JPH088221A - 半導体基板のウエット処理装置 - Google Patents

半導体基板のウエット処理装置

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JPH088221A
JPH088221A JP14141694A JP14141694A JPH088221A JP H088221 A JPH088221 A JP H088221A JP 14141694 A JP14141694 A JP 14141694A JP 14141694 A JP14141694 A JP 14141694A JP H088221 A JPH088221 A JP H088221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
opening
chemical
tank
chemical solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP14141694A
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English (en)
Inventor
Eiji Uramoto
英治 浦本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH088221A publication Critical patent/JPH088221A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体基板を、薬液中に浸漬し化学的処理を行
った後、薬液から引き上げる際に、薬液表面に浮遊して
いるごみが半導体基板へ付着するのを防止する。 【構成】処理槽の内槽1Aに半導体基板2の運搬治具3
を浸漬する為の第1の開口部13Aと運搬治具を引き上
げる為の第2の開口部13Bとを仕切り板14を介して
設け、また内槽の薬液の流れを、第2の開口部13B側
から第1の開口部13A側へ流すように薬液供給口10
を第2の開口部13B下方の槽の底面部に設け、発生し
たごみを、第1の開口部13Aの薬液液面4にのみ浮遊
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薬液を用いる半導体基板
のウエット処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体基板のウエット処理装置
は、図2の断面図に示すように、内槽1Aと外槽1Bか
らなる処理槽1と、外槽1B内にオーバーフローした薬
液を循環させ内槽にもどす為の薬液循環ライン6と、こ
のラインに順次接続されたポンプ7と温度調節器8とろ
過フィルター9とから主に構成されていた。以下処理方
法について説明する。
【0003】まず、薬液12が満された内槽1A内に搬
送アーム5により半導体基板2が保持された運搬治具3
を浸漬させる。この時内槽1Aより外槽1Bにオーバー
フローした薬液12は、ポンプ7により薬液循環ライン
6を循環し、温度調節器8によりその温度が調節され、
ろ過フィルター9でごみ等が除去され、処理槽底面に設
けられた薬液供給口10より内槽1Aに戻る。
【0004】一定時間半導体基板2を薬液12に浸漬し
て処理したのち、運搬治具3を搬送アーム5を用いて薬
液中より引き上げる。以下水洗槽で半導体基板2の水洗
を行う。
【0005】このように構成されたウエット処理装置に
おいて、半導体基板を化学処理した結果ごみが発生し、
薬液の液面4に浮遊するが、半導体基板2を引き上げる
際このごみが基板に付着し、半導体装置の製品歩留りを
低下させる。
【0006】ごみの付着をなくす方法として、例えば特
開昭63−114216号公報に記載されているよう
に、半導体基板を薬液面から引き上げずに半導体基板を
純水槽へ移動させてから引き上げる方法がある。この方
法は、薬液槽内で半導体基板を処理したのち、純水を薬
液槽内に入れてその濃度を薄くし、次で基板を液中に浸
漬したまま隣接する第1の純水槽に移して純水で処理
し、次で基板を液中に浸漬したまま第1の純水槽から後
段の第2の純水槽に移し、最終純水槽内の純水の流れに
逆って下流から上流へ基板を移動させ、上流側で半導体
基板を槽外に取り出すものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のウエット処理装置のうち、図2で説明した前者
の方法では、薬液面に浮遊しているごみが半導体基板に
付着し半導体装置の歩留りが低下するという問題点があ
る。
【0008】また、処理後の半導体基板を純水槽から取
り出す後者の方法では、半導体基板の処理毎に薬液中に
純水を入れるため、薬液が使い捨てになる。更に、多量
の薬液が水洗槽に持ち込まれるため水洗時間が長くな
る。すなわち、ウエット処理に多量の薬液と純水が必要
になると共に、処理時間も長くなるためコストが大幅に
高くなるという問題点がある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板のウ
エット処理装置は、運搬治具に保持された半導体基板を
薬液中に浸漬するための第1の開口部とこの基板を薬液
中から引き上げるための第2の開口部とを有する処理槽
と、前記第2の開口部下方の前記処理槽の底面部または
側面部に設けられた薬液供給口と、前記処理槽の表面部
に設けられ前記第1の開口部と前記第2の開口部とを仕
切ると共に前記第1の開口部における薬液表面の浮遊物
が前記第2の開口部における薬液表面に移動するのを阻
止する仕切り板と、処理槽内に浸漬された運搬治具を移
動させるための運搬治具移動手段とを含むことを特徴と
するものである。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の一実施例の断面図である。
【0011】図1においてウエット処理装置は、運搬治
具3に保持された半導体基板2を薬液12中に浸漬する
為の第1の開口部13Aと半導体基板2を引き上げる為
の第2の開口部13Bを有し内槽1Aと外槽1Bとから
なる処理槽1と、処理槽1の上面に設けられ第1の開口
部13Aと第2の開口部13Bとを仕切る凹形状の仕切
り板14と、第2の開口部13Bの下方の処理槽の底面
部に設けられた薬液供給口10と、オーバーフローした
薬液12を薬液供給口10に送る為の薬液循環ライン6
に接続されたポンプ7と温度調節器8とろ過フィルタ9
とからなる薬液循環手段と、処理後運搬治具3を第2の
開口部13Bの薬液中に移動させる為の移動用アーム1
5とから主に構成されている。
【0012】このように構成された本実施例において
は、薬液供給口10が運搬治具3を引き上げる第2の開
口部13Bの下方にあるため、処理槽内槽1A内の薬液
12はオーバーフローし、外槽1Bと仕切り板14より
薬液循環手段によって第2の開口部13B側から第1の
開口部13Aの方向へ向かって流れることになる。
【0013】次に半導体基板の処理方法について説明す
る。半導体基板2を運搬治具3にセットし、治具搬送ア
ーム5を用いて薬液12中に第1の開口部13Aより浸
漬する。半導体基板2は薬液12中で決められた時間化
学的処理される。処理終了直前に例えば、逆L字形に形
成された半導体基板運搬治具の移動用アーム15を用い
て運搬治具3を第2の開口部13Bの下まで移動させ
る。そして、決められた処理時間が終了すると、運搬治
具3を運搬アーム5を用い第2の開口部13Bより引き
上げる。
【0014】半導体基板2を薬液12に浸漬し化学的処
理を行うとごみが発生するが、このごみは内槽1A内の
薬液12の流れと仕切り板14とにより第1の開口部1
3Aの薬液液面4にのみ浮遊する。従って処理終了後、
ごみの浮遊していない第2の開口部13Bより半導体基
板2を引き上げる事により、薬液12より引き上げる際
の薬液液面4に浮遊しているごみの半導体基板2への付
着を防止する事ができる。又、薬液処理槽1と水洗用の
純水槽は独立している為、従来例の様に薬液と、純水が
混ざってしまうという欠点がなく、薬液12をくり返し
利用できる。
【0015】このように本実施例においては、図2に示
した従来のウエット処理装置の処理槽を大きくし、移動
用アーム15を付加する程度ですむ為、処理コストは大
幅に高くなることはない。
【0016】尚、上記実施例においては薬液供給口10
を処理槽1の底面に設けた場合について説明したが、第
2の開口部側の処理槽の側面に設けて薬液を第2の開口
部13B側から第1の開口部13A側に流れるようにし
てもよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、半導体基板
を薬液により化学的処理を行う処理槽に、半導体基板を
浸漬させる為の第1の開口部と引き上げる為の第2の開
口部とを仕切り板により分け、また薬液を第2の開口部
側から第1の開口部側の方向へ流すように薬液の供給口
を第2の開口部側の処理槽の底面又は側面に設けること
により、第1の開口部の薬液液面にごみが浮遊するのを
防ぐ事ができる。この為半導体基板を薬液より引き上げ
る際、ごみの半導体基板への付着を防止できる為、コス
トを高くすることなく、半導体装置の製品不良を低減す
る事ができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の断面図。
【図2】従来のウエット処理装置の一例の断面図。
【符号の説明】
1 処理槽 1A 内槽 1B 外槽 2 半導体基板 3 運搬治具 4 薬液液面 5 運搬アーム 6 薬液循環ライン 7 ポンプ 8 温度調節器 9 ろ過フィルター 10 薬液供給口 11 半導体基板運搬治具出入れ口 12 薬液 13A 第1の開口部 13B 第2の開口部 14 仕切り板 15 移動用アーム

