JPH0884009A - 同軸型誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
同軸型誘電体共振器の製造方法Info
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- JPH0884009A JPH0884009A JP21843494A JP21843494A JPH0884009A JP H0884009 A JPH0884009 A JP H0884009A JP 21843494 A JP21843494 A JP 21843494A JP 21843494 A JP21843494 A JP 21843494A JP H0884009 A JPH0884009 A JP H0884009A
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- film
- plating
- dielectric resonator
- film thickness
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体セラミック表面に下地層としてＮｉ−
Ｐメッキ膜を形成し、メッキ膜付着強度が垂直引張り応
力で２．０ｋｇ／ｍｍ2 であり、かつ、実用上十分大き
い無負荷のＱU が得られる同軸型誘電体共振器の製造方
法を提供する。 【構成】 実験により以下の事項が判明した。メッキ膜
付着強度は、Ｎｉ−Ｐ膜厚が０．０１〜０．０５μｍで
徐々に向上し、それ以上でほぼ一定となり、２．０ｋｇ
／ｍｍ2 を上回る。また、０．０１μｍ以上のＮｉ−Ｐ
膜厚に５００℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を加
えると、メッキ膜付着強度が向上し全て２．０ｋｇ／ｍ
ｍ2 を上回る。更に、同一の雰囲気中で熱処理を加えた
場合、Ｎｉ−Ｐ膜厚が１．５０μｍ以下のとき、ＱU は
２５０を上回り、１．５０μｍを超えたとき、ＱU は２
５０を下回る。温度が５００℃を超えると、ＱU は２５
０を下回る。
Ｐメッキ膜を形成し、メッキ膜付着強度が垂直引張り応
力で２．０ｋｇ／ｍｍ2 であり、かつ、実用上十分大き
い無負荷のＱU が得られる同軸型誘電体共振器の製造方
法を提供する。 【構成】 実験により以下の事項が判明した。メッキ膜
付着強度は、Ｎｉ−Ｐ膜厚が０．０１〜０．０５μｍで
徐々に向上し、それ以上でほぼ一定となり、２．０ｋｇ
／ｍｍ2 を上回る。また、０．０１μｍ以上のＮｉ−Ｐ
膜厚に５００℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を加
えると、メッキ膜付着強度が向上し全て２．０ｋｇ／ｍ
ｍ2 を上回る。更に、同一の雰囲気中で熱処理を加えた
場合、Ｎｉ−Ｐ膜厚が１．５０μｍ以下のとき、ＱU は
２５０を上回り、１．５０μｍを超えたとき、ＱU は２
５０を下回る。温度が５００℃を超えると、ＱU は２５
０を下回る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信等に実装さ
れる高周波フィルタ、高周波発振器等に用いられる同軸
型誘電体共振器の製造方法に関する。
れる高周波フィルタ、高周波発振器等に用いられる同軸
型誘電体共振器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年移動体通信等の開発が進み、ＰＨＳ
（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈａｎｄｙ ｐｈｏｎｅ Ｓｙｓ
ｔｅｍ）等の試験も盛んに行われている。この移動体通
信等は、高周波帯域で様々な業者が参入するため、業者
間の周波数の分別は、今後益々重要な問題となることが
予想される。
（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈａｎｄｙ ｐｈｏｎｅ Ｓｙｓ
ｔｅｍ）等の試験も盛んに行われている。この移動体通
信等は、高周波帯域で様々な業者が参入するため、業者
間の周波数の分別は、今後益々重要な問題となることが
予想される。
【０００３】このことに対して誘電体セラミックを用い
た同軸型誘電体共振器は、共振器自体の長さによって共
