JPS62204558A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS62204558A JPS62204558A JP61047796A JP4779686A JPS62204558A JP S62204558 A JPS62204558 A JP S62204558A JP 61047796 A JP61047796 A JP 61047796A JP 4779686 A JP4779686 A JP 4779686A JP S62204558 A JPS62204558 A JP S62204558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- alloy
- zinc
- film
- tin alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置などの電子部品に用いられるリード
フレームに関するものである。
フレームに関するものである。
（従来の技術）
樹脂封止型半導体装置においては、樹脂封止後プリント
基板等とのはんだ付は性を確保する目的でリードフレー
ムの外部リード部に、錫めっき、はんだめっき、あるい
ははんだ？ｆ ？Ａ処理が施されて製品化される。
基板等とのはんだ付は性を確保する目的でリードフレー
ムの外部リード部に、錫めっき、はんだめっき、あるい
ははんだ？ｆ ？Ａ処理が施されて製品化される。
上記のはんだ浸漬を行う場合、樹脂封止された半導体装
置は半導体素子接合、ワイヤボンディング、樹脂封止等
の組立て工程の熱履歴により生じた外部リード部（Ｆｅ
−Ｎｉ合金、 Ｃｕ合金製など）の酸化膜を除去するた
めの強いフラックス、すなわちハロゲン価（特に塩素）
の高いフラックスによる処理が必要である。外部リード
部にニッケルめっきが施されている場合にも同様である
。このためフラックスに起因するハロゲンイオンが浸入
し、半導体素子上のアルミニウム配線回路などが損傷を
受けやすい。
置は半導体素子接合、ワイヤボンディング、樹脂封止等
の組立て工程の熱履歴により生じた外部リード部（Ｆｅ
−Ｎｉ合金、 Ｃｕ合金製など）の酸化膜を除去するた
めの強いフラックス、すなわちハロゲン価（特に塩素）
の高いフラックスによる処理が必要である。外部リード
部にニッケルめっきが施されている場合にも同様である
。このためフラックスに起因するハロゲンイオンが浸入
し、半導体素子上のアルミニウム配線回路などが損傷を
受けやすい。
このように樹脂封止後に外部リード部に、はんだ浸漬処
理を行うことは、半導体素子などに種々の悪影響を与え
ることから、半導体素子を固定する前、すなわち組立工
程前のリードフレームの表面処理段階で、外部リード部
にあらかじめ必要な錫あるいははんだ皮膜を形成してお
（方法が提案されている。しかしながらこの方法による
ときは、半導体装置の組立工程をこれらの皮膜が融解し
ない温度、すなわち２００℃以下に抑えることが必要で
あり、組立ての信頼性低下や所要時間が長くなる等の問
題がある。さらに低温とはいえ、組立て時の熱履歴によ
り上記の錫、はんだ皮膜が変色（酸化）し、製品のはん
だ付は性が低下する問題がある。
理を行うことは、半導体素子などに種々の悪影響を与え
ることから、半導体素子を固定する前、すなわち組立工
程前のリードフレームの表面処理段階で、外部リード部
にあらかじめ必要な錫あるいははんだ皮膜を形成してお
（方法が提案されている。しかしながらこの方法による
ときは、半導体装置の組立工程をこれらの皮膜が融解し
ない温度、すなわち２００℃以下に抑えることが必要で
あり、組立ての信頼性低下や所要時間が長くなる等の問
題がある。さらに低温とはいえ、組立て時の熱履歴によ
り上記の錫、はんだ皮膜が変色（酸化）し、製品のはん
だ付は性が低下する問題がある。
また、外部リード部はむき出しのため錆に対し弱く、装
置組立後の耐久性低下の原因になる。
置組立後の耐久性低下の原因になる。
（考案が解決しようとする問題点）
本発明は半導体装置の信頼性を低下させる要因となるは
んだ浸漬を行う場合の酸化膜除去に用いる強いフラック
スを弱いフラックスで可能とし、外部リード部のはんだ
付は性および耐久性の向上にある。
んだ浸漬を行う場合の酸化膜除去に用いる強いフラック
スを弱いフラックスで可能とし、外部リード部のはんだ
付は性および耐久性の向上にある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記の種々の問題解決にあたり、少なくとも外
部リード部にあらかじめ銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛
−錫合金、あるいは銅亜鉛合金の銅合金めっき皮膜を形
成させるものである。この合金皮膜は以後の組立て工程
内の熱履歴を経ることにより酸化膜を生じるが、この酸
