JPH088280B2 - フィルムキャリア製造用フィルム材およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フィルムキャリア製造用フィルム材およ
びその製造方法に関し、半導体チップを搭載するための
フィルムキャリアを製造する際の素材となるフィルム
材、および、このフィルム材を製造する方法に関するも
のである。

〔従来の技術〕

ICやLSI等の半導体チップのパッケージ構造として、
フィルムキャリア方式と呼ばれるものがある。これは、
フィルムテープ上にCu箔等の導体金属層を形成し、この
導体金属層にエッチングを施してリードパターンを形成
することによってフィルムキャリアを製造し、このフィ
ルムキャリア上のリードパターンに半導体チップをボン
ディング接続した後、個々のリードパターン毎にフィル
ムキャリアを打ち抜き分離して、半導体チップが搭載さ
れたフィルムキャリアチップを得る方法である。

第５図および第６図は、代表的なフィルムキャリアチ
ップの構造を示しており、まず、第５図は、半導体チッ
プとフィルムキャリアのリードパターンとの接続をボン
ディングワイヤで行うボンディングワイヤ式のフィルム
キャリアチップを示している。ポリイミド樹脂などから
なるフィルム10には、Cu等の導体金属層からなるリード
パターン20が所定のパターン状に形成されている。半導
体チップ30は、フィルム10に半田付け、接着等の手段で
搭載固定された後、各電極とリードパターン20がボンデ
ィングワイヤ40で電気的に接続されている。半導体チッ
プ30の周辺は封止樹脂50で覆われている。

つぎに、第６図は、半導体チップとフィルムキャリア
のリードパターンとの接続をバンプで行うバンプ式のフ
ィルムキャリアチップを示している。前記第５図の構造
との相違点は、リードパターン20が半導体チップ30の裏
面の各電極位置まで延長されており、延長されたリード
パターン20の上に、Auや半田などからなるバンプ70を介
して、リードパターン20と各電極とを電気的に接続する
とともに、半導体チップ30自体をフィルム10に固定して
いる。

両者を比較すると、ワイヤボンディング式の場合は、
半導体チップ30の個々の電極とリードパターン20をボン
ディングワイヤ40でいちいち接続する手間が掛かるとと
もに、ワイヤボンディング作業を行うには、電極同士の
間隔を充分に取る必要があるため、電極間隔および半導
体チップ30全体の平面寸法が大きくなるという問題があ
る。また、ボンディングワイヤ40が半導体チップ30の表
面に突出した形になるので、このボンディングワイヤ40
全体を完全に覆うには、封止樹脂50の外形も大きくな
り、フィルムキャリアチップ全体の嵩寸法が大きくなる
という欠点があった。

これに対し、バンプ式の場合は、半導体チップ30の電
極とリードパターン20の間にバンプ70を挟んだまま、一
括して加熱および加圧すれば、一度で全ての接続が果た
せ、極めて能率的に接続作業が行える。また、電極同士
の間隔が狭くても接続可能であるので、電極間隔すなわ
ち半導体チップ30の面積を小さくすることができる。バ
ンプ70は、半導体チップ30の裏面に隠れているととも
に、わずかな厚みしかないので、厚み方向にも薄くな
る。その結果、フィルムキャリアチップ全体の寸法を小
さくすることができる。

以上のような理由で、バンプ式のほうがワイヤボンデ
ィング式よりも優れているとして、小型パッケージ用に
利用されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、バンプ式のフィルムキャリアチップは、半
導体チッペ30の電極配置に対する融通性がないという欠
点があった。

すなわち、フィルムキャリアチップのリードパターン
20のうち、配線基板等の外部回路への接続を行うアウタ
ーリード部21については、一定の規格寸法に合わせてお
けば、色々な実装形態にそのまま利用することができ
る。しかし、半導体チップ30の電極配置は、個々の半導
体チップ30の構造によって全く違うので、リードパター
ン20のインナーリード部22については、半導体チップ30
の電極配置すなわちバンプ70の配置に合わせて形成して
おかなければならない。