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 運搬治具に保持された半導体基板を薬液
    中に浸漬するための第1の開口部とこの基板を薬液中か
    ら引き上げるための第2の開口部とを有する処理槽と、
    前記第2の開口部下方の前記処理槽の底面部または側面
    部に設けられた薬液供給口と、前記処理槽の表面部に設
    けられ前記第1の開口部と前記第2の開口部とを仕切る
    と共に前記第1の開口部における薬液表面の浮遊物が前
    記第2の開口部における薬液表面に移動するのを阻止す
    る仕切り板と、処理槽内に浸漬された運搬治具を移動さ
    せるための運搬治具移動手段とを含むことを特徴とする
    半導体基板のウエット処理装置。
  2. 【請求項2】 仕切り板は凹状に形成されオーバーフロ
    ーした薬液を集める構造を有する請求項1記載の半導体
    基板のウエット処理装置。
  3. 【請求項3】 オーバーフローした薬液をフィルターを
    通して薬液供給口より処理槽に供給する薬液循環手段を
    有する請求項1記載の半導体基板のウエット処理装置。
JP14141694A 1994-06-23 1994-06-23 半導体基板のウエット処理装置 Pending JPH088221A (ja)

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JP14141694A JPH088221A (ja) 1994-06-23 1994-06-23 半導体基板のウエット処理装置

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JP14141694A JPH088221A (ja) 1994-06-23 1994-06-23 半導体基板のウエット処理装置

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JPH088221A true JPH088221A (ja) 1996-01-12

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JP14141694A Pending JPH088221A (ja) 1994-06-23 1994-06-23 半導体基板のウエット処理装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61256734A (ja) * 1985-05-10 1986-11-14 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハのウエツト処理装置
JPH04151828A (ja) * 1990-10-16 1992-05-25 Nippon Steel Corp 薬液雰囲気分離装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61256734A (ja) * 1985-05-10 1986-11-14 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハのウエツト処理装置
JPH04151828A (ja) * 1990-10-16 1992-05-25 Nippon Steel Corp 薬液雰囲気分離装置

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970415