JPH0883580A - 表示装置の表面処理膜とその製造方法 - Google Patents
表示装置の表面処理膜とその製造方法Info
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- JPH0883580A JPH0883580A JP21735594A JP21735594A JPH0883580A JP H0883580 A JPH0883580 A JP H0883580A JP 21735594 A JP21735594 A JP 21735594A JP 21735594 A JP21735594 A JP 21735594A JP H0883580 A JPH0883580 A JP H0883580A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】表示装置の表示基体に反射防止／帯電防止，漏
洩電磁界低減膜を形成する。 【構成】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性を有
する表示装置の表面処理膜を、ポリアニリンとプロトン
酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成分とす
る溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置の表面
基体にコーティングして得た導電性の層から構成した。
洩電磁界低減膜を形成する。 【構成】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性を有
する表示装置の表面処理膜を、ポリアニリンとプロトン
酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成分とす
る溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置の表面
基体にコーティングして得た導電性の層から構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管あるいは液晶
表示装置、その他の各種表示装置における表面基板に外
光の反射や静電気の帯電を防止し、あるいは陰極線管に
あっては電磁界の漏洩を防止するための表示装置の表面
基板処理膜とその製造方法に関する。
表示装置、その他の各種表示装置における表面基板に外
光の反射や静電気の帯電を防止し、あるいは陰極線管に
あっては電磁界の漏洩を防止するための表示装置の表面
基板処理膜とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコンやワークステーション等の情報
処理端末のモニター、対応ソフトウエアの表示性能の高
度化、エルゴノミクス関連規制の広まりに伴って、表示
装置の表面基板（表示面）における表面基板処理膜（以
下、単に表面処理膜とも言う）の性能向上が一層必要と
なっている。
処理端末のモニター、対応ソフトウエアの表示性能の高
度化、エルゴノミクス関連規制の広まりに伴って、表示
装置の表面基板（表示面）における表面基板処理膜（以
下、単に表面処理膜とも言う）の性能向上が一層必要と
なっている。
【０００３】特に、情報量の多いカラーディスプレイモ
ニターに使用される超高精細度のカラーディスプレイ管
としてのシャドウマスク型カラー陰極線管では、そのシ
ャドウマスクのマスクピッチは益々細かくなっており、
表面に機能性処理を施しても表面処理を施さない管（無
処理管）と同等レベルの解像度が要求されている。
ニターに使用される超高精細度のカラーディスプレイ管
としてのシャドウマスク型カラー陰極線管では、そのシ
ャドウマスクのマスクピッチは益々細かくなっており、
表面に機能性処理を施しても表面処理を施さない管（無
処理管）と同等レベルの解像度が要求されている。
【０００４】このような要求への対策のための表面処理
膜として、光の干渉を利用した多層の蒸着膜や、所謂Ｃ
ＶＤ膜が実用化されている。しかし、これらの蒸着膜や
ＣＶＤ膜（多層コーティング膜）は、その形成コストが
高いため、極く限られた高級品種のみに適用されている
のが現状であり、高性能の表面処理膜を低コストで得る
ことが重要な課題となっている。
膜として、光の干渉を利用した多層の蒸着膜や、所謂Ｃ
ＶＤ膜が実用化されている。しかし、これらの蒸着膜や
ＣＶＤ膜（多層コーティング膜）は、その形成コストが
高いため、極く限られた高級品種のみに適用されている
のが現状であり、高性能の表面処理膜を低コストで得る
ことが重要な課題となっている。
【０００５】また、テレビ用のカラー陰極線管やディス
プレイ用のカラー陰極線管は電源を投入したり切断した
りするときに、そのパネル（表面基板）の内面に電子ビ
ームが当たることによるマイナスの高電位を形成した
り、この高電位が急激に無くなった時に、当該高電位に
対向するための静電荷がパネルの外表面に発生する。
プレイ用のカラー陰極線管は電源を投入したり切断した
りするときに、そのパネル（表面基板）の内面に電子ビ
ームが当たることによるマイナスの高電位を形成した
り、この高電位が急激に無くなった時に、当該高電位に
対向するための静電荷がパネルの外表面に発生する。
【０００６】そして、この静電荷がいつまでも減衰しな
いで残ることで人体に不快感を与えたり、陰極線管の表
面に接触した場合には蓄積した静電荷が人体を通して放
電し、電撃を与えることがある。
いで残ることで人体に不快感を与えたり、陰極線管の表
面に接触した場合には蓄積した静電荷が人体を通して放
電し、電撃を与えることがある。
【０００７】また、反対の電荷に帯電した空気中の埃や
塵、汚染物質がパネルに吸着して陰極線管の映像輝度の
