JPH088382A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH088382A JPH088382A JP14142394A JP14142394A JPH088382A JP H088382 A JPH088382 A JP H088382A JP 14142394 A JP14142394 A JP 14142394A JP 14142394 A JP14142394 A JP 14142394A JP H088382 A JPH088382 A JP H088382A
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Links
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Landscapes
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止したリードフレームの外部リードにめ
っきした錫−鉛めっき層の硬度を高くし、リード加工に
おける削れ屑の発生を抑える。 【構成】外部リード３の表面に錫−鉛めっき層４を形成
した後、不活性ガス雰囲気中で１００〜２００℃の温度
で５〜７時間熱処理することで錫−鉛めっき層４を１０
０％錫めっき層と同等の硬度に硬化させる。
っきした錫−鉛めっき層の硬度を高くし、リード加工に
おける削れ屑の発生を抑える。 【構成】外部リード３の表面に錫−鉛めっき層４を形成
した後、不活性ガス雰囲気中で１００〜２００℃の温度
で５〜７時間熱処理することで錫−鉛めっき層４を１０
０％錫めっき層と同等の硬度に硬化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、半導体チップを搭載して樹脂封止したリードフレー
ムの樹脂体より導出した外部リードの表面に電気めっき
法で錫−鉛めっき層を形成した後、水洗して９０〜１０
０℃の乾燥空気で１５〜３０分間程度乾燥させ、しかる
後、タイバーカット、リード切断、リード成型等のリー
ド加工を行っていた。
は、半導体チップを搭載して樹脂封止したリードフレー
ムの樹脂体より導出した外部リードの表面に電気めっき
法で錫−鉛めっき層を形成した後、水洗して９０〜１０
０℃の乾燥空気で１５〜３０分間程度乾燥させ、しかる
後、タイバーカット、リード切断、リード成型等のリー
ド加工を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置の製造方法では、錫−鉛めっき層の組成比が
８：２の場合、その硬度は８Ｈｖ（マイクロビッカース
硬度）程度であり、リード加工の際に切断又は成型用の
金型でめっき層が削れて半田屑が発生し、リード間短絡
を生じるという問題があった。
半導体装置の製造方法では、錫−鉛めっき層の組成比が
８：２の場合、その硬度は８Ｈｖ（マイクロビッカース
硬度）程度であり、リード加工の際に切断又は成型用の
金型でめっき層が削れて半田屑が発生し、リード間短絡
を生じるという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、半導体チップを搭載して樹脂封止
したリードフレームの樹脂体より導出した外部リードの
表面に錫−鉛めっき層を形成する工程と、前記リードフ
レームを不活性ガス中で熱処理し錫−鉛めっき層の硬度
を高める工程とを含んで構成される。
体装置の製造方法は、半導体チップを搭載して樹脂封止
したリードフレームの樹脂体より導出した外部リードの
表面に錫−鉛めっき層を形成する工程と、前記リードフ
レームを不活性ガス中で熱処理し錫−鉛めっき層の硬度
を高める工程とを含んで構成される。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を
説明するための工程順に示した断面図である。
説明するための工程順に示した断面図である。
【０００７】まず、図１（ａ）に示すように、４２合金
又は銅合金等からなるリードフレームのアイランドに半
導体チップ１を搭載して樹脂体２により樹脂封止し、樹
脂体２より外部リード３を導出する。
又は銅合金等からなるリードフレームのアイランドに半
導体チップ１を搭載して樹脂体２により樹脂封止し、樹
脂体２より外部リード３を導出する。
【０００８】次に、図１（ｂ）に示すように、樹脂体２
より導出された外部リード３の表面に電気めっき法によ
り錫と鉛の組成比が８：２である錫−鉛めっき層４を１
０〜２０μｍの厚さに形成した後、水洗してリードフレ
ームを清浄化する。
より導出された外部リード３の表面に電気めっき法によ
り錫と鉛の組成比が８：２である錫−鉛めっき層４を１
０〜２０μｍの厚さに形成した後、水洗してリードフレ
ームを清浄化する。
【０００９】次に、リードフレームを１００℃未満の窒
素ガス等の乾燥不活性ガス中で乾燥させた後温度を１０
０〜２００℃に上昇して５〜７時間の熱処理を行い、錫
−鉛めっき層４を硬化させる。ここで、錫−鉛めっき層
４は錫−鉛合金の結晶化により硬化すると考えられる。
素ガス等の乾燥不活性ガス中で乾燥させた後温度を１０
０〜２００℃に上昇して５〜７時間の熱処理を行い、錫
−鉛めっき層４を硬化させる。ここで、錫−鉛めっき層
４は錫−鉛合金の結晶化により硬化すると考えられる。
【００１０】次に、図１（ｃ）に示すように、タイバー
カットおよびリード切断加工を行いリードフレームから
切離す。
カットおよびリード切断加工を行いリードフレームから
切離す。
【００１１】次に、図１（ｄ）に示すように、外部リー
ド３をＪ字形に成型してＰＬＣＣを形成する。
ド３をＪ字形に成型してＰＬＣＣを形成する。
【００１２】図２は加熱温度を変えた場合の熱処理時間
とめっき層のビッカース硬度の関係を示す図である。
とめっき層のビッカース硬度の関係を示す図である。
【００１３】図２に示すように、１００〜２００℃で５
〜７時間の熱処理の場合に１００％の錫めっき層の硬度
１３Ｈｖに匹敵する硬度を得ることができ、錫−鉛めっ
き層の耐摩耗性を向上させ、リード加工時のめっき層の
削れ屑の発生を抑えることができる。
〜７時間の熱処理の場合に１００％の錫めっき層の硬度
１３Ｈｖに匹敵する硬度を得ることができ、錫−鉛めっ
き層の耐摩耗性を向上させ、リード加工時のめっき層の
削れ屑の発生を抑えることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
したリードフレームの外部リードに錫−鉛めっき層を形
成した後不活性ガス雰囲気中で加熱処理することによ
り、めっき層を硬化させ、その後のリード加工工程にお
けるめっき層の削れ屑の発生を抑えることができるとい
う効果を有する。
したリードフレームの外部リードに錫−鉛めっき層を形
成した後不活性ガス雰囲気中で加熱処理することによ
り、めっき層を硬化させ、その後のリード加工工程にお
けるめっき層の削れ屑の発生を抑えることができるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した断面図。
した断面図。
【図２】本発明の熱処理条件とめっき層の硬度との関係
を示す図。
を示す図。
１ 半導体チップ ２ 樹脂体 ３ 外部リード ４ 錫−鉛めっき層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載して樹脂封止したリ
ードフレームの樹脂体より導出した外部リードの表面に
錫−鉛めっき層を形成する工程と、前記リードフレーム
を不活性ガス中で熱処理し錫−鉛めっき層の硬度を高め
る工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 熱処理温度が１００〜２００℃である請
求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14142394A JPH088382A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14142394A JPH088382A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088382A true JPH088382A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15291656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14142394A Pending JPH088382A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081206A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Koa Corp | 抵抗器の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102386A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-04-23 | Daido Steel Co Ltd | 高強度リードフレーム材およびその製造方法 |
| JPH05243452A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Nec Corp | 表面実装型半導体装置及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP14142394A patent/JPH088382A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102386A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-04-23 | Daido Steel Co Ltd | 高強度リードフレーム材およびその製造方法 |
| JPH05243452A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Nec Corp | 表面実装型半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081206A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Koa Corp | 抵抗器の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960910 |