JPH088231A - 膜の平坦化方法 - Google Patents
膜の平坦化方法Info
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機ＳＯＧ膜の表面をエッチング速度の低下
を軽減しつつ均一にエッチングすること。 【構成】 平坦化すべき膜が、有機ＳＯＧ膜の場合は、
ＣＦ4等の炭素系ガスによりエッチング速度を早め、炭
素系ガスと有機ＳＯＧ膜の有機成分との反応によって生
じたポリマーをＡｒ等の不活性ガスで除去する。これを
交互に繰り返すことにより、エッチング速度の低下を軽
減しつつ有機ＳＯＧ膜の表面を均一にエッチングでき
る。
を軽減しつつ均一にエッチングすること。 【構成】 平坦化すべき膜が、有機ＳＯＧ膜の場合は、
ＣＦ4等の炭素系ガスによりエッチング速度を早め、炭
素系ガスと有機ＳＯＧ膜の有機成分との反応によって生
じたポリマーをＡｒ等の不活性ガスで除去する。これを
交互に繰り返すことにより、エッチング速度の低下を軽
減しつつ有機ＳＯＧ膜の表面を均一にエッチングでき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜の平坦化方法であっ
て、例えば、半導体デバイスの層間絶縁膜として用いら
れる有機スピンオングラス膜（Spin On Glass、以下、
有機ＳＯＧ膜という）の表面を平坦化する方法に関す
る。
て、例えば、半導体デバイスの層間絶縁膜として用いら
れる有機スピンオングラス膜（Spin On Glass、以下、
有機ＳＯＧ膜という）の表面を平坦化する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴い、積層型の配
線構造が採用されている。上層配線と下層配線間の層間
絶縁膜としては、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＯＧ膜等が
よく用いられているが、このうち、特開平３−１８３７
５６号公報（Ｃ２３Ｃ１４／００）に示されているよう
な有機ＳＯＧ膜を使った例を図７に基づいて説明する。
線構造が採用されている。上層配線と下層配線間の層間
絶縁膜としては、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＯＧ膜等が
よく用いられているが、このうち、特開平３−１８３７
５６号公報（Ｃ２３Ｃ１４／００）に示されているよう
な有機ＳＯＧ膜を使った例を図７に基づいて説明する。
【０００３】図７Ａにおいて、１は単結晶シリコン基
板、２は素子分離膜、３はこの素子分離膜２の上に形成
されたＡｌ配線、４はプラズマＣＶＤ法により、前記基
板全面に前記Ａｌ配線を覆うように薄く堆積されたシリ
コン酸化膜である。そして、このシリコン酸化膜４の上
に有機ＳＯＧ膜５を形成する。この有機ＳＯＧ膜５は、
有機溶剤（例えばメタノール、アセトン）にケイ素化合
物を溶解させた溶液を回転塗布法により塗布し、その後
熱処理を加えることにより溶剤の揮発及び脱水縮合反応
を進行させて形成する。種類としてはシリコン酸化膜に
属する。回転塗布法により形成されるため、図の通り、
下地膜の凹部に厚く、凸部に薄く形成される。
板、２は素子分離膜、３はこの素子分離膜２の上に形成
されたＡｌ配線、４はプラズマＣＶＤ法により、前記基
板全面に前記Ａｌ配線を覆うように薄く堆積されたシリ
コン酸化膜である。そして、このシリコン酸化膜４の上
に有機ＳＯＧ膜５を形成する。この有機ＳＯＧ膜５は、
有機溶剤（例えばメタノール、アセトン）にケイ素化合
物を溶解させた溶液を回転塗布法により塗布し、その後
熱処理を加えることにより溶剤の揮発及び脱水縮合反応
を進行させて形成する。種類としてはシリコン酸化膜に
属する。回転塗布法により形成されるため、図の通り、
下地膜の凹部に厚く、凸部に薄く形成される。
【０００４】次に、図７Ｂにおいて、まず、上層配線
（例えばＡｌ配線）とのコンタクト部となる前記Ａｌ配
線３上部の前記有機ＳＯＧ膜５を除去するために、前記
有機ＳＯＧ膜５を全面エッチバック処理する。これは、
有機ＳＯＧ膜５が上層配線堆積のための熱処理によって
ガス（Ｈ2Ｏ等酸素を含むガス）を発生し、これがコン