劣化や不快感を招来して映像を見ずらくしてしまう。
塵、汚染物質がパネルに吸着して陰極線管の映像輝度の
劣化や不快感を招来して映像を見ずらくしてしまう。
【０００８】これらの諸問題を解決するために、従来か
ら陰極線管のパネル表面に導電性膜を付与する試みが種
々なされてきた。
ら陰極線管のパネル表面に導電性膜を付与する試みが種
々なされてきた。
【０００９】しかし、近年、急激なパソコン等の情報機
器が普及したことに伴って、その端末表面装置（ＶＤ
Ｕ：Ｖｉｓｕａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｕｎｉｔ）の表面
から漏洩する電磁波輻射、特に低周波交番電界による電
波障害の問題がクローズアップされてきた。
器が普及したことに伴って、その端末表面装置（ＶＤ
Ｕ：Ｖｉｓｕａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｕｎｉｔ）の表面
から漏洩する電磁波輻射、特に低周波交番電界による電
波障害の問題がクローズアップされてきた。
【００１０】この問題に関して、特にスエーデンではＶ
ＤＵからの不要輻射の規制に関する規格「ＭＰＲ−II」
が提案されている。
ＤＵからの不要輻射の規制に関する規格「ＭＰＲ−II」
が提案されている。
【００１１】そして、現在、欧米を中心に、上記の規格
を参考としたＶＤＵからの不要輻射規制の草案が作成さ
れている。さらに、最近では上記「ＭＰＲ−II」よりも
厳しい規格が同国の労働組合より「ＴＣＯ」として提案
されている。
を参考としたＶＤＵからの不要輻射規制の草案が作成さ
れている。さらに、最近では上記「ＭＰＲ−II」よりも
厳しい規格が同国の労働組合より「ＴＣＯ」として提案
されている。
【００１２】このような電磁波ノイズによる人体への影
響が各国で問題視されてきており、これを解決すること
が最大の急務となっている。
響が各国で問題視されてきており、これを解決すること
が最大の急務となっている。
【００１３】漏洩電磁界は、主として陰極線管の偏向ヨ
ークから発生する。この漏洩電磁界を防止する１手段と
して、パネル表面の導電性膜に電磁波が当たったとき
に、当該膜中に渦電流が発生することを利用して電磁波
が観察者に達しないようにする方法がある。
ークから発生する。この漏洩電磁界を防止する１手段と
して、パネル表面の導電性膜に電磁波が当たったとき
に、当該膜中に渦電流が発生することを利用して電磁波
が観察者に達しないようにする方法がある。
【００１４】従来、電源のオン／オフ時に誘起されるパ
ネル表面の静電気の帯電防止のみを対象とした低反射導
電膜を備えた表示装置は、例えば特開平１−１８６５３
３号に開示されている。しかし、この従来技術では、そ
の表面抵抗値が１０7 Ω／□前後であり、高い電界強度
に耐え得るための電気特性の良導体としては不十分なも
のであった。
ネル表面の静電気の帯電防止のみを対象とした低反射導
電膜を備えた表示装置は、例えば特開平１−１８６５３
３号に開示されている。しかし、この従来技術では、そ
の表面抵抗値が１０7 Ω／□前後であり、高い電界強度
に耐え得るための電気特性の良導体としては不十分なも
のであった。
【００１５】このような漏洩電磁界を遮断するための導
電性としては、表面抵抗値が少なくとも１０4 Ω／□以
下の導電膜が必要とされる。
電性としては、表面抵抗値が少なくとも１０4 Ω／□以
下の導電膜が必要とされる。
【００１６】低抵抗膜を得る手段としては、ＣＶＤ法や
ＩＴＯスパッタリング法で緻密な薄膜を形成して低抵抗
性を得る方法が知られているが、ＣＶＤ法では３５０〜
５００°Ｃの高温度処理を必要とするため、陰極線管や
液晶表示素子のパネルガラスや基板ガラスに直接成膜す
ることができない。
ＩＴＯスパッタリング法で緻密な薄膜を形成して低抵抗
性を得る方法が知られているが、ＣＶＤ法では３５０〜
５００°Ｃの高温度処理を必要とするため、陰極線管や
液晶表示素子のパネルガラスや基板ガラスに直接成膜す
ることができない。
【００１７】そして、ＩＴＯスパッタリング法は真空処
理やガス制御等、大掛かりな設備装置を要し、生産工数
や時間が多く必要とされてコスト高になるという問題が
ある。
理やガス制御等、大掛かりな設備装置を要し、生産工数
や時間が多く必要とされてコスト高になるという問題が
ある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】表示装置の表面反射の
防止と帯電防止のための表面処理膜として、本発明者等
は先に特願平５−２８２５７６号を提案した。
防止と帯電防止のための表面処理膜として、本発明者等
は先に特願平５−２８２５７６号を提案した。
【００１９】この提案では、表示装置の表面基板上にＳ
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以
上の超微粒子からなる導電性高屈折率層と、これらの超
微粒子間および／またはその上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の
少なくとも一方の低屈折率成分からなるマトリクス層と
を備えた帯電防止および反射防止膜を形成したものであ
る。
ｎＯ2 ，Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 、およびこれらの混合物の中から選択された１種以
上の超微粒子からなる導電性高屈折率層と、これらの超
微粒子間および／またはその上にＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 の
少なくとも一方の低屈折率成分からなるマトリクス層と
を備えた帯電防止および反射防止膜を形成したものであ