化膜ははんだ浸？Ａを行う場合に、弱いフラックスで容
易に除去することが出来る利点があり、はんだ付は性が
良く、半導体素子などに与える悪影響を極力低減するこ
とのできるリードフレームを提供するものである。
部リード部にあらかじめ銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛
−錫合金、あるいは銅亜鉛合金の銅合金めっき皮膜を形
成させるものである。この合金皮膜は以後の組立て工程
内の熱履歴を経ることにより酸化膜を生じるが、この酸
化膜ははんだ浸？Ａを行う場合に、弱いフラックスで容
易に除去することが出来る利点があり、はんだ付は性が
良く、半導体素子などに与える悪影響を極力低減するこ
とのできるリードフレームを提供するものである。
すなわち本発明の特徴は、内部リード部および外部リー
ド部を有するリードフレームにおいて、その少なくとも
外部リード部に、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合
金、あるいは銅−亜鉛合金の銅合金めっき皮膜を形成し
て成るところにある。
ド部を有するリードフレームにおいて、その少なくとも
外部リード部に、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合
金、あるいは銅−亜鉛合金の銅合金めっき皮膜を形成し
て成るところにある。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第１図は樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレーム
１を示す。
１を示す。
図において、２はステージ部であり、金、銀等の貴金属
めっきが施されており、金−シリコン共晶合金等によっ
て半導体素子が固定される部位である。
めっきが施されており、金−シリコン共晶合金等によっ
て半導体素子が固定される部位である。
３は、ステージ部２を囲んで設けられた内部リード部で
あり、これの先端には同じく金、銀等の貴金属めっきが
施されており、ステージ部２に搭載された半導体素子と
ワイヤーによって接続される。
あり、これの先端には同じく金、銀等の貴金属めっきが
施されており、ステージ部２に搭載された半導体素子と
ワイヤーによって接続される。
４は内部リード部３に続く外部リード部であり、後述す
るように、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合金、あ
るいは銅−亜鉛合金めっきが施されている。
るように、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合金、あ
るいは銅−亜鉛合金めっきが施されている。
５はダムバーであり、樹脂の堰止めをする。
６は外枠である。
図上破線で示すのは、樹脂モールド領域である。
第２図および第３図に示すものは、めっきの種類および
めっきの被着範囲を示す種々の実施例である。
めっきの被着範囲を示す種々の実施例である。
第２図に示すものは、ステージ部２および内部リード部
３先端に銀めっき皮膜（あるいは金めつき皮膜）８が部
分めっきされ、また外部リード部４上に、内部リード部
３上に若干及ぶように、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛
−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金めっき皮膜７が部分め
っきされて成る。
３先端に銀めっき皮膜（あるいは金めつき皮膜）８が部
分めっきされ、また外部リード部４上に、内部リード部
３上に若干及ぶように、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛
−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金めっき皮膜７が部分め
っきされて成る。
第３図に示すものは、リードフレーム２全体に亘って銅
−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅−亜
鉛合金めっき皮膜７が形成され、さらにステージ部２お
よび内部リード部３先端に、銅−錫合金（青銅）、銅−
亜鉛−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金めっき皮膜７の上
に銀めっき皮膜あるいは金めつき皮膜８が部分めっきさ
れて成る。
−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅−亜
鉛合金めっき皮膜７が形成され、さらにステージ部２お
よび内部リード部３先端に、銅−錫合金（青銅）、銅−
亜鉛−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金めっき皮膜７の上