そのため、一定パターンのインナーリード部22を有す
るリードパターン20を備えたフィルム10、すなわちフィ
ルムキャリアでは、電極配置の異なる半導体チップ30の
搭載用には利用できず、半導体チップ30の電極配置が変
わる毎に、形成パターンの異なるリードパターン20を備
えたフィルムキャリアを製造しなければならない。そし
て、リードパターン20の形成パターンが変わると、それ
ぞれのパターン毎に、エッチング用のマスクや型を準備
しなければならず、装置コストが増大するとともに、パ
ターン変更の度に、装置の段取りを変えなければなら
ず、作業時間も掛かるという問題があった。

特に、近年は、半導体チップの電極数が益々増加する
とともに、多品種少量生産化が進行しており、品種変更
の度に、エッチング用のマスクを製造する等の長時間の
リードタイムを設定したり、イニシャルコストが増大す
るのは極めて重大な問題である。

そこで、この発明の課題は、半導体チップの小型化や
搭載作業の能率化等に好適なバンプ式のフィルムキャリ
アチップを製造するためのフィルムキャリアにおいて、
半導体チップの電極配置の変更に容易に対応することの
できるフィルムキャリアを製造するためのフィルム材、
および、このフィルム材を製造する方法を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、本願発明者らは、先に、
以下に説明するようなフィルムキャリア製造用のフィル
ム材、および、このフィルム材を用いたフィルムキャリ
アの製造方法を発明し、特許出願している。

この先願発明にかかるフィルムキャリア製造用のフィ
ルム材は、リードパターンのうち、アウターリード部の
みをパターン形成し、インナーリード部についてはパタ
ーン形成せず、全体を導体金属層のままで残したインナ
ーリード形成部としたものである。このフィルム材に対
して、搭載する半導体チップの電極配置に合わせて、レ
ーザー加工でインナーリード形成部の一部を除去して所
定のインナーリード部をパターン形成すれば、目的とす
るフィルムキャリアが製造できるというものである。こ
の発明によれば、予め製造しておくフィルム材は、半導
体チップの電極配置に関係なく同じ形状のものを一括製
造しておけること、半導体チップの電極配置が変わって
も、レーザー加工のプログラム変更で容易に対応できる
こと等の優れた作用効果を発揮することができる。

しかし、上記した先願発明でも、次のような問題が残
っていた。レーザー加工によるインナーリード部のパタ
ーン形成では、インナーリード部を構成する導体金属層
の性質によって、加工能率が大きく違ってくるという問
題である。例えば、導体金属層として一般に用いられて
いる銅は、レーザー光の反射率が高いために、レーザー
光による高速加工が行えず、加工能率が低いという欠点
がある。他方、レーザー光の反射率が低く加工能率の高
いAl等を導体金属層として用いた場合、アウターリード
部先端の端子部分を外部回路に接続する際の半田付けが
困難であるという問題がある。

そこで、前記した先願発明をさらに改良して、レーザ
ー加工によるインナーリード部のパターン形成を能率的
に行えるとともに、アウターリード部の外部回路への半
田付け接続も良好に行えるフィルムキャリア製造用フィ
ルム材およびこのフィルム材を製造する方法を研究した
結果、以下に述べる本願発明を完成した。

請求項１記載の発明にかかるフィルムキャリア製造用
のフィルム材は、フィルム上に形成されたリードパター
ンのインナーリード部に、前記フィルム上に搭載される
半導体チップの各電極がバンプを介して接続されてなる
フィルムキャリアを製造するためのフィルム材であっ
て、前記フィルム上の導体金属層からパターン形成によ
って形成されるリードパターンのうち、搭載する半導体
チップの電極配置によってパターンが変わらないアウタ
ーリード部は、予めパターン形成されているとともに少
なくとも半田付け部が銅からなり、搭載する半導体チッ
プの電極配置によってパターンが変わるインナーリード
部は、パターン形成されず、レーザー光に対する反射率
が銅よりも低い非銅金属からなる導体金属層のままで残
されたインナーリード形成部となっている。

フィルムキャリア用フィルム材は、ポリイミド樹脂等
からなるフィルムテープの表面に、銅等の導体金属層を
形成した後、所定のパターン形状にエッチングして、リ
ードパターンを形成したものであり、このような基本的
な構造については、従来の通常のフィルムキャリア製造
用のフィルム材と同様のもので実施できる。