振周波数を自由に設定できる、１ＧＨｚ程度以上の高周
波帯域にも対応できる等の利点があり、今後需要拡大が
顕著となることが、予想される。
た同軸型誘電体共振器は、共振器自体の長さによって共
振周波数を自由に設定できる、１ＧＨｚ程度以上の高周
波帯域にも対応できる等の利点があり、今後需要拡大が
顕著となることが、予想される。
【０００４】同軸型誘電体共振器は、一般的に図１のよ
うな構成になっている。図１において、１は、ＢａＯ−
Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を主成分とし、焼結性の促進、誘
電率の向上の目的でＢｉ2 Ｏ3 を添加した材料等からな
る誘電体セラミックであり、中央に円筒状の貫通穴２を
有する直方体形状に焼結される。３は、電極層であり、
従来法では、外導体４、内導体５及び短絡端６が、Ａｇ
ペースト法等による、塗布、焼付けまたは無電解メッキ
等により形成されていた。なお、７は、開放端である。
うな構成になっている。図１において、１は、ＢａＯ−
Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を主成分とし、焼結性の促進、誘
電率の向上の目的でＢｉ2 Ｏ3 を添加した材料等からな
る誘電体セラミックであり、中央に円筒状の貫通穴２を
有する直方体形状に焼結される。３は、電極層であり、
従来法では、外導体４、内導体５及び短絡端６が、Ａｇ
ペースト法等による、塗布、焼付けまたは無電解メッキ
等により形成されていた。なお、７は、開放端である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ａｇペースト法は、一
般にＡｇペーストの製品への塗布、浸漬、製品の乾燥ま
たは焼成の工程で行われるが、その際Ａｇペーストの粘
度調整が必要となる。しかし、粘度調整過程における粘
度のばらつきは、セラミック表面の膜厚のばらつきを引
き起こし、連続的に塗布または浸漬処理をする際には、
溶剤の蒸発による粘度の変化等多くの製造上の問題があ
った。また、Ａｇペースト法における焼成工程では、Ａ
ｇ粒子の焼成が行われるため、Ａｇ電極層は、多孔性の
焼結体となり、緻密な金属層が得られず、量産上または
電気特性等の品質上多くの問題があった。
般にＡｇペーストの製品への塗布、浸漬、製品の乾燥ま
たは焼成の工程で行われるが、その際Ａｇペーストの粘
度調整が必要となる。しかし、粘度調整過程における粘
度のばらつきは、セラミック表面の膜厚のばらつきを引
き起こし、連続的に塗布または浸漬処理をする際には、
溶剤の蒸発による粘度の変化等多くの製造上の問題があ
った。また、Ａｇペースト法における焼成工程では、Ａ
ｇ粒子の焼成が行われるため、Ａｇ電極層は、多孔性の
焼結体となり、緻密な金属層が得られず、量産上または
電気特性等の品質上多くの問題があった。
【０００６】この問題を解決するため、誘電体セラミッ
ク表面に無電解Ｃｕメッキ層を形成することが、提案さ
れている（特開昭６３−１３５０４号等々）。
ク表面に無電解Ｃｕメッキ層を形成することが、提案さ
れている（特開昭６３−１３５０４号等々）。
【０００７】ところで、高周波用誘電体共振器には、高
いＱが要求される。一般に、誘電体共振器の無負荷のＱ
をＱU 、誘電体セラミック材料の誘電損失によるＱをＱ
M 、電極の導電損失によるＱをＱC とすると、ＱU は、
下記の数式１で与えられる。
いＱが要求される。一般に、誘電体共振器の無負荷のＱ
をＱU 、誘電体セラミック材料の誘電損失によるＱをＱ
M 、電極の導電損失によるＱをＱC とすると、ＱU は、
下記の数式１で与えられる。
【０００８】
【数１】
【０００９】通常ＱM は４，０００〜２００，０００程
度（１ＧＨｚ換算）であり、ＱC は２００〜１，０００
程度であるため、ＱU にはＱC が大きく影響する。ここ
で、ＱC は、下記の数式２に表されるように、電極を形
成する金属の導電率σに比例して高くなる。
度（１ＧＨｚ換算）であり、ＱC は２００〜１，０００
程度であるため、ＱU にはＱC が大きく影響する。ここ
で、ＱC は、下記の数式２に表されるように、電極を形
成する金属の導電率σに比例して高くなる。
【００１０】
【数２】
【００１１】ここでω＝２πｆθ（ｆθ：共振周波
