JPH0883781A - シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法Info
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- JPH0883781A JPH0883781A JP6217393A JP21739394A JPH0883781A JP H0883781 A JPH0883781 A JP H0883781A JP 6217393 A JP6217393 A JP 6217393A JP 21739394 A JP21739394 A JP 21739394A JP H0883781 A JPH0883781 A JP H0883781A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面粗さを悪化させることなく、研磨能率を
向上させることを可能としたシリコンウェーハ研磨用研
磨剤を提供し、かつこの新規な研磨剤を用いて研磨能率
を向上させたシリコンウェーハの研磨方法を提供する。 【構成】 コロイダルシリカ研磨剤がアルミン酸ナトリ
ウムを含有することを特徴とするシリコンウェーハ研磨
用研磨剤。
向上させることを可能としたシリコンウェーハ研磨用研
磨剤を提供し、かつこの新規な研磨剤を用いて研磨能率
を向上させたシリコンウェーハの研磨方法を提供する。 【構成】 コロイダルシリカ研磨剤がアルミン酸ナトリ
ウムを含有することを特徴とするシリコンウェーハ研磨
用研磨剤。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハ（以
下単にウェーハということがある）研磨用研磨剤及びウ
ェーハの研磨方法の改良に関する。
下単にウェーハということがある）研磨用研磨剤及びウ
ェーハの研磨方法の改良に関する。
【０００２】
【関連技術】一般に、シリコンウェーハ研磨用研磨剤に
対する添加物としてアミノアルコール（エタノールアミ
ン）類を添加すると研磨能率が向上することが知られて
いる。しかし、アミノアルコール類を添加した研磨剤を
用いるとウェーハの表面の粗さが悪化するという問題が
あった。
対する添加物としてアミノアルコール（エタノールアミ
ン）類を添加すると研磨能率が向上することが知られて
いる。しかし、アミノアルコール類を添加した研磨剤を
用いるとウェーハの表面の粗さが悪化するという問題が
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】研磨加工後のウェーハ
表面は活性なシリコン表面が露呈しており、研磨剤等の
残留アリカリによって容易にエッチングされ、表面粗さ
が悪化する。そこで、本発明者は、シリコン表面に容易
に吸着することによって、研磨後の残留アルカリからウ
ェーハ表面を保護し、かつ研磨促進作用をもつ添加物を
種々検討した結果、アルミン酸ナトリウムが有効である
ことを見出し本発明に到達した。
表面は活性なシリコン表面が露呈しており、研磨剤等の
残留アリカリによって容易にエッチングされ、表面粗さ
が悪化する。そこで、本発明者は、シリコン表面に容易
に吸着することによって、研磨後の残留アルカリからウ
ェーハ表面を保護し、かつ研磨促進作用をもつ添加物を
種々検討した結果、アルミン酸ナトリウムが有効である
ことを見出し本発明に到達した。
【０００４】本発明は、表面粗さを悪化させることな
く、研磨能率を向上させることを可能としたシリコンウ
ェーハ研磨用研磨剤を提供し、かつこの新規な研磨剤を
用いて研磨能率を向上させたシリコンウェーハの研磨方
法を提供することを目的とする。
く、研磨能率を向上させることを可能としたシリコンウ
ェーハ研磨用研磨剤を提供し、かつこの新規な研磨剤を
用いて研磨能率を向上させたシリコンウェーハの研磨方
法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のシリコンウェーハ研磨用研磨剤において
は、コロイダルシリカ研磨剤がアルミン酸ナトリウムを
含有するようにしたものである。
に、本発明のシリコンウェーハ研磨用研磨剤において
は、コロイダルシリカ研磨剤がアルミン酸ナトリウムを
含有するようにしたものである。
【０００６】上記アルミン酸ナトリウムの含有量は、研
磨剤の総量に対して、０．１〜２．０ｗｔ％であること
が好ましく、０．３〜１．５ｗｔ％がさらに好ましく、
０．９〜１．５ｗｔ％が最も好ましい。この含有量が
０．１ｗｔ％に満たない時は研磨能率向上の効果はほと
んどなく、２．０ｗｔ％を越えたときはさらなる研磨能
率の向上がなく不経済となる。
磨剤の総量に対して、０．１〜２．０ｗｔ％であること
が好ましく、０．３〜１．５ｗｔ％がさらに好ましく、
０．９〜１．５ｗｔ％が最も好ましい。この含有量が
０．１ｗｔ％に満たない時は研磨能率向上の効果はほと
んどなく、２．０ｗｔ％を越えたときはさらなる研磨能
率の向上がなく不経済となる。
【０００７】本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、
上記したシリコンウェーハ研磨用研磨剤を用いて、ウェ
ーハを研磨するようにしたものである。この場合、研磨
パッドの種類、硬度とは関係なく本発明の目的を達成す
ることができるものである。
上記したシリコンウェーハ研磨用研磨剤を用いて、ウェ
ーハを研磨するようにしたものである。この場合、研磨
パッドの種類、硬度とは関係なく本発明の目的を達成す
ることができるものである。
【０００８】
【実施例】以下に実施例をあげて説明する。
【０００９】（実施例１） 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１００＞、１５