この発明では、リードパターンの形成パターンのう
ち、外部回路との接続用になるアウターリード部につい
ては、従来と同様に、所定のパターン形成が行われる。
また、アウターリード部は、少なくとも外部回路への接
続用の半田付け部が銅で形成されている。なお、半田付
け部が銅であれば、その他の部分については任意の導体
金属で構成されていてよい。例えば、アウターリード部
の一部が後述するインナーリード部を構成する導体金属
あるいはその他の各種導体金属で形成されてあってもよ
い。また、インナーリード部を構成する導体金属がアウ
ターリード部まで形成されてあるとともに、その表面が
銅で覆われたものでもよい。勿論、アウターリード部の
全体を銅で構成したり、銅と銅以外の金属との積層構造
にしてもよい。さらに、半田付け部における半田接続性
をさらに良好にするためには、上記のような銅からなる
アウターリード部のうち、半田付け部のみで、銅の上に
AuやSnのメッキを施しておけば、より好ましいものとな
る。

つぎに、半導体チップの電極と接続されるインナーリ
ード部については、前記アウターリード部を構成する銅
よりもレーザー光に対する反射率が低く、レーザー加工
性の良好な導体金属で形成されている。レーザー光に対
する反射率が低いと、レーザー光の吸収性が良く加工さ
れ易いということであり、レーザー光の移動照射を高速
で行うとができ、加工能率が高くなる。このようなレー
ザー加工性の良好な導体金属としては、Al、Sn、Ni、Zn
等が挙げられる。各種金属のレーザー光に対する反射率
は、レーザー光の波長によっても異なるが、例えば、通
常のレーザー加工に多く用いられているYAGレーザーの
波長は約1.06μｍである。一方、波長0.9〜11μｍの光
に対する銅および前記金属の反射率は、銅90.1％に対
し、Al＝73.3％、Sn＝54.0％、Ni＝72.0％、Zn＝49.0％
となり、何れも反射率が小さくレーザー加工性が良好で
ある。上記金属の他にも、使用するレーザー光の波長、
あるいは、レーザー加工性以外の電気的性能やバンプ接
合性等の特性をも考慮して、各種の導体金属の中から適
宜に選択して使用することができる。

上記のようなレーザー加工性の良好な導体金属からな
るインナーリード部は、従来のフィルムキャリアのよう
なパターン形成を行わず、全体が導体金属層で覆われた
ままのインナーリード形成部にしておく。ここで、イン
ナーリード部とは、半導体チップの電極配置に合わせ
て、そのパターンを変更する必要がある部分を意味して
おり、リードパターンの内側部分であっても、半導体チ
ップの電極配置によりパターン形成を変更する必要のな
い個所については、前記アウターリード部と同様にパタ
ーン形成しておく。

以上のようなアウターリード部およびインナーリード
形成部等からなるリードパターンを備えたフィルム材
は、インナーリード部のパターン形成を行わないままの
状態で、輸送保管あるいは販売に供することができる。

つぎに、上記のようなフィルム材を用いて、フィルム
キャリアを製造する方法について説明する。

搭載しようとする個々の半導体チップの電極配置に合
わせて、インナーリード部のパターン形成を行う。イン
ナーリード部のパターン形成は、レーザー加工により行
う。レーザー加工の加工パターンは、NC加工制御装置等
を用いて、予め、半導体チップの電極配置に合わせて設
定されたプログラムによってレーザー光線の照射を制御
すればよい。具体的なレーザー加工装置や加工条件は、
通常の半導体製造や配線回路製造等におけるレーザー加
工と同様に行える。

インナーリード部のパターン形成が終了したフィルム
キャリアは、通常の半導体チップ搭載方法と同様に、各
電極毎のバンプ形成工程や、インナーリード部と半導体
チップの電極とのバンプを介した接合ボンディング工
程、樹脂による封止工程、個々のフィルムキャリアチッ
プへの打ち抜き分離工程等が行われて、目的とするフィ
ルムキャリアチップが製造される。