数）、μθ＝４π×１０-7［Ｈ／ｍ］（μθ：真空中の
透磁率）、Ａ，Ｂ，Ｌはそれぞれ円筒状の場合の誘電体
共振器の内径、外径、高さである。
数）、μθ＝４π×１０-7［Ｈ／ｍ］（μθ：真空中の
透磁率）、Ａ，Ｂ，Ｌはそれぞれ円筒状の場合の誘電体
共振器の内径、外径、高さである。
【００１２】このことに対して電極として無電解Ｃｕメ
ッキを行った場合、Ｃｕの導電率が高いためＱC が大き
くＱU は十分実用域であるが、セラミック表面をエッチ
ング等によって大きく荒されない限りメッキ膜垂直引張
り強度が１．０ｋｇ／ｍｍ2程度であり、実用には耐え
ない。また逆に、セラミック表面を荒すことにより電極
金属の実効的な導電率が低下し、ＱC を劣化させるとい
う欠点がある。
ッキを行った場合、Ｃｕの導電率が高いためＱC が大き
くＱU は十分実用域であるが、セラミック表面をエッチ
ング等によって大きく荒されない限りメッキ膜垂直引張
り強度が１．０ｋｇ／ｍｍ2程度であり、実用には耐え
ない。また逆に、セラミック表面を荒すことにより電極
金属の実効的な導電率が低下し、ＱC を劣化させるとい
う欠点がある。
【００１３】誘電体共振器が移動体通信器等に実装され
た場合、移動体通信器自体の落下衝撃等によってメッキ
膜の剥離が生じると、誘電体共振器の性能が実質的に損
なわれるため、メッキ膜付着強度は高いことが要求され
る。この際、メッキ膜付着強度は、垂直引張り応力で
２．０ｋｇ／ｍｍ2 程度以上であることが要求される。
た場合、移動体通信器自体の落下衝撃等によってメッキ
膜の剥離が生じると、誘電体共振器の性能が実質的に損
なわれるため、メッキ膜付着強度は高いことが要求され
る。この際、メッキ膜付着強度は、垂直引張り応力で
２．０ｋｇ／ｍｍ2 程度以上であることが要求される。
【００１４】この問題を解決するため、Ｃｕメッキ下地
として誘電体セラミック表面に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを
行うという方法が考えられる。無電解Ｎｉ−Ｐメッキの
析出機構は、無電解Ｃｕメッキのそれとは異なり、セラ
ミックに対する付着強度はＮｉ−Ｐメッキの方が高いこ
とが、知られている（例えば、逢坂、田村等：表面技
術、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．７（１９８９）、８３５〜３
９）。しかし、Ｎｉの導電率は、Ｃｕよりも低いため、
ＱC が劣化するという問題が生じる。
として誘電体セラミック表面に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを
行うという方法が考えられる。無電解Ｎｉ−Ｐメッキの
析出機構は、無電解Ｃｕメッキのそれとは異なり、セラ
ミックに対する付着強度はＮｉ−Ｐメッキの方が高いこ
とが、知られている（例えば、逢坂、田村等：表面技
術、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．７（１９８９）、８３５〜３
９）。しかし、Ｎｉの導電率は、Ｃｕよりも低いため、
ＱC が劣化するという問題が生じる。
【００１５】そこで、本発明の技術的課題は、同軸型誘
電体共振器において、誘電体セラミック表面に下地層と
してＮｉ−Ｐメッキ膜を形成し、メッキ膜付着強度が垂
直引張り応力で２．０ｋｇ／ｍｍ2 であり、かつ、実用
上十分大きいＱU が得られる同軸型誘電体共振器の製造
方法を提供することにある。
電体共振器において、誘電体セラミック表面に下地層と
してＮｉ−Ｐメッキ膜を形成し、メッキ膜付着強度が垂
直引張り応力で２．０ｋｇ／ｍｍ2 であり、かつ、実用
上十分大きいＱU が得られる同軸型誘電体共振器の製造
方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、（１）
高周波誘電体セラミック上に無電解メッキによりＮｉ−
Ｐ膜を形成し、その上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、ま
たは、その双方を無電解もしくは電解メッキにより電極
として形成してなる同軸型誘電体共振器において、Ｎｉ
−Ｐ膜厚を０．０１〜１．５０μｍとすること、（２）
また、前記同軸型誘電体共振器において、高周波誘電体
セラミック上に無電解メッキによりＮｉ−Ｐ膜を形成