タクト内の下層配線（Ａｌ配線３）を酸化させて、コン
タクト抵抗を増加させるからである。
（例えばＡｌ配線）とのコンタクト部となる前記Ａｌ配
線３上部の前記有機ＳＯＧ膜５を除去するために、前記
有機ＳＯＧ膜５を全面エッチバック処理する。これは、
有機ＳＯＧ膜５が上層配線堆積のための熱処理によって
ガス（Ｈ2Ｏ等酸素を含むガス）を発生し、これがコン
タクト内の下層配線（Ａｌ配線３）を酸化させて、コン
タクト抵抗を増加させるからである。
【０００５】前記有機ＳＯＧ膜５のエッチバック処理
は、前記シリコン酸化膜４と有機ＳＯＧ膜５とのエッチ
ングレートが等しくなるように、ＣＦ4、ＣＨＦ3及びＡ
ｒを使用ガスとして用いたドライエッチングで行う。仮
に、エッチングレートが異なると、有機ＳＯＧ膜５をオ
ーバーエッチングした場合に、凹部を埋めている有機Ｓ
ＯＧ膜５と凸部を覆っているシリコン酸化膜４との間で
段差が生じる恐れがある。
は、前記シリコン酸化膜４と有機ＳＯＧ膜５とのエッチ
ングレートが等しくなるように、ＣＦ4、ＣＨＦ3及びＡ
ｒを使用ガスとして用いたドライエッチングで行う。仮
に、エッチングレートが異なると、有機ＳＯＧ膜５をオ
ーバーエッチングした場合に、凹部を埋めている有機Ｓ
ＯＧ膜５と凸部を覆っているシリコン酸化膜４との間で
段差が生じる恐れがある。
【０００６】尚、エッチバックの条件は、ガス流量：Ｃ
Ｆ4／ＣＨＦ3／Ａｒ＝５０／５０／５００sccm、真空
度：５００mTorr、高周波出力：４００Ｗである。エッ
チバック後、全面にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸
化膜６を堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術
により前記Ａｌ配線３に通じるコンタクトホール７を形
成し、更に、スパッタ法によりコンタクトホール７内及
び全面にＡｌを蒸着させ、再びリソグラフィ技術及びエ
ッチング技術により、Ａｌを上層配線８として加工す
る。
Ｆ4／ＣＨＦ3／Ａｒ＝５０／５０／５００sccm、真空
度：５００mTorr、高周波出力：４００Ｗである。エッ
チバック後、全面にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸
化膜６を堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術
により前記Ａｌ配線３に通じるコンタクトホール７を形
成し、更に、スパッタ法によりコンタクトホール７内及
び全面にＡｌを蒸着させ、再びリソグラフィ技術及びエ
ッチング技術により、Ａｌを上層配線８として加工す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例のエッチバック
法は、図５に示す通り、エッチング初期の３０秒後から
エッチングレートが低下し、エッチング初期の６０％に
まで低下する。これは、エッチング時間の経過と共に、
エッチングガスと有機ＳＯＧ膜中の有機成分が反応し
て、有機ＳＯＧ膜の表面にポリマー（例えばＣ−Ｆ系ポ
リマー）が形成されるためである。
法は、図５に示す通り、エッチング初期の３０秒後から
エッチングレートが低下し、エッチング初期の６０％に
まで低下する。これは、エッチング時間の経過と共に、
エッチングガスと有機ＳＯＧ膜中の有機成分が反応し
て、有機ＳＯＧ膜の表面にポリマー（例えばＣ−Ｆ系ポ
リマー）が形成されるためである。
【０００８】このように、有機ＳＯＧ膜のエッチングレ
ートが低下すると、エッチング工程が長時間化したり、
有機ＳＯＧ膜とその他の膜（例えば、シリコン酸化膜）
とのエッチングレート比が変化したりする等の問題が生
じる。尚、エッチングガス中にＡｒを混入させるのは、
有機ＳＯＧ膜の表面に発生したポリマーを除去する目的
もあるが、ＣＦ4等の炭素系ガスと有機成分との反応が
活発で、多量発生するポリマーを処理しきれないのが実
状である。
ートが低下すると、エッチング工程が長時間化したり、
有機ＳＯＧ膜とその他の膜（例えば、シリコン酸化膜）
とのエッチングレート比が変化したりする等の問題が生