請求項２記載の発明にかかるフィルムキャリア製造用
フィルム材の製造方法は、請求項１記載のフィルムキャ
リア製造用フィルム材を製造するにあたり、銅とレーザ
ー光に対する反射率が銅よりも低い非銅金属とのクラッ
ド材が、銅を表側にしてフィルム上に貼着されてなる積
層材に、両金属を食刻するエッチングを施してアウター
リード部およびインナーリード形成部をパターン形成し
たのち、銅は食刻するが非銅金属は食刻しない選択エッ
チングを施してインナーリード形成部の非銅金属層を露
出させる。

レーザー光に対する反射率が銅よりも低い非銅金属と
しては、前記した各導体金属のなかから、銅とのクラッ
ド材を製造可能なものが用いられる。銅と非銅金属との
クラッド材の製造方法は、通常のクラッド材の製造手段
が採用できる。フィルム材にクラッド材を貼着して積層
材を製造する方法も、従来の通常のフィルムキャリアに
おけるフィルム材への導体金属層の形成手段と同様の方
法が用いられる。

アウターリード部およびインナーリード形成部をパタ
ーン形成するためのエッチングは、クラッド材の銅およ
び非銅金属の両方を食刻することのできるエッチング手
段を用いる。したがって、銅および非銅金属の組み合わ
せによって、使用するエッチング液や処理条件を選択し
て実施する。具体的には、通常の回路形成技術で採用さ
れているのと同様の手段が適用できる。

上記工程を終了した段階では、アウターリード部につ
いては、半田付け部を含む表面に銅が露出しているので
問題はないが、インナーリード形成部では、インナーリ
ード形成部を構成すべき非銅金属が銅で覆われた状態で
ある。

そこで、銅は食刻するが非銅金属は食刻しない選択エ
ッチングを施してインナーリード形成部の非銅金属層を
露出させる。このとき、アウターリード部のうち、少な
くとも半田付け部を含む、銅層を必要とする個所につい
ては、適当なレジスト層で覆う等して、銅層が食刻され
ようにしておく。具体的なエッチング手段は、通常の回
路形成技術における選択エッチング手段が適用できる。

以上の方法で得られたフィルム材では、フィルム材の
表面に、アウターリード部およびインナーリード形成部
の全体を覆って非銅金属層が形成されているとともに、
アウターリード部のうち少なくとも半田付け部では、非
銅金属層の上を銅層が覆っていることになる。

請求項３記載の発明にかかるフィルムキャリア製造用
フィルム材の製造方法は、請求項１記載のフィルムキャ
リア製造用フィルム材を製造するにあたり、レーザー光
に対する反射率が銅よりも低い非銅金属層がフィルム上
に形成されてなる積層材にエッチングを施してアウター
リード部およびインナーリード形成部をパターン形成し
たのち、アウターリード部の少なくとも半田付け部に銅
層を積層形成する。

レーザー光に対する反射率が銅よりも低い非銅金属層
をフィルム上に形成して積層材を製造するには、予め上
記非銅金属からなる箔を製造しておき、この非銅金属箔
をフィルム上に貼着する方法、非銅金属をフィルム上に
メッキする方法が用いられ、その他にも、スパッタリン
グ法や真空蒸着法その他の金属薄膜形成手段が採用でき
る。

フィルム上の非銅金属層をエッチングする方法は、通
常の回路形成手段がそのまま適用できる。このようにし
て、アウターリード部およびインナーリード形成部の外
形が形成される。インナーリード部については、非銅金
属のままでよいが、アウターリード部のうち、少なくと
も半田付け部については銅層を積層形成する。銅層の形
成手段は、メッキあるいはスパッタリングその他の通常
の薄膜形成手段が適用できる。銅層の形成工程では、イ
ンナーリード形成部の表面が銅層で覆われないように、
適当なレジスト層を形成しておくなど、アウターリード
部の必要個所のみに銅層が形成されるようにしておく。

以上のようにして得られたフィルム材でも、前記した
請求項２記載の発明の場合と同様に、アウターリード部
およびインナーリード形成部の全体にわたってフィルム
の表面に非銅金属層が形成されているとともに、アウタ
ーリード部の少なくとも半田付け部では非銅金属層が銅
層で覆われていることになる。