る。
【００２０】上記の処理膜は高屈折率層導電層の超微粒
子の配列が緻密でなく、その表面抵抗値が１０8 Ω／□
前後と高いために、導電性のさらなる向上が必要であ
る。
子の配列が緻密でなく、その表面抵抗値が１０8 Ω／□
前後と高いために、導電性のさらなる向上が必要であ
る。
【００２１】図４は表面基板処理膜の２層構造の反射防
止膜の構造と作用を説明する模式図であって、０１は基
体（表面基板）、０２は高屈折率層（第１層）、０３は
低屈折率層（第２層）、０４は空気層である。
止膜の構造と作用を説明する模式図であって、０１は基
体（表面基板）、０２は高屈折率層（第１層）、０３は
低屈折率層（第２層）、０４は空気層である。
【００２２】同図において、ｎ0 は基体の屈折率、ｎ1
は高屈折率層の屈折率、ｎ2 は低屈折率層の屈折率、ｎ
3 は空気層の屈折率、ｄ1 は高屈折率層の膜厚、ｄ2 は
低屈折率層の膜厚、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 ，ｒ3 はそれぞれ
基体，高屈折率層，低屈折率層，空気層の各界面におけ
る反射率である。
は高屈折率層の屈折率、ｎ2 は低屈折率層の屈折率、ｎ
3 は空気層の屈折率、ｄ1 は高屈折率層の膜厚、ｄ2 は
低屈折率層の膜厚、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 ，ｒ3 はそれぞれ
基体，高屈折率層，低屈折率層，空気層の各界面におけ
る反射率である。
【００２３】このような処理膜構造における全反射率を
Ｒａとすると、外来光の中心波長をλとして、 Ｒａ＝１−｛（ｒ0 2−１）（ｒ1 2−１）（ｒ2 2−１）｝／Ｄ2 ・・（１） となる。
Ｒａとすると、外来光の中心波長をλとして、 Ｒａ＝１−｛（ｒ0 2−１）（ｒ1 2−１）（ｒ2 2−１）｝／Ｄ2 ・・（１） となる。
【００２４】高屈折率層の位相をδ1 ，低屈折率層の位
相をδ2 としたとき、垂直入射光の場合は、 δ1 ＝４πｎ1 ｄ1 ／λ δ2 ＝４πｎ2 ｄ2 ／λ であり、さらに、 Ｄ2 ＝１＋（ｒ0 ｒ1 ）2 ＋（ｒ1 ｒ2 ）2 ＋（ｒ2 ｒ
0 ）2＋［ｒ1 ｒ2 （１＋ｒ0 2）ｃｏｓδ2 ＋ｒ0 ｒ1
（１＋ｒ2 2）ｃｏｓδ1＋ｒ2 ｒ0 ｛ｃｏｓ（δ1 ＋δ
2 ）＋ｒ1 2ｃｏｓ（δ1 −δ2 ）｝ 垂直入射光の場合は、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 はフレネルの法
則から、 ｒ0 ＝（ｎ1 −ｎ0 ）／（ｎ1 ＋ｎ0 ） ｒ1 ＝（ｎ2 −ｎ1 ）／（ｎ2 ＋ｎ1 ） ｒ2 ＝（ｎ3 −ｎ2 ）／（ｎ3 ＋ｎ2 ） で表すことができるので、式（１）から全反射率Ｒａを
計算することができる。以上のことから、本発明の目的
は、スピンニング法、ディッピング法、スプレイイング
法、あるいはロールコータ法等の簡便な塗布方法で、か
つ低温での焼成により１０4 Ω／□以下の導電膜がえら
れると共に、他の膜と組合せて低反射性／漏洩電磁界の
低減性能をもつ表示装置の表面基板処理膜を提供するこ
とにある。
相をδ2 としたとき、垂直入射光の場合は、 δ1 ＝４πｎ1 ｄ1 ／λ δ2 ＝４πｎ2 ｄ2 ／λ であり、さらに、 Ｄ2 ＝１＋（ｒ0 ｒ1 ）2 ＋（ｒ1 ｒ2 ）2 ＋（ｒ2 ｒ
0 ）2＋［ｒ1 ｒ2 （１＋ｒ0 2）ｃｏｓδ2 ＋ｒ0 ｒ1
（１＋ｒ2 2）ｃｏｓδ1＋ｒ2 ｒ0 ｛ｃｏｓ（δ1 ＋δ
2 ）＋ｒ1 2ｃｏｓ（δ1 −δ2 ）｝ 垂直入射光の場合は、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 はフレネルの法
則から、 ｒ0 ＝（ｎ1 −ｎ0 ）／（ｎ1 ＋ｎ0 ） ｒ1 ＝（ｎ2 −ｎ1 ）／（ｎ2 ＋ｎ1 ） ｒ2 ＝（ｎ3 −ｎ2 ）／（ｎ3 ＋ｎ2 ） で表すことができるので、式（１）から全反射率Ｒａを
計算することができる。以上のことから、本発明の目的
は、スピンニング法、ディッピング法、スプレイイング
法、あるいはロールコータ法等の簡便な塗布方法で、か
つ低温での焼成により１０4 Ω／□以下の導電膜がえら
れると共に、他の膜と組合せて低反射性／漏洩電磁界の
低減性能をもつ表示装置の表面基板処理膜を提供するこ
とにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の第１の発明は、ポリアニリンとプ
ロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成
分とする溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置
の表面基体にコーティングして導電性と低反射性および
漏洩電磁界低減性を有する表示装置の表面処理膜とした
ことを特徴とする。
に、請求項１に記載の第１の発明は、ポリアニリンとプ
ロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成
分とする溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置
の表面基体にコーティングして導電性と低反射性および
漏洩電磁界低減性を有する表示装置の表面処理膜とした
ことを特徴とする。
【００２６】また、請求項２に記載の第２の発明は、ポ
リアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピ
ロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分子
溶液を表示装置の表面基体にコーティングして得た導電
性の第１層と、前記第１層の上層または下層の少なくと