じる。尚、エッチングガス中にＡｒを混入させるのは、
有機ＳＯＧ膜の表面に発生したポリマーを除去する目的
もあるが、ＣＦ4等の炭素系ガスと有機成分との反応が
活発で、多量発生するポリマーを処理しきれないのが実
状である。
【０００９】また、図６に示す通り、従来例のエッチバ
ック法では、時間の経過に従い基板表面を均一にエッチ
バックすることができなくなる。これは、基板表面に発
生するポリマーの分布に偏りが生じるためである。即
ち、従来例のエッチバック法では、一応エッチングガス
と有機成分との反応ガスを真空排気して有機ＳＯＧ膜の
表面にポリマーが形成されにくいようにしているが、主
に基板中央部の方が基板周縁部に比べて真空排気されに
くく、他の場所に比べて、この中央部付近に多くポリマ
ーが発生することになり、時間が経過するに従って、基
板表面においてポリマーの分布に偏りが生じることにな
る。
ック法では、時間の経過に従い基板表面を均一にエッチ
バックすることができなくなる。これは、基板表面に発
生するポリマーの分布に偏りが生じるためである。即
ち、従来例のエッチバック法では、一応エッチングガス
と有機成分との反応ガスを真空排気して有機ＳＯＧ膜の
表面にポリマーが形成されにくいようにしているが、主
に基板中央部の方が基板周縁部に比べて真空排気されに
くく、他の場所に比べて、この中央部付近に多くポリマ
ーが発生することになり、時間が経過するに従って、基
板表面においてポリマーの分布に偏りが生じることにな
る。
【００１０】本発明は、膜の平坦化方法に関し、斯かる
問題点を解消するものである。
問題点を解消するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明における膜の
平坦化方法は、形成された膜の上面を不活性ガスを使用
してエッチングすることによって平坦化するものであ
る。第２の発明における膜の平坦化方法は、形成された
膜の上面を不活性ガスのみを使用してエッチングするこ
とによって平坦化するものである。
平坦化方法は、形成された膜の上面を不活性ガスを使用
してエッチングすることによって平坦化するものであ
る。第２の発明における膜の平坦化方法は、形成された
膜の上面を不活性ガスのみを使用してエッチングするこ
とによって平坦化するものである。
【００１２】第３の発明における膜の平坦化方法は、形
成された膜の上面を少なくとも２種類のエッチングガス
を交互に使用することによって平坦化するものである。
第４の発明における膜の平坦化方法は、形成された膜の
上面を、エッチング速度の速い第１のエッチングガス
と、この第１のエッチングガスによるエッチング中に発
生するエッチング作業の阻害物質を除去する第２のエッ
チングガスとを交互に使用して平坦化するものである。
成された膜の上面を少なくとも２種類のエッチングガス
を交互に使用することによって平坦化するものである。
第４の発明における膜の平坦化方法は、形成された膜の
上面を、エッチング速度の速い第１のエッチングガス
と、この第１のエッチングガスによるエッチング中に発
生するエッチング作業の阻害物質を除去する第２のエッ
チングガスとを交互に使用して平坦化するものである。
【００１３】第５の発明における膜の平坦化方法は、前
記形成された膜が有機成分を含有したスピンオングラス
膜であるものである。第６の発明における膜の平坦化方
法は、有機成分を含有したスピンオングラス膜の上面
を、少なくとも炭素を含有する第１のエッチングガス
と、炭素を含有しない第２のエッチングガスとを交互に
使用して平坦化するものである。
記形成された膜が有機成分を含有したスピンオングラス
膜であるものである。第６の発明における膜の平坦化方
法は、有機成分を含有したスピンオングラス膜の上面
を、少なくとも炭素を含有する第１のエッチングガス
と、炭素を含有しない第２のエッチングガスとを交互に
使用して平坦化するものである。
【００１４】第７の発明における膜の平坦化方法は、前
記第１のエッチングガスとして、少なくともＣＦ4、Ｃ
ＨＦ3等の炭素含有ガスを含むガスを用い、前記第２の
エッチングガスとして、Ａｒ等の不活性ガスを用いたも
のである。第８の発明における膜の平坦化方法は、前記