０ｍｍφ、シリコンウェーハ 研磨パッド：発泡ウレタン樹脂、硬度：アスキーＣ硬度
８０ 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕９９ｗｔ％＋アルミ
ン酸ナトリウム〔和光純薬（株）製〕１ｗｔ％研磨荷
重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 上記条件にて試料ウェーハを研磨加工した。研磨中の研
磨速度を測定して図１に示した。また、得られた研磨ウ
ェーハの表面粗さを光学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ社製Ｗ
ＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、２５０μｍ□）で測定（平均二
乗粗さ）し、その結果を図２に示した。
０ｍｍφ、シリコンウェーハ 研磨パッド：発泡ウレタン樹脂、硬度：アスキーＣ硬度
８０ 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕９９ｗｔ％＋アルミ
ン酸ナトリウム〔和光純薬（株）製〕１ｗｔ％研磨荷
重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 上記条件にて試料ウェーハを研磨加工した。研磨中の研
磨速度を測定して図１に示した。また、得られた研磨ウ
ェーハの表面粗さを光学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ社製Ｗ
ＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、２５０μｍ□）で測定（平均二
乗粗さ）し、その結果を図２に示した。
【００１０】（比較例１） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕１００ｗｔ％（添加
剤なし） 上記研磨剤を用いた以外は、実施例１と同様にして試料
ウェーハを研磨加工した研磨中の研磨速度及び得られた
研磨ウェーハの表面粗さを測定し、その結果をそれぞれ
図１及び図２に示した。
の商品名、日産化学工業（株）製〕１００ｗｔ％（添加
剤なし） 上記研磨剤を用いた以外は、実施例１と同様にして試料
ウェーハを研磨加工した研磨中の研磨速度及び得られた
研磨ウェーハの表面粗さを測定し、その結果をそれぞれ
図１及び図２に示した。
【００１１】（比較例２） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕９９ｗｔ％＋アミノ
アルコール（エタノールアミン）１．０ｗｔ％ 上記研磨剤を用いた以外は、実施例１と同様にして試料
ウェーハを研磨加工した研磨中の研磨速度及び得られた
研磨ウェーハの表面粗さを測定し、その結果をそれぞれ
図１及び図２に示した。
の商品名、日産化学工業（株）製〕９９ｗｔ％＋アミノ
アルコール（エタノールアミン）１．０ｗｔ％ 上記研磨剤を用いた以外は、実施例１と同様にして試料
ウェーハを研磨加工した研磨中の研磨速度及び得られた
研磨ウェーハの表面粗さを測定し、その結果をそれぞれ
図１及び図２に示した。
【００１２】上記した実施例及び比較例に示した結果か
ら、本発明の研磨剤を用いてウェーハを研磨する場合、
その研磨速度は、比較例２と同等であるが、比較例１と
比較して一段と向上しており、また研磨したウェーハの
表面粗さは、悪化しておらず、比較例１と同等であるが
比較例２と比較して格段に良好であることがわかった。
ら、本発明の研磨剤を用いてウェーハを研磨する場合、
その研磨速度は、比較例２と同等であるが、比較例１と
比較して一段と向上しており、また研磨したウェーハの
表面粗さは、悪化しておらず、比較例１と同等であるが
比較例２と比較して格段に良好であることがわかった。
【００１３】（実施例２〜４及び比較例３） 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１００＞、１５
０ｍｍφ、シリコンウェーハ 研磨パッド：発泡ウレタン樹脂、硬度：アスキーＣ硬度
８０ 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 上記の研磨条件において、コロイダルシリカ研磨剤に対
するアルミン酸ナトリウム添加量（ｗｔ％）を無添加
（比較例３）、０．５（実施例２）、１．０（実施例
３）、１．４（実施例４）と変化させて試料ウェーハを
研磨し、研磨中の研磨速度を測定し、その結果を図３に
示した。図３から明らかなごとく、アルミン酸ナトリウ
ムの添加により研磨速度が大幅に向上することがわかっ
た。また、上記実施例として、ｐ型ウェーハについて述
べたが、これはｎ型ウェーハにおいても全く同様の効果
が得られることは確認している。
０ｍｍφ、シリコンウェーハ 研磨パッド：発泡ウレタン樹脂、硬度：アスキーＣ硬度
８０ 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 上記の研磨条件において、コロイダルシリカ研磨剤に対
するアルミン酸ナトリウム添加量（ｗｔ％）を無添加
（比較例３）、０．５（実施例２）、１．０（実施例
３）、１．４（実施例４）と変化させて試料ウェーハを
研磨し、研磨中の研磨速度を測定し、その結果を図３に
示した。図３から明らかなごとく、アルミン酸ナトリウ
ムの添加により研磨速度が大幅に向上することがわかっ
た。また、上記実施例として、ｐ型ウェーハについて述
べたが、これはｎ型ウェーハにおいても全く同様の効果
が得られることは確認している。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、ウ
ェーハの研磨を行なうにあたり、研磨速度が高まること
により研磨能率を向上させることができ、かつ研磨ウェ
ーハの表面粗さを悪化させることがないという効果が達
成される。
ェーハの研磨を行なうにあたり、研磨速度が高まること
により研磨能率を向上させることができ、かつ研磨ウェ
ーハの表面粗さを悪化させることがないという効果が達
成される。
【図１】実施例１及び比較例１、２における研磨速度を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図２】実施例１及び比較例１、２において研磨された
ウェーハの表面粗さを示すグラフである。
ウェーハの表面粗さを示すグラフである。
【図３】実施例２〜４及び比較例３におけるアルミン酸
ナトリウム添加量と研磨速度の関係を示すグラフであ
る。
ナトリウム添加量と研磨速度の関係を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 清 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (3)
- 【請求項１】 コロイダルシリカ研磨剤がアルミン酸ナ
トリウムを含有することを特徴とするシリコンウェーハ
研磨用研磨剤。 - 【請求項２】 上記アルミン酸ナトリウムの含有量が
０．１〜２．０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１
記載のシリコンウェーハ研磨用研磨剤。 - 【請求項３】 シリコンウェーハを研磨するに際し、請
求項１又は２記載のシリコンウェーハ研磨用研磨剤を用
いて研磨することを特徴とするシリコンウェーハの研磨
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217393A JP2970833B2 (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217393A JP2970833B2 (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883781A true JPH0883781A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2970833B2 JP2970833B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16703487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217393A Expired - Lifetime JP2970833B2 (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970833B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0782179A3 (en) * | 1995-12-27 | 1997-07-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Method of manufacturing semiconductor mirror wafers |
| CN103692337A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 杭州晶地半导体有限公司 | 一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法 |
| JPWO2016043089A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2017-08-10 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
| JP2019172733A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6217393A patent/JP2970833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0782179A3 (en) * | 1995-12-27 | 1997-07-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Method of manufacturing semiconductor mirror wafers |
| US5821167A (en) * | 1995-12-27 | 1998-10-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor mirror wafers |
| CN103692337A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 杭州晶地半导体有限公司 | 一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法 |
| JPWO2016043089A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2017-08-10 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
| JP2019172733A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2970833B2 (ja) | 1999-11-02 |
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