も一方にＳｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコー
ル溶液を主成分とする溶液をコーティングして導電性と
低反射性および漏洩電磁界低減性を有する表示装置の表
面処理膜としたことを特徴とする。
リアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピ
ロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分子
溶液を表示装置の表面基体にコーティングして得た導電
性の第１層と、前記第１層の上層または下層の少なくと
も一方にＳｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコー
ル溶液を主成分とする溶液をコーティングして導電性と
低反射性および漏洩電磁界低減性を有する表示装置の表
面処理膜としたことを特徴とする。
【００２７】さらに、請求項３に記載の第３の発明は、
ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２
ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分
子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして第１層
を形成する第１工程と、前記第１層を形成した表面基体
を約１００°Ｃで加熱乾燥する第２工程とを少なくとも
含む製造方法により、導電性と低反射性および漏洩電磁
界低減性を有する表示装置の表面処理膜を製造すること
を特徴とする。
ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２
ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分
子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして第１層
を形成する第１工程と、前記第１層を形成した表面基体
を約１００°Ｃで加熱乾燥する第２工程とを少なくとも
含む製造方法により、導電性と低反射性および漏洩電磁
界低減性を有する表示装置の表面処理膜を製造すること
を特徴とする。
【００２８】さらに、また、請求項４に記載の第４の発
明は、ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチ
ル−２ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電
性高分子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして
第１層を形成する第１工程と、前記第１層の上層にＳｉ
（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を主成
分とする溶液をコーティングして第２層を形成する第２
工程と、前記第２層を形成した表面基体を約１５０°Ｃ
で約３０分間加熱乾燥する第３工程とを少なくとも含む
製造方法により、導電性と低反射性および漏洩電磁界低
減性を有する表示装置の表面処理膜を製造することを特
徴とする。
明は、ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチ
ル−２ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電
性高分子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして
第１層を形成する第１工程と、前記第１層の上層にＳｉ
（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を主成
分とする溶液をコーティングして第２層を形成する第２
工程と、前記第２層を形成した表面基体を約１５０°Ｃ
で約３０分間加熱乾燥する第３工程とを少なくとも含む
製造方法により、導電性と低反射性および漏洩電磁界低
減性を有する表示装置の表面処理膜を製造することを特
徴とする。
【００２９】そして、請求項５に記載の第５の発明は、
Ｓｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を
主成分とする溶液をコーティングして第１層を形成する
第１工程と、前記第１層の上層にポリアニリンとプロト
ン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成分と
する溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置の表
面基体にコーティングして第２層を形成する第２工程
と、前記第２層を形成した表面基体を約１５０°Ｃで約
３０分間加熱乾燥する第３工程とを少なくとも含む製造
方法により、導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜を製造することを特徴と
する。
Ｓｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を
主成分とする溶液をコーティングして第１層を形成する
第１工程と、前記第１層の上層にポリアニリンとプロト
ン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成分と
する溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置の表
面基体にコーティングして第２層を形成する第２工程
と、前記第２層を形成した表面基体を約１５０°Ｃで約
