ｄ）はＡｌ系金属
層を形成した状態である。
１ 半導体基板 ２ 層間絶縁膜 ３ 接続孔 ４ Ｔｉ層 ５ ＴｉＮ層 ５１ 第１のＴｉＮ層 ５２ 第２のＴｉＮ層 ６ Ａｌ系金属層 ７ ボイド １１ 被処理基板 １２ 基板ステージ １９ ＴｉＣｌ4 バーニング装置 ２０ 加熱ガス配管 ２１ コリメータ
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｔｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含
む混合ガスを用いて被処理基板上にＴｉＮを形成するプ
ラズマＣＶＤ方法において、 該混合ガス中の前記Ｔｉ系ガスの混合比を小とした第１
のプラズマＣＶＤ工程と、 該混合ガス中の前記Ｔｉ系ガスの混合比を大とした第２
のプラズマＣＶＤ工程とをこの順に施すことを特徴とす
る、プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項２】 Ｔｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含
む混合ガスを用いて被処理基板上にＴｉＮを形成するプ
ラズマＣＶＤ方法において、 該混合ガス中の前記Ｈ2 の混合比を大とした第１のプラ
ズマＣＶＤ工程と、 該混合ガス中の前記Ｈ2 の混合比を小とした第２のプラ
ズマＣＶＤ工程とをこの順に施すことを特徴とする、プ
ラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 Ｔｉ系ガス、Ｈ2 および窒素系ガスを含
む混合ガスを用いて被処理基板上にＴｉＮを形成するプ
ラズマＣＶＤ方法において、 該混合ガス中の前記Ｔｉ系ガスとＨ2 の混合比を共に小
とした第１のプラズマＣＶＤ工程と、 該混合ガス中の前記Ｔｉ系ガスとＨ2 の混合比を共に大
とした第２のプラズマＣＶＤ工程とをこの順に施すこと
を特徴とする、プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項４】 Ｔｉ系ガスは、ハロゲン化チタンおよび
有機チタン化合物のうちのいずれかであることを特徴と
する、請求項１、２および３記載のプラズマＣＶＤ方
法。 - 【請求項５】 窒素系ガスは、Ｎ2 、ＮＨ 3およびＮ2
Ｈ4 のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項
１、２および３記載のプラズマＣＶＤ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139765A JPH088212A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | プラズマｃｖｄ方法 |
| US08/489,765 US5840628A (en) | 1994-06-22 | 1995-06-13 | Plasma CVD method for depositing tin layer |
| KR1019950015928A KR960001188A (ko) | 1994-06-22 | 1995-06-15 | 플라즈마 cvd방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139765A JPH088212A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | プラズマｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088212A true JPH088212A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15252879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6139765A Pending JPH088212A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | プラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5840628A (ja) |
| JP (1) | JPH088212A (ja) |
| KR (1) | KR960001188A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980060529A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR19980060642A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 타이타늄질화막 형성방법 |
| KR100475117B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| JP2006169632A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属化合物膜の蒸着方法及び蒸着装置 |
| JP2010263126A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
| JP2017201055A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-11-09 | ウルトラテック インク | 石英起因汚染物低減ｐｅ−ａｌｄ法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3254997B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | プラズマｃｖｄ方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置 |
| JP2907111B2 (ja) * | 1996-04-22 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 気相成長方法及びその装置 |
| US6635569B1 (en) * | 1998-04-20 | 2003-10-21 | Tokyo Electron Limited | Method of passivating and stabilizing a Ti-PECVD process chamber and combined Ti-PECVD/TiN-CVD processing method and apparatus |
| JP3191290B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造方法に用いられるプラズマｃｖｄ装置 |
| US6548402B2 (en) * | 1999-06-11 | 2003-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a thick titanium nitride film |
| US6399490B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-06-04 | International Business Machines Corporation | Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures |
| US6403478B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-06-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Company | Low pre-heat pressure CVD TiN process |
| JP4545433B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| KR100714269B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 금속층 형성방법 |
| KR100763506B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 제조 방법 |
| TW201036065A (en) * | 2009-03-20 | 2010-10-01 | Nanya Technology Corp | Method of forming multi metal layers thin film on wafer |
| KR101294009B1 (ko) * | 2012-01-03 | 2013-08-07 | (재)한국나노기술원 | 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 및 그 제조방법 |
| US9573806B2 (en) * | 2013-03-11 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS device structure with a capping structure |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287920A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層薄膜の製造方法 |
| DE69216747T2 (de) * | 1991-10-07 | 1997-07-31 | Sumitomo Metal Ind | Verfahren zur Bildung eines dünnen Films |
| US5246881A (en) * | 1993-04-14 | 1993-09-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density, highly-conformal, titanium nitride films of low bulk resistivity |
| US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| US5545574A (en) * | 1995-05-19 | 1996-08-13 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a metal-semiconductor compound |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6139765A patent/JPH088212A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-13 US US08/489,765 patent/US5840628A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-15 KR KR1019950015928A patent/KR960001188A/ko not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980060529A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR19980060642A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 타이타늄질화막 형성방법 |
| KR100475117B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| JP2006169632A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属化合物膜の蒸着方法及び蒸着装置 |
| JP2010263126A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及びプラズマ成膜装置 |
| JP2017201055A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-11-09 | ウルトラテック インク | 石英起因汚染物低減ｐｅ−ａｌｄ法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960001188A (ko) | 1996-01-25 |
| US5840628A (en) | 1998-11-24 |
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