膜及び有機スピンオングラス膜を配線パターン等の凹凸
面上に形成するものである。
記第１のエッチングガスとして、少なくともＣＦ4、Ｃ
ＨＦ3等の炭素含有ガスを含むガスを用い、前記第２の
エッチングガスとして、Ａｒ等の不活性ガスを用いたも
のである。第８の発明における膜の平坦化方法は、前記
膜及び有機スピンオングラス膜を配線パターン等の凹凸
面上に形成するものである。
【００１５】
【作用】即ち、不活性ガスをエッチングガスとして用い
た場合、この不活性ガスは物理的除去機構が主であり、
有機ＳＯＧ膜等のエッチングすべき膜の成分と反応しに
くい。従って、反応生成物が発生しにくいので、長時間
に渡ってエッチングレートがほとんど不変である。
た場合、この不活性ガスは物理的除去機構が主であり、
有機ＳＯＧ膜等のエッチングすべき膜の成分と反応しに
くい。従って、反応生成物が発生しにくいので、長時間
に渡ってエッチングレートがほとんど不変である。
【００１６】また、形成された膜をエッチバックし平坦
化する際に、少なくとも２種類のエッチングガスを交互
に用いることで、各エッチングガスの長所を生かしなが
ら且つ短所を補い合って、良好な平坦性を得る。例え
ば、エッチング速度の速い第１のエッチングガスと、こ
の第１のエッチングガスによるエッチング中に発生する
エッチング作業の阻害物質を除去する第２のエッチング
ガスとを交互に使用すれば、エッチング速度の低下を軽
減しつつ、エッチングを阻害する有害物質を除去しなが
らエッチバックが行える。
化する際に、少なくとも２種類のエッチングガスを交互
に用いることで、各エッチングガスの長所を生かしなが
ら且つ短所を補い合って、良好な平坦性を得る。例え
ば、エッチング速度の速い第１のエッチングガスと、こ
の第１のエッチングガスによるエッチング中に発生する
エッチング作業の阻害物質を除去する第２のエッチング
ガスとを交互に使用すれば、エッチング速度の低下を軽
減しつつ、エッチングを阻害する有害物質を除去しなが
らエッチバックが行える。
【００１７】平坦化すべき膜が、有機ＳＯＧ膜の場合
は、ＣＦ4等の炭素系ガスによりエッチング速度を早
め、炭素系ガスと有機ＳＯＧ膜の有機成分との反応によ
って生じたポリマーをＡｒ等の不活性ガスで除去する。
は、ＣＦ4等の炭素系ガスによりエッチング速度を早
め、炭素系ガスと有機ＳＯＧ膜の有機成分との反応によ
って生じたポリマーをＡｒ等の不活性ガスで除去する。
【００１８】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１は有機ＳＯＧ膜５をエッチバックする手順を示すフ
ローチャートであり、図の通り、図７Ａの状態におい
て、まず、従来技術と同様のエッチング条件、即ち、エ
ッチングガスＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａｒ＝５０／５０／５０
０sccmでもって３０秒間の全面エッチバックを行う。３
０秒という時間に設定したのは、図５から明らかな通
り、この条件では３０秒以内ならエッチングレートが低
下しないからである（Ｓ−１）。
図１は有機ＳＯＧ膜５をエッチバックする手順を示すフ
ローチャートであり、図の通り、図７Ａの状態におい
て、まず、従来技術と同様のエッチング条件、即ち、エ
ッチングガスＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａｒ＝５０／５０／５０
０sccmでもって３０秒間の全面エッチバックを行う。３
０秒という時間に設定したのは、図５から明らかな通
り、この条件では３０秒以内ならエッチングレートが低
下しないからである（Ｓ−１）。
【００１９】次に、アルゴン（Ａｒ）ガスのみを使用し
て全面エッチバックを５秒間行う（Ｓ−２）。この５秒
間の間に、（Ｓ−１）のエッチング工程で有機ＳＯＧ膜
５の表面に形成されたポリマーが除去される。以後は、
前記Ａｌ配線３上部の有機ＳＯＧ膜５がなくなるまで、
この（Ｓ−１）と（Ｓ−２）の工程を繰り返す。
て全面エッチバックを５秒間行う（Ｓ−２）。この５秒
間の間に、（Ｓ−１）のエッチング工程で有機ＳＯＧ膜
５の表面に形成されたポリマーが除去される。以後は、