に銀めっき皮膜あるいは金めつき皮膜８が部分めっきさ
れて成る。
本発明においては、要するに、ステージ部２および内部
リード部３先端の外表面に貴金属めっき皮膜等の必要な
めっき皮膜が部分めっきされ、外部リード部４外表面に
銅−錫合金、銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金
の銅合金めっき皮膜が形成されていればよい。 ゛ しかして、銅−錫合金、銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅
−亜鉛合金の銅合金めっき皮膜７は、組立て工程の熱履
歴を経ることにより酸化膜を生じるが、この酸化膜は弱
いフラックスで容易に除去出来るものである。
リード部３先端の外表面に貴金属めっき皮膜等の必要な
めっき皮膜が部分めっきされ、外部リード部４外表面に
銅−錫合金、銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金
の銅合金めっき皮膜が形成されていればよい。 ゛ しかして、銅−錫合金、銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅
−亜鉛合金の銅合金めっき皮膜７は、組立て工程の熱履
歴を経ることにより酸化膜を生じるが、この酸化膜は弱
いフラックスで容易に除去出来るものである。
し、たがって、従来におけるはんだ浸漬の前処理として
酸化膜除去工程に強いフラックスを用いて行っていたの
が、弱いもので充分となり、半導体装置の信頼性低下の
問題を解消しえた。
酸化膜除去工程に強いフラックスを用いて行っていたの
が、弱いもので充分となり、半導体装置の信頼性低下の
問題を解消しえた。
さらに、このようにして形成された外部リード部ははん
だ付は性が極めて良好であった。また、これら合金の皮
膜は耐食性の点でも優れていた。
だ付は性が極めて良好であった。また、これら合金の皮
膜は耐食性の点でも優れていた。
実施例１
銅−錫合金めっき浴
シアン化宴同 ３５ｇ／ １スズ
酸すトリウム ３８ｇ／ １シアン化ナト
リウム ５４ｇ／ １水酸化ナトリウム
７．５ｇ／βＰＨ１２，６ 浴温 ６５℃電流密度
３へ／ｄｍ実施例２ 銅−亜鉛−錫合金めっき浴 シアン化銅 ３０ｇ／ ＩＩシアン
化亜鉛 ２７ｇ／ Ｉｔシアン化ナナ
トリウム ３５ｇ／ １スズ酸すトリウム
２ｇ／ｌ炭酸ナトリウム
１０ｇ／ ｅＰＨ１３ 浴温 ２０°Ｃ実施例３ 銅−亜鉛合金めっき浴 シアン化銅 ３０ｇ／ ｊ２シア
ン化亜鉛 ｌｏｇ／ １シアン化ナト
リウム ６０ｇ／ ｊ２炭酸ナトリウム
３０ｇ／βアンモニア（２８％）
３ｇ／ ＩＰＨ１０，５ 浴温 ４５℃なお、本発明は
樹脂封止型半導体装置用リードフレームに限られるもの
ではなく、半導体装置組立ての過程で熱履歴を経る他の
リードフレームにも適用し得るものである。
酸すトリウム ３８ｇ／ １シアン化ナト
リウム ５４ｇ／ １水酸化ナトリウム
７．５ｇ／βＰＨ１２，６ 浴温 ６５℃電流密度
３へ／ｄｍ実施例２ 銅−亜鉛−錫合金めっき浴 シアン化銅 ３０ｇ／ ＩＩシアン
化亜鉛 ２７ｇ／ Ｉｔシアン化ナナ
トリウム ３５ｇ／ １スズ酸すトリウム
２ｇ／ｌ炭酸ナトリウム
１０ｇ／ ｅＰＨ１３ 浴温 ２０°Ｃ実施例３ 銅−亜鉛合金めっき浴 シアン化銅 ３０ｇ／ ｊ２シア
ン化亜鉛 ｌｏｇ／ １シアン化ナト
リウム ６０ｇ／ ｊ２炭酸ナトリウム
３０ｇ／βアンモニア（２８％）
３ｇ／ ＩＰＨ１０，５ 浴温 ４５℃なお、本発明は
樹脂封止型半導体装置用リードフレームに限られるもの
ではなく、半導体装置組立ての過程で熱履歴を経る他の
リードフレームにも適用し得るものである。
（発明の効果）
以上のように本発明に係るリードフレームによれば、外
部リード部にあらかじめ銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛
−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金の銅合金めっき皮膜を
形成したから、半導体装置組立時の熱履歴を経て形成さ
れる金属酸化膜は、弱いフラックスで容易に除去するこ
とが出来た。
部リード部にあらかじめ銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛
−錫合金、あるいは銅−亜鉛合金の銅合金めっき皮膜を
形成したから、半導体装置組立時の熱履歴を経て形成さ
れる金属酸化膜は、弱いフラックスで容易に除去するこ
とが出来た。
また、銅−錫合金（青銅）、銅−亜鉛−錫合金、あるい
は銅−亜鉛合金めっき皮膜を形成させることにより、は
んだ付は性が著しく向上させることが出来た。さらに、
これらの皮膜は耐食性においても、リードフレーム材料
（Ｆｅ−Ｎｉ合金、銅合金など）やニッケルめっき皮膜
に比べて優れていた。
は銅−亜鉛合金めっき皮膜を形成させることにより、は
んだ付は性が著しく向上させることが出来た。さらに、
これらの皮膜は耐食性においても、リードフレーム材料
（Ｆｅ−Ｎｉ合金、銅合金など）やニッケルめっき皮膜
に比べて優れていた。
かくして、半導体装置の信頼性を低下させることなく半
導体装置の組立てが行えるという効果を持つものである
。
導体装置の組立てが行えるという効果を持つものである
。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し、得るの
はもちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し、得るの
はもちろんのことである。
第１図はリードフレームの説明図、第２図および第３図
はめっきの種類およびその被着範囲を示す実施例を示す
断面説明図である。 ｌ・・・リードフレーム、 ２・・・ステージ部、 ３
・・・内部リード部、 ４・・・外部リード部、 ５・
・・ダムバー、 ６・・・外枠、７・・・銅−錫合金（
青銅）めっき皮膜、（銅−亜鉛−錫合金めっき皮膜、銅
−亜鉛合金めっき皮膜） ８・・・貴金属めっき皮膜。
はめっきの種類およびその被着範囲を示す実施例を示す
断面説明図である。 ｌ・・・リードフレーム、 ２・・・ステージ部、 ３
・・・内部リード部、 ４・・・外部リード部、 ５・
・・ダムバー、 ６・・・外枠、７・・・銅−錫合金（
青銅）めっき皮膜、（銅−亜鉛−錫合金めっき皮膜、銅
−亜鉛合金めっき皮膜） ８・・・貴金属めっき皮膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部リード部および外部リード部を有するリードフ
レームにおいて、 少なくとも外部リード部に、銅−錫合金、 銅−亜鉛−錫合金、あるいは銅−阿寒合金の銅合金めっ
き皮膜を形成してなるリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047796A JPS62204558A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047796A JPS62204558A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204558A true JPS62204558A (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=12785331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61047796A Pending JPS62204558A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204558A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985749A (en) * | 1988-03-22 | 1991-01-15 | Bull S.A. | Substrate for very large scale integrated circuit and apparatus for selective tinning of the substrate leads |
| EP0831683A1 (en) * | 1996-09-19 | 1998-03-25 | Nortel Networks Corporation | Assemblies of substrates and electronic components |
| JP2016025244A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61047796A patent/JPS62204558A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985749A (en) * | 1988-03-22 | 1991-01-15 | Bull S.A. | Substrate for very large scale integrated circuit and apparatus for selective tinning of the substrate leads |
| EP0831683A1 (en) * | 1996-09-19 | 1998-03-25 | Nortel Networks Corporation | Assemblies of substrates and electronic components |
| JP2016025244A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
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