し、その上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、または、その
双方を無電解もしくは電解メッキにより電極として形成
した後、５００℃以下の不活性ガス雰囲気中熱処理を加
えることで、２ｋｇ／ｍｍ2 以上の垂直引張り強度を有
し、かつ、実用上十分大きいＱU を有する同軸型誘電体
共振器の製造方法が得られる。
高周波誘電体セラミック上に無電解メッキによりＮｉ−
Ｐ膜を形成し、その上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、ま
たは、その双方を無電解もしくは電解メッキにより電極
として形成してなる同軸型誘電体共振器において、Ｎｉ
−Ｐ膜厚を０．０１〜１．５０μｍとすること、（２）
また、前記同軸型誘電体共振器において、高周波誘電体
セラミック上に無電解メッキによりＮｉ−Ｐ膜を形成
し、その上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、または、その
双方を無電解もしくは電解メッキにより電極として形成
した後、５００℃以下の不活性ガス雰囲気中熱処理を加
えることで、２ｋｇ／ｍｍ2 以上の垂直引張り強度を有
し、かつ、実用上十分大きいＱU を有する同軸型誘電体
共振器の製造方法が得られる。
【００１７】
【作用】以下、本発明の作用を具体的に説明する。
【００１８】前述のように、同軸型誘電体共振器におい
て無電解Ｎｉ−Ｐメッキを誘電体セラミック表面に行っ
た場合、メッキ膜付着強度は２．０ｋｇ／ｍｍ2 以上と
なるが、そのメッキ膜が厚すぎると、Ｎｉ−Ｐ導電率が
低いためにＱU が劣化する。
て無電解Ｎｉ−Ｐメッキを誘電体セラミック表面に行っ
た場合、メッキ膜付着強度は２．０ｋｇ／ｍｍ2 以上と
なるが、そのメッキ膜が厚すぎると、Ｎｉ−Ｐ導電率が
低いためにＱU が劣化する。
【００１９】そこで本発明者等は、電極層Ｎｉ−Ｐメッ
キ膜厚を種々変化させ、更に電極に実用的な導電性を持
たせるためＮｉ−Ｐメッキ膜の上にＣｕ膜もしくはＡｇ
膜、または、その双方を無電解もしくは電解メッキによ
り電極として形成した。その結果、Ｎｉ−Ｐメッキ膜厚
を０．０１〜１．５０μｍとすること、また、Ｎｉ＋Ｐ
＋Ｃｕメッキ膜厚、またはＮｉ−Ｐ＋Ｃｕ＋Ａｇメッキ
膜厚の合計を５．０μｍ程度とすることで、メッキ膜付
着強度が、垂直引張り応力で２．０ｋｇ／ｍｍ2 以上と
なり、かつ、実用上十分大きいＱU が得らることを見出
した。
キ膜厚を種々変化させ、更に電極に実用的な導電性を持
たせるためＮｉ−Ｐメッキ膜の上にＣｕ膜もしくはＡｇ
膜、または、その双方を無電解もしくは電解メッキによ
り電極として形成した。その結果、Ｎｉ−Ｐメッキ膜厚
を０．０１〜１．５０μｍとすること、また、Ｎｉ＋Ｐ
＋Ｃｕメッキ膜厚、またはＮｉ−Ｐ＋Ｃｕ＋Ａｇメッキ
膜厚の合計を５．０μｍ程度とすることで、メッキ膜付
着強度が、垂直引張り応力で２．０ｋｇ／ｍｍ2 以上と
なり、かつ、実用上十分大きいＱU が得らることを見出
した。
【００２０】また、Ｎｉ−Ｐ＋Ｃｕメッキ膜、または、
Ｎｉ−Ｐ＋Ｃｕ＋Ａｇメッキ膜厚を形成した後、不活性
ガス雰囲気中で熱処理を加えることでメッキ膜付着強度
が向上し、かつ、実用上十分大きいＱU が得られる温度
範囲が存在することを見出した。
Ｎｉ−Ｐ＋Ｃｕ＋Ａｇメッキ膜厚を形成した後、不活性
ガス雰囲気中で熱処理を加えることでメッキ膜付着強度
が向上し、かつ、実用上十分大きいＱU が得られる温度
範囲が存在することを見出した。
【００２１】
【実施例】以下に添付表等を参照して、本発明における
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００２２】まず、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系誘
電体セラミックを中心に円孔を有する３ｍｍ×３ｍｍ×
１０ｍｍの直方体に成形後、１２００〜１４００℃の温
度で２時間以上焼結した。次に、誘電体セラミック表面
をフッ硝酸、リン酸等を用いてエッチングした後、誘電
体セラミック上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキにより種々の厚