前記Ａｌ配線３上部の有機ＳＯＧ膜５がなくなるまで、
この（Ｓ−１）と（Ｓ−２）の工程を繰り返す。
【００２０】この実施例において、全てＡｒガスのみで
全面エッチバックを行わないのは、図４に示す通り、Ａ
ｒガスのエッチングレートが約１０ｎｍ／分と非常に遅
いため、スループットが低下する問題が生じるからであ
る。エッチングレートの速い不活性ガス（例えばＫｒ
（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン））を用いることがで
きれば、前記（Ｓ−１）の工程は必要なく、全て、この
不活性ガスのみのエッチバックを行ってもよい。
全面エッチバックを行わないのは、図４に示す通り、Ａ
ｒガスのエッチングレートが約１０ｎｍ／分と非常に遅
いため、スループットが低下する問題が生じるからであ
る。エッチングレートの速い不活性ガス（例えばＫｒ
（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン））を用いることがで
きれば、前記（Ｓ−１）の工程は必要なく、全て、この
不活性ガスのみのエッチバックを行ってもよい。
【００２１】もちろん、Ａｒガスは有機成分と反応しに
くいので、炭素系エッチングガスのようにポリマーを発
生することはなく、むしろポリマーを除去する機能を有
し、スループットの問題を無視するのならば、Ａｒガス
等の不活性ガスのみで前記エッチバック工程を行っても
よい。いずれにしても、Ａｒガスのようなエッチングレ
ートの低いガスを使用する場合には、前記実施例の通
り、炭素系ガスによるエッチングと組み合わせることは
全体としてのエッチングレートを改善する意味で非常に
有効である。
くいので、炭素系エッチングガスのようにポリマーを発
生することはなく、むしろポリマーを除去する機能を有
し、スループットの問題を無視するのならば、Ａｒガス
等の不活性ガスのみで前記エッチバック工程を行っても
よい。いずれにしても、Ａｒガスのようなエッチングレ
ートの低いガスを使用する場合には、前記実施例の通
り、炭素系ガスによるエッチングと組み合わせることは
全体としてのエッチングレートを改善する意味で非常に
有効である。
【００２２】図２は上記実施例によるエッチングレート
を測定した結果を示している。図から明らかな通り、エ
ッチング時間に関係なく高く且つ一定のエッチングレー
トを維持し続けることができる。図３はエッチングの均
一性を測定したものであって、図から明らかな通り、Ａ
ｒガスによる短時間のポリマー除去工程を介入させるこ
とによって、エッチング時間に関係なく、基板表面を全
体的に均一にエッチングすることができる。
を測定した結果を示している。図から明らかな通り、エ
ッチング時間に関係なく高く且つ一定のエッチングレー
トを維持し続けることができる。図３はエッチングの均
一性を測定したものであって、図から明らかな通り、Ａ
ｒガスによる短時間のポリマー除去工程を介入させるこ
とによって、エッチング時間に関係なく、基板表面を全
体的に均一にエッチングすることができる。
【００２３】尚、本実施例以外にも、次の変形例が考え
られる。 １）（Ｓ−１）工程でのエッチングガスとして、Ｃ2Ｆ6
やＣ3Ｆ8等も使用可能である。この場合、工程時間はガ
スの種類によって適宜変化させるべきである。 ２）（Ｓ−２）工程でのエッチングガスとして、Ｏ2等
も使用可能である。この場合、工程時間は、（Ｓ−１）
で用いたガスとのかね合いで適宜変化させるべきであ
る。
られる。 １）（Ｓ−１）工程でのエッチングガスとして、Ｃ2Ｆ6
やＣ3Ｆ8等も使用可能である。この場合、工程時間はガ
スの種類によって適宜変化させるべきである。 ２）（Ｓ−２）工程でのエッチングガスとして、Ｏ2等
も使用可能である。この場合、工程時間は、（Ｓ−１）
で用いたガスとのかね合いで適宜変化させるべきであ
る。
【００２４】３）前記実施例では、有機ＳＯＧ膜の平坦
化を例に説明したが、例えば、ポリイミド膜やポリイミ
ドシロキサン膜の平坦化に利用してもよい、その場合の
使用ガスは、（Ｓ−１）工程、（Ｓ−２）工程ともに前
述の実施例と同様のものでよい。また、前述した通り、
エッチングレートとの関係でこれらの膜に不活性ガス
（例えばＫｒやＸｅ）のみでエッチング可能ならば、
（Ｓ−２）工程のみでもよい。
化を例に説明したが、例えば、ポリイミド膜やポリイミ
ドシロキサン膜の平坦化に利用してもよい、その場合の
使用ガスは、（Ｓ−１）工程、（Ｓ−２）工程ともに前
述の実施例と同様のものでよい。また、前述した通り、
エッチングレートとの関係でこれらの膜に不活性ガス
（例えばＫｒやＸｅ）のみでエッチング可能ならば、
（Ｓ−２）工程のみでもよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明の膜の平坦化方法にあっては、不
活性ガスをエッチングガスとして用いることにより、長
時間にわたってエッチングレートがほとんど不変とな
り、エッチング制御がしやすくなる。また、形成された
膜をエッチバックし平坦化する際に、少なくとも２種類
のエッチングガスを交互に用いることで、各エッチング
ガスの長所を生かしながら且つ短所を補い合って、良好
な平坦性を得ることができる。
活性ガスをエッチングガスとして用いることにより、長
時間にわたってエッチングレートがほとんど不変とな
り、エッチング制御がしやすくなる。また、形成された
膜をエッチバックし平坦化する際に、少なくとも２種類
のエッチングガスを交互に用いることで、各エッチング
ガスの長所を生かしながら且つ短所を補い合って、良好
な平坦性を得ることができる。
【図１】本発明の実施例におけるエッチバック法の手順
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施例におけるエッチバック法のエッ
チング時間とエッチングレートとの関係を示す図であ
る。
チング時間とエッチングレートとの関係を示す図であ
る。
【図３】本発明の実施例におけるエッチバック法のエッ
チング時間と面内均一性との関係を示す図である。
チング時間と面内均一性との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施例において、エッチングガスとし
てアルゴンガスのみを用いた場合のエッチング時間とエ
ッチングレートとの関係を示す図である。
てアルゴンガスのみを用いた場合のエッチング時間とエ
ッチングレートとの関係を示す図である。
【図５】従来例において、エッチングガスとしてＣＦ4
／ＣＨＦ3／Ａｒガスのみを用いた場合のエッチング時
間とエッチングレートとの関係を示す図である。
／ＣＨＦ3／Ａｒガスのみを用いた場合のエッチング時
間とエッチングレートとの関係を示す図である。
【図６】従来例において、エッチングガスとしてＣＦ4
／ＣＨＦ3／Ａｒガスのみを用いた場合のエッチング時
間と面内均一性との関係を示す図である。
／ＣＨＦ3／Ａｒガスのみを用いた場合のエッチング時
間と面内均一性との関係を示す図である。
【図７】従来例において、有機ＳＯＧ膜を層間絶縁膜と
して使用した半導体装置の製造プロセスを示す断面図で
ある。
して使用した半導体装置の製造プロセスを示す断面図で
ある。
５ 有機ＳＯＧ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ Ｙ
Claims (8)
- 【請求項１】 形成された膜の上面を不活性ガスを使用
してエッチングすることによって平坦化したことを特徴
とする膜の平坦化方法。 - 【請求項２】 形成された膜の上面を不活性ガスのみを
使用してエッチングすることによって平坦化したことを
特徴とする膜の平坦化方法。 - 【請求項３】 形成された膜の上面を少なくとも２種類
のエッチングガスを交互に使用することによって平坦化
したことを特徴とする膜の平坦化方法。 - 【請求項４】 形成された膜の上面を、エッチング速度
の速い第１のエッチングガスと、この第１のエッチング
ガスによるエッチング中に発生するエッチング作業の阻
害物質を除去する第２のエッチングガスとを交互に使用
して平坦化することを特徴とした膜の平坦化方法。 - 【請求項５】 前記形成された膜が有機成分を含有した
スピンオングラス膜であることを特徴とした請求項１乃
至４のいずれかに記載の膜の平坦化方法。 - 【請求項６】 有機成分を含有したスピンオングラス膜
の上面を、少なくとも炭素を含有する第１のエッチング
ガスと、炭素を含有しない第２のエッチングガスとを交
互に使用して平坦化することを特徴とした膜の平坦化方
法。 - 【請求項７】 前記第１のエッチングガスは、少なくと
もＣＦ4、ＣＨＦ3等の炭素含有ガスを含むガスであっ
て、前記第２のエッチングガスは、Ａｒ等の不活性ガス
であることを特徴とした請求項４乃至６のいずれかに記
載の膜の平坦化方法。 - 【請求項８】 前記膜及び有機スピンオングラス膜は配
線パターン等の凹凸面上に形成されることを特徴とした
請求項１乃至７のいずれかに記載の膜の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13894594A JPH088231A (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 膜の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13894594A JPH088231A (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 膜の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088231A true JPH088231A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15233832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13894594A Pending JPH088231A (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 膜の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088231A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664196B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
| JP2008526025A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板最適化のためのプラズマ処理ステップ交互実行方法及び装置 |
| JP2010098146A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2015514158A (ja) * | 2012-03-28 | 2015-05-18 | アルストム テクノロジー リミテッドＡＬＳＴＯＭ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ | セラミックス部分から金属部分を分離する方法 |
-
1994
- 1994-06-21 JP JP13894594A patent/JPH088231A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664196B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
| JP2008526025A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板最適化のためのプラズマ処理ステップ交互実行方法及び装置 |
| JP2010098146A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2015514158A (ja) * | 2012-03-28 | 2015-05-18 | アルストム テクノロジー リミテッドＡＬＳＴＯＭ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ | セラミックス部分から金属部分を分離する方法 |
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