３０分間加熱乾燥する第３工程とを少なくとも含む製造
方法により、導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜を製造することを特徴と
する。
【００３０】
【作用】本発明に使用するポリアニリンは、一般に下記
（ａ）に示したような分子構造を有し、プロトン酸（Ｈ
Ｘ）によりドーピングされて（ｂ）に示したような導電
性を有するものとなる。
（ａ）に示したような分子構造を有し、プロトン酸（Ｈ
Ｘ）によりドーピングされて（ｂ）に示したような導電
性を有するものとなる。
【００３１】
【化１】
【００３２】本発明においては、主成分をＮ−メチル−
ピロリドンとする溶媒にポリアニリンとドーパント（Ｈ
Ｘ）を溶出させ、この溶液を表示装置の基体上にスピニ
ング法、ディッピング法、バーコート法等の既知の簡便
なコーティング方法で塗布する。
ピロリドンとする溶媒にポリアニリンとドーパント（Ｈ
Ｘ）を溶出させ、この溶液を表示装置の基体上にスピニ
ング法、ディッピング法、バーコート法等の既知の簡便
なコーティング方法で塗布する。
【００３３】上記の溶媒としては、塗膜の品質、密着強
度を向上させるために、エタノール、ＩＰＡなどのアル
コール類、エチルセロソルブなどのエーテル類を添加し
てもよい。
度を向上させるために、エタノール、ＩＰＡなどのアル
コール類、エチルセロソルブなどのエーテル類を添加し
てもよい。
【００３４】上記溶液中のポリアニリンとドーパントの
比率は一定とし、溶媒量を変化させてポリアニリンの濃
度（すなわち、膜厚）を変えた場合の表面抵抗値の変化
を表１に示す。なお、同表では比較例として膜無し（コ
ート無）と従来のＳｎＯ2 コートを備えたものとを、そ
れぞれ比較例１と比較例２として示した。
比率は一定とし、溶媒量を変化させてポリアニリンの濃
度（すなわち、膜厚）を変えた場合の表面抵抗値の変化
を表１に示す。なお、同表では比較例として膜無し（コ
ート無）と従来のＳｎＯ2 コートを備えたものとを、そ
れぞれ比較例１と比較例２として示した。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１に示されたように、ポリアニリンの量
を替えることによって、表面抵抗値を自由に選択するこ
とができる。
を替えることによって、表面抵抗値を自由に選択するこ
とができる。
【００３７】また、上記導電膜と組み合わせる反射防止
膜の組成は、主成分としてＳｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキ
ル基）のアルコール溶液を用いる。Ｓｉ（ＯＲ）4 は加
水分解、重縮合反応によりＳｉＯ2 膜を形成する。
膜の組成は、主成分としてＳｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキ
ル基）のアルコール溶液を用いる。Ｓｉ（ＯＲ）4 は加
水分解、重縮合反応によりＳｉＯ2 膜を形成する。
【００３８】なお、アルコール類の他に、その反応を促
進させるための酸触媒、膜品質を良くするための各種薬
剤を添加してもよい。
進させるための酸触媒、膜品質を良くするための各種薬
剤を添加してもよい。
【００３９】また、ＳｉＯ2 の他に、屈折率を調節する
ための他の成分、例えばＭｇＦ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＺｒＯ2 等のアルコキシドまたは微粒子類を添加し
ても良い。
ための他の成分、例えばＭｇＦ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＺｒＯ2 等のアルコキシドまたは微粒子類を添加し
ても良い。
【００４０】上記の反射防止膜を導電膜の下に形成する
場合は高屈折率成分を、導電膜の上に形成する場合は低
屈折率成分を用いることで反射防止性能をさらに向上さ
せることができる。
場合は高屈折率成分を、導電膜の上に形成する場合は低
屈折率成分を用いることで反射防止性能をさらに向上さ
せることができる。
【００４１】上記導電性膜と反射防止膜を表示装置の表
面基体に塗布する方法としては、スピニング法、ディッ
ピング法、スプレー法、ロールコーター法などの既知の
塗布方法が採用される。
面基体に塗布する方法としては、スピニング法、ディッ
ピング法、スプレー法、ロールコーター法などの既知の
塗布方法が採用される。
【００４２】スプレー法を用いる場合は、塗布条件の設
定で凹凸膜を形成することができるので、防眩効果を合
わせて持たせることができる。
定で凹凸膜を形成することができるので、防眩効果を合
わせて持たせることができる。
【００４３】なお、本発明を適用する表示装置はカラー
ブラウン管やカラーディスプレイ管等の各種陰極線管、
液晶表示装置、その他のディスプレイデバイスを含む。
ブラウン管やカラーディスプレイ管等の各種陰極線管、
液晶表示装置、その他のディスプレイデバイスを含む。
【００４４】さらに、本発明は、ガラス基板に限らず、
プラスチック基板にも適用でき、例えば液晶表示素子の
組立てにおける偏光板等の張り付け工程での静電気の発
生防止にも適用可能である。
プラスチック基板にも適用でき、例えば液晶表示素子の
組立てにおける偏光板等の張り付け工程での静電気の発
生防止にも適用可能である。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００４６】図１は本発明による表面処理膜を備えたカ
ラー陰極線管の構造を説明する断面図であって、１１は
カラー陰極線管、１２はパネル部、１２ａは処理膜、１
３はファンネル部、１４はネック部、１５は蛍光膜、１
６はシャドウマスク、１７はマスクフレーム、１８はシ
ャドウマスク懸架機構、１９は磁気シールド、２０は電