さのＮｉ−Ｐメッキ層を形成した。次に、Ｎｉ−Ｐメッ
キ層の上に電解メッキによりＣｕメッキ層を形成し、更
にそのＣｕメッキ層の上に電解メッキにより、０．１μ
ｍのＡｇメッキ層を形成した。このとき、Ｎｉ−Ｐ＋Ｃ
ｕ＋Ａｇメッキ膜厚は、合計で５μｍとした。
電体セラミックを中心に円孔を有する３ｍｍ×３ｍｍ×
１０ｍｍの直方体に成形後、１２００〜１４００℃の温
度で２時間以上焼結した。次に、誘電体セラミック表面
をフッ硝酸、リン酸等を用いてエッチングした後、誘電
体セラミック上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキにより種々の厚
さのＮｉ−Ｐメッキ層を形成した。次に、Ｎｉ−Ｐメッ
キ層の上に電解メッキによりＣｕメッキ層を形成し、更
にそのＣｕメッキ層の上に電解メッキにより、０．１μ
ｍのＡｇメッキ層を形成した。このとき、Ｎｉ−Ｐ＋Ｃ
ｕ＋Ａｇメッキ膜厚は、合計で５μｍとした。
【００２３】また、このようにして作製した同軸型誘電
体共振器に対してメッキ膜付着強度向上の目的で２００
〜６００℃の温度でＮ2 、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中
で１時間程度の熱処理を行った。
体共振器に対してメッキ膜付着強度向上の目的で２００
〜６００℃の温度でＮ2 、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中
で１時間程度の熱処理を行った。
【００２４】以上のようにして作製した同軸型誘電体共
振器の各熱処理温度におけるメッキ膜付着強度を下記の
表１に示した。
振器の各熱処理温度におけるメッキ膜付着強度を下記の
表１に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１において、メッキ膜付着強度とは、同
軸型誘電体共振器をメッキ膜が断面２×２ｍｍ、また、
厚さが１．０μｍを持つように切り出し、そのメッキ膜
上にφ０．５ｍｍのワイヤーを半田付けし、もう一方の
セラミック断面を接着剤等により固定し、ワイヤーを垂
直に引張ってメッキ膜が剥離したときの応力を示す。
軸型誘電体共振器をメッキ膜が断面２×２ｍｍ、また、
厚さが１．０μｍを持つように切り出し、そのメッキ膜
上にφ０．５ｍｍのワイヤーを半田付けし、もう一方の
セラミック断面を接着剤等により固定し、ワイヤーを垂
直に引張ってメッキ膜が剥離したときの応力を示す。
【００２７】また、表１と同様にして作製した同軸型誘
電体共振器のＱU 値を下記の表２に示した。
電体共振器のＱU 値を下記の表２に示した。
【００２８】
【表２】
【００２９】表１から分かるようにメッキ上がりの同軸
型誘電体共振器のメッキ膜付着強度は、Ｎｉ−Ｐ膜厚が
０．０１μｍ〜０．０５μｍで徐々に向上し、０．０５
μｍ以上でほぼ一定となる。このときＮｉ−Ｐ膜厚が
０．０１μｍ以上であれば、付着強度の目標値である
２．０ｋｇ／ｍｍ2 を上回る（Ｎｏ．２〜１４）。ま
た、Ｎｉ−Ｐ膜厚が０．０１μｍ以上の同軸型誘電体共
振器に５００℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を加
えた場合、メッキ膜付着強度が向上し全て２．０ｋｇ／
ｍｍ2 を上回っている。以上より、Ｎｉ−Ｐ膜厚は、
０．０１μｍ以上であればよく、０．０５μｍ以上であ
れば、付着強度の観点からは更に望ましいと評価するこ
とができる。
型誘電体共振器のメッキ膜付着強度は、Ｎｉ−Ｐ膜厚が
０．０１μｍ〜０．０５μｍで徐々に向上し、０．０５
μｍ以上でほぼ一定となる。このときＮｉ−Ｐ膜厚が
０．０１μｍ以上であれば、付着強度の目標値である
２．０ｋｇ／ｍｍ2 を上回る（Ｎｏ．２〜１４）。ま
た、Ｎｉ−Ｐ膜厚が０．０１μｍ以上の同軸型誘電体共
振器に５００℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を加
えた場合、メッキ膜付着強度が向上し全て２．０ｋｇ／
ｍｍ2 を上回っている。以上より、Ｎｉ−Ｐ膜厚は、
０．０１μｍ以上であればよく、０．０５μｍ以上であ
れば、付着強度の観点からは更に望ましいと評価するこ
とができる。
【００３０】ところで、誘電体共振器は、数式２に示さ
れるようにその寸法によって要求されるＱU 値が異な