〔作用〕

請求項１記載の発明によれば、フィルムキャリアに対
するリードパターンのパターン形成を、半導体チップの
電極配置による変更されることのないアウターリード部
と、電極配置が異なる毎に変更されるインナーリード部
とに分け、フィルムキャリア製造用のフィルム材には、
アウターリード部のパターン形成のみを行っておくの
で、フィルム材としては、半導体チップの電極配置に関
係なく全て同じものが使用でき、能率的に大量生産して
おくことができる。そして、このようなフィルム材に対
して、電極配置の異なる半導体チップ毎に、インナーリ
ード部のパターン形成のみを、加工パターンが容易に変
更できるレーザー加工で加工すれば、半導体チップの電
極配置の変更に極めて容易に対応することができる。

言い換えれば、形成パターンの変更がないアウターリ
ード部は、エッチング法等、通常の回路形成手段で能率
的かつ経済的にパターン形成を行っておき、形成パター
ンの変更があるインナーリード部のみを、加工パターン
を自由に変更できるレーザー加工で行うようにすれば、
フィルムキャリアの生産性を低下させることなく、半導
体チップの電極配置の変更に容易に対応できることにな
り、極めて融通性の高いフィルムキャリア製造用のフィ
ルム材となる。

さらに、アウターリード部のうち、少なくとも良好な
半田接続性を要求される半田付け部を、導体回路の材料
として優れているとともに半田接続性も良好な銅で形成
しておくことによって、銅の有する優れた特性を発揮さ
せることが出来るとともに、レーザー加工によるインナ
ーリード部のパターン形成を行う必要のあるインナーリ
ード形成部については、レーザー光の反射率が低くレー
ザー加工性の良好な非銅金属で形成して、加工能率の向
上を図ることができる。

〔実施例〕

ついで、この発明を、実施例を示す図面を参照しなが
ら、以下に詳しく説明する。なお、前記した従来例の構
造と共通する構造部分には、同じ符号を付けるとともに
重複する説明は省略する。

第１図は、フィルムキャリア製造用のフィルム材であ
るフィルムテープ10aを示しており、長尺状のフィルム
テープ10aには、幅方法の両端に一定間隔でスプロケッ
ト孔11、11が貫通形成されている。

フィルムテープ10aの表面中央には、半導体チップ搭
載用のリードパターン20が形成されている。リードパタ
ーン20は、フィルムテープ10aの表面全体に銅等の導体
金属層を形成した後、エッチングで所定のパターンに除
去加工したものである。リードパターン20は、四方に向
かって延びる短冊状のアウターリード部21と、アウター
リード部21の中央に位置する正四角形状のインナーリー
ド形成部23とからなる。アウターリード部21の構造は、
従来の通常のフィルムキャリアの場合と同様である。イ
ンナーリード形成部23は、従来のように、個々の電極毎
にパターン形成されておらず、全体が一体的に連続した
形で形成されている。すなわち、半導体チップ30の電極
配置が変更された場合に、個々のインナーリード部が配
置される可能性のある個所全体を覆ってインナーリード
形成部23が設けられている。インナーリード形成部23の
中央には、小さな正四角形状の空間部24が形成されてい
る。これは、通常の半導体チップ30では、平面形の周辺
部分に電極が設定され、中央部分に電極が設定されるこ
とは少ないので、インナーリード部も中央部分まで形成
されることはない、そこで、予め、中央部分に空間部24
を形成しておけば、後述するインナーリード部加工の手
間を減らすことができるのである。

上記のような形状のアウターリード部21およびインナ
ーリード形成部23のうち、アウターリード部21の表面に
は銅層m₁が露出しており、インナーリード形成部23の表
面には非銅金属層となるAl層m₂が露出している。

上記のようなリードパターン20が形成されれば、フィ
ルムテープ10aすなわちフィルムキャリア製造用のフィ
ルム材の製造が完了し、この状態で輸送保管あるいは販
売に供される。

第２図は、フィルムテープ10a等のフィルム材に、リ
ードパターン20を形成してフィルム材を製造する工程、
および、製造されたフィルム材に半導体チップ30を搭載
する工程を模式的に示している。

まず、第２図（ａ）に示すように、フィルム10の表面
に、Al層m₂および銅層m₁を積層する。具体的には、予め
Al層m₂と銅層m₁からなるクラッド材を製造しておき、こ
のクラッド材をフィルム10の表面に貼着して積層する。

第２図（ｂ）に示すように、導体金属層からなるリー
ドパターン20が形成される。具体的には、Al層m₂および
銅層m₁の両方を食刻できるエッチング液を用いて、アウ
ターリード部21およびインナーリード形成部23をパター
ンエッチングしたのち、今度は銅層m₁のみを食刻するが
Al層m₂は食刻できないエッチング液を用いて、インナー
リード部形成部23のAl層m₂を覆う銅層m₁を除去する。こ
れで、前記第１図に示す完成状態のフィルム材が得られ
る。

つぎに、搭載しようとする半導体チップ30の電極配置
に合わせて、リードパターン20のインナーリード形成部
23をパターン形成する。第２図（ｃ）に示すように、リ
ードパターン20の上からレーザー光線Ｒを照射して、イ
ンナーリード形成部23の非銅金属層m₂を除去する。レー
ザー光線Ｒの照射パターンを制御することによって、所
望のパターン形状を備えたインナーリード部22が形成で
きる。

第３図は、このようにして形成されたインナーリード
部22の構造を示しており、比較的広い一定間隔をあけて
配置された各アウターリード部21につづいて、それぞれ
細いクサビ状のインナーリード部22が設けられ、インナ
ーリード部22の先端が、半導体チップ30裏面の各電極位
置に配置されるようになっている。インナーリード部22
はAl層m₂で形成されているとともに、アウターリード部
21は、Al層m₂を銅層m₁が覆っているので、表面には銅層
m₁が露出することになる。以上のようにして、リードパ
ターン20の全体がパターン形成されたフィルムキャリア
が製造できることになる。

第２図（ｄ）は、フィルムキャリアに半導体チップを
搭載した状態を示しており、インナーリード部22の上
に、バンプ70を介して半導体チップ30を載せ、加圧およ
び加熱することによって、半導体チップ30の各電極と各
インナーリード部22とを接続固定している。具体的なバ
ンプ接続の手段や工程は、従来の通常のバンプ式フィル
ムキャリアチップの製造方法と同様に実施される。この
とき、バンプ70にAuを用いると、インナーリード部22の
Al層m₂とAuバンプ70とは極めて接合性が良いので、半導
体チップ30の搭載接続が容易で接続性能も良好になる。

このあと、半導体チップ30の搭載部分を樹脂で封止し
たり、リードパターン20の外周部分でフィルムテープ10
aの周辺部分と打ち抜き分離したり、リードパターン20
のうち、アウターリード部21を外周回路と接続し易いよ
うに折り曲げたりするのも、従来の通常のフィルムキャ
リアチップの製造方法と同様に行われる。

〔発明の効果〕

以上に述べた、この発明にかかるフィルムキャリア製
造用のフィルム材によれば、半導体チップの電極配置が
変わる度に変更する必要があるバンプ接続用のインナー
リード部をパターン形成せず、全体が導体金属層で覆わ
れたままのインナーリード形成部にしておくので、電極
配置の異なる多様な半導体チップに対して、全て共通の
フィルム材を適用することができる。したがって、エッ
チング用マスクや型等の製造装置は１種類で良く、半導
体チップの電極配置が変更される度に、エッチング用マ
スクを作り変える時間および手間が省け、コスト的にも
大幅に削減できることになり、生産性の向上および生産
コストの低減に極めて大きな効果がある。

インナーリード部のパターン形成は、半導体チップの
電極配置に合わせてレーザー加工で行い、このレーザー
加工では、NC制御プログラム等で自由な加工パターンが
得られるので、任意の電極配置を有する半導体チップに
対して、その電極配置に対応するように加工プログラム
を変更するだけで、容易かつ迅速に対応することがで
き、極めて融通性の高いものとなる。しかも、レーザー
加工が必要なのは、インナーリード部のみの狭い範囲で
あるので、全体の加工時間が増えたり、手間が掛かるこ
とはなく、全体の生産性や経済性を損なう心配はない。

さらに、アウターリード部の少なくとも半田付け部を
構成する導体金属として銅を用い、インナーリード形成
部を構成する導体金属層としてレーザー光の反射率が銅
よりも少ない非銅金属を用いていることによって、レー
ザー加工によるインナーリード部の加工能率が高くなり
生産性に優れていると同時に、外部回路との半田付けに
よる接続性能にも優れたものとなる。インナーリード部
を構成する非銅金属として、半導体チップの電極をイン
ナーリード部に接合するバンプとの接合性の良好な導体
金属を選択すれば、銅からなるインナーリード部を接合
するのに比べて、半導体チップの搭載接続が容易で接続
性能も向上する。

以上の結果、電極配置の高密度化や半導体チップの小
型化等に好適なバンプ式のフィルムキャリアでありなが
ら、半導体チップの電極配置に関しては、従来のワイヤ
ボンディング式と同等かそれ以上の融通性を備えたフィ
ルムキャリアを製造することが可能になり、しかも、イ
ンナーリード部のレーザー加工等、フィルムキャリアの
製造が容易で能率的に行えると同時に、アウターリード
部の外部回路への半田接続性等、製造されたフィルムキ
ャリアの性能も優れたものになり、フィルムキャリアチ
ップの需要拡大および用途の拡大にも大きく貢献できる
ことになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す、インナーリード部を
パターン形成する前のフィルム材の平面図、第２図
（ａ）〜（ｄ）は順次フィルムキャリアの製造工程を示
す模式的断面図、第３図はインナーリード部のパターン
形成が行われたフィルムキャリアの平面図、第４図は製
造されたフィルムキャリアチップの断面図、第５図
（ａ），（ｂ）は従来のワイヤボンディング式フィルム
キャリアチップを示し、第５図（ａ）は断面図、第５図
（ｂ）は封止樹脂を除いた状態の底面図、第６図
（ａ），（ｂ）は従来のバンプ式フィルムキャリアチッ
プを示し、第６図（ａ）は断面図、第６図（ｂ）は封止
樹脂を除いた状態の底面図である。 10……フィルム、20……リードパターン、21……アウタ
ーリード部、22……インナーリード部、23……インナー
リード形成部、30……半導体チップ、70……バンプ、m₁
……銅層、m₂……非銅金属層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】フィルム上に形成されたリードパターンの
   インナーリード部に、前記フィルム上に搭載される半導
   体チップの各電極がバンプを介して接続されてなるフィ
   ルムキャリアを製造するためのフィルム材であって、前
   記フィルム上の導体金属層からパターン形成によって形
   成されるリードパターンのうち、搭載する半導体チップ
   の電極配置によってパターンが変わらないアウターリー
   ド部は、予めパターン形成されているとともに少なくと
   も半田付け部が銅からなり、搭載する半導体チップの電
   極配置によってパターンが変わるインナーリード部は、
   パターン形成されず、レーザー光に対する反射率が銅よ
   りも低い非銅金属からなる導体金属層のままで残された
   インナーリード形成部となっているフィルムキャリア製
   造用フィルム材。
2. 【請求項２】請求項１記載のフィルムキャリア製造用フ
   ィルム材を製造するにあたり、銅とレーザー光に対する
   反射率が銅よりも低い非銅金属とのクラッド材が、銅を
   表側にしてフィルム上に貼着されてなる積層材に、両金
   属を食刻するエッチングを施してアウターリード部およ
   びインナーリード形成部をパターン形成したのち、銅は
   食刻するが非銅金属は食刻しない選択エッチングを施し
   てインナーリード形成部の非銅金属層を露出させるフィ
   ルムキャリア製造用フィルム材の製造方法。
3. 【請求項３】請求項１記載のフィルムキャリア製造用フ
   ィルム材を製造するにあたり、レーザー光に対する反射
   率が銅よりも低い非銅金属層がフィルム上に形成されて
   なる積層材にエッチングを施してアウターリード部およ
   びインナーリード形成部をパターン形成したのち、アウ
   ターリード部の少なくとも半田付け部に銅層を積層形成
   するフィルムキャリア製造用フィルム材の製造方法。