子銃、２１は偏向ヨーク、２２は補正磁気装置、２３は
封止部、２４は緊締バンドである。
ラー陰極線管の構造を説明する断面図であって、１１は
カラー陰極線管、１２はパネル部、１２ａは処理膜、１
３はファンネル部、１４はネック部、１５は蛍光膜、１
６はシャドウマスク、１７はマスクフレーム、１８はシ
ャドウマスク懸架機構、１９は磁気シールド、２０は電
子銃、２１は偏向ヨーク、２２は補正磁気装置、２３は
封止部、２４は緊締バンドである。
【００４７】同図において、カラー陰極線管１１はパネ
ル部１２とファンネル部１３およびネック部１４で真空
外囲器が構成され、パネル部１２の全表面には前記実施
例で説明した方法と装置によって形成した反射防止／帯
電防止／漏洩電磁界低減のための処理膜１２ａが被着さ
れている。
ル部１２とファンネル部１３およびネック部１４で真空
外囲器が構成され、パネル部１２の全表面には前記実施
例で説明した方法と装置によって形成した反射防止／帯
電防止／漏洩電磁界低減のための処理膜１２ａが被着さ
れている。
【００４８】ネック部１４に収容された電子銃２０から
発射された３本の電子ビームＢｃ，Ｂｓ（×２）はネッ
ク部１４とファンネル部１３の遷移領域に外装された偏
向ヨーク２１で水平と垂直の２方向に偏向されて蛍光膜
１５に指向される。
発射された３本の電子ビームＢｃ，Ｂｓ（×２）はネッ
ク部１４とファンネル部１３の遷移領域に外装された偏
向ヨーク２１で水平と垂直の２方向に偏向されて蛍光膜
１５に指向される。
【００４９】蛍光膜１５の直前には多数の開孔を有する
シャドウマスク１６が配置されており、上記３本の電子
ビームはこの開孔で色選別されてそれぞれの所定の蛍光
体に射突することによってカラー画像を再生する。
シャドウマスク１６が配置されており、上記３本の電子
ビームはこの開孔で色選別されてそれぞれの所定の蛍光
体に射突することによってカラー画像を再生する。
【００５０】電子ビームの射突によって刺激された蛍光
膜１５の発光はパネル部１２を通して外部に出射する。
膜１５の発光はパネル部１２を通して外部に出射する。
【００５１】このとき、パネル部１２に外部から入射す
る外光は反射防止／帯電防止／漏洩電磁界低減のための
処理膜１２ａにより反射が抑制される。また、パネル部
１２に帯電する静電気は反射防止／帯電防止膜１２ａか
ら緊締バンド２４を通して接地に流されるため、パネル
部表面に静電気が帯電することはない。そして、偏向ヨ
ーク２１から主として発生する漏洩電磁界も低減され
る。
る外光は反射防止／帯電防止／漏洩電磁界低減のための
処理膜１２ａにより反射が抑制される。また、パネル部
１２に帯電する静電気は反射防止／帯電防止膜１２ａか
ら緊締バンド２４を通して接地に流されるため、パネル
部表面に静電気が帯電することはない。そして、偏向ヨ
ーク２１から主として発生する漏洩電磁界も低減され
る。
【００５２】このように、本発明を適用した陰極線管
は、外光反射が抑制されて再生画像品質に優れ、また静
電気の帯電が防止されると共に、漏洩電磁界も低減され
る。
は、外光反射が抑制されて再生画像品質に優れ、また静
電気の帯電が防止されると共に、漏洩電磁界も低減され
る。
【００５３】なお、上記本発明の各実施例における処理
膜の最表面に、解像度の劣化をもたらさない範囲でスプ
レーによるシリカコートを施しても差支えはない。
膜の最表面に、解像度の劣化をもたらさない範囲でスプ
レーによるシリカコートを施しても差支えはない。
【００５４】次に、本発明による処理膜の形成方法の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００５５】〔実施例１〕実施例１では、下記の液を用
いる。
いる。
【００５６】Ａ液：Ｃ液に溶出させたポリアニリン溶液 Ｂ液：Ｃ液に溶出させたドーパト溶液 Ｃ液：Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液 Ｄ液：Ａ液とＢ液を容積比で１：１で混合した溶液 先ず、Ｄ液に種々の濃度となるように、Ｃ液を主成分と
する溶媒を加えて混合した溶液を陰極線管のパネル表面
にスピンコート法で塗布する。
する溶媒を加えて混合した溶液を陰極線管のパネル表面
にスピンコート法で塗布する。
【００５７】その後、１２０°Ｃ、２分間加熱乾燥させ
た。その結果を前記表１に示す。
た。その結果を前記表１に示す。
【００５８】表１において、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５はＤ液
とＣ液の混合濃度を異ならせた塗布液である。
とＣ液の混合濃度を異ならせた塗布液である。
【００５９】比較例１は無コートのパネル、比較例２は
従来のＳｎＯ2 超微粒子のスピンコートを施したパネル
である。
従来のＳｎＯ2 超微粒子のスピンコートを施したパネル
である。
【００６０】上記比較例１、２では表面抵抗値が高く、
漏洩電磁界のスエーデン規格「ＭＰＲ−II」の２．５Ｖ
／ｍを２０〜３０％オーバーしている。
漏洩電磁界のスエーデン規格「ＭＰＲ−II」の２．５Ｖ
／ｍを２０〜３０％オーバーしている。
【００６１】これに対し、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５の何れも
上記「ＭＰＲ−II」規格は勿論のこと、「ＴＣＯ」規格
もポリアニリン濃度を上げることによって容易にクリア
することができる。
上記「ＭＰＲ−II」規格は勿論のこと、「ＴＣＯ」規格
もポリアニリン濃度を上げることによって容易にクリア
することができる。
【００６２】〔実施例２〕実施例２は、上記実施例１と
同じ方法で表１のＮｏ．２、Ｎｏ．４に示した導電膜を
陰極線管のパネル表面に形成し、その上にＳｉ（ＯＲ）
4 （Ｒはアルキル基）のエタノール溶液を主成分とする
溶液をスピンコート法で塗布し、これを１６０°Ｃ、３
０分間焼成してＳｉＯ2 と導電性ポリアニリンの２層膜
を形成した。この処理膜の特性の測定結果を表２と図２
に示す。
同じ方法で表１のＮｏ．２、Ｎｏ．４に示した導電膜を
陰極線管のパネル表面に形成し、その上にＳｉ（ＯＲ）
4 （Ｒはアルキル基）のエタノール溶液を主成分とする
溶液をスピンコート法で塗布し、これを１６０°Ｃ、３
０分間焼成してＳｉＯ2 と導電性ポリアニリンの２層膜
を形成した。この処理膜の特性の測定結果を表２と図２
に示す。
【００６３】
【表２】
【００６４】表２に記載の比較例１およびＮｏ．２、Ｎ
ｏ．４は表１と同一のものである。図２は表１に対応す
る分光反射特性の説明図である。
ｏ．４は表１と同一のものである。図２は表１に対応す
る分光反射特性の説明図である。
【００６５】同図に示されたように、導電膜の上にＳｉ
Ｏ2 膜をコートすることによって、反射率が小さくな
る。
Ｏ2 膜をコートすることによって、反射率が小さくな
る。
【００６６】導電性ポリアニリンの屈折率は約１．５８
程度であり、陰極線管のパネルガラスの屈折率１．５３
に近い値である。
程度であり、陰極線管のパネルガラスの屈折率１．５３
に近い値である。
【００６７】Ｎｏ．２とＮｏ．４に示した処理膜が単一
膜の場合の反射率は大きいが、これに屈折率１．４２程
度のＳｉＯ2 膜をコートした２層構造の膜（Ｎｏ．６と
Ｎｏ．７）は、光の干渉作用によって反射率が下がる。
また、ＳｉＯ2 膜をコートすることによって膜強度も向
上するという効果がある。
膜の場合の反射率は大きいが、これに屈折率１．４２程
度のＳｉＯ2 膜をコートした２層構造の膜（Ｎｏ．６と
Ｎｏ．７）は、光の干渉作用によって反射率が下がる。
また、ＳｉＯ2 膜をコートすることによって膜強度も向
上するという効果がある。
【００６８】図３は上記各実施例における処理膜の特性
測定系の説明図であって、９１はＶＤＵ、９２は測定
器、９３は記録器である。
測定系の説明図であって、９１はＶＤＵ、９２は測定
器、９３は記録器である。
【００６９】同図において、表面抵抗値の測定器として
は、三菱油化製の「ロレスタＡＰ抵抗測定器」を、帯電
防止特性の測定器としてはシシド静電気（株）製の「ス
タチロンＴＨ型静電気測定器」を、漏洩電磁界特性の測
定器としてはコンビノバＡＢ社製の「ＥＦＭ型電界測定
器」を用い、反射特性の測定器としては日立製作所製の
「Ｕ−３２００型自記分光光度計」を用いた。
は、三菱油化製の「ロレスタＡＰ抵抗測定器」を、帯電
防止特性の測定器としてはシシド静電気（株）製の「ス
タチロンＴＨ型静電気測定器」を、漏洩電磁界特性の測
定器としてはコンビノバＡＢ社製の「ＥＦＭ型電界測定
器」を用い、反射特性の測定器としては日立製作所製の
「Ｕ−３２００型自記分光光度計」を用いた。
【００７０】図３において、ＶＤＵ９１と測定器９２の
間隔Ｄは、静電気（帯電特性）を測定する場合は１０ｃ
ｍ、漏洩電磁界を測定する場合は５０ｃｍとする。そし
て、ＶＤＵ９１は床から１００ｃｍ以上離して測定す
る。
間隔Ｄは、静電気（帯電特性）を測定する場合は１０ｃ
ｍ、漏洩電磁界を測定する場合は５０ｃｍとする。そし
て、ＶＤＵ９１は床から１００ｃｍ以上離して測定す
る。
【００７１】この測定系により前記の表１、表２および
図２に示した結果を得た。
図２に示した結果を得た。
【００７２】なお、本発明に使用されるポリアニリンの
溶媒は、それを溶出することのできる全ての溶媒が使用
可能であり、その濃度は使用目的によって適宜選択可能
である。
溶媒は、それを溶出することのできる全ての溶媒が使用
可能であり、その濃度は使用目的によって適宜選択可能
である。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射防止、帯電防止および漏洩電磁界低減の優れた電気
的および光学的特性を有する処理膜付きの表示装置を低
コストで効率よく提供することができる。
反射防止、帯電防止および漏洩電磁界低減の優れた電気
的および光学的特性を有する処理膜付きの表示装置を低
コストで効率よく提供することができる。
【図１】本発明による表面処理膜を備えたカラー陰極線
管の構造を説明する断面図である。
管の構造を説明する断面図である。
【図２】本発明による表面処理膜の分光反射特性の説明
図である。
図である。
【図３】本発明の各実施例における表面処理膜の特性測
定系の説明図である。
定系の説明図である。
【図４】表面基板処理膜の２層構造の反射防止膜の構造
と作用を説明する模式図である。
と作用を説明する模式図である。
１１ カラー陰極線管 １２ パネル部 １２ａ 処理膜 １３ ファンネル部 １４ ネック部 １５ 蛍光膜 １６ シャドウマスク １７ マスクフレーム １８ シャドウマスク懸架機構 １９ 磁気シールド ２０ 電子銃 ２１ 偏向ヨーク ２２ 補正磁気装置 ２３ 封止部 ２４ 緊締バンド。
Claims (5)
- 【請求項１】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜において、 ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２
ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分
子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして得た導
電性の層からなる表示装置の表面処理膜。 - 【請求項２】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜において、 ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２
ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分
子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして得た導
電性の第１層と、前記第１層の上層または下層の少なく
とも一方にＳｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコ
ール溶液を主成分とする溶液をコーティングして得た低
反射性の第２層とからなる表示装置の表面処理膜。 - 【請求項３】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜の製造方法において、 ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２
ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分
子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして第１層
を形成する第１工程と、前記第１層を形成した表面基体
を約１００°Ｃで加熱乾燥する第２工程とを少なくとも
含む表示装置の表面処理膜の製造方法。 - 【請求項４】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜の製造方法において、 ポリアニリンとプロトン酸ドーパントをＮ−メチル−２
ピロリドンを主成分とする溶液に溶出させた導電性高分
子溶液を表示装置の表面基体にコーティングして第１層
を形成する第１工程と、前記第１層の上層にＳｉ（Ｏ
Ｒ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を主成分と
する溶液をコーティングして第２層を形成する第２工程
と、前記第２層を形成した表面基体を約１５０°Ｃで約
３０分間加熱乾燥する第３工程とを少なくとも含む表示
装置の表面処理膜の製造方法。 - 【請求項５】導電性と低反射性および漏洩電磁界低減性
を有する表示装置の表面処理膜の製造方法において、 Ｓｉ（ＯＲ）4 （Ｒはアルキル基）のアルコール溶液を
主成分とする溶液をコーティングして第１層を形成する
第１工程と、前記第１層の上層にポリアニリンとプロト
ン酸ドーパントをＮ−メチル−２ピロリドンを主成分と
する溶液に溶出させた導電性高分子溶液を表示装置の表
面基体にコーティングして第２層を形成する第２工程
と、前記第２層を形成した表面基体を約１５０°Ｃで約
３０分間加熱乾燥する第３工程とを少なくとも含む表示
装置の表面処理膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21735594A JPH0883580A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 表示装置の表面処理膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21735594A JPH0883580A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 表示装置の表面処理膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883580A true JPH0883580A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16702880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21735594A Pending JPH0883580A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 表示装置の表面処理膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338024B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2002-08-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저전압구동디스플레이장치용형광체분산액조성물,그제조방법및이를사용하여제조한형광막 |
| JP2023118748A (ja) * | 2017-07-03 | 2023-08-25 | デクセリアルズ株式会社 | 微細凹凸積層体及びその製造方法、並びに、カメラモジュール搭載装置 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21735594A patent/JPH0883580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338024B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2002-08-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저전압구동디스플레이장치용형광체분산액조성물,그제조방법및이를사용하여제조한형광막 |
| JP2023118748A (ja) * | 2017-07-03 | 2023-08-25 | デクセリアルズ株式会社 | 微細凹凸積層体及びその製造方法、並びに、カメラモジュール搭載装置 |
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