り、今回作成した３ｍｍ×３ｍｍ×１０ｍｍの形状の同
軸型誘電体共振器の場合、概ねＱU ≧２５０であること
が要求される。
れるようにその寸法によって要求されるＱU 値が異な
り、今回作成した３ｍｍ×３ｍｍ×１０ｍｍの形状の同
軸型誘電体共振器の場合、概ねＱU ≧２５０であること
が要求される。
【００３１】このことに対して、表２から判明するよう
に、メッキ上がりの同軸型誘電体共振器のＱU 値は、Ｎ
ｉ−Ｐ膜厚が１．５０μｍ以下では２５０以上である
が、１．５０μｍを超えると２５０を下回る（Ｎｏ．１
２〜１４）。また、Ｎｉ−Ｐ膜厚が１．５０μｍ以下の
同軸型誘電体共振器に５００℃以下の不活性ガス雰囲気
中で熱処理を加えた場合でも、ＱU は２５０を上回って
いるが（Ｎｏ．１〜１１）、Ｎｉ−Ｐ膜厚が１．５０μ
ｍを超えると、ＱU は２５０を下回る（Ｎｏ．１２〜１
４）。以上より、Ｎｉ−Ｐ膜厚は１．５０μｍ以下であ
ればよい。
に、メッキ上がりの同軸型誘電体共振器のＱU 値は、Ｎ
ｉ−Ｐ膜厚が１．５０μｍ以下では２５０以上である
が、１．５０μｍを超えると２５０を下回る（Ｎｏ．１
２〜１４）。また、Ｎｉ−Ｐ膜厚が１．５０μｍ以下の
同軸型誘電体共振器に５００℃以下の不活性ガス雰囲気
中で熱処理を加えた場合でも、ＱU は２５０を上回って
いるが（Ｎｏ．１〜１１）、Ｎｉ−Ｐ膜厚が１．５０μ
ｍを超えると、ＱU は２５０を下回る（Ｎｏ．１２〜１
４）。以上より、Ｎｉ−Ｐ膜厚は１．５０μｍ以下であ
ればよい。
【００３２】また表１から判明するように、Ｎｉ−Ｐ膜
厚が０．０１μｍ以上の同軸型誘電体共振器に５００℃
を超える不活性ガス雰囲気中で熱処理（５５０，６００
℃）を加えると、全てのＮｉ−Ｐ膜厚の同軸型誘電体共
振器に関してＱU が低下し、２５０を下回る。このこと
から、不活性ガス雰囲気中で熱処理は、５００℃以下で
あり、ＱU 値の観点からは４００℃以下であれば更に好
ましいと評価することができる。
厚が０．０１μｍ以上の同軸型誘電体共振器に５００℃
を超える不活性ガス雰囲気中で熱処理（５５０，６００
℃）を加えると、全てのＮｉ−Ｐ膜厚の同軸型誘電体共
振器に関してＱU が低下し、２５０を下回る。このこと
から、不活性ガス雰囲気中で熱処理は、５００℃以下で
あり、ＱU 値の観点からは４００℃以下であれば更に好
ましいと評価することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波誘電体セラミック上に無電解メッキによりＮｉ−
Ｐ膜を形成し、その上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、ま
たは、その双方を無電解もしくは電解メッキにより電極
として形成してなる同軸型誘電体共振器において、Ｎｉ
−Ｐ膜厚を０．０１〜１．５０μｍとすること、また、
前記同軸型誘電体共振器において、高周波誘電体セラミ
ック上に無電解メッキによりＮｉ−Ｐ膜を形成し、その
上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、または、その双方を無
電解もしくは電解メッキにより電極として形成した後、
５００℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を加えるこ
とで、２ｋｇ／ｍｍ2 以上の垂直引張り強度を有し、か
つ、実用上十分大きいＱU を有する同軸型誘電体共振器
の製造方法が得られ、工業的利用価値は、大である。
高周波誘電体セラミック上に無電解メッキによりＮｉ−
Ｐ膜を形成し、その上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、ま
たは、その双方を無電解もしくは電解メッキにより電極
として形成してなる同軸型誘電体共振器において、Ｎｉ
−Ｐ膜厚を０．０１〜１．５０μｍとすること、また、
前記同軸型誘電体共振器において、高周波誘電体セラミ
ック上に無電解メッキによりＮｉ−Ｐ膜を形成し、その
上に更にＣｕ膜もしくはＡｇ膜、または、その双方を無
電解もしくは電解メッキにより電極として形成した後、
５００℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を加えるこ
とで、２ｋｇ／ｍｍ2 以上の垂直引張り強度を有し、か
つ、実用上十分大きいＱU を有する同軸型誘電体共振器
の製造方法が得られ、工業的利用価値は、大である。
【図１】本発明の対象となる同軸型誘電体共振器の一部
を断面で示す斜視図である。
を断面で示す斜視図である。
１ ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系誘電体セラミッ
ク ２ 円筒状の貫通穴 ３ 電極層 ４ 外導体 ５ 内導体 ６ 短絡端 ７ 開放端
ク ２ 円筒状の貫通穴 ３ 電極層 ４ 外導体 ５ 内導体 ６ 短絡端 ７ 開放端
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波誘電体セラミック上に無電解メッ
キによりＮｉ−Ｐ膜を形成し、その上に更にＣｕ膜もし
くはＡｇ膜、または、その双方を無電解もしくは電解メ
ッキにより電極として形成してなる同軸型誘電体共振器
において、Ｎｉ−Ｐ膜厚を０．０１〜１．５０μｍとす
ることを特徴とする同軸型誘電体共振器の製造方法。 - 【請求項２】 高周波誘電体セラミック上に無電解メッ
キによりＮｉ−Ｐ膜を形成し、その上に更にＣｕ膜もし
くはＡｇ膜、または、その双方を無電解もしくは電解メ
ッキにより電極として形成した後、５００℃以下の不活
性ガス雰囲気中で熱処理を加えることを特徴とする請求
項１記載の同軸型誘電体共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21843494A JPH0884009A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 同軸型誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21843494A JPH0884009A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 同軸型誘電体共振器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0884009A true JPH0884009A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16719857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21843494A Withdrawn JPH0884009A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 同軸型誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0884009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094280A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Cts Corporation | Dielectric block signal filters with cost-effective conductive coatings |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP21843494A patent/JPH0884009A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094280A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Cts Corporation | Dielectric block signal filters with cost-effective conductive coatings |
| US6809612B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-10-26 | Cts Corporation | Dielectric block signal filters with cost-effective conductive